Компания Team Group 2025 анонсировала большое количество новинок для индустриального и коммерческого применения. Дебютировали SSD в различных форм-факторах, модули оперативной памяти, а также флеш-карты micro SD.

В частности, представлен накопитель P250Q One-Click Data Destruction SSD, особенность которого заключается в поддержке физического уничтожения флеш-памяти с целью недопустимости извлечения информации. Эта функция дополняет традиционное программное стирание, исключая возможность восстановления конфиденциальных данных.

Кроме того, анонсированы накопители RF40 E1.S Enterprise SSD в форм-факторе E1.S для дата-центров. Эти устройства допускают горячую замену, а за отвод тепла отвечает запатентованный медно-графеновый радиатор толщиной всего 0,17 мм. На промышленный сектор ориентированы изделия серий R840 и R250 типоразмера М.2, оснащённые интерфейсом PCIe 5.0 x4. В этих SSD применён контроллер, при производстве которого используется 6-нм технология TSMC. Информация о вместимости и скоростных характеристиках всех перечисленных изделий пока не раскрывается.

В список новинок вошли модули оперативной памяти промышленного класса DDR5 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют на частоте 6400 МГц при напряжении питания 1,1 В. Эти модули могут применяться в серверах, индустриальных ноутбуках повышенной прочности и пр.

Источник изображения: Team Group

Анонсированы также модули памяти CAMM2 и LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), рассчитанные на промышленные системы, edge-устройства и пр. Такие решения монтируются параллельно материнской плате, благодаря чему занимают меньше места в высоту. Для установки применяются резьбовые стойки. Память соответствует стандарту DDR5-6400.

В число прочих новинок вошли серверные модули памяти CXL 2.0 Server Memory Module. Плюс к этому представлены карты памяти D500R WORM Memory Card и D500N Hidden Memory Card. Первые ориентированы WORM-нагрузки (Write Once, Read Many), что предотвращает стирание или изменение данных. Карты второго типа получили встроенную функцию скрытия разделов.

Компания Sandisk, по сообщению TechRadar, обнародовала информацию о памяти нового типа 3D Matrix Memory, которая, как ожидается, в перспективе станет более доступной альтернативой DRAM. Работы над 3D Matrix Memory ведутся с 2017 года в сотрудничестве со специалистами международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра IMEC в Лёвене (Бельгия).

3D Matrix Memory использует архитектуру плотного массива с ячейками памяти нового типа. Говорится о совместимости с открытыми отраслевыми стандартами, такими как CXL. По утверждениям Sandisk, разрабатываемая технология позволит преодолеть ограничения в плане ёмкости и пропускной способности, с которыми столкнулись другие типы памяти на фоне стремительного развития ИИ.

Источник изображений: Sandisk

Для 3D Matrix Memory заявлен высокий уровень масштабируемости. Предполагается, что в перспективе такая память обеспечит в четыре раза большую ёмкость по сравнению с DRAM при сопоставимой производительности и двукратном снижении стоимости. Sandisk утверждает, что характеристики памяти 3D Matrix Memory с течением времени будут улучшаться, повышая её экономическую эффективность.

Изделия 3D Matrix Memory первого поколения будут обладать ёмкостью 32–64 Гбит. Одним из первых покупателей памяти станет Министерство обороны США, которое намерено использовать её в аэрокосмическом секторе. О сроках начала массового производства пока ничего не сообщается.

Нужно отметить, что ранее Sandisk предложила технологию флеш-памяти с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash), которая может стать альтернативой HBM (High Bandwidth Memory) в ИИ-ускорителях при решении определённых задач, таких как инференс. По сравнению с HBM использование HBF позволит увеличить объём памяти ИИ-карт в 8 или даже 16 раз при сопоставимой цене. Кроме того, Sandisk проектирует SSD сверхвысокой вместимости для дата-центров: накопители на фирменной платформе UltraQLC смогут вмещать до 1 Пбайт информации.

Российский разработчик ПО «Иридиум» представил защищённое приложение DMTChat для обмена сообщениями на базе мессенджера Telegram, отличающееся повышенной защитой конфиденциальности переписки. Приложение получило продвинутые функции защиты данных с применением современных криптографических технологий и российских стандартов информационной безопасности, говорится в пресс-релизе.

DMTChat поддерживает абонентское шифрование данных прямо на устройстве с использованием российских криптоалгоритмов (ГОСТ) и обеспечивает безопасность передачи данных, которые невозможно расшифровать при перехвате на серверах Telegram или в Сети. Сообщается, что ключи шифрования не передаются на сторонние серверы и не доступны третьим лицам. Функции дополнительной верификации сообщений исключает вероятность утечки данных и обеспечивают защиту от подмены сообщений. Также можно сразу удалять сообщения или их части без возможности восстановления в дальнейшем.

Источник изображения: «Иридиум»

Приложение обладает привычным дизайном мессенджера Telegram и совместимо с мобильными версиями Android 6.0 и выше. Приложение может использоваться для общения с пользователями стандартного Telegram, но в этом случае дополнительные функции защиты доступны не будут. Вскоре приложение интегрируют в почтовый клиент DeepMail. Также планируется расширение круга совместимых ОС (iOS, Windows, Linux, macOS) и размещение приложения в App Store, Google Play и RuStore.

Компания ADATA Industrial анонсировала модули оперативной памяти промышленного класса DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Изделия рассчитаны на эксплуатацию в суровых условиях. Они могут применяться в оборудовании для дата-центров, в ИИ-устройствах для периферийных вычислений, транспортных системах, IoT-приборах и пр.

Модули функционируют при напряжении 1,1 В. Вне зависимости от форм-фактора доступны варианты ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Говорится о поддержке ECC. ADATA предлагает модификации со стандартным и расширенным температурным диапазоном: в первом случае он простирается от 0 до +95 °C, во втором — от -40 до +95 °C.

Источник изображения: ADATA Industrial

Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), обеспечивающая защиту от перепадов напряжения. Специальное конформное покрытие помогает минимизировать негативное влияние факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий.

По желанию заказчика может быть добавлена защита от сульфирования. Отмечается, что в среде с высокой концентрацией серы при определённых условиях (высоких температурах, влажности и загрязнениях) могут образовываться различные виды соединений серы, которые воздействуют на серебряные сплавы в DRAM-чипах. Это может приводить к выводу модулей из строя. Для решения проблемы ADATA предлагает соответствующую защиту.

Компания Panmnesia работает в области проектирования CXL-пулов DRAM довольно давно: в 2023 году она демонстрировала систему, оставляющую позади все решения на базе RDMA и обеспечивающую доступ к 6 Тбайт оперативной памяти. Но большие объёмы памяти сегодня, в эпоху всё более усложняющихся ИИ-моделей, нужны не только и не столько процессорам, сколько ускорителям, априори лишённым возможности апгрейда набортной RAM. На выставке CES 2025 компания продемонстрировала решение данной проблемы.

По мнению разработчиков Panmnesia, производительность при обучении масштабных ИИ-моделей упирается именно в объёмы набортной памяти ускорителей: вместо десятков гигабайт требуются уже терабайты, а установка дополнительных ускорителей может обходиться слишком дорого при том, что вычислительные мощности окажутся избыточными.

Источник здесь и далее: Panmnesia

Продемонстрированная на выставке CXL-система построена на базе новейшего контроллера Panmnesia с поддержкой CXL 3.1. В двунаправленном режиме латентность доступа составила менее 100 нс и находится примерно на уровне 80 нс.

Ключ к успеху здесь кроется в фирменной реализации CXL 3.1, включая программную часть, благодаря которой GPU могут обращаться к общему пулу памяти, используя те же инструкции типа load/store, что при доступе к набортной HBM или GDDR.

Однако технология требует наличия на борту GPU фирменного контроллера CXL Root Complex, одной из важнейших частей которого является декодер HDM, отвечающий за управление адресным пространством памяти (host physical address, HPA), так что уже выпущенные ускорители напрямую работать с системой Panmnesia не смогут.

Тем не менее, технология выглядит многообещающей. Она уже привлекла внимание со стороны компаний, занимающихся ИИ, как потенциально позволяющая снизить стоимость инфраструктуры ЦОД.

Компания Apacer Technology объявила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR5-6400 индустриального класса, спроектированных специально для задач ИИ и НРС. Изделия могут применяться в системах автоматизации, медицинском оборудовании, IoT-устройствах, интеллектуальных автомобильных платформах и пр.

Представлены решения DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют при напряжении 1,1 В. Ёмкость модулей составляет 8, 16, 32 и 64 Гбайт.

Источник изображения: Apacer

По заявлениям Apacer Technology, в конструкции изделий применяются компоненты высокого качества. Упомянуты полностью бессвинцовые резисторы. Кроме того, модули удовлетворяют новейшим стандартам JEDEC Raw Card Revision 1.0, обеспечивая стабильность передачи данных и высокую производительность.

Для изделий в качестве опции доступно специальное конформное покрытие, предназначенное для защиты от негативного влияния факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C.

Кроме того, может быть добавлена защита от сульфирования. Сера широко используется во многих отраслях промышленности. Когда серебряные сплавы в DRAM-чипах подвергаются воздействию сернистых газов, происходит коррозионная реакция: сульфирование приводит к снижению проводимости и быстрому выходу изделий из строя. Для решения проблемы Apacer применяет запатентованную технологию.

Исследователи Лёвенского католического университета (Бельгия), Любекского университета (Германия) и Бирмингемского университета (Великобритания) обнаружили, что система защиты виртуальных машин от атак с использованием вредоносного гипервизора AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), не так безопасна, как утверждает разработчик, пишет The Register.

Технологии Secure Encrypted Virtualization (SEV) предоставляют доверенную среду исполнения (TEE), призванную обеспечить защиту виртуальных машин от незаконных попыток вмешательства со стороны тех, кто имеет доступ к оборудованию ЦОД. Механизм SEV-SNP реализован в процессорах AMD EPYC, начиная с 7003 (Milan). Аналогичные механизмы есть и у конкурентов: Intel Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX), а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Все эти технологии отвечают за шифрование памяти и изоляцию ресурсов.

Исследователи разработали способ обхода SEV-SNP, который они назвали BadRAM (CVE-2024-21944 и AMD-SB-3015). Для атаки требуется оборудование стоимостью около $10, включая Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарею на 9 В. Атака BadRAM требует наличие физического доступа к оборудованию. Она основана на манипуляциях с чипом SPD (Serial Presence Detect), который передаёт данные о модуле DDR4/DDR5 во время загрузки системы. Манипулируя SPD, злоумышленники создают адреса-фантомы для физической памяти, благодаря которым можно незаметно получить доступ к данным в виртуальной машине.

Источник изображения: badram.eu

«Мы удваиваем видимый в системе объём DIMM, чтобы обмануть контроллер памяти CPU и заставить его использовать дополнительные «фантомные» биты адресации, — объясняют авторы исследования. — Два разных физических адреса теперь ссылаются на одно и то же местоположение DRAM». С помощью таких фантомов злоумышленники могут обойти защиту памяти, раскрывая конфиденциальные данные или вызывя сбои. BadRAM позволяет подделать критически важные отчёты удалённой аттестации и вставлять необнаруживаемые бэкдоры в любую виртуальную машину, защищённую SEV-SNP.

Атака может быть реализована и без физического доступа к оборудованию, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным, что противоречит спецификациям JEDEC. Авторы исследования обнаружили по крайней мере два DDR4-модуля Corsair без должной защиты SPD. Память DDR3 тоже может быть взломана путём замены чипа SPD.

Источник изображения: badram.eu

«BadRAM полностью подрывает доверие к технологии защищённой зашифрованной виртуализации AMD (SEV-SNP), которая широко используется крупными поставщиками облачных услуг, включая Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure», — сообщил The Register Джо Ван Балк (Jo Van Bulck), профессор лаборатории DistriNet на кафедре компьютерных наук KU Leuven.

Исследователи отметили, что решения SGX и TDX Intel не имеют такой уязвимости, поскольку в них реализованы контрмеры против создания псевдонимов (alias) памяти. Arm CCA, судя по спецификации, тоже не имеет проблем, но для проверки этого у исследователей не было коммерческих чипов. Полный доклад об атаке исследователи планируют представить в мае 2025 года на конференции IEEE Symposium on Security and Privacy.

Источник изображения: AMD

Исследователи уведомили AMD о найденных проблемах в феврале 2024 года. «AMD рекомендует использовать модули памяти, которые блокируют SPD, а также следовать передовым практикам в области физической безопасности систем. AMD также выпустила обновления прошивок защиты от уязвимости», — сообщили в AMD ресурсу The Register в ответ на просьбу прокомментировать публикацию исследователей.

Согласно оценкам аналитической компании TrendForce, в III квартале 2024 года глобальный доход производителей памяти DRAM достиг $26,02 млрд (последовательный рост на 13,6 %) на фоне растущего спроса на память DDR5 и HBM для ЦОД, несмотря на снижение поставок памяти LPDDR4 и DDR4 из-за сокращения запасов китайскими брендами смартфонов и расширения мощностей китайскими поставщиками DRAM.

Как и в предыдущем квартале средняя цена продажи (ASP) продолжала расти, чему способствовало, в том числе, вытеснение памятью HBM производства обычной DRAM. При этом контрактные цены выросли на 8–13 %.

В IV квартале TrendForce ожидает квартальный рост общих поставок DRAM в битах, полагая при этом, что ограничения мощностей, вызванные производством HBM, окажут более слабое, чем ожидалось, влияние на цены. Кроме того, расширение мощностей китайскими поставщиками может побудить производителей ПК и бренды смартфонов активно расходовать имеющиеся запасы, чтобы пополнять их более дешёвой DRAM. Это может привести к снижению контрактных цен на обычную DRAM.

Источник изображения: SK hynix

Благодаря росту контрактных цен на DRAM для серверов и ПК в III квартале увеличились доходы трёх крупнейших производителей памяти. Samsung сохранила лидерство с доходом в $10,7 млрд, что на 9 % больше показателя предыдущего квартала. В связи со стратегическим снижением запасов LPDDR4 и DDR4 поставки компанией памяти в битах остались на уровне предыдущего квартала.

На втором месте по-прежнему находится SK hynix с доходом в $8,95 млрд (последовательный рост на 13,1 %). Несмотря на рост поставок HBM3e, более слабые продажи LPDDR4 и DDR4 привели к снижению показателя поставок в битах на 1–3% в квартальном исчислении. Доход Micron вырос на 28,3 % в квартальном исчислении до $5,78 млрд благодаря значительному росту поставок серверной памяти DRAM и HBM3e, что привело к увеличению поставок в битах на 13 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Источник изображения: TrendForce

Тайваньские поставщики DRAM, столкнувшиеся в III квартале с падением выручки, значительно отстали от тройки лидеров. У Nanya Technology было отмечено падение поставок в битах более чем на 20 % в квартальном исчислении из-за более слабого спроса на потребительскую DRAM и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Операционная прибыль ещё больше снизилась (с -23,4 % до -30,8 %) из-за инцидента с отключением электроэнергии.

Выручка Winbond снизилась в квартальном исчислении на 8,6 % до $154 млн на фоне падения спроса на потребительскую DRAM снизился, что также негативно отразилось на объёме поставок в битах. Наконец, PSMC сообщила о падении выручки от собственного производства потребительской DRAM на 27,6 %. Однако, с учётом полупроводникового производства, её общая выручка от поставок DRAM выросла на 18 % в квартальном исчислении, что обусловлено продолжающимся пополнением запасов клиентами в сфере производства полупроводников.

Компания Innodisk анонсировала модули памяти DDR5-6400 ёмкостью 64 Гбайт, предназначенные для задач с интенсивным использованием данных. Это могут быть приложения ИИ (в том числе генеративного), платформы смешанной реальности, большие языковые модели (LLM), автономные транспортные средства, телемедицинские системы и пр.

Изделия доступны в различных вариантах исполнения — CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM и RDIMM. Помимо версии на 64 Гбайт, серия включает варианты объёмом 8, 16, 32, 24 и 48 Гбайт.

Источник изображения: Innodisk

Модули функционируют при напряжении питания 1,1 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C. Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), которая обеспечивает защиту от перепадов напряжения. Контакты модулей имеют покрытие золотом толщиной 30 мкм, благодаря чему улучшается проводимость и обеспечивается защита от окисления: это увеличивает срок службы.

По заявлениям Innodisk, модули памяти DDR5-6400 полностью совместимы с новейшими процессорами AMD и Intel. Среди ключевых сфер применения изделий названы индустриальные и встраиваемые устройства, серверное оборудование, системы видеонаблюдения, платформы промышленной автоматизации и пр. В частности, память может поддерживать работу ресурсоёмких приложений ИИ на периферии. Применительно к телемедицине 3D-визуализация с высоким разрешением и анализ данных в режиме реального времени позволят удалённо проводить пациентам хирургические операции с высокой точностью, говорит компания.

Компания SK hynix на мероприятии SK AI Summit в Сеуле (Южная Корея) сообщила о разработке первых в отрасли 16-ярусных чипов памяти HBM3E, ёмкость которых составляет 48 Гбайт. Клиенты получат образцы таких изделий в начале 2025 года.

Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг (Kwak Noh-Jung) сообщил, что компания намерена трансформироваться в поставщика ИИ-памяти «полного стека». Ассортимент продукции будет охватывать изделия всех типов — от DRAM до NAND. При этом планируется налаживание тесного сотрудничества с заинтересованными сторонами.

Источник изображения: techpowerup.com

При производстве 16-Hi HBM3E компания будет применять передовую технологию Advanced MR-MUF, которая ранее использовалась при изготовлении 12-слойных продуктов. Память рассчитана на высокопроизводительные ИИ-ускорители. Утверждается, что 16-ярусные изделия по сравнению с 12-слойными аналогами обеспечивают прирост быстродействия на 18 % при обучении ИИ-моделей и на 32 % при инференсе.

SK hynix намерена предложить заказчикам кастомизируемые решения HBM с оптимизированной производительностью, которые будут соответствовать различным требованиям к ёмкости, пропускной способности и функциональности. Плюс к этому SK hynix планирует интегрировать логику непосредственно в кристаллы HBM4. Ранее говорилось, что компания рассчитывает начать поставки памяти HBM4 заказчикам во II половине 2025 года.

В числе других готовящихся продуктов SK hynix упоминает модули LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) для ПК и ЦОД, решения LPDDR5 и LPDDR6 с технологией производства 1c-класса, SSD с интерфейсом PCIe 6.0, накопители eSSD и UFS 5.0 большой вместимости на основе чипов флеш-памяти QLC NAND.