Компания InnoDisk объявила о выпуске твердотельных накопителей (SSD) серии 3TS5-P, которые относятся к изделиям корпоративного класса.

Новинки выполнены с применением чипов флеш-памяти 3D TLC NAND (три бита информации в одной ячейке). Для подключения служит интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Покупатели смогут выбирать между версиями в 2,5-дюймовом форм-факторе и в формате М.2. В первом случае вместимость может составлять 256 Гбайт, 512 Гбайт и 1 Тбайт, во втором — 256 Гбайт и 512 Гбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 560 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 490 Мбайт/с (500 Мбайт/с у решений стандарта М.2).

Накопители обладают повышенной надёжностью. Утверждается, в частности, что они способны выдерживать две полные перезаписи ежесуточно. Заявленный диапазон рабочих температур — от 0 до плюс 70 градусов Цельсия.

Среди прочего упомянута поддержка средств мониторинга S.M.A.R.T. Средняя заявленная наработка на отказ превышает 3 млн часов.

Компания Liqid анонсировала твердотельные накопители Element LQD4500, предназначенные для использования в высокопроизводительных системах корпоративного класса.

Изделия выполнены в виде карты расширения с интерфейсом PCI Express 4.0 x16. Используется протокол NVMe 1.3.

Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND. За работу устройств отвечают четыре контроллера Phison PS5016-E16.

Заявленная скорость последовательного чтения и записи информации достигает 24 Гбайт/с. При этом накопители, как утверждается, способны выполнять до 4 000 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении/записи блоков данных по 4 Кбайт.

Что касается вместимости, то она в зависимости от модификации накопителя составляет от 6,4 Тбайт до 30,72 Тбайт. Поддерживается шифрование по алгоритму AES.

Говорится о совместимости с программными платформами Windows, Windows Server 2012, 2012 R2, RHEL, SLES, CentOS, Solaris, SUSE, VMware.

Компания Micron Technology анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии 9300, рассчитанные на корпоративных заказчиков: решения могут использоваться в дата-центрах, в составе облачных платформ и т. п.

Новинки относятся к 2,5-дюймовым изделиям U.2; задействован интерфейс PCIe Gen3 x4 NVMe. В основу устройств положены 64-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND (три бита информации в одной ячейке).

В семействе представлены накопители 9300 PRO и 9300 MAX. Первые предназначены для систем с высокой интенсивностью чтения информации. Вместимость составляет 3,84 Тбайт, 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт.

Изделия 9300 MAX, в свою очередь, оптимизированы для платформ со смешанными нагрузками. Эти устройства будут предлагаться в вариантах ёмкостью 3,2 Тбайт, 6,4 Тбайт и 12,8 Тбайт.

Скорость последовательного чтения информации у всех устройств достигает 3500 Мбайт/с. Скорость последовательной записи варьируется от 3100 до 3500 Мбайт/с.

Показатели производительности для каждой модели, а также величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) приведены в следующей таблице:

Устройства имеют размеры 100,45 × 70,10 × 15,00 мм. Средняя заявленная наработка на отказ (MTTF) достигает 2 млн часов. Цена пока не раскрывается.

Компания Toshiba Memory Europe объявляет о выходе на европейском рынке быстрых твердотельных (SSD) накопителей серии XD5, о подготовке которых мы сообщали в прошлом месяце.

Речь идёт об устройствах хранения информации в форм-факторе 2,5 дюйма. Эти решения предназначены как для центров обработки данных, так и для облачной инфраструктуры. Накопители хорошо подходят для баз данных NoSQL, больших горизонтально масштабируемых систем интеллектуального анализа информации и платформ для потоковой передачи данных.

Изделия Toshiba XD5 используют интерфейс NVMe: это говорит о высокой производительности. В частности, скорость последовательного чтения данных достигает 2700 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 895 Мбайт/с.

Производительность в режимах чтения и записи с произвольным доступом составляет 250 000 и 21 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно, благодаря чему устройства серии XD5 становятся надёжным решением для рабочих нагрузок с высокой интенсивностью считывания данных.

Накопители созданы на основе 64-слойной 3D-памяти BiCS FLASH TLC: технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

В семейство входят модели вместимостью до 3,84 Тбайт. Флеш-память и контроллеры, используемые в накопителях XD5, обеспечивают высокую надёжность, защиту данных, сквозное обнаружение ошибок и защиту при потере питания. На устройства распространяется ограниченная пятилетняя гарантия.

Как сообщается в официальном блоге SK Hynix, на саммите Open Compute Project (OCP 2019) компания первой в индустрии сообщила о подготовке к выпуску твердотельных накопителей с поддержкой технологии Zone Namespaces (ZNS). Технология ZNS разрабатывается в виде открытых решений и предполагает раздельную запись на один и тот же накопитель музыки, видео и статичных изображений. По крайней мере, такая разбивка справедлива на сегодняшний день, хотя в дальнейшем число категорий может быть увеличено.

Зональная запись данных, как считают в SK Hynix, увеличит скорость работы с SSD как минимум на 30 %, а устойчивость к износу вообще вырастет в четыре раза! Как это подсчитано, не уточняется. В теории работа с зонами может свести к минимуму такие служебные операции, как сборка мусора. Программное обеспечение будет работать с зонами, подобно тому, как это происходит с файлами, позволяя, например, за раз удалять всю зону, а не отдельные файлы. Появилась ли нужда в подобных глобальных операциях? Как заявляют в SK Hynix, эра ИИ, машинного обучения и больших данных требует пересмотра отношения к хранению огромных массивов однотипных данных. В конце концов, инструкции Intel и AMD по ускорению обработки мультимедийных данных стали настолько неотъемлемой частью процессоров, что о них уже мало кто вспоминает, тогда как эффект от работы таких наборов никуда не делся.

Компания SK Hynix завершит разработку и адаптацию технологии Zone Namespaces к концу текущего года. Поставка накопителей с поддержкой ZNS ожидается в начале 2020 года. Судя по всему, поддержка ZNS будет реализована в прошивке контроллеров, так как это, в общем-то, программная надстройка. Компания будет поставлять на рынок фирменные SSD с поддержкой Zone Namespaces в виде 2-Тбайт PCIe 3.0 адаптеров и в формфакторе M.2 на 72-слойной 512-Гбит памяти 3D NAND TLC. Следует ожидать, что к ней в этой инициативе присоединятся другие производители SSD.

Компания Kingston Digital, помимо твердотельных накопителей DC500R корпоративного класса, анонсировала устройства хранения данных семейства DC500M.

Новинки предназначены для смешанных рабочих нагрузок в ситуациях, где присутствует равномерный баланс операций чтения и записи. Эти SSD-решения хорошо подходят для поставщиков облачных услуг и программно-определяемых сетей хранения, которым требуется гибкая инфраструктура для эффективной адаптации и управления транзакционными рабочими нагрузками.

В качестве возможных областей применения значатся работа с искусственным интеллектом, анализ больших данных, облачные вычисления, приложения баз данных и машинное обучение.

Заказчики смогут выбирать между моделями вместимостью от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 555 Мбайт/с, скорость записи — 520 Мбайт/с.

Что касается показателя IOPS (операций ввода/вывода в секунду), то при работе с блоками данных по 4 Кбайт он составляет до 98 000 при чтении и до 75 000 при записи.

«DC500M с показателем выносливости 1,3 DWPD [циклов записи всей ёмкости в день] хорошо подходит для рынка стоечных серверов большого объёма, для серверов масштабных центров обработки данных и поставщиков облачных услуг, которым требуются недорогие высокопроизводительные подсистемы хранения», — отмечает Kingston Digital.

Накопители выполнены в формате 2,5 дюйма: габариты составляют 69,9 × 100 × 7 мм. Для подключения служит стандартный интерфейс SATA 3.0. Возможно шифрование данных по алгоритму AES.

Компания Kingston Digital анонсировала твердотельные накопители серии DC500R, рассчитанные на использование в корпоративном секторе.

Изделия выполнены в формате 2,5 дюйма. Они подходят для центров обработки данных с высокой интенсивностью чтения. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

В накопителях применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND: технология предусматривает хранение трёх бит информации в ячейке. Для подключения служит интерфейс SATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

В семейство Kingston DC500R вошли модели вместимостью 480 Гбайт и 960 Гбайт, а также 1,92 Тбайт и 3,84 Тбайт. Скорость чтения у всех устройств достигает 555 Мбайт/с, скорость записи варьируется от 500 до 525 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 98 000 при чтении и до 28 000 при записи.

Накопители имеют габариты 69,9 × 100 × 7 мм и весят 92,34 грамма. Средняя заявленная наработка на отказ (показатель MTBF) — 2 млн часов.

Производитель обеспечивает решения пятилетней гарантией. Информации об ориентировочной цене накопителей на данный момент нет.

На саммите OCP 2019 израильская компания Mellanox, которую готовится поглотить небезызвестная компания NVIDIA, представила интересную программно-аппаратную технологию NVMe SNAP (Software-defined, Network Accelerated Processing). Программное обеспечение NVMe SNAP идёт в комплекте с сетевыми адаптерами Mellanox PCIe SmartNIC семейства BlueField и оптимизировано для работы с этими решениями. Задачи, которые выполняет NVMe SNAP, ― это обеспечить пользователю доступ к удалённым хранилищам, как если бы это было локальное хранилище данных. Иначе говоря, благодаря развёртыванию в удалённых СХД NVMe SNAP пользователь обращается к далёким массивам данных как к SSD в своём собственном компьютере или ноутбуке.

Mellanox

Нетрудно представить, что доступ к удалённым данным без задержек, свойственным сетевым соединениям, позволит поднять эффективность работы в приложениях с обработкой больших массивов данных. В мире глобальной деятельности задержки играют критическую роль практически во всех сферах бизнеса. Виртуализация систем хранения на флеш-массивах с помощью NVMe SNAP обеспечит гарантию максимально быстрого доступа к публичным и частным облачным сервисам, а также к корпоративным вычислительным платформам. В обычном случае доступ к удалённым флеш-массивам сопровождали бы множественные препятствия в виде драйверов и программных надстроек. Технология NVMe SNAP делает подключение удалённого пользователя прозрачным для обычного программного обеспечения.

Mellanox

Как часть реализации технологии NVMe SNAP можно рассматривать дальнейшее продвижение в жизнь технологии/спецификаций NVMe-oF (NVMe over Fabrics). Это более широкая реализация технологий виртуализации СХД с использованием флеш-накопителей. В каждом конкретном случае (ЦОД) сетевая инфраструктура может тем или иным способом реализации отличаться, но NVMe-oF разрешит отвлечься от шин и интерфейсов и позволит обращаться к удалённым массивам SSD как к локальным.

Mellanox

Японская компания Toshiba продолжает совершенствовать системы хранения данных. Новая разработка воплотилась в прототипе системы хранения на твердотельных накопителях с прямым подключением по Ethernet. Подобный подход упрощает как архитектуру хранилищ, так и необходимую для передачи данных инфраструктуру ЦОД, не теряя при этом в скорости доступа к данным, включая сохранение малых задержек.

Программная составляющая платформы Toshiba NVMe-oF

Экспериментальная система собрана в доработанном шасси высотой 2U компании Aupera Technologies. Кроме накопителей SSD NVMe-oF в форм-факторе U.2 в корпусе находятся два коммутатора 100 GbE с организацией шести восходящих портов. Внутри корпуса накопители Toshiba NVMe-oF подключаются по двухпортовой схеме к интерфейсу 25 GbE. В качестве контроллера (моста) выступает чип Marvell 88SN2400 NVMe-oF.

Подобная конфигурация показала себя в работе с лучшей стороны, обеспечив производительность при чтении случайных 4-Кбайт блоков на уровне 16 млн IOPS. В целом построение решения относится к так называемой архитектуре JBOF (Just Bunch of Flash), которая исключает из платформы центральный процессор. Простая по организации и конфигурации платформа СХД с прямым сетевым подключением накопителей и с поддержкой протокола NVMe — это то, что упростит системы хранения данных без потери всех преимуществ накопителей на твердотельной памяти.

К саммиту Flash Memory Summit 2018 компании IBM и Everspin подготовили анонс любопытного продукта — линейки серверных SSD FlashSystem с кеширующим буфером из памяти ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Обычно подобный буфер выполняется из памяти DRAM (в современной версии — из DDR3 или LPDDR4), который необходимо защищать от потери данных в момент критических сбоев питания. Делается это с помощью навесных батареек или суперконденсаторов. Замена микросхем буфера на энергонезависимую память упрощает процесс защиты данных во время сбоя питания. Другое дело, что для этого подходит далеко не каждая память. Например, память NAND медленная и подвержена быстрому износу. Частично проблема износа решается за счёт буфера из NAND SLC, но хотелось бы чего-то более надёжного.

AnandTech

Перспективной памятью для буферов записи SSD считается магниторезистивная память и она в недавнем прошлом для этого уже использовалась. Пока создать накопитель исключительно на памяти MRAM представляется невыгодным — слишком мала плотность записи. Так, сегодня память MRAM выпускается в виде 256-Мбит чипов с техпроцессом 40 нм. До конца года обещает начаться выход 22-нм микросхем объёмом 1 Гбит, но и этой ёмкости мало для производства SSD. Впрочем, в ряде случаев создание SSD на памяти MRAM выгодно и это делается. В компании IBM решили начать с малого и внедрили в производство линейку SSD с буфером записи из 256-Мбит микросхем MRAM Everspin.

AnandTech

Заметим, традиционно накопители IBM FlashSystem имеют уникальную конструкцию, которая также имеет, скажем так, централизованную систему защиты от пропадания питания. Новые накопители в линейке IBM FlashSystem выполнены в виде SSD 2,5-дюймового формфактора U.2 и к защите от сбоев питания пришлось прибегать уже индивидуально. В компании IBM решили проблему в корне — заменили буфер из DRAM на буфер из ST-MRAM. Основной массив памяти — это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC. Представлены модели накопителей объёмом до 19,2 Тбайт. Интерфейс — PCI Express 4.0 x4, который может работать в режиме двух портов одновременно (2+2). Поставки новинок клиентам компания IBM рассчитывает начать в течение августа. Другой информации о накопителях пока нет.