Материалы по тегу: ram

13.02.2020 [14:18], Сергей Карасёв

SMART Modular представила 32-Гбайт модули DDR4 Mini-DIMM для промышленной сферы

Компания SMART Modular Technologies анонсировала новые модули оперативной памяти Mini-DIMM DDR4-3200, рассчитанные на использование в коммерческой и промышленной сферах. Заказчики смогут выбирать между регистровой памятью с ECC и небуферизированной памятью. 

Модули доступны в двух вариантах — ULP (Ultra Low Profile) и VLP (Very Low Profile). В первом случае высота составляет 17,78 мм, во втором — 18,75 мм.

Память может эксплуатироваться в широком температурном диапазоне — от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Опционально доступно нанесение покрытия для защиты от воздействия окружающей среды и повышения виброустойчивости. 

Новые модули подходят для применения в устройствах промышленного класса, телекоммуникационном, а также в других системах, к которым предъявляются повышенные требования в плане рабочих температур и надёжности. Сведений о цене новых модулей DDR4-3200 Mini-DIMM пока нет. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/1003610
22.01.2020 [12:13], Геннадий Детинич

Для среды разработки Xilinx выпущено полное руководство по интеграции STT-MRAM

Скорость распространение нового типа энергонезависимой памяти STT-MRAM зависит не только от наличия микросхем памяти, но также от уровня поддержки разработчиков. Для решения последней задачи выпущено полное руководство по проектированию для среды Xilinx Vivado.

Компания Everspin Technologies сообщила, что поддержала относительно недавний старт массового производства 1-Гбит чипов памяти STT-MRAM выпуском всеобъемлющего руководства по проектированию интерфейсов с использованием магнитно-резистивной оперативной памяти со спиновым переносом. На момент анонса руководство интегрировано в среду Vivado компании Xilinx.

Интерфейс памяти Everspin 1 Гбит STT-MRAM представлен стандартом DDR4 со скоростью передачи данных 1333 МТ/с на линию. Задержки, уровни питания и некоторые другие параметры сигнальной структуры STT-MRAM отличаются от сигнальной структуры обычной оперативной памяти с интерфейсом DDR4. Тем не менее, базовые контроллеры памяти Xilinx, которые входят в среду Vivado, поддерживают уже второе поколение памяти STT-MRAM Everspin, что позволяет быстро и с гарантией выводить на рынок новые продукты.

Новые микросхемы памяти STT-MRAM компании Everspin выпускаются с использованием 28-нм техпроцесса на заводе компании GlobalFoundries. До производства 1-Гбит чипов, выпуск которых стартовал в конце прошлого лета или в начале осени, Everspin выпускала 256-Мбит микросхемы STT-MRAM. Дискретные чипы памяти MRAM кроме неё никто в мире больше не производит в товарных объёмах.

Можно рассчитывать, что четырёхкратный рост объёма микросхем STT-MRAM сделает их более популярным продуктом для установки в качестве энергонезависимых буферов или для обслуживания критически важных нагрузок. А сотрудничество с Xilinx позволит ускорить разработку новых устройств. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/1001976
12.12.2019 [11:56], Геннадий Детинич

Everspin начинает серийный выпуск 1-Гбит чипов STT-MRAM для крупного производителя оборудования ЦОД

Компания Everspin Technologies ― единственный в мире производитель дискретных чипов памяти STT-MRAM ― сообщила о заключении первого заказа на серийную поставку самых ёмких в мире микросхем STT-MRAM объёмом 1 Гбит.

Имя заказчика не раскрывается, поскольку он ещё не представил новые фирменные продукты на основе 1-Гбит микросхем памяти STT-MRAM. Но это один из крупнейших в мире OEM-производителей оборудования для центров обработки данных, заявляют в Everspin.

1-Гбит 28-нм микросхемы памяти STT-MRAM компании Everspin

1-Гбит 28-нм микросхемы памяти STT-MRAM компании Everspin

Решение о запуске серийного производства 1-Гбит чипов магниторезистивной памяти на эффекте переноса спина электронов для первого клиента принято после прохождения всех необходимых квалификационных тестов новой памяти Everspin на площадке заказчика.

Пилотный выпуск этих микросхем с использованием 28-нм техпроцесса на линиях компании GlobalFoundries стартовал летом этого года. Чипы выпускаются в конфигурации 128Мбит x8 и 64 Мбит x16. Интерфейс ― ST-DDR4, скорость передачи данных на линию ― 1333 МТ/с. Полную документацию можно найти по этой ссылке.

До этого момента первой и массовой продукцией Everspin в виде чипов STT-MRAM были 28-нм 256-Мбит микросхемы, которые она представила в 2017 году. Небольшая ёмкость первого поколения чипов памяти STT-MRAM и, собственно, не такая большая по современным меркам ёмкость второго поколения микросхем оставляет за этой памятью такую основную нишу использования, как кеширующие накопители.

Правда, новые микросхемы повышенной ёмкости всё увереннее позволяют говорить о кешировании основного потока данных, а не только для ведения логов (журналов). Что же, ждём анонса интересной продукции на 1-Гбит чипах STT-MRAM.

Постоянный URL: http://servernews.ru/999586
04.11.2019 [21:00], Алексей Степин

IBM продвигает открытый стандарт оперативной DDIMM-памяти OMI для серверов

Практически у всех современных процессоров контроллер памяти давно и прочно является частью самого ЦП, будь то монолитный кристалл или чиплетная сборка. Но не всегда подобная монолитность является плюсом — к примеру, она усложняет задачу увеличения количества каналов доступа к памяти.

Таких каналов уже 8 и существуют проекты процессоров с 10 каналами памяти. Но это усложняет как сами ЦП, так и системные платы, ведь только на подсистему памяти, без учёта интерфейса PCI Express, может уйти 300 и более контактов, которые ещё требуется корректно развести и подключить.

Организация подсистемы памяти у POWER8

Организация подсистемы памяти у POWER8

У IBM есть ответ, и заключается он в переносе части функций контроллера памяти на сторону модулей DIMM. Сам интерфейс между ЦП и модулями памяти становится последовательным и предельно унифицированным. Похожая схема использовалась в стандарте FB-DIMM, аналогичную компоновку применила и сама IBM в процессорах POWER8 и POWER9 в варианте Scale-Up.

Роль и возможности буфера Centaur у POWER8

Роль и возможности буфера Centaur у POWER8

Контроллер памяти у этих процессоров упрощён, в нём отсутствует контроллер физического уровня (PHY). Его задачи возложены на чип-буфер Centaur, который посредством одноимённого последовательного интерфейса и связывается с процессором на скорости 28,8 Гбайт/с.

Контроллеров интерфейса Centaur в процессорах IBM целых восемь, что дает ПСП в районе 230 Гбайт/с. За счёт выноса ряда функций в чипы-буфера удалось сократить площадь кристалла, и без того немалую (свыше 700 мм2), но за это пришлось заплатить увеличением задержек в среднем на 10 нс. Частично это сглажено за счёт наличия в составе Centaur кеша L4.

Сравнительные размеры модулей Centaur, RDIMM и OMI DDIMM

Сравнительные размеры модулей Centaur, RDIMM и OMI DDIMM

Стандарт не является открытым, но IBM предлагает ему на смену полностью открытый вариант под названием Open Memory Interface (OMI). В его основу положена семантика и протоколы, описанные в стандарте OpenCAPI 3.1, а физический уровень представлен шиной BlueLink (25 Гбит/с на линию), которая уже используется для реализации NVLink и OpenCAPI.

Реализация OMI проще Centaur, что позволяет сделать чип-буфер более компактным и выделяющим меньше тепла. Но все преимущества сохраняются: так, число контактов процессора, отвечающих за интерфейс памяти, можно снизить с примерно 300 до 75, поскольку посылаются только простые команды загрузки и сохранения данных. Вся реализация физического интерфейса осуществляется силами чипа-компаньона OMI, и в нём же может находиться дополнительный кеш.

Модули OMI DDIMM станут стандартом JEDEC

Модули OMI DDIMM станут стандартом JEDEC

Помимо экономии контактов есть и ещё одна выгода: можно реализовать любой тип памяти, будь то DDR, GDDR и даже NVDIMM — вся PHY-часть придётся на различные варианты чипов OMI, но со стороны стандартного разъёма любой модуль OMI будет выглядеть одинаково. Сейчас взят прицел на реализацию модулей с памятью DDR5.

При использовании существующих чипов DDR4 система с интерфейсом OMI может достичь совокупной ПСП порядка 650 Гбайт/с. Дополнительные задержки составят 5 ‒ 10 нс для RDIMM и лишь 4 нс для LRDIMM. Из всех соперников технологии на такое способны только сборки HBM, которые в силу своей природы имеют ограниченную ёмкость, дороги в реализации и не могут быть вынесены с общей с ЦП подложки.

Новый стандарт упростит процессоры и позволит увеличить ёмкость подсистемы памяти

Новый стандарт упростит процессоры и позволит увеличить ёмкость подсистемы памяти

Чипы-буферы OMI можно разместить как на модуле памяти, так и на системной плате. Разумеется, для стандартизации выбран первый вариант. В нём предусмотрено 84 контакта на модуль, сами же модули получили название Dual-Inline Memory Module (DDIMM).

DDIMM вышли существенно компактнее своих традиционных собратьев: ширина модуля сократилась со 133 до 85 мм. Реализация буфера OMI ↔ DDR4 уже существует в кремнии: компания Microsemi продемонстрировала чип SMC 1000 (PM8596), поддерживающего 8 линий OMI со скоростью 25 Гбит/с каждая. Допустима также работа в режиме 4 × 1 с вдвое меньшей общей пропускной способностью.

DDIMM существенно компактнее классических модулей памяти

DDIMM: меньше ширина, проще разъём

Со стороны чипов памяти SMC 1000 имеет стандартный 72-битный интерфейс с ECC и поддержкой различных комбинаций DRAM и NAND-устройств. Тактовая частота DRAM — до 3,2 ГГц, высота модуля зависит от количества и типов устанавливаемых чипов.

В случае одиночной высоты модули могут иметь ёмкость до 128 Гбайт, двойная высота позволит создать DDIMM объёмом свыше 256 Гбайт. Сам чип SMC 1000 невелик, всего 17 × 17 мм, а невысокое тепловыделение гарантирует отсутствие проблем с перегревом, свойственных FB-DIMM.

Процессоры IBM POWER9 AIO дополнили существующую серию

Процессоры IBM POWER9 AIO дополнили существующую серию

Первыми процессорами с поддержкой OMI стали новые POWER9 версии Advanced I/O (AIO), дополнившие семейства Scale Up (SC) и Scale Out (SO). В них реализовано 16 каналов OMI по 8 линий каждый (до 650 Гбайт/с суммарно), а также новые версии интерфейсов NVLink (возможно, 3.0) и OpenCAPI 4.0. Количество линий PCI Express 4.0 по-прежнему составляет 48.

Шина IBM BlueLink была переименована в PowerAXON. За счёт её использования в системах на базе процессоров POWER возможна реализация 16-сокетных систем без применения дополнительной логики. Максимальное количество ядер у POWER9 AIO равно 24, с учётом SMT4 это даёт 96 исполняемых потоков. Имеется также кеш L3 типа eDRAM объёмом 120 Мбайт. Техпроцесс остался прежним, это 14-нм FinFET.

Архитектура подсистем памяти у семейства IBM POWER9

Архитектура подсистем памяти у семейства IBM POWER9

Поставки POWER9 AIO начнутся в этом году, цены неизвестны, но с учётом 8 миллиардов транзисторов и кристалла площадью 728 мм2 они не могут быть низкими. Однако без OMI эти процессоры были бы ещё более дорогими. В комплект поставки входит и чип-буфер OMI, правда, не самая быстрая версия с пропускной способностью на уровне 410 Гбайт/с. Задел для модернизации есть, и для расширения ПСП достаточно будет заменить модули DDIMM на более быстрые варианты.

Сравнительная таблица существующих и будущих версий OpenCAPI

Сравнительная таблица существующих и будущих версий OpenCAPI

Следующее поколение процессоров IBM, POWER10, появится только в 2021 году. К этому времени ожидается принятие стандарта OMI на рынке высокопроизводительных многопроцессорных систем. Попутно IBM готовит новые версии OpenCAPI, не привязанные к архитектуре POWER, а значит, путь к OMI будет открыт и другим вендорам.

Постоянный URL: http://servernews.ru/996907
01.11.2019 [10:33], Андрей Галадей

Linux-подсистема WSL 2 станет экономнее обращаться с памятью

В свежей сборке Windows Insider Preview Build 19013 появилась новая возможность для подсистемы Linux в Windows 10.

В текущей версии при увеличении потребностей в оперативной памяти для приложений, работающих внутри WSL 2, автоматически растёт и общий объём выделенной RAM. Однако после завершения процесса в WSL 2 эта память не освобождается!

Теперь же это изменится. По данным официального блога компании Microsoft, неиспользуемая память будет «возвращаться» хосту. Это позволит задействовать её снова при необходимости.

Однако пользовательские процессы не являются единственными «потребителями» оперативной памяти. Ядро также задействует множество кешей для ускорения работы. Это касается, в частности, контейнеров. Теперь при завершении соответствующих процессов память, содержащая кеш, также будет освобождаться. В результате WSL 2 будет менее «прожорливой».

Разработчики отмечают, что обновили ядро Linux в WSL 2 и добавили возможность «сжатия» памяти, что опять-таки позволяет эффективнее использовать ОЗУ. На данный момент пока не сообщается, когда именно эта возможность появится в релизе. Очевидно, стоит ждать версии 201H, которая выйдет весной или в начале лета 2020 года. Впрочем, не исключено, что эта функция пока лишь тестируется и не попадёт в финальную сборку.

Постоянный URL: http://servernews.ru/996681
01.08.2019 [13:33], Геннадий Детинич

Китайцы берут на вооружение STT-MRAM: Sage Micro и Everspin проектируют корпоративные SSD

Близится время интереснейшего ежегодного мероприятияк Flash Memory Summit 2019. Саммит пройдёт с 5 по 8 августа в городе Санта-Клара, штат Калифорния. Ведущие производители флеш-памяти могут попытаться поразить конкурентов и нас рассказами о 196-слойной 3D NAND или других достижениях в разработке многослойной NAND-флеш.

А в прошлом году на конференцию пришли китайцы. Компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) уже представила передовую по мировым меркам технологию модульного производства 3D NAND Xtacking и теперь собирается рассказать о втором поколении этой технологии. На нынешнем саммите нас ждёт встреча и с другой китайской компанией ― Sage Microelectronics. Компания Sage Micro создана ветеранами Кремниевой долины в 2011 году и к настоящему времени заняла в Китае прочное место на рынке контроллеров (ASIC) для корпоративных и промышленных SSD. Как оказалось, Sage Micro начала вторжение на рынок SSD с буферами из памяти STT-MRAM.

Разработчик первой массовой магниторезистивной памяти STT-MRAM компания Everspin сообщила, что она заключила с компанией Sage Microelectronics стратегическое партнёрство для разработки контроллеров SSD с поддержкой 1-Гбит чипов Everspin STT-MRAM. Массовое производство таких микросхем как раз стартует в августе. Память STT-MRAM обладает лучшими скоростными и энергоэффективными характеристиками, чем NAND, а также намного устойчивее к износу, чем традиционная флеш-память.

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Ёмкость 1 Гбит мала для замены массивов NAND в твердотельных накопителях, но достаточна для замены буфера DRAM на энергонезависимый буфер STT-MRAM. Накопители SSD с буферами STT-MRAM обещают лучшую приоритизацию и снижение задержек, что крайне востребовано в SSD корпоративного класса и в накопителях для промышленного и аэрокосмического оборудования. Разработка специализированных контроллеров, учитывающих преимущества STT-MRAM, дополнительно подчеркнёт достоинства новой и пока малораспространённой магниторезистивной памяти.

Постоянный URL: http://servernews.ru/991723
16.11.2018 [22:59], Геннадий Детинич

Накопитель SMART Modular nvNITRO на памяти MRAM вышел в исполнении U.2

Компания SMART Modular Technologies представила накопитель nvNITRO в форм-факторе U.2. До этого устройство распространялось в виде PCIe-адаптера с шиной PCI Express 3.0 x8. Поставки PCIe-версии накопителя SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт стартовали в мае текущего года. Анонс разработки состоялся в августе 2017 года. Версия с 2 Гбайт памяти так и не вышла. Пусть вас не смущает небольшой по современным меркам объём памяти накопителей. Зато это память Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) компании Everspin Technologies, которая, как сказано в спецификациях, имеет неограниченную устойчивость к износу.

Накопитель SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт в форм-факторе U.2

Накопитель SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт в форм-факторе U.2

Другое важное преимущество у магниторезистивной памяти с записью с переносом спина электрона — это малые задержки при обращении. Задержки при чтении порядка 6,26 мкс, а задержки при записи — 7,22 мкс. Даже у хвалёных и непревзойдённых Intel Optane на памяти 3D XPoint задержки на этих операциях в пределах 10 мкс, а у обычных SSD на памяти NAND они могут быть больше на один порядок. К сожалению, всё портит низкая плотность памяти MRAM. Разработчик и производители так и не смогли наладить массовое производство магниторезистивной памяти объёмом свыше 256 Мбит на один кристалл.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Выпуск накопителя nvNITRO в исполнении U.2 расширяет сферу использования устройств и повышает удобство эксплуатации. Например, данный форм-фактор поддерживает горячую замену накопителей, что невозможно в исполнении карты с интерфейсом PCIe. Также nvNITRO в исполнении U.2 удобнее использовать в качестве кеширующего накопителя в стойке, установив его непосредственно в корзину с SSD или HDD, доступ к данным на которых он должен кешировать.

Наиболее востребованной сферой применения накопителя nvNITRO считается область проведения финансовых транзакций, где время буквально — деньги. Производитель утверждает, что использование nvNITRO снижает время ожидания реакции финансовых приложений до 90 % по сравнению с SSD корпоративного класса. Правда, цена за накопитель обещает оказаться немалой. По форм-фактору U.2 информации пока нет, а в исполнении PCIe накопитель стоит от $2200.

nvNITRO Accelerator Card

nvNITRO Accelerator Card

Стоит также отметить высокое потребление накопителей nvNITRO. При объёме всего в 1 Гбайт устройство потребляет до 25 Вт в режиме чтение/запись в соотношении 70/30. Может так статься, что в этом вина контроллера, который выполнен на матрице FPGA, что достаточно неэффективно. Но подтверждения этому у нас нет.

Постоянный URL: http://servernews.ru/978314
07.08.2018 [12:02], Геннадий Детинич

IBM представила 19-Тбайт NVMe SSD с кеш-буфером из памяти MRAM

К саммиту Flash Memory Summit 2018 компании IBM и Everspin подготовили анонс любопытного продукта — линейки серверных SSD FlashSystem с кеширующим буфером из памяти ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Обычно подобный буфер выполняется из памяти DRAM (в современной версии — из DDR3 или LPDDR4), который необходимо защищать от потери данных в момент критических сбоев питания. Делается это с помощью навесных батареек или суперконденсаторов. Замена микросхем буфера на энергонезависимую память упрощает процесс защиты данных во время сбоя питания. Другое дело, что для этого подходит далеко не каждая память. Например, память NAND медленная и подвержена быстрому износу. Частично проблема износа решается за счёт буфера из NAND SLC, но хотелось бы чего-то более надёжного.

AnandTech

AnandTech

Перспективной памятью для буферов записи SSD считается магниторезистивная память и она в недавнем прошлом для этого уже использовалась. Пока создать накопитель исключительно на памяти MRAM представляется невыгодным — слишком мала плотность записи. Так, сегодня память MRAM выпускается в виде 256-Мбит чипов с техпроцессом 40 нм. До конца года обещает начаться выход 22-нм микросхем объёмом 1 Гбит, но и этой ёмкости мало для производства SSD. Впрочем, в ряде случаев создание SSD на памяти MRAM выгодно и это делается. В компании IBM решили начать с малого и внедрили в производство линейку SSD с буфером записи из 256-Мбит микросхем MRAM Everspin.

AnandTech

AnandTech

Заметим, традиционно накопители IBM FlashSystem имеют уникальную конструкцию, которая также имеет, скажем так, централизованную систему защиты от пропадания питания. Новые накопители в линейке IBM FlashSystem выполнены в виде SSD 2,5-дюймового формфактора U.2 и к защите от сбоев питания пришлось прибегать уже индивидуально. В компании IBM решили проблему в корне — заменили буфер из DRAM на буфер из ST-MRAM. Основной массив памяти — это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC. Представлены модели накопителей объёмом до 19,2 Тбайт. Интерфейс — PCI Express 4.0 x4, который может работать в режиме двух портов одновременно (2+2). Поставки новинок клиентам компания IBM рассчитывает начать в течение августа. Другой информации о накопителях пока нет.

Постоянный URL: http://servernews.ru/973616
15.06.2018 [16:51], Владимир Мироненко

Блокировка Telegram ударила по небольшим стартапам на базе облачных сервисов

Блокировка Роскомнадзором мессенджера Telegram, начавшаяся 16 апреля, привела к значительному росту расходов небольших компаний на поддержание облачных сервисов. По словам гендиректора «Эквио» Алексея Вагина, из-за перехода с Google Cloud, Amazon и других зарубежных облачных сервисов на отечественные облака затраты стартапов выросли более чем вдвое, что существенно отразилось на себестоимости разрабатываемого программного обеспечения. 

Forbes

Forbes

«Например, достаточно простая серверная конфигурация для облака в 30–40 тыс. активных пользователей в Google Cloud Platform стоит $330, то есть около 21 тыс. руб. в месяц, в то время как аналогичная конфигурация на российском провайдере обойдётся уже в 64 тыс. руб. в месяц», — приводит пример Вагин. У «Эквио», по его словам, дополнительные затраты из-за блокировки составят 3–4 млн руб. в год. Отметим, что речь идёт о стартапах, которые базируются на облачных сервисах. Согласно опросу «Коммерсанта», несмотря на то, что большая часть IP-адресов зарубежных облачных сервисов уже разблокирована, компании не спешат возвращаться, опасаясь возобновления блокировки. По данным Usher2.club, к вечеру 14 июня число заблокированных IP-адресов сократилось до 3,79 млн.

Вместе с тем блокировка Telegram практически не отразилась на расходах средних и крупных компаний, традиционно полагающихся на свои ресурсы и очень ограниченно использующих облачные сервисы.

По оценкам разработчика софта Flexbby (резидент «Сколково»), возможные убытки российских компаний от блокировки Telegram могут достичь $1 млрд, а Amazon и Google — около $940 млн. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/971314
03.05.2018 [20:20], Геннадий Детинич

Намечаются поставки 1-Гбайт кэширующих ускорителей на памяти STT-MRAM

Компания SMART Modular Technologies сообщила о скором начале поставок интересных кэширующих накопителей в линейке nvNITRO на твердотельной памяти STT-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Магниторезистивная память STT-MRAM записывает данные в ячейку с помощью туннельного эффекта с использованием переноса спина электронов. Это предполагает высочайшую на данном этапе энергоэффективность, что вкупе с двумя другими выдающимися свойствами MRAM — низкой латентностью и условно бесконечной устойчивостью к износу, делает данный тип памяти интересным решением для изготовления кэширующих ускорителей и кеш-буферов для SSD на памяти NAND.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Формальный анонс карт nvNITRO с интерфейсом PCI Express 3.0 x8 состоялся в августе прошлого года в ходе годовой отраслевой конференции Flash Memory Summit 2017. Компания SMART Modular объявила о разработке адаптера nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт и 2 Гбайт. Да, да, низкая плотность микросхем MRAM делает ограниченным использование данного вида памяти. В основе новинки, например, лежат 40-нм 256-Мбит чипы STT-MRAM компании Everspin Technologies. Производством данных микросхем занимается компания GlobalFoundries. В течение этого года, возможно, будет налажен выпуск 28-нм 1-Гбит чипов STT-MRAM, прототипы которых также были показаны на прошлогоднем саммите.

nvNITRO Accelerator Card

nvNITRO Accelerator Card

Свежим пресс-релизом SMART Modular сообщила, что в мае начнутся поставки 1-Гбайт адаптера nvNITRO. Ожидаемая цена новинки составит $2200. О начале поставок 2-Гбайт версий пока не сообщается. Производительность модели в показателях IOPS достигает 1,5 млн операций ввода/вывода в секунду для случайных 4-Кбайт блоков как в режиме чтения, так и в режиме записи. Но самым привлекательным параметром ускорителей nvNITRO является малая величина задержек. Для режима чтения задержки равны 6,26 мкс, а для режима записи — 7,22 мкс. По этому показателю они немного выигрывают у SSD Intel Optane, задержки обращения которых «менее 10 мкс». По словам производителя, использование nvNITRO для обработки финансовых транзакций сокращает ожидание завершения операции на 90 % по сравнению с SSD на памяти NAND.

Постоянный URL: http://servernews.ru/969225
Система Orphus