На этой неделе состоялось ежегодное собрание акционеров компании SK hynix, на котором Квак Но-чжун (Kwak Noh-jung) заявил, что переговоры компании с клиентами о продажах памяти HBM в 2026 году близки к завершению. Как пишет The Register, заявление гендиректора было воспринято как знак того, что, как и в прошлом году, SK hynix распродаст весь объём выпуска HBM на год вперёд.

На мероприятии было объявлено, что в последние недели наблюдается всплеск заказов на поставки HBM, поскольку компании стремятся заключить контракты до ожидаемого увеличения США пошлин на импортируемые полупроводники. Напомним, что в феврале президент США Дональд Трамп (Donald Trump) заявил о намерении ввести тарифы на импорт полупроводников на уровне 25 % и выше, добавив, что в течение года они могут вырасти до 50 и даже 100 %.

Источник изображений: SK hynix

Квак также сообщил акционерам, что SK hynix ожидает «взрывного» роста продаж HBM. На вопрос о том, представляет ли угрозу планам компании то, что DeepSeek использует для обучения своих ИИ-моделей сравнительно небольшие вычислительные мощности, глава SK hynix заявил, что достижения китайского стартапа станут стимулом для более широкого внедрения ИИ, что повлечёт за собой ещё больший спрос на продукцию SK hynix со стороны большего количества покупателей.

Такой ответ стал почти стандартным для руководителей компаний, предоставляющих оборудование для обработки рабочих ИИ-нагрузок, на вопрос о том, формируется ли на ИИ-рынке «ценовой пузырь» и что может произойти, если он лопнет, отметил The Register.

На прошлой неделе компания заявила, что отправила клиентам первые образцы 12-слойной памяти HBM4, отметив, что «образцы были доставлены с опережением графика» и что «она намерена завершить подготовку к массовому производству 12-слойной продукции HBM4 во второй половине года».

Компания SMART Modular Technologies объявила о начале пробных поставок улучшенных энергонезависимых модулей памяти CXL (Non-Volatile CXL Memory Module, NV-CMM), соответствующих стандарту CXL 2.0. Изделия ориентированы на применение в дата-центрах, которые поддерживают такие нагрузки, как резидентные базы данных, аналитика в реальном времени и приложения НРС.

Новинка (NV-CMM-E3S) объединяет память DDR4-3200 DRAM, флеш-память NAND и источник резервного питания в форм-факторе E3.S 2T (EDSFF). Задействован интерфейс PCIe 5.0 x8. Применяются контроллеры на базе ASIC и FPGA.

Устройство NV-CMM имеет ёмкость 32 Гбайт, а максимальная пропускная способность заявлена на уровне 32 Гбайт/с. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES-256. Интегрированный источник аварийного питания обеспечивает сохранность критически важных данных при непредвиденных отключениях электроэнергии, что повышает надёжность и доступность системы в целом. В случае сбоя в центральной сети энергоснабжения производится копирование данных из DRAM в NAND, а после восстановления подачи энергии выполняется обратный процесс. Изделие обеспечивает более быструю перезагрузку виртуальных машин и сокращает время простоя в облачных инфраструктурах.

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Устройство имеет размеры 112,75 × 15 × 76 мм. Эксплуатироваться модуль может при температурах окружающей среды до +40 °C. Отмечается, что внедрение NV-CMM на основе стандарта CXL знаменует собой важную веху в удовлетворении растущих потребностей платформ ИИ, машинного обучения и аналитики больших данных. 

Компании Micron, Samsung и SK Hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK Hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Компания Team Group 2025 анонсировала большое количество новинок для индустриального и коммерческого применения. Дебютировали SSD в различных форм-факторах, модули оперативной памяти, а также флеш-карты micro SD.

В частности, представлен накопитель P250Q One-Click Data Destruction SSD, особенность которого заключается в поддержке физического уничтожения флеш-памяти с целью недопустимости извлечения информации. Эта функция дополняет традиционное программное стирание, исключая возможность восстановления конфиденциальных данных.

Кроме того, анонсированы накопители RF40 E1.S Enterprise SSD в форм-факторе E1.S для дата-центров. Эти устройства допускают горячую замену, а за отвод тепла отвечает запатентованный медно-графеновый радиатор толщиной всего 0,17 мм. На промышленный сектор ориентированы изделия серий R840 и R250 типоразмера М.2, оснащённые интерфейсом PCIe 5.0 x4. В этих SSD применён контроллер, при производстве которого используется 6-нм технология TSMC. Информация о вместимости и скоростных характеристиках всех перечисленных изделий пока не раскрывается.

В список новинок вошли модули оперативной памяти промышленного класса DDR5 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют на частоте 6400 МГц при напряжении питания 1,1 В. Эти модули могут применяться в серверах, индустриальных ноутбуках повышенной прочности и пр.

Источник изображения: Team Group

Анонсированы также модули памяти CAMM2 и LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), рассчитанные на промышленные системы, edge-устройства и пр. Такие решения монтируются параллельно материнской плате, благодаря чему занимают меньше места в высоту. Для установки применяются резьбовые стойки. Память соответствует стандарту DDR5-6400.

В число прочих новинок вошли серверные модули памяти CXL 2.0 Server Memory Module. Плюс к этому представлены карты памяти D500R WORM Memory Card и D500N Hidden Memory Card. Первые ориентированы WORM-нагрузки (Write Once, Read Many), что предотвращает стирание или изменение данных. Карты второго типа получили встроенную функцию скрытия разделов.

Компания Sandisk, по сообщению TechRadar, обнародовала информацию о памяти нового типа 3D Matrix Memory, которая, как ожидается, в перспективе станет более доступной альтернативой DRAM. Работы над 3D Matrix Memory ведутся с 2017 года в сотрудничестве со специалистами международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра IMEC в Лёвене (Бельгия).

3D Matrix Memory использует архитектуру плотного массива с ячейками памяти нового типа. Говорится о совместимости с открытыми отраслевыми стандартами, такими как CXL. По утверждениям Sandisk, разрабатываемая технология позволит преодолеть ограничения в плане ёмкости и пропускной способности, с которыми столкнулись другие типы памяти на фоне стремительного развития ИИ.

Источник изображений: Sandisk

Для 3D Matrix Memory заявлен высокий уровень масштабируемости. Предполагается, что в перспективе такая память обеспечит в четыре раза большую ёмкость по сравнению с DRAM при сопоставимой производительности и двукратном снижении стоимости. Sandisk утверждает, что характеристики памяти 3D Matrix Memory с течением времени будут улучшаться, повышая её экономическую эффективность.

Изделия 3D Matrix Memory первого поколения будут обладать ёмкостью 32–64 Гбит. Одним из первых покупателей памяти станет Министерство обороны США, которое намерено использовать её в аэрокосмическом секторе. О сроках начала массового производства пока ничего не сообщается.

Нужно отметить, что ранее Sandisk предложила технологию флеш-памяти с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash), которая может стать альтернативой HBM (High Bandwidth Memory) в ИИ-ускорителях при решении определённых задач, таких как инференс. По сравнению с HBM использование HBF позволит увеличить объём памяти ИИ-карт в 8 или даже 16 раз при сопоставимой цене. Кроме того, Sandisk проектирует SSD сверхвысокой вместимости для дата-центров: накопители на фирменной платформе UltraQLC смогут вмещать до 1 Пбайт информации.

Российский разработчик ПО «Иридиум» представил защищённое приложение DMTChat для обмена сообщениями на базе мессенджера Telegram, отличающееся повышенной защитой конфиденциальности переписки. Приложение получило продвинутые функции защиты данных с применением современных криптографических технологий и российских стандартов информационной безопасности, говорится в пресс-релизе.

DMTChat поддерживает абонентское шифрование данных прямо на устройстве с использованием российских криптоалгоритмов (ГОСТ) и обеспечивает безопасность передачи данных, которые невозможно расшифровать при перехвате на серверах Telegram или в Сети. Сообщается, что ключи шифрования не передаются на сторонние серверы и не доступны третьим лицам. Функции дополнительной верификации сообщений исключает вероятность утечки данных и обеспечивают защиту от подмены сообщений. Также можно сразу удалять сообщения или их части без возможности восстановления в дальнейшем.

Источник изображения: «Иридиум»

Приложение обладает привычным дизайном мессенджера Telegram и совместимо с мобильными версиями Android 6.0 и выше. Приложение может использоваться для общения с пользователями стандартного Telegram, но в этом случае дополнительные функции защиты доступны не будут. Вскоре приложение интегрируют в почтовый клиент DeepMail. Также планируется расширение круга совместимых ОС (iOS, Windows, Linux, macOS) и размещение приложения в App Store, Google Play и RuStore.

Компания ADATA Industrial анонсировала модули оперативной памяти промышленного класса DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Изделия рассчитаны на эксплуатацию в суровых условиях. Они могут применяться в оборудовании для дата-центров, в ИИ-устройствах для периферийных вычислений, транспортных системах, IoT-приборах и пр.

Модули функционируют при напряжении 1,1 В. Вне зависимости от форм-фактора доступны варианты ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Говорится о поддержке ECC. ADATA предлагает модификации со стандартным и расширенным температурным диапазоном: в первом случае он простирается от 0 до +95 °C, во втором — от -40 до +95 °C.

Источник изображения: ADATA Industrial

Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), обеспечивающая защиту от перепадов напряжения. Специальное конформное покрытие помогает минимизировать негативное влияние факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий.

По желанию заказчика может быть добавлена защита от сульфирования. Отмечается, что в среде с высокой концентрацией серы при определённых условиях (высоких температурах, влажности и загрязнениях) могут образовываться различные виды соединений серы, которые воздействуют на серебряные сплавы в DRAM-чипах. Это может приводить к выводу модулей из строя. Для решения проблемы ADATA предлагает соответствующую защиту.

Компания Panmnesia работает в области проектирования CXL-пулов DRAM довольно давно: в 2023 году она демонстрировала систему, оставляющую позади все решения на базе RDMA и обеспечивающую доступ к 6 Тбайт оперативной памяти. Но большие объёмы памяти сегодня, в эпоху всё более усложняющихся ИИ-моделей, нужны не только и не столько процессорам, сколько ускорителям, априори лишённым возможности апгрейда набортной RAM. На выставке CES 2025 компания продемонстрировала решение данной проблемы.

По мнению разработчиков Panmnesia, производительность при обучении масштабных ИИ-моделей упирается именно в объёмы набортной памяти ускорителей: вместо десятков гигабайт требуются уже терабайты, а установка дополнительных ускорителей может обходиться слишком дорого при том, что вычислительные мощности окажутся избыточными.

Источник здесь и далее: Panmnesia

Продемонстрированная на выставке CXL-система построена на базе новейшего контроллера Panmnesia с поддержкой CXL 3.1. В двунаправленном режиме латентность доступа составила менее 100 нс и находится примерно на уровне 80 нс.

Ключ к успеху здесь кроется в фирменной реализации CXL 3.1, включая программную часть, благодаря которой GPU могут обращаться к общему пулу памяти, используя те же инструкции типа load/store, что при доступе к набортной HBM или GDDR.

Однако технология требует наличия на борту GPU фирменного контроллера CXL Root Complex, одной из важнейших частей которого является декодер HDM, отвечающий за управление адресным пространством памяти (host physical address, HPA), так что уже выпущенные ускорители напрямую работать с системой Panmnesia не смогут.

Тем не менее, технология выглядит многообещающей. Она уже привлекла внимание со стороны компаний, занимающихся ИИ, как потенциально позволяющая снизить стоимость инфраструктуры ЦОД.

Компания Apacer Technology объявила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR5-6400 индустриального класса, спроектированных специально для задач ИИ и НРС. Изделия могут применяться в системах автоматизации, медицинском оборудовании, IoT-устройствах, интеллектуальных автомобильных платформах и пр.

Представлены решения DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют при напряжении 1,1 В. Ёмкость модулей составляет 8, 16, 32 и 64 Гбайт.

Источник изображения: Apacer

По заявлениям Apacer Technology, в конструкции изделий применяются компоненты высокого качества. Упомянуты полностью бессвинцовые резисторы. Кроме того, модули удовлетворяют новейшим стандартам JEDEC Raw Card Revision 1.0, обеспечивая стабильность передачи данных и высокую производительность.

Для изделий в качестве опции доступно специальное конформное покрытие, предназначенное для защиты от негативного влияния факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C.

Кроме того, может быть добавлена защита от сульфирования. Сера широко используется во многих отраслях промышленности. Когда серебряные сплавы в DRAM-чипах подвергаются воздействию сернистых газов, происходит коррозионная реакция: сульфирование приводит к снижению проводимости и быстрому выходу изделий из строя. Для решения проблемы Apacer применяет запатентованную технологию.

Исследователи Лёвенского католического университета (Бельгия), Любекского университета (Германия) и Бирмингемского университета (Великобритания) обнаружили, что система защиты виртуальных машин от атак с использованием вредоносного гипервизора AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), не так безопасна, как утверждает разработчик, пишет The Register.

Технологии Secure Encrypted Virtualization (SEV) предоставляют доверенную среду исполнения (TEE), призванную обеспечить защиту виртуальных машин от незаконных попыток вмешательства со стороны тех, кто имеет доступ к оборудованию ЦОД. Механизм SEV-SNP реализован в процессорах AMD EPYC, начиная с 7003 (Milan). Аналогичные механизмы есть и у конкурентов: Intel Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX), а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Все эти технологии отвечают за шифрование памяти и изоляцию ресурсов.

Исследователи разработали способ обхода SEV-SNP, который они назвали BadRAM (CVE-2024-21944 и AMD-SB-3015). Для атаки требуется оборудование стоимостью около $10, включая Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарею на 9 В. Атака BadRAM требует наличие физического доступа к оборудованию. Она основана на манипуляциях с чипом SPD (Serial Presence Detect), который передаёт данные о модуле DDR4/DDR5 во время загрузки системы. Манипулируя SPD, злоумышленники создают адреса-фантомы для физической памяти, благодаря которым можно незаметно получить доступ к данным в виртуальной машине.

Источник изображения: badram.eu

«Мы удваиваем видимый в системе объём DIMM, чтобы обмануть контроллер памяти CPU и заставить его использовать дополнительные «фантомные» биты адресации, — объясняют авторы исследования. — Два разных физических адреса теперь ссылаются на одно и то же местоположение DRAM». С помощью таких фантомов злоумышленники могут обойти защиту памяти, раскрывая конфиденциальные данные или вызывя сбои. BadRAM позволяет подделать критически важные отчёты удалённой аттестации и вставлять необнаруживаемые бэкдоры в любую виртуальную машину, защищённую SEV-SNP.

Атака может быть реализована и без физического доступа к оборудованию, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным, что противоречит спецификациям JEDEC. Авторы исследования обнаружили по крайней мере два DDR4-модуля Corsair без должной защиты SPD. Память DDR3 тоже может быть взломана путём замены чипа SPD.

Источник изображения: badram.eu

«BadRAM полностью подрывает доверие к технологии защищённой зашифрованной виртуализации AMD (SEV-SNP), которая широко используется крупными поставщиками облачных услуг, включая Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure», — сообщил The Register Джо Ван Балк (Jo Van Bulck), профессор лаборатории DistriNet на кафедре компьютерных наук KU Leuven.

Исследователи отметили, что решения SGX и TDX Intel не имеют такой уязвимости, поскольку в них реализованы контрмеры против создания псевдонимов (alias) памяти. Arm CCA, судя по спецификации, тоже не имеет проблем, но для проверки этого у исследователей не было коммерческих чипов. Полный доклад об атаке исследователи планируют представить в мае 2025 года на конференции IEEE Symposium on Security and Privacy.

Источник изображения: AMD

Исследователи уведомили AMD о найденных проблемах в феврале 2024 года. «AMD рекомендует использовать модули памяти, которые блокируют SPD, а также следовать передовым практикам в области физической безопасности систем. AMD также выпустила обновления прошивок защиты от уязвимости», — сообщили в AMD ресурсу The Register в ответ на просьбу прокомментировать публикацию исследователей.