Компания Micron Technology анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии 9300, рассчитанные на корпоративных заказчиков: решения могут использоваться в дата-центрах, в составе облачных платформ и т. п.

Новинки относятся к 2,5-дюймовым изделиям U.2; задействован интерфейс PCIe Gen3 x4 NVMe. В основу устройств положены 64-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND (три бита информации в одной ячейке).

В семействе представлены накопители 9300 PRO и 9300 MAX. Первые предназначены для систем с высокой интенсивностью чтения информации. Вместимость составляет 3,84 Тбайт, 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт.

Изделия 9300 MAX, в свою очередь, оптимизированы для платформ со смешанными нагрузками. Эти устройства будут предлагаться в вариантах ёмкостью 3,2 Тбайт, 6,4 Тбайт и 12,8 Тбайт.

Скорость последовательного чтения информации у всех устройств достигает 3500 Мбайт/с. Скорость последовательной записи варьируется от 3100 до 3500 Мбайт/с.

Показатели производительности для каждой модели, а также величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) приведены в следующей таблице:

Устройства имеют размеры 100,45 × 70,10 × 15,00 мм. Средняя заявленная наработка на отказ (MTTF) достигает 2 млн часов. Цена пока не раскрывается. 

Компания Toshiba Memory Europe объявляет о выходе на европейском рынке быстрых твердотельных (SSD) накопителей серии XD5, о подготовке которых мы сообщали в прошлом месяце.

Речь идёт об устройствах хранения информации в форм-факторе 2,5 дюйма. Эти решения предназначены как для центров обработки данных, так и для облачной инфраструктуры. Накопители хорошо подходят для баз данных NoSQL, больших горизонтально масштабируемых систем интеллектуального анализа информации и платформ для потоковой передачи данных.

Изделия Toshiba XD5 используют интерфейс NVMe: это говорит о высокой производительности. В частности, скорость последовательного чтения данных достигает 2700 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 895 Мбайт/с.

Производительность в режимах чтения и записи с произвольным доступом составляет 250 000 и 21 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно, благодаря чему устройства серии XD5 становятся надёжным решением для рабочих нагрузок с высокой интенсивностью считывания данных.

Накопители созданы на основе 64-слойной 3D-памяти BiCS FLASH TLC: технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

В семейство входят модели вместимостью до 3,84 Тбайт. Флеш-память и контроллеры, используемые в накопителях XD5, обеспечивают высокую надёжность, защиту данных, сквозное обнаружение ошибок и защиту при потере питания. На устройства распространяется ограниченная пятилетняя гарантия. 

Как сообщается в официальном блоге SK Hynix, на саммите Open Compute Project (OCP 2019) компания первой в индустрии сообщила о подготовке к выпуску твердотельных накопителей с поддержкой технологии Zone Namespaces (ZNS). Технология ZNS разрабатывается в виде открытых решений и предполагает раздельную запись на один и тот же накопитель музыки, видео и статичных изображений. По крайней мере, такая разбивка справедлива на сегодняшний день, хотя в дальнейшем число категорий может быть увеличено.

Зональная запись данных, как считают в SK Hynix, увеличит скорость работы с SSD как минимум на 30 %, а устойчивость к износу вообще вырастет в четыре раза! Как это подсчитано, не уточняется. В теории работа с зонами может свести к минимуму такие служебные операции, как сборка мусора. Программное обеспечение будет работать с зонами, подобно тому, как это происходит с файлами, позволяя, например, за раз удалять всю зону, а не отдельные файлы. Появилась ли нужда в подобных глобальных операциях? Как заявляют в SK Hynix, эра ИИ, машинного обучения и больших данных требует пересмотра отношения к хранению огромных массивов однотипных данных. В конце концов, инструкции Intel и AMD по ускорению обработки мультимедийных данных стали настолько неотъемлемой частью процессоров, что о них уже мало кто вспоминает, тогда как эффект от работы таких наборов никуда не делся.

Компания SK Hynix завершит разработку и адаптацию технологии Zone Namespaces к концу текущего года. Поставка накопителей с поддержкой ZNS ожидается в начале 2020 года. Судя по всему, поддержка ZNS будет реализована в прошивке контроллеров, так как это, в общем-то, программная надстройка. Компания будет поставлять на рынок фирменные SSD с поддержкой Zone Namespaces в виде 2-Тбайт PCIe 3.0 адаптеров и в формфакторе M.2 на 72-слойной 512-Гбит памяти 3D NAND TLC. Следует ожидать, что к ней в этой инициативе присоединятся другие производители SSD.

Компания Kingston Digital, помимо твердотельных накопителей DC500R корпоративного класса, анонсировала устройства хранения данных семейства DC500M.

Новинки предназначены для смешанных рабочих нагрузок в ситуациях, где присутствует равномерный баланс операций чтения и записи. Эти SSD-решения хорошо подходят для поставщиков облачных услуг и программно-определяемых сетей хранения, которым требуется гибкая инфраструктура для эффективной адаптации и управления транзакционными рабочими нагрузками.

В качестве возможных областей применения значатся работа с искусственным интеллектом, анализ больших данных, облачные вычисления, приложения баз данных и машинное обучение.

Заказчики смогут выбирать между моделями вместимостью от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 555 Мбайт/с, скорость записи — 520 Мбайт/с.

Что касается показателя IOPS (операций ввода/вывода в секунду), то при работе с блоками данных по 4 Кбайт он составляет до 98 000 при чтении и до 75 000 при записи.

«DC500M с показателем выносливости 1,3 DWPD [циклов записи всей ёмкости в день] хорошо подходит для рынка стоечных серверов большого объёма, для серверов масштабных центров обработки данных и поставщиков облачных услуг, которым требуются недорогие высокопроизводительные подсистемы хранения», — отмечает Kingston Digital.

Накопители выполнены в формате 2,5 дюйма: габариты составляют 69,9 × 100 × 7 мм. Для подключения служит стандартный интерфейс SATA 3.0. Возможно шифрование данных по алгоритму AES. 

Компания Kingston Digital анонсировала твердотельные накопители серии DC500R, рассчитанные на использование в корпоративном секторе.

Изделия выполнены в формате 2,5 дюйма. Они подходят для центров обработки данных с высокой интенсивностью чтения. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

В накопителях применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND: технология предусматривает хранение трёх бит информации в ячейке. Для подключения служит интерфейс SATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

В семейство Kingston DC500R вошли модели вместимостью 480 Гбайт и 960 Гбайт, а также 1,92 Тбайт и 3,84 Тбайт. Скорость чтения у всех устройств достигает 555 Мбайт/с, скорость записи варьируется от 500 до 525 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 98 000 при чтении и до 28 000 при записи.

Накопители имеют габариты 69,9 × 100 × 7 мм и весят 92,34 грамма. Средняя заявленная наработка на отказ (показатель MTBF) — 2 млн часов.

Производитель обеспечивает решения пятилетней гарантией. Информации об ориентировочной цене накопителей на данный момент нет. 

На саммите OCP 2019 израильская компания Mellanox, которую готовится поглотить небезызвестная компания NVIDIA, представила интересную программно-аппаратную технологию NVMe SNAP (Software-defined, Network Accelerated Processing). Программное обеспечение NVMe SNAP идёт в комплекте с сетевыми адаптерами Mellanox PCIe SmartNIC семейства BlueField и оптимизировано для работы с этими решениями. Задачи, которые выполняет NVMe SNAP, ― это обеспечить пользователю доступ к удалённым хранилищам, как если бы это было локальное хранилище данных. Иначе говоря, благодаря развёртыванию в удалённых СХД NVMe SNAP пользователь обращается к далёким массивам данных как к SSD в своём собственном компьютере или ноутбуке.

Mellanox

Нетрудно представить, что доступ к удалённым данным без задержек, свойственным сетевым соединениям, позволит поднять эффективность работы в приложениях с обработкой больших массивов данных. В мире глобальной деятельности задержки играют критическую роль практически во всех сферах бизнеса. Виртуализация систем хранения на флеш-массивах с помощью NVMe SNAP обеспечит гарантию максимально быстрого доступа к публичным и частным облачным сервисам, а также к корпоративным вычислительным платформам. В обычном случае доступ к удалённым флеш-массивам сопровождали бы множественные препятствия в виде драйверов и программных надстроек. Технология NVMe SNAP делает подключение удалённого пользователя прозрачным для обычного программного обеспечения.

Mellanox

Как часть реализации технологии NVMe SNAP можно рассматривать дальнейшее продвижение в жизнь технологии/спецификаций NVMe-oF (NVMe over Fabrics). Это более широкая реализация технологий виртуализации СХД с использованием флеш-накопителей. В каждом конкретном случае (ЦОД) сетевая инфраструктура может тем или иным способом реализации отличаться, но NVMe-oF разрешит отвлечься от шин и интерфейсов и позволит обращаться к удалённым массивам SSD как к локальным.

Mellanox

Для зарождающегося рынка решений и услуг «вычислений в памяти» (in-memory computing) компания Western Digital разработала семейство накопителей Ultrastar DC ME200 Memory Extension Drive. Подчеркнём, в наименовании новинки вы не увидите привычной аббревиатуры SSD. С точки зрения Western Digital — это именно «расширитель» ОЗУ, а не привычное всем устройство для долговременного хранения данных. Внешне новинки невозможно отличить от SSD в исполнении PCIe-адаптера или накопителя в форм-фактре U.2. Но логика работы накопителей Memory Extension Drive совсем другая и требует иного подхода со стороны разработчиков программ и операционных систем.

В компании Western Digital заявляют о совместимости Memory Extension Drive с Linux 64-bit OS, RHEL 6.5, 6.6, 6.7, 6.8, 6.9, 7.0, 7.1, 7.2, 7.3, 7.4, SLES 11-SP4, 12, 12-SP1, 12-SP2, Fedora Core версии от 4 до 27, Open SuSe версий 10 и 11, Ubuntu Server версий от 16.04 до 17.10 и Debian 9.5.0. Драйверы и утилиты создают платформу для адресации к виртуальной программно-конфигурируемой памяти, где нет различия между модулями DRAM и SSD с поддержкой протокола NVMe. Тем самым условно сколь угодно большой массив данных можно загрузить и обработать в памяти, где для программного обеспечения нет различия между модулями DRAM и накопителями SSD.

Для того, чтобы накопители Memory Extension Drive работали с производительностью, близкой к производительности оперативной памяти, а в ином случае весь этот огород не имеет смысла, разработчик задействовал свыше 20 алгоритмов кеширования, предсказания ветвлений и другие механизмы для сглаживания проблем, связанных с задержками обращения к SSD. При этом Western Digital настаивает, что проблему стирания границы между SSD и DRAM в основном должны решать специальные алгоритмы машинного обучения. В одиночку компания не потянет весь круг задач и призывает сообщество развивать программную инфраструктуру для накопителей Memory Extension Drive.

Как уверены в компании, накопители Memory Extension Drive хорошо подходят для решения следующих задач: для сетевого журналируемого хранилища данных Redis, для сервиса кеширования данных Memcached в оперативной памяти на основе хеш-таблицы, для баз данных In-Memory, для хранилищ данных, для IoT-платформ, для потоковой аналитики, для Apache (Spark, Storm, Kafka), для распределённых баз в памяти, для приложений с кешированием, для распределённого контента (CDN), для услуг SaaS, для аналитики как сервиса, AI/ML и сервисов с массивным журналированием.

На момент анонса компания поставляет избранным клиентам накопители Ultrastar DC ME200 Memory Extension Drive в виде моделей объёмом 1 Тбайт, 2 Тбайт и 4 Тбайт. Полка высотой 1U вместит достаточно накопителей в форм-факторе U.2, чтобы предоставить пользователю 24 Тбайт «почти что памяти DRAM». Насколько будут велики потери от работы такой виртуальной памяти? По данным WD, если взять за чистую производительность обращение к 786 Гбайт DRAM, скорость работы которой оценивается на уровне 1,080 млн транзакций в секунду, то микс 3:1 (576 Гбайт Ultrastar и 192 Гбайт DRAM) просядет до 91 % производительности или до 983 тыс. транзакций, а при соотношении 7:1 (672 Гбайт Ultrastar и 96 Гбайт DRAM) производительность снизится до 85 % или 918 тыс. транзакций в секунду. Достаточно интересно, но как за это проголосует индустрия, пока непонятно.

Японская компания Toshiba продолжает совершенствовать системы хранения данных. Новая разработка воплотилась в прототипе системы хранения на твердотельных накопителях с прямым подключением по Ethernet. Подобный подход упрощает как архитектуру хранилищ, так и необходимую для передачи данных инфраструктуру ЦОД, не теряя при этом в скорости доступа к данным, включая сохранение малых задержек.

Программная составляющая платформы Toshiba NVMe-oF

Экспериментальная система собрана в доработанном шасси высотой 2U компании Aupera Technologies. Кроме накопителей SSD NVMe-oF в форм-факторе U.2 в корпусе находятся два коммутатора 100 GbE с организацией шести восходящих портов. Внутри корпуса накопители Toshiba NVMe-oF подключаются по двухпортовой схеме к интерфейсу 25 GbE. В качестве контроллера (моста) выступает чип Marvell 88SN2400 NVMe-oF.

Подобная конфигурация показала себя в работе с лучшей стороны, обеспечив производительность при чтении случайных 4-Кбайт блоков на уровне 16 млн IOPS. В целом построение решения относится к так называемой архитектуре JBOF (Just Bunch of Flash), которая исключает из платформы центральный процессор. Простая по организации и конфигурации платформа СХД с прямым сетевым подключением накопителей и с поддержкой протокола NVMe — это то, что упростит системы хранения данных без потери всех преимуществ накопителей на твердотельной памяти.

К саммиту Flash Memory Summit 2018 компании IBM и Everspin подготовили анонс любопытного продукта — линейки серверных SSD FlashSystem с кеширующим буфером из памяти ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Обычно подобный буфер выполняется из памяти DRAM (в современной версии — из DDR3 или LPDDR4), который необходимо защищать от потери данных в момент критических сбоев питания. Делается это с помощью навесных батареек или суперконденсаторов. Замена микросхем буфера на энергонезависимую память упрощает процесс защиты данных во время сбоя питания. Другое дело, что для этого подходит далеко не каждая память. Например, память NAND медленная и подвержена быстрому износу. Частично проблема износа решается за счёт буфера из NAND SLC, но хотелось бы чего-то более надёжного.

AnandTech

Перспективной памятью для буферов записи SSD считается магниторезистивная память и она в недавнем прошлом для этого уже использовалась. Пока создать накопитель исключительно на памяти MRAM представляется невыгодным — слишком мала плотность записи. Так, сегодня память MRAM выпускается в виде 256-Мбит чипов с техпроцессом 40 нм. До конца года обещает начаться выход 22-нм микросхем объёмом 1 Гбит, но и этой ёмкости мало для производства SSD. Впрочем, в ряде случаев создание SSD на памяти MRAM выгодно и это делается. В компании IBM решили начать с малого и внедрили в производство линейку SSD с буфером записи из 256-Мбит микросхем MRAM Everspin.

AnandTech

Заметим, традиционно накопители IBM FlashSystem имеют уникальную конструкцию, которая также имеет, скажем так, централизованную систему защиты от пропадания питания. Новые накопители в линейке IBM FlashSystem выполнены в виде SSD 2,5-дюймового формфактора U.2 и к защите от сбоев питания пришлось прибегать уже индивидуально. В компании IBM решили проблему в корне — заменили буфер из DRAM на буфер из ST-MRAM. Основной массив памяти — это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC. Представлены модели накопителей объёмом до 19,2 Тбайт. Интерфейс — PCI Express 4.0 x4, который может работать в режиме двух портов одновременно (2+2). Поставки новинок клиентам компания IBM рассчитывает начать в течение августа. Другой информации о накопителях пока нет.

Накопители на базе флеш-памяти давно стали привычным атрибутом любого мало-мальски производительного ПК или рабочей станции, активно проникают они и в серверную сферу. В сравнении с традиционными жёсткими дисками они всем хороши, однако есть и недостаток — ресурс памяти типа NAND конечен и напрямую зависит как от количества уровней записи, так и от «толщины» техпроцесса. На этом фоне настоящим прорывом выглядит технология 3D XPoint, не столь давно представленная альянсом Intel и Micron. Память, основанная на этом принципе, работает совсем иначе, нежели классическая NAND — в ней используется некий материал, способный изменять и сохранять своё сопротивление. Что это за материал и как именно он работает — пока остаётся коммерческой тайной. Главное, что такая память не просто на порядки надёжнее, но и может похвастаться существенно меньшим уровнем задержек; также 3D XPoint не страдает от падения производительности в режиме записи. Накопители на базе данной технологии Intel поставляет на рынок под брендом Optane, и пара моделей таких SSD уже побывала в нашей тестовой лаборатории.

Общие принципы работы 3D XPoint

Если кеширующие недорогие модели Intel Optane Memory оставили неоднозначное впечатление, то тесты Intel Optane SSD 900P показали, что 3D XPoint очень сильна там, где подавляющее большинство традиционных SSD испытывает затруднения, а именно, в сценариях смешанной нагрузки, а также при чтении малыми блоками. Ни один из существующих SSD, даже новейший Samsung 970 PRO, не может противостоять Optane просто в силу иного принципа действия энергонезависимой памяти. На линейных операциях же первые модели серьёзных накопителей Intel Optane лидерами не стали в силу использования сравнительно простого контроллера, который не имеет даже буфера DRAM. Форм-фактор PCI Express подходит не всем, но из-за сравнительно невысокой ёмкости чипов 3D XPoint до недавнего времени создать более-менее ёмкую версию накопителя в формате M.2 компании не удавалось, а представленная модель 800P была доступна в ёмкостях всего 58 и 118 Гбайт. К тому же, она использовала только 2 линии PCIe 3.0, что ограничивало скоростной потенциал.

Новое семейство Intel Optane предназначено для высокоскоростных СХД

Но Intel не собирается сидеть на месте. На мероприятии ISC High Performance 2018, которое проходит сейчас во Франкфурте и продлится до 28 июня, компания показала новинки, правда, пока только серверные. Начать следует с новых моделей серии SSD DC — новые накопители P4801X теперь доступны и в формате M.2, хотя форм-фактор используется и не совсем привычный, 22110 вместо классического 2280. Но при этом задействованы все 4 линии PCI Express, а максимальная ёмкость увеличена до 375 Гбайт (имеются также модели ёмкостью 100 и 200 Гбайт). Это уже достаточно много для использования в серьёзных приложениях, требующих низкой латентности и высокой производительности при запросах с малой глубиной очереди. Интересно, что версия U.2 в корпусе формата 2,5″ будет иметь максимальную ёмкость всего 100 Гбайт. Вероятно, это вызвано тем, что Intel активно продвигает в серверной сфере новый форм-фактор твердотельных накопителей, так называемую «линейку», она же EDSFF.

EDSFF на бумаге...

...в жизни...

...и в составе новых систем Supermicro

Выглядят новые Optane достаточно любопытно. Они унаследовали от 800P синий цвет печатной платы, но в отличие от предшественников, «заселены» куда более плотно. Контроллер используется тот же, что и в серии 905P, анонсированной на Computex 2017. Он отличается от установленного в 900P типом упаковки —  открытый кристалл против чипа с защитной крышкой. По всей видимости, и уровень производительности предполагается аналогичный, порядка 2,6 Гбайт/с при чтении и 2,2 Гбайт/с при записи, то есть, рекордов на линейных операциях P4801X явно ставить не собирается, но это и не является его целевой задачей. Параметр наработки на отказ, вероятнее всего, не ниже, нежели у потребительских моделей серии 905P, а у них он заявлен на уровне 1,6 миллиона часов. Сколько циклов перезаписи способна выдержать сама 3D XPoint, пока неизвестно; мы пытаемся это выяснить эмпирическим путем — накопитель 900P ёмкостью 280 Гбайт уже успел перевалить за отметку 6 Пбайт и по-прежнему демонстрирует статус «good», хотя официальный ресурс для этой модели с 20-нм памятью 3D XPoint составляет 5,11 Пбайт. Ресурс резерва израсходован на 77 %, но память нового типа выдержала уже более 20 тысяч циклов перезаписи, что намного выше показателей любой современной «тонкой» NAND.

У Intel SSD DC P4801X развитая система питания

У Intel SSD DC P4801X по-прежнему нет DRAM-кеша, в котором накопители этого типа не очень-то и нуждаются, но весьма развитой выглядит подсистема питания. Несколько крупных танталовых конденсаторов, расположенных на обратной стороне печатной платы даже заставляют предположить наличие некоей защиты от случайного отключения питания, хотя 3D XPoint в такой защите и не нуждается. Имеются и другие элементы, наличие которых не позволило накопителю уместиться в формат 2280. Чипов памяти на борту P4801X семь, по числу каналов контроллера; эта особенность была описана ещё в обзоре Optane SSD 900P. Прогресс, однако, велик: если в P4800X использовалась старая однокристальная версия 3D XPoint, то здесь установлены новые сборки с четырьмя кристаллами, что и позволило создать достаточно ёмкий накопитель формата M.2. Напоминаем, ранее при том же объёме требовалось 28 чипов памяти, что, конечно, не позволяло использовать данный форм-фактор.

Intel SSD DC P4801X (внизу) и новый ёмкий DC P4511

Также на ISC 2018 были представлены новые модели более традиционных твердотельных накопителей серии DC P4511. В них применена новейшая 64-слойная память типа 3D TLC, созданная альянсом Intel и Micron. Главное достоинство новых накопителей — низкий уровень энергопотребления при высоких ёмкостях, что позволит снизить и общее энергопотребление крупных ЦОД и ЦХД. Здесь защита по питанию выглядит более чем оправданной, как, впрочем, и наличие выделенного DRAM-кеша. На снимке фигурирует модель типа M.2 22110 ёмкостью 1 Тбайт, но семейство DC P4511 этой цифрой не ограничится. Intel планирует представить на рынке в первой половине текущего года модели и с более высокой ёмкостью в вышеупомянутом формате EDSFF, как в длинной, так и в короткой версии. В стандартном 19-дюймовом стоечном корпусе высотой 1U максимальная ёмкость подсистемы хранения данных за счёт установки 32 накопителей может достигнуть 1 Пбайт — невиданный ранее показатель для столь компактной системы.

Intel SSD DC P4511, вид сзади

Группа РСК, о которой мы уже рассказывали нашим читателям, российский разработчик производительных платформ и суперкомпьютеров, активно приветствует новые технологии Intel. Надо сказать, что энтузиазм в отношении Optane и 3D XPoint РСК демонстрирует ничуть не меньший, а может быть, даже и больший, нежели зарубежные разработчики систем того же класса — на ISC 2018 были продемонстрированы вполне работоспособные прототипы новых вычислительных модулей Tornado. Один такой узел в новой версии теперь сможет приютить до 12 накопителей. Для этого пришлось пожертвовать габаритами, и модули стали двойной высоты. В случае с P4801X итоговая ёмкость сравнительно невелика, всего 4,5 Тбайт, но производительность в соответствующих сценариях нагрузки обещает быть великолепной, тем более, что накопители подключены напрямую к процессорам, без использования коммутаторов. Планируются к выпуску модели с накопителями EDSFF, итоговая ёмкость, соответственно, будет выше.

Модуль RSC Tornado вмещает до 12 накопителей Optane

Также любые модули RSC теперь будут поставляться и в версии с накопителями Optane. Для систем, у которых одним из главных преимуществ заявлена поддержка NVMe Over Fabric это логично: быстрым накопителям — быстрые сетевые технологии. Вычислительная мощь у RSC Tornado вполне солидная для модуля, предназначенного к использованию в гиперкорвергентных системах: до 3,46 Тфлопс. Каждый модуль может вместить два процессора серии Xeon Gold 6154. Новинки RSC Tornado используют интегральную систему жидкостного охлаждения, причём, поддерживается и «горячий» режим с температурой теплоносителя до 63 градусов. На снимках хорошо видны стандартные фитинги с подключёнными шлангами контура СЖО. С учётом тепловыделения порядка 10 ватт на накопитель (формата M.2) жидкостное охлаждение приходится весьма к месту. Сетевая подсистема, столь важная для кластерных систем, представлена двумя портами InfiniBand 100G или OmniPath, так что с межузловой связью проблем быть не должно.

Коммутатор OmniPath класса 100G

Очевидно, что новый тип твердотельной памяти с нами надолго. Он уже демонстрирует ряд непревзойдённых характеристик. Если сегмент рынка, требующий максимальной ёмкости, останется за традиционными SSD, то приложения, требующие минимальных задержек, лучше всего будут чувствовать себя именно в паре с памятью типа 3D XPoint, альтернатив которой пока не видно. Существующие технологии, такие, как STT-MRAM, обладают слишком малой удельной ёмкостью, всего 32 Мбайт на корпус. Кеширующие накопители на базе этой памяти быстрее Optane (1,5 миллиона IOPS против 550 тысяч) и обладают практически тем же уровнем латентности, но пока могут похвастаться объёмом всего 2 Гбайт, что на два порядка меньше, нежели у решений Intel. Память типа SOT-MRAM уже возможно выпускать в промышленных масштабах, но проблема с удельной ёмкостью ещё не решена.