Материалы по тегу: ram

04.11.2019 [21:00], Алексей Степин

IBM продвигает открытый стандарт оперативной DDIMM-памяти OMI для серверов

Подсистема памяти современных процессоров давно и прочно перекочевала из набора системной логики в сами ЦП, будь то монолитный кристалл или мультикристальная сборка, как у новых AMD Rome. Однако у такого подхода есть не только плюсы. Количество каналов доступа к памяти выросло до 8 и уже рассматриваются проекты с 10 каналами. 

Но при таком подходе увеличение числа каналов делает процессоры более сложными и громоздкими: только подсистема памяти может потребовать порядка 300 контактов, которые ещё надо развести и подключить к и без того огромному у современных многоядерных CPU набору «кремния». А ведь ещё и на PCIe приходится выделять контакты. Усложняется и конструкция системных плат, особенно при попытке увеличить количество слотов DIMM и PCIe.

Топология подсистемы памяти IBM Centaur

Топология подсистемы памяти IBM Centaur

Компания IBM предлагает полностью переосмыслить подход к организации подсистем памяти в высокопроизводительных решениях с помощью нового последовательного стандарта Open Memory Interface (OMI). Нельзя сказать, что сама идея нова: попытки внедрить последовательную шину памяти вместо параллельной предпринимались и ранее, достаточно вспомнить стандарт FB-DIMM, который погубило высокое энергопотребление и тепловыделение чипа буферизации на каждом из модулей памяти. Похожую схему использует в настоящее время использует IBM в процессорах серий POWER8 и POWER9 Scale-Up.

Промежуточный чип содержит как физические интерфейсы, так и дополнительный кеш

Промежуточный чип содержит как физические интерфейсы, так и дополнительный кеш

Контроллер памяти у этих чипов устроен иным образом, нежели в привычных Intel Xeon или AMD EPYC. В нём нет части, отвечающий за физический уровень (PHY) — непосредственно с модулями DIMM имеет дело специальный чип-буфер Centaur, который посредством одноимённого последовательного интерфейса со скоростью 9,6 гигатранзакций в секунду (28,8 Гбайт/с) уже связывается с процессором. 

Таких интерфейсов в современных процессорах IBM восемь, что даёт совокупную производительность на уровне 230 Гбайт/с. Это позволяет сэкономить площадь кристалла, которая у процессоров POWER и так очень велика ‒ свыше 700 мм2, а значит, и снизить себестоимость конечных изделий.  Из-за Centaur задержка обращений к памяти увеличивается в среднем на 10 нс, что не так уж много. К тому же частично она «сглаживается» L4-кешем. 

Сравнительные размеры модулей Centaur, RDIMM и OMI DDIMM

Сравнительные размеры модулей Centaur, RDIMM и OMI DDIMM

Новая разработка корпорации базируется на идеях, уже реализованных в Centaur, но, в отличие от последнего, является полностью открытой. В основе интерфейса OMI лежат семантика и протоколы доступа к памяти, описанные в стандарте OpenCAPI 3.1. А опирается OMI на шину BlueLink (25 Гбит/с), которая в нынешних POWER-чипах отвечает за работу NVLink и Open(CAPI). Всё это очень напоминает инициативу CXL

Реализация OMI существенно проще Centaur, она позволяет сделать чип-буфер более компактным и менее горячим. Это, в свою очередь, упрощает компоновку и площадь процессорного кристалла, ведь при последовательном доступе общее количество контактов, отвечающих за память, можно снизить с ~300 до 75. В данной схеме ЦП посылает только простые команды загрузки и сохранения, вся реализация физического интерфейса лежит на плечах чипа-компаньона OMI. В нём же может находиться дополнительный кеш.

Модули OMI DDIMM станут стандартом JEDEC

Модули OMI DDIMM станут стандартом JEDEC

Помимо экономии контактов такой подход позволяет использовать практически любой тип памяти, будь то DDR, GDDR или NVDIMM. Пока что основная цель — поддержка DDR5. Интерфейс OMI унифицирован и слоты нового типа автоматически совместимы с любыми модулями, отвечающими стандарту. 

При использовании микросхем DDR4 система с интерфейсом OMI может иметь совокупную производительность до 650 Гбайт/с. Для RDIMM увеличение задержки составляет 5–10 нс, а для LRDIMM и вовсе около 4 нс. На подобные скорости способны только сборки HBM, которые в силу своей природы имеют весьма ограниченную ёмкость и очень дороги в реализации.

Новый стандарт упростит процессоры и позволит увеличить ёмкость подсистемы памяти

Новый стандарт упростит процессоры и позволит увеличить ёмкость подсистемы памяти

Располагаться чип-буфер OMI может как на системной плате, так и на модуле памяти; последний вариант является основой нового стандарта. Он предусматривает 84 контакта на модуль, сами модули получили название Dual-Inline Memory Module (DDIMM).

Они компактнее традиционных DDR4 RDIMM: ширина модуля сократилась со 133 до 85 мм. Реализация буфера OMI ↔ DDR4 уже существует в кремнии: компания Microsemi продемонстрировала свою реализацию в лице чипа SMC 1000 (PM8596), поддерживающего 8 линий OMI со скоростью 25 Гбит/с каждая. Допустима также работа в режиме 4×1 с вдвое меньшей общей пропускной способностью.

Новая версия IBM POWER9 имеет широкие коммуникационные возможности

Новая версия IBM POWER9 имеет широкие коммуникационные возможности

С «другой стороны» SMC 1000 реализован стандартный 72-битный интерфейс и поддерживаются различные комбинации DDR4 и флеш-памяти. Тактовая частота DRAM-микросхем может составлять до 3200 МГц. Высота модуля OMI DDIMM зависит от типа и комбинации устанавливаемых чипов — у NVDIMM она будет больше, нежели в случае использования только DDR4.

При одиночной высоте максимальная ёмкость составляет 128 Гбайт, двойная позволяет в перспективе создавать модули памяти объёмом более 256 Гбайт. Сам буфер SMC 1000 компактен, его размеры составляют всего 17×17. Низкое тепловыделение гарантирует отсутствие проблем, свойственных FB-DIMM.

Процессоры POWER9 AIO дополнят уже существующую серию

Процессоры POWER9 AIO дополнят уже существующую серию

Что касается процессоров с поддержкой OMI, то первым решением такого типа стал новый вариант IBM POWER9 Advanced I/O (AIO). Отличие от версий Scale Up (SC) и Scale Out (SO) отмечено в самом названии. Новые чипы получили не только поддержку новой шины памяти OMI (16 каналов по 8 линий = 650 Гбайт/с), но и новые версии интерфейсов NVLink (возможно, 3.0) и OpenCAPI 4.0. Имеется также 48 линий PCI Express 4.0. 

За счёт шины PowerAXON (новое имя для BlueLink) возможна реализация 16-сокетных систем без применения дополнительной логики. Фактически в новых процессорах остаётся только два вида основных внешних шин: BlueLink для AXON и OMI + PCI-E 4.0. Количество ядер в POWER9 AIO может достигать 24, что с учётом поддержки SMT4 даёт 96 исполняемых потоков. Дополнительно в корпусе POWER9 AIO имеется 120 Мбайт кеша L3 типа eDRAM. Техпроцесс остался прежним — 14-нм FinFET.

Технология OMI позволит унифицировать подсистемы памяти в решениях любого класса

Технология OMI позволит унифицировать подсистемы памяти и улучшить их возможности в решениях любого класса

Поставки новых процессоров IBM POWER9 с расширенными интерфейсными возможностями должны начаться в следующем году. Стоимость неизвестна, но с учетом 8 миллиардов транзисторов и площади кристалла 728 ммона будет достаточно высокой; впрочем, как уже говорилось, за счет внедрения OMI кристалл удалось существенно упростить.

В комплект поставки IBM включила и чип-буфер OMI ↔ DDR4, его пиковая производительность составляет 410 Гбайт/с, что заметно ниже возможностей самого процессора. Следовательно, имеется место для роста и будущей модернизации систем на базе POWER9 AIO, причём сама модернизация будет заключаться только в замене модулей памяти на более производительные.

Следующее поколение, POWER10, ожидается только в 2021 году. К этому времени стандарт OMI DDIMM должен стать основным для производительных многопроцессорных систем. Кроме того, IBM попутно готовит и новые версии OpenCAPI, которые не будут привязаны к архитектуре POWER, что откроет дорогу к OMI другим вендорам. А увеличение скорости одной линии до 32 или 50 Гбит/с позволит составить конкуренцию PCI-E 5.0. Впрочем, POWER10 получит поддержку и этой шины.

Постоянный URL: http://servernews.ru/996907
01.11.2019 [10:33], Андрей Галадей

Linux-подсистема WSL 2 станет экономнее обращаться с памятью

В свежей сборке Windows Insider Preview Build 19013 появилась новая возможность для подсистемы Linux в Windows 10.

В текущей версии при увеличении потребностей в оперативной памяти для приложений, работающих внутри WSL 2, автоматически растёт и общий объём выделенной RAM. Однако после завершения процесса в WSL 2 эта память не освобождается!

Теперь же это изменится. По данным официального блога компании Microsoft, неиспользуемая память будет «возвращаться» хосту. Это позволит задействовать её снова при необходимости.

Однако пользовательские процессы не являются единственными «потребителями» оперативной памяти. Ядро также задействует множество кешей для ускорения работы. Это касается, в частности, контейнеров. Теперь при завершении соответствующих процессов память, содержащая кеш, также будет освобождаться. В результате WSL 2 будет менее «прожорливой».

Разработчики отмечают, что обновили ядро Linux в WSL 2 и добавили возможность «сжатия» памяти, что опять-таки позволяет эффективнее использовать ОЗУ. На данный момент пока не сообщается, когда именно эта возможность появится в релизе. Очевидно, стоит ждать версии 201H, которая выйдет весной или в начале лета 2020 года. Впрочем, не исключено, что эта функция пока лишь тестируется и не попадёт в финальную сборку.

Постоянный URL: http://servernews.ru/996681
01.08.2019 [13:33], Геннадий Детинич

Китайцы берут на вооружение STT-MRAM: Sage Micro и Everspin проектируют корпоративные SSD

Близится время интереснейшего ежегодного мероприятияк Flash Memory Summit 2019. Саммит пройдёт с 5 по 8 августа в городе Санта-Клара, штат Калифорния. Ведущие производители флеш-памяти могут попытаться поразить конкурентов и нас рассказами о 196-слойной 3D NAND или других достижениях в разработке многослойной NAND-флеш.

А в прошлом году на конференцию пришли китайцы. Компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) уже представила передовую по мировым меркам технологию модульного производства 3D NAND Xtacking и теперь собирается рассказать о втором поколении этой технологии. На нынешнем саммите нас ждёт встреча и с другой китайской компанией ― Sage Microelectronics. Компания Sage Micro создана ветеранами Кремниевой долины в 2011 году и к настоящему времени заняла в Китае прочное место на рынке контроллеров (ASIC) для корпоративных и промышленных SSD. Как оказалось, Sage Micro начала вторжение на рынок SSD с буферами из памяти STT-MRAM.

Разработчик первой массовой магниторезистивной памяти STT-MRAM компания Everspin сообщила, что она заключила с компанией Sage Microelectronics стратегическое партнёрство для разработки контроллеров SSD с поддержкой 1-Гбит чипов Everspin STT-MRAM. Массовое производство таких микросхем как раз стартует в августе. Память STT-MRAM обладает лучшими скоростными и энергоэффективными характеристиками, чем NAND, а также намного устойчивее к износу, чем традиционная флеш-память.

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Ёмкость 1 Гбит мала для замены массивов NAND в твердотельных накопителях, но достаточна для замены буфера DRAM на энергонезависимый буфер STT-MRAM. Накопители SSD с буферами STT-MRAM обещают лучшую приоритизацию и снижение задержек, что крайне востребовано в SSD корпоративного класса и в накопителях для промышленного и аэрокосмического оборудования. Разработка специализированных контроллеров, учитывающих преимущества STT-MRAM, дополнительно подчеркнёт достоинства новой и пока малораспространённой магниторезистивной памяти.

Постоянный URL: http://servernews.ru/991723
16.11.2018 [22:59], Геннадий Детинич

Накопитель SMART Modular nvNITRO на памяти MRAM вышел в исполнении U.2

Компания SMART Modular Technologies представила накопитель nvNITRO в форм-факторе U.2. До этого устройство распространялось в виде PCIe-адаптера с шиной PCI Express 3.0 x8. Поставки PCIe-версии накопителя SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт стартовали в мае текущего года. Анонс разработки состоялся в августе 2017 года. Версия с 2 Гбайт памяти так и не вышла. Пусть вас не смущает небольшой по современным меркам объём памяти накопителей. Зато это память Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) компании Everspin Technologies, которая, как сказано в спецификациях, имеет неограниченную устойчивость к износу.

Накопитель SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт в форм-факторе U.2

Накопитель SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт в форм-факторе U.2

Другое важное преимущество у магниторезистивной памяти с записью с переносом спина электрона — это малые задержки при обращении. Задержки при чтении порядка 6,26 мкс, а задержки при записи — 7,22 мкс. Даже у хвалёных и непревзойдённых Intel Optane на памяти 3D XPoint задержки на этих операциях в пределах 10 мкс, а у обычных SSD на памяти NAND они могут быть больше на один порядок. К сожалению, всё портит низкая плотность памяти MRAM. Разработчик и производители так и не смогли наладить массовое производство магниторезистивной памяти объёмом свыше 256 Мбит на один кристалл.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Выпуск накопителя nvNITRO в исполнении U.2 расширяет сферу использования устройств и повышает удобство эксплуатации. Например, данный форм-фактор поддерживает горячую замену накопителей, что невозможно в исполнении карты с интерфейсом PCIe. Также nvNITRO в исполнении U.2 удобнее использовать в качестве кеширующего накопителя в стойке, установив его непосредственно в корзину с SSD или HDD, доступ к данным на которых он должен кешировать.

Наиболее востребованной сферой применения накопителя nvNITRO считается область проведения финансовых транзакций, где время буквально — деньги. Производитель утверждает, что использование nvNITRO снижает время ожидания реакции финансовых приложений до 90 % по сравнению с SSD корпоративного класса. Правда, цена за накопитель обещает оказаться немалой. По форм-фактору U.2 информации пока нет, а в исполнении PCIe накопитель стоит от $2200.

nvNITRO Accelerator Card

nvNITRO Accelerator Card

Стоит также отметить высокое потребление накопителей nvNITRO. При объёме всего в 1 Гбайт устройство потребляет до 25 Вт в режиме чтение/запись в соотношении 70/30. Может так статься, что в этом вина контроллера, который выполнен на матрице FPGA, что достаточно неэффективно. Но подтверждения этому у нас нет.

Постоянный URL: http://servernews.ru/978314
07.08.2018 [12:02], Геннадий Детинич

IBM представила 19-Тбайт NVMe SSD с кеш-буфером из памяти MRAM

К саммиту Flash Memory Summit 2018 компании IBM и Everspin подготовили анонс любопытного продукта — линейки серверных SSD FlashSystem с кеширующим буфером из памяти ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Обычно подобный буфер выполняется из памяти DRAM (в современной версии — из DDR3 или LPDDR4), который необходимо защищать от потери данных в момент критических сбоев питания. Делается это с помощью навесных батареек или суперконденсаторов. Замена микросхем буфера на энергонезависимую память упрощает процесс защиты данных во время сбоя питания. Другое дело, что для этого подходит далеко не каждая память. Например, память NAND медленная и подвержена быстрому износу. Частично проблема износа решается за счёт буфера из NAND SLC, но хотелось бы чего-то более надёжного.

AnandTech

AnandTech

Перспективной памятью для буферов записи SSD считается магниторезистивная память и она в недавнем прошлом для этого уже использовалась. Пока создать накопитель исключительно на памяти MRAM представляется невыгодным — слишком мала плотность записи. Так, сегодня память MRAM выпускается в виде 256-Мбит чипов с техпроцессом 40 нм. До конца года обещает начаться выход 22-нм микросхем объёмом 1 Гбит, но и этой ёмкости мало для производства SSD. Впрочем, в ряде случаев создание SSD на памяти MRAM выгодно и это делается. В компании IBM решили начать с малого и внедрили в производство линейку SSD с буфером записи из 256-Мбит микросхем MRAM Everspin.

AnandTech

AnandTech

Заметим, традиционно накопители IBM FlashSystem имеют уникальную конструкцию, которая также имеет, скажем так, централизованную систему защиты от пропадания питания. Новые накопители в линейке IBM FlashSystem выполнены в виде SSD 2,5-дюймового формфактора U.2 и к защите от сбоев питания пришлось прибегать уже индивидуально. В компании IBM решили проблему в корне — заменили буфер из DRAM на буфер из ST-MRAM. Основной массив памяти — это 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC. Представлены модели накопителей объёмом до 19,2 Тбайт. Интерфейс — PCI Express 4.0 x4, который может работать в режиме двух портов одновременно (2+2). Поставки новинок клиентам компания IBM рассчитывает начать в течение августа. Другой информации о накопителях пока нет.

Постоянный URL: http://servernews.ru/973616
15.06.2018 [16:51], Владимир Мироненко

Блокировка Telegram ударила по небольшим стартапам на базе облачных сервисов

Блокировка Роскомнадзором мессенджера Telegram, начавшаяся 16 апреля, привела к значительному росту расходов небольших компаний на поддержание облачных сервисов. По словам гендиректора «Эквио» Алексея Вагина, из-за перехода с Google Cloud, Amazon и других зарубежных облачных сервисов на отечественные облака затраты стартапов выросли более чем вдвое, что существенно отразилось на себестоимости разрабатываемого программного обеспечения. 

Forbes

Forbes

«Например, достаточно простая серверная конфигурация для облака в 30–40 тыс. активных пользователей в Google Cloud Platform стоит $330, то есть около 21 тыс. руб. в месяц, в то время как аналогичная конфигурация на российском провайдере обойдётся уже в 64 тыс. руб. в месяц», — приводит пример Вагин. У «Эквио», по его словам, дополнительные затраты из-за блокировки составят 3–4 млн руб. в год. Отметим, что речь идёт о стартапах, которые базируются на облачных сервисах. Согласно опросу «Коммерсанта», несмотря на то, что большая часть IP-адресов зарубежных облачных сервисов уже разблокирована, компании не спешат возвращаться, опасаясь возобновления блокировки. По данным Usher2.club, к вечеру 14 июня число заблокированных IP-адресов сократилось до 3,79 млн.

Вместе с тем блокировка Telegram практически не отразилась на расходах средних и крупных компаний, традиционно полагающихся на свои ресурсы и очень ограниченно использующих облачные сервисы.

По оценкам разработчика софта Flexbby (резидент «Сколково»), возможные убытки российских компаний от блокировки Telegram могут достичь $1 млрд, а Amazon и Google — около $940 млн. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/971314
03.05.2018 [20:20], Геннадий Детинич

Намечаются поставки 1-Гбайт кэширующих ускорителей на памяти STT-MRAM

Компания SMART Modular Technologies сообщила о скором начале поставок интересных кэширующих накопителей в линейке nvNITRO на твердотельной памяти STT-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Магниторезистивная память STT-MRAM записывает данные в ячейку с помощью туннельного эффекта с использованием переноса спина электронов. Это предполагает высочайшую на данном этапе энергоэффективность, что вкупе с двумя другими выдающимися свойствами MRAM — низкой латентностью и условно бесконечной устойчивостью к износу, делает данный тип памяти интересным решением для изготовления кэширующих ускорителей и кеш-буферов для SSD на памяти NAND.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Формальный анонс карт nvNITRO с интерфейсом PCI Express 3.0 x8 состоялся в августе прошлого года в ходе годовой отраслевой конференции Flash Memory Summit 2017. Компания SMART Modular объявила о разработке адаптера nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт и 2 Гбайт. Да, да, низкая плотность микросхем MRAM делает ограниченным использование данного вида памяти. В основе новинки, например, лежат 40-нм 256-Мбит чипы STT-MRAM компании Everspin Technologies. Производством данных микросхем занимается компания GlobalFoundries. В течение этого года, возможно, будет налажен выпуск 28-нм 1-Гбит чипов STT-MRAM, прототипы которых также были показаны на прошлогоднем саммите.

nvNITRO Accelerator Card

nvNITRO Accelerator Card

Свежим пресс-релизом SMART Modular сообщила, что в мае начнутся поставки 1-Гбайт адаптера nvNITRO. Ожидаемая цена новинки составит $2200. О начале поставок 2-Гбайт версий пока не сообщается. Производительность модели в показателях IOPS достигает 1,5 млн операций ввода/вывода в секунду для случайных 4-Кбайт блоков как в режиме чтения, так и в режиме записи. Но самым привлекательным параметром ускорителей nvNITRO является малая величина задержек. Для режима чтения задержки равны 6,26 мкс, а для режима записи — 7,22 мкс. По этому показателю они немного выигрывают у SSD Intel Optane, задержки обращения которых «менее 10 мкс». По словам производителя, использование nvNITRO для обработки финансовых транзакций сокращает ожидание завершения операции на 90 % по сравнению с SSD на памяти NAND.

Постоянный URL: http://servernews.ru/969225
04.09.2017 [13:22], Сергей Карасёв

В России появился Telegram-бот для работы с данными из CRM-системы

Российский системный интегратор «КОРУС Консалтинг» сообщил о запуске специализированного бота в мессенджере Telegram, позволяющего работать с данными из CRM-системы.

CRM-платформы (Customer Relationship Management) предназначены для автоматизации стратегий взаимодействия с заказчиками (клиентами), в частности для повышения уровня продаж, оптимизации маркетинга и улучшения обслуживания клиентов путём сохранения информации о них и истории взаимоотношений.

Запущенный Telegram-бот даёт возможность контролировать работу по продажам, оперативно получать информацию о клиентах и сделках, хранящуюся в базе CRM. Робот интегрирован с Microsoft Dynamics 365.

Помощник позволяет через команды в Telegram быстро находить информацию о клиенте или контактном лице, заведённом в системе, уточнять контактные данные ответственного за них менеджера внутри компании.

Посредством сервиса можно вводить новые контакты и сделки в Microsoft Dynamics 365 прямо из телефонной книги смартфона пользователя, фиксировать информацию обо всех активностях с организацией. Также с помощью CRM-бота можно ставить задачи ответственным менеджерам — уведомление о необходимости сделать звонок, написать письмо или организовать встречу моментально попадает в CRM-систему.

Предусмотрена возможность получать список открытых сделок по конкретным сотрудникам отдела продаж. Это позволит оперативно получать данные о продажах и клиентах, имея под рукой лишь сотовый аппарат.

Более подробную информацию о боте можно найти здесь

Постоянный URL: http://servernews.ru/958014
21.08.2017 [22:19], Сергей Юртайкин

HPE повышает цены на серверную оперативную память на 10–20 %

IT-корпорация Hewlett Packard Enterprise (HPE) повышает стоимость модулей оперативной памяти для серверов на величину до 20 %. Сказывается нехватка чипов DRAM, из-за которой эта продукция дорожает.

Как сообщает издание The Register со ссылкой на информационное сообщение, разосланное HPE своим клиентам, с 21 августа 2017 года компания повышает цены на модули памяти для старых серверов начального уровня. К примеру, решения DDR4 с частотой 2133 МГц, которые используются в девятом поколении серверов на процессорах Haswell, подорожали на 10 %.

hpe.com

hpe.com

Память DDR3 (для серверов восьмого поколения) стала дороже на 15–19 %, а модули UDIMM (для серверов 9-го поколений серий 10 и 100) — на 10 19 %.

В компании отметили, что решение о наращивании цен на серверную «оперативку» не повлияет на конкурентоспособность HPE, поскольку рост коснулся лишь решений для старого недорогого оборудования, а Dell больше не продаёт память DDR 133 МГц и DDR3.

hpe.com

hpe.com

Интересно, что HPE упомянула только Dell. По всей видимости, компанию не заботит конкуренция со стороны Cisco, Lenovo, Supermicro и др., отмечает источник.

По данным аналитиков DRAMeXchange, средняя продажная стоимость DRAM-памяти для компьютеров и серверов подскочила более чем на 10 % во втором квартале 2017 года относительно трёх предыдущих месяцев. Рост цен ожидается и в третьей четверти. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/957285
15.08.2017 [13:05], Геннадий Детинич

Samsung, SK Hynix и Micron наращивают производство памяти для серверов

Линии по выпуску микросхем типа DRAM не резиновые, тогда как вариантов исполнения чипов оперативной памяти как минимум три — это чипы относительно малой плотности для персональных компьютеров, кристаллы для оперативной памяти смартфонов и планшетов, а также высокоплотные кристаллы памяти для серверов. Делая акцент на какой-то один из этих вариантов, другие неизбежно попадут в разряд дефицитной продукции. Это тем более досадно, что уже примерно год чипы DRAM стали дефицитной продукцией во всех её проявлениях, а перекос в производстве в погоне за прибылью только усугубляет ситуацию с неудовлетворённым спросом.

Микросхемы памяти компании Samsung

Микросхемы памяти компании Samsung

Производителям памяти дефицит играет на руку. Обычно цены на DRAM меняются циклично — от сверхприбылей до баланса на грани убыточности. В данном случае скорого снижения цен на память пока не предвидится. На рынке осталось всего три крупных игрока — компании Samsung, SK Hynix и Micron. Из игры вышли немецкая Qimonda и японская Elpida. Это несколько ослабило конкуренцию. К тому же сегодня есть три чёткие рыночные ниши, где каждому из трёх лидеров есть, где развернуться, чего не было раньше. Дополнительным буфером для производителей DRAM стало производство флеш-памяти, которое также увеличило свою роль за последние годы. Конкуренция как бы есть, но каждый занят своим делом и не спешит ликвидировать дефицит на отдельно взятых направлениях.

Динамика измененния выручки тройки лидеров рынка памяти с первого по второй квартал 2017 года (TrendForce)

Динамика изменения выручки тройки лидеров рынка памяти с первого по второй квартал 2017 года (TrendForce)

Более того, как отмечают аналитики TrendForce, тройка лидеров рынка DRAM ещё сильнее сокращает выпуск памяти для ПК и расширяет долю в производстве памяти для серверов. Последние стали требовать высокоплотных 32-Гбайт модулей памяти RDIMM и 64-Гбайт модулей LRDIMM. На этом и концентрируются производители. На данном рынке тройка лидеров только с первого по второй квартал 2017 года увеличила выручку на 30,1 %! Выход во второй половине этого года новой серверной платформы Intel Xeon поколения Skylake только подстегнёт спрос на ёмкие серверные планки памяти. До конца года спрос на серверную память будет превышать предложение и продолжит разогревать цены.

Микросхемы памяти компании SK Hynix

Микросхемы памяти компании SK Hynix

Компания Samsung лучше других подготовилась к выпуску высокоплотной серверной памяти. Она выпускает наиболее передовые 18-нм чипы DRAM. Во втором квартале выручка Samsung на рынке памяти для серверов последовательно выросла на 36,5 % — до $1,99 млрд. На этом рынке компания увеличила свою долю с 42,7 % до 44,8 %. Компания SK Hynix немного сократила долю на рынке серверной памяти с 31,6 % до 31,1 % и смогла заработать за квартал $1,377 млрд. За квартал выручка SK Hynix на этом направлении выросла на 28,2 %. Доля серверной памяти в продукции компании увеличилась до 32 % и будет увеличиваться дальше. Также в SK Hynix ускоряют переход на выпуск 21-нм микросхем.

Модули памяти компании Micron

Модули памяти компании Micron

Компания Micron последовательно увеличила квартальную выручку от выпуска серверных чипов и модулей DRAM на 22 %. Это принесло компании за три последних месяца $1,07 млрд. Доля серверной памяти в продукции Micron превысила 30 % и будет дальше повышаться (как минимум — до конца текущего года). На своих линиях Micron практикует производство памяти с нормами 20 нм. Американский производитель развивается заметно медленнее своих южнокорейских конкурентов, но следует сделать скидку на достаточно дорогое производство в США и в Японии и учесть, что Micron продолжает переваривать активы Elpida и всё ещё оптимизирует работу с новыми партнёрами на Тайване. Впрочем, это не мешает компании участвовать в процессе съёма сливок с рынка серверной памяти. И до конца года мы вряд ли увидим какие-то положительные для покупателей перемены.

Постоянный URL: http://servernews.ru/956968
Система Orphus