Материалы по тегу: ram

20.05.2020 [08:08], Алексей Степин

Стартап MemVerge делает ставку на вычисления in-memory

Наряду с ускорением вычислений (GPU, FPGA) и совершенствованием шин (NVLink, CXL), технологии класса in-memory computing станут частью высокопроизводительных систем нового поколения. Речь идёт о переносе как можно больших объёмов данных в RAM, что должно решить целый спектр проблем, вызываемый достаточно высокой латентностью традиционных накопителей.

Молодой стартап MemVerge согласен с этим видением, но полагает, что для достижения наилучшего результата потребуется соответствующая программная прослойка.

Хранить данные в оперативной памяти всегда было заманчивой идеей, поскольку такая память на порядки быстрее традиционных накопителей. Однако до недавних пор реализация этой идеи была достаточно ограниченной. С одной стороны, DRAM является достаточно дорогим удовольствием, а с другой — её объёмы ограничены и в ряде случаев их может оказаться недостаточно. С появлением новых типов энергонезависимой памяти класса SCM, главным из которых пока является Intel Optane, ситуация начинает понемногу меняться. Этого потребует и сам рост объёмов данных, получаемых в реальном времени, считает MemVerge.

Концепция in-memory computing в версии MemVerge

Концепция in-memory computing в версии MemVerge

Согласно исследованию, проведенному IDC, в следующие пять лет четверть всех данных, обрабатываемых вычислительными системами планеты, будут составлять данные реального времени. Следовательно, от машин нового поколения потребуется не только скорость работы с памятью, но и солидные её объёмы. MemVerge полагает, что для оптимальной реализации вычислений in-memory потребуется сочетание DRAM, энергонезависимой SCM-памяти и специальной программной прослойки. Последнюю компания называет Memory Machine. 

Основой, как уже было сказано, считается память Intel Optane DCPMM, поскольку пока только эта технология позволяет создавать массивы памяти нужного для воплощения концепции memory centric объёма. MemVerge надеется занять нишу первопроходца в программной части реализации Memory Machine и стать основополагателем соответствующего стандарта. На сегодняшний день Optane хотя и опробована большинством крупных владельцев ЦОД, но единого стандарта на реализацию in-memory computing нет, что сдерживает широкое распространение концепции.  Однако к 2022 году ситуация может измениться и у Optane появится 3 ‒ 4 конкурирующих типа энергонезависимой памяти. Одним из них может стать MRAM — рабочие образцы такой памяти уже существуют, но по объёму пока не могут сравниться с Optane.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1011336
13.04.2020 [16:39], Сергей Карасёв

Новые модули памяти ADATA DDR4-3200 рассчитаны на промышленный сектор

Компания ADATA Technology анонсировала новые модули оперативной памяти стандарта DDR4. Эти изделия, относящиеся к корпоративному классу, могут использоваться в телекоммуникационном оборудовании, системах видеонаблюдения, медицинских устройствах, автономных транспортных средствах и промышленных системах.

Модули стандарта DDR-3200 работают при напряжении питания 1,2 В. Ёмкость составляет 32 Гбайт.

Изделия будут предлагаться в модификациях U-DIMM, SO-DIMM, R-DIMM, ECC-DIMM, и ECC SO-DIMM. Говорится о совместимости с аппаратными платформами AMD Ryzen третьего поколения и Intel Core десятого поколения.

Модули ADATA DDR4-3200 на 32 Гбайт обладают повышенной надёжностью. Они, в частности, могут функционировать в условиях повышенной влажности. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Изделия подвергаются всестороннему тестированию, что гарантирует надёжность и стабильность работы. Информации об ориентировочной цене новых модулей на данный момент нет. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/1008305
25.03.2020 [14:41], Владимир Мироненко

Коронавирус вызвал рост спроса на серверные платы и подложки для модулей памяти

Отраслевые источники ресурса отмечают высокий спрос на серверные платы и подложки для модулей памяти. Тайваньские производители получили крупные заказы на эти компоненты.

В условиях вспышки коронавируса растёт необходимость в надёжной работе высокопроизводительных серверов и сетевого оборудования для обеспечения функционирования растущих онлайн-сервисов.

Источники сообщают, что на фоне коронавируса стремительно растут потребности в стриминге для удалённой работы, образовательных и развлекательных целей, что подпитывает спрос на дополнительные серверы и сетевое оборудование с более высокими возможностями обработки и передачи данных, особенно в Китае, где онлайн-сервисы получили значительное развитие.

Многие китайские предприятия все ещё придерживаются системы удалённой работы, хотя им было разрешено возобновить функционирование офисов после спада пандемии. В свою очередь компании из сферы обслуживания ещё более активно переходят на использование онлайн-сервисов.

В результате будут расти темпы строительства новых ЦОД в Китае, а планы страны по развёртыванию сети 5G также подстегнут спрос, обусловленный обновлением серверов HPC, полагают источники.

Сообщается, что тайваньские производители Tripod Technology и HannStar сделали крупные инвестиции в разработку многослойных серверных плат. Благодаря этому они, а также такие компании как Gold Circuit Electronics, Allied Circuit и First Hi-tec Enterprise вошли в цепочки поставок ведущих облачных сервисов в США и Китае.

Также отмечен рост спроса на подложки серверных модулей памяти производства Tripod, Unimicron, Nan Ya PCB и более мелких компаний Dynamic Electronics и APCB.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1006791
11.03.2020 [18:47], Геннадий Детинич

Цены на память и SSD для серверов продолжают расти, но последнее слово остаётся за коронавирусом

Рыночная ситуация, усугублённая вспышкой коронавируса SARS-CoV-2, способствует росту цен на модули памяти для серверов и SSD корпоративного класса. Рост цен на эти продукты наверняка потянет за собой цены на потребительские аналоги памяти и SSD.

Ко второму полугодию ситуация может как улучшиться, так и ухудшиться, если за это время во всём мире не удастся погасить вспышку коронавируса.

Аналитики компании TrendForce, говоря о текущем моменте, ожидают роста спроса на серверную память и корпоративные SSD по нескольким причинам. Одна из них, это контракт Пентагона по облачному проекту JEDI стоимостью около $10 млрд, который выиграла компания Microsoft. Хотя суд временно заблокировал начало работ, рано или поздно они начнутся, и потребуется очень много серверного оборудования.

Второй причиной спроса на память и SSD для серверов стала вспышка коронавируса и спрос на удалённые рабочие места. Сюда также можно записать рост нагрузки на сетевые информационные и развлекательные сервисы, что потребовало наращивание мощностей провайдеров. Эти тенденции и ряд других нюансов вынудили специалистов TrendForce пересмотреть прогноз по росту цен на серверную память и корпоративные SSD.

Так, теперь во втором квартале 2020 года TrendForce ожидает квартальный прирост цен на модули серверной памяти не на 15 %, а на 20 %. Та же ситуация на рынке SSD корпоративного класса. Ранее аналитики ожидали во втором квартале прироста цен на эту продукцию на 5–10 %, а теперь ― на 10–15 %. Кроме того, сейчас поставщики памяти сталкиваются с низким уровнем запасов, что заставит их через несколько недель повышать цены на скудеющие резервы.

Ситуацию со складскими запасами памяти DRAM, NAND и SSD подогрело то, что заключённые в феврале новые контракты на закупку памяти и накопителей оказались намного объёмнее, чем ожидалось. В частности, производители ПК и смартфонов испугались возможного дефицита памяти из-за возможной остановки заводов на время карантина в Китае и по причинам сбоев цепочек поставок. Существует вероятность, что во втором квартале флеш-память NAND станет дефицитным товаром. Но точку в этом деле поставит только коронавирус. Если страны справятся с распространением вируса, то цены стабилизируются, если нет, то они продолжат рост.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1005712
13.02.2020 [14:18], Сергей Карасёв

SMART Modular представила 32-Гбайт модули DDR4 Mini-DIMM для промышленной сферы

Компания SMART Modular Technologies анонсировала новые модули оперативной памяти Mini-DIMM DDR4-3200, рассчитанные на использование в коммерческой и промышленной сферах. Заказчики смогут выбирать между регистровой памятью с ECC и небуферизированной памятью. 

Модули доступны в двух вариантах — ULP (Ultra Low Profile) и VLP (Very Low Profile). В первом случае высота составляет 17,78 мм, во втором — 18,75 мм.

Память может эксплуатироваться в широком температурном диапазоне — от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Опционально доступно нанесение покрытия для защиты от воздействия окружающей среды и повышения виброустойчивости. 

Новые модули подходят для применения в устройствах промышленного класса, телекоммуникационном, а также в других системах, к которым предъявляются повышенные требования в плане рабочих температур и надёжности. Сведений о цене новых модулей DDR4-3200 Mini-DIMM пока нет. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/1003610
22.01.2020 [12:13], Геннадий Детинич

Для среды разработки Xilinx выпущено полное руководство по интеграции STT-MRAM

Скорость распространение нового типа энергонезависимой памяти STT-MRAM зависит не только от наличия микросхем памяти, но также от уровня поддержки разработчиков. Для решения последней задачи выпущено полное руководство по проектированию для среды Xilinx Vivado.

Компания Everspin Technologies сообщила, что поддержала относительно недавний старт массового производства 1-Гбит чипов памяти STT-MRAM выпуском всеобъемлющего руководства по проектированию интерфейсов с использованием магнитно-резистивной оперативной памяти со спиновым переносом. На момент анонса руководство интегрировано в среду Vivado компании Xilinx.

Интерфейс памяти Everspin 1 Гбит STT-MRAM представлен стандартом DDR4 со скоростью передачи данных 1333 МТ/с на линию. Задержки, уровни питания и некоторые другие параметры сигнальной структуры STT-MRAM отличаются от сигнальной структуры обычной оперативной памяти с интерфейсом DDR4. Тем не менее, базовые контроллеры памяти Xilinx, которые входят в среду Vivado, поддерживают уже второе поколение памяти STT-MRAM Everspin, что позволяет быстро и с гарантией выводить на рынок новые продукты.

Новые микросхемы памяти STT-MRAM компании Everspin выпускаются с использованием 28-нм техпроцесса на заводе компании GlobalFoundries. До производства 1-Гбит чипов, выпуск которых стартовал в конце прошлого лета или в начале осени, Everspin выпускала 256-Мбит микросхемы STT-MRAM. Дискретные чипы памяти MRAM кроме неё никто в мире больше не производит в товарных объёмах.

Можно рассчитывать, что четырёхкратный рост объёма микросхем STT-MRAM сделает их более популярным продуктом для установки в качестве энергонезависимых буферов или для обслуживания критически важных нагрузок. А сотрудничество с Xilinx позволит ускорить разработку новых устройств. 

Постоянный URL: http://servernews.ru/1001976
12.12.2019 [11:56], Геннадий Детинич

Everspin начинает серийный выпуск 1-Гбит чипов STT-MRAM для крупного производителя оборудования ЦОД

Компания Everspin Technologies ― единственный в мире производитель дискретных чипов памяти STT-MRAM ― сообщила о заключении первого заказа на серийную поставку самых ёмких в мире микросхем STT-MRAM объёмом 1 Гбит.

Имя заказчика не раскрывается, поскольку он ещё не представил новые фирменные продукты на основе 1-Гбит микросхем памяти STT-MRAM. Но это один из крупнейших в мире OEM-производителей оборудования для центров обработки данных, заявляют в Everspin.

1-Гбит 28-нм микросхемы памяти STT-MRAM компании Everspin

1-Гбит 28-нм микросхемы памяти STT-MRAM компании Everspin

Решение о запуске серийного производства 1-Гбит чипов магниторезистивной памяти на эффекте переноса спина электронов для первого клиента принято после прохождения всех необходимых квалификационных тестов новой памяти Everspin на площадке заказчика.

Пилотный выпуск этих микросхем с использованием 28-нм техпроцесса на линиях компании GlobalFoundries стартовал летом этого года. Чипы выпускаются в конфигурации 128Мбит x8 и 64 Мбит x16. Интерфейс ― ST-DDR4, скорость передачи данных на линию ― 1333 МТ/с. Полную документацию можно найти по этой ссылке.

До этого момента первой и массовой продукцией Everspin в виде чипов STT-MRAM были 28-нм 256-Мбит микросхемы, которые она представила в 2017 году. Небольшая ёмкость первого поколения чипов памяти STT-MRAM и, собственно, не такая большая по современным меркам ёмкость второго поколения микросхем оставляет за этой памятью такую основную нишу использования, как кеширующие накопители.

Правда, новые микросхемы повышенной ёмкости всё увереннее позволяют говорить о кешировании основного потока данных, а не только для ведения логов (журналов). Что же, ждём анонса интересной продукции на 1-Гбит чипах STT-MRAM.

Постоянный URL: http://servernews.ru/999586
04.11.2019 [21:00], Алексей Степин

IBM продвигает открытый стандарт оперативной DDIMM-памяти OMI для серверов

Практически у всех современных процессоров контроллер памяти давно и прочно является частью самого ЦП, будь то монолитный кристалл или чиплетная сборка. Но не всегда подобная монолитность является плюсом — к примеру, она усложняет задачу увеличения количества каналов доступа к памяти.

Таких каналов уже 8 и существуют проекты процессоров с 10 каналами памяти. Но это усложняет как сами ЦП, так и системные платы, ведь только на подсистему памяти, без учёта интерфейса PCI Express, может уйти 300 и более контактов, которые ещё требуется корректно развести и подключить.

Организация подсистемы памяти у POWER8

Организация подсистемы памяти у POWER8

У IBM есть ответ, и заключается он в переносе части функций контроллера памяти на сторону модулей DIMM. Сам интерфейс между ЦП и модулями памяти становится последовательным и предельно унифицированным. Похожая схема использовалась в стандарте FB-DIMM, аналогичную компоновку применила и сама IBM в процессорах POWER8 и POWER9 в варианте Scale-Up.

Роль и возможности буфера Centaur у POWER8

Роль и возможности буфера Centaur у POWER8

Контроллер памяти у этих процессоров упрощён, в нём отсутствует контроллер физического уровня (PHY). Его задачи возложены на чип-буфер Centaur, который посредством одноимённого последовательного интерфейса и связывается с процессором на скорости 28,8 Гбайт/с.

Контроллеров интерфейса Centaur в процессорах IBM целых восемь, что дает ПСП в районе 230 Гбайт/с. За счёт выноса ряда функций в чипы-буфера удалось сократить площадь кристалла, и без того немалую (свыше 700 мм2), но за это пришлось заплатить увеличением задержек в среднем на 10 нс. Частично это сглажено за счёт наличия в составе Centaur кеша L4.

Сравнительные размеры модулей Centaur, RDIMM и OMI DDIMM

Сравнительные размеры модулей Centaur, RDIMM и OMI DDIMM

Стандарт не является открытым, но IBM предлагает ему на смену полностью открытый вариант под названием Open Memory Interface (OMI). В его основу положена семантика и протоколы, описанные в стандарте OpenCAPI 3.1, а физический уровень представлен шиной BlueLink (25 Гбит/с на линию), которая уже используется для реализации NVLink и OpenCAPI.

Реализация OMI проще Centaur, что позволяет сделать чип-буфер более компактным и выделяющим меньше тепла. Но все преимущества сохраняются: так, число контактов процессора, отвечающих за интерфейс памяти, можно снизить с примерно 300 до 75, поскольку посылаются только простые команды загрузки и сохранения данных. Вся реализация физического интерфейса осуществляется силами чипа-компаньона OMI, и в нём же может находиться дополнительный кеш.

Модули OMI DDIMM станут стандартом JEDEC

Модули OMI DDIMM станут стандартом JEDEC

Помимо экономии контактов есть и ещё одна выгода: можно реализовать любой тип памяти, будь то DDR, GDDR и даже NVDIMM — вся PHY-часть придётся на различные варианты чипов OMI, но со стороны стандартного разъёма любой модуль OMI будет выглядеть одинаково. Сейчас взят прицел на реализацию модулей с памятью DDR5.

При использовании существующих чипов DDR4 система с интерфейсом OMI может достичь совокупной ПСП порядка 650 Гбайт/с. Дополнительные задержки составят 5 ‒ 10 нс для RDIMM и лишь 4 нс для LRDIMM. Из всех соперников технологии на такое способны только сборки HBM, которые в силу своей природы имеют ограниченную ёмкость, дороги в реализации и не могут быть вынесены с общей с ЦП подложки.

Новый стандарт упростит процессоры и позволит увеличить ёмкость подсистемы памяти

Новый стандарт упростит процессоры и позволит увеличить ёмкость подсистемы памяти

Чипы-буферы OMI можно разместить как на модуле памяти, так и на системной плате. Разумеется, для стандартизации выбран первый вариант. В нём предусмотрено 84 контакта на модуль, сами же модули получили название Dual-Inline Memory Module (DDIMM).

DDIMM вышли существенно компактнее своих традиционных собратьев: ширина модуля сократилась со 133 до 85 мм. Реализация буфера OMI ↔ DDR4 уже существует в кремнии: компания Microsemi продемонстрировала чип SMC 1000 (PM8596), поддерживающего 8 линий OMI со скоростью 25 Гбит/с каждая. Допустима также работа в режиме 4 × 1 с вдвое меньшей общей пропускной способностью.

DDIMM существенно компактнее классических модулей памяти

DDIMM: меньше ширина, проще разъём

Со стороны чипов памяти SMC 1000 имеет стандартный 72-битный интерфейс с ECC и поддержкой различных комбинаций DRAM и NAND-устройств. Тактовая частота DRAM — до 3,2 ГГц, высота модуля зависит от количества и типов устанавливаемых чипов.

В случае одиночной высоты модули могут иметь ёмкость до 128 Гбайт, двойная высота позволит создать DDIMM объёмом свыше 256 Гбайт. Сам чип SMC 1000 невелик, всего 17 × 17 мм, а невысокое тепловыделение гарантирует отсутствие проблем с перегревом, свойственных FB-DIMM.

Процессоры IBM POWER9 AIO дополнили существующую серию

Процессоры IBM POWER9 AIO дополнили существующую серию

Первыми процессорами с поддержкой OMI стали новые POWER9 версии Advanced I/O (AIO), дополнившие семейства Scale Up (SC) и Scale Out (SO). В них реализовано 16 каналов OMI по 8 линий каждый (до 650 Гбайт/с суммарно), а также новые версии интерфейсов NVLink (возможно, 3.0) и OpenCAPI 4.0. Количество линий PCI Express 4.0 по-прежнему составляет 48.

Шина IBM BlueLink была переименована в PowerAXON. За счёт её использования в системах на базе процессоров POWER возможна реализация 16-сокетных систем без применения дополнительной логики. Максимальное количество ядер у POWER9 AIO равно 24, с учётом SMT4 это даёт 96 исполняемых потоков. Имеется также кеш L3 типа eDRAM объёмом 120 Мбайт. Техпроцесс остался прежним, это 14-нм FinFET.

Архитектура подсистем памяти у семейства IBM POWER9

Архитектура подсистем памяти у семейства IBM POWER9

Поставки POWER9 AIO начнутся в этом году, цены неизвестны, но с учётом 8 миллиардов транзисторов и кристалла площадью 728 мм2 они не могут быть низкими. Однако без OMI эти процессоры были бы ещё более дорогими. В комплект поставки входит и чип-буфер OMI, правда, не самая быстрая версия с пропускной способностью на уровне 410 Гбайт/с. Задел для модернизации есть, и для расширения ПСП достаточно будет заменить модули DDIMM на более быстрые варианты.

Сравнительная таблица существующих и будущих версий OpenCAPI

Сравнительная таблица существующих и будущих версий OpenCAPI

Следующее поколение процессоров IBM, POWER10, появится только в 2021 году. К этому времени ожидается принятие стандарта OMI на рынке высокопроизводительных многопроцессорных систем. Попутно IBM готовит новые версии OpenCAPI, не привязанные к архитектуре POWER, а значит, путь к OMI будет открыт и другим вендорам.

Постоянный URL: http://servernews.ru/996907
01.11.2019 [10:33], Андрей Галадей

Linux-подсистема WSL 2 станет экономнее обращаться с памятью

В свежей сборке Windows Insider Preview Build 19013 появилась новая возможность для подсистемы Linux в Windows 10.

В текущей версии при увеличении потребностей в оперативной памяти для приложений, работающих внутри WSL 2, автоматически растёт и общий объём выделенной RAM. Однако после завершения процесса в WSL 2 эта память не освобождается!

Теперь же это изменится. По данным официального блога компании Microsoft, неиспользуемая память будет «возвращаться» хосту. Это позволит задействовать её снова при необходимости.

Однако пользовательские процессы не являются единственными «потребителями» оперативной памяти. Ядро также задействует множество кешей для ускорения работы. Это касается, в частности, контейнеров. Теперь при завершении соответствующих процессов память, содержащая кеш, также будет освобождаться. В результате WSL 2 будет менее «прожорливой».

Разработчики отмечают, что обновили ядро Linux в WSL 2 и добавили возможность «сжатия» памяти, что опять-таки позволяет эффективнее использовать ОЗУ. На данный момент пока не сообщается, когда именно эта возможность появится в релизе. Очевидно, стоит ждать версии 201H, которая выйдет весной или в начале лета 2020 года. Впрочем, не исключено, что эта функция пока лишь тестируется и не попадёт в финальную сборку.

Постоянный URL: http://servernews.ru/996681
01.08.2019 [13:33], Геннадий Детинич

Китайцы берут на вооружение STT-MRAM: Sage Micro и Everspin проектируют корпоративные SSD

Близится время интереснейшего ежегодного мероприятияк Flash Memory Summit 2019. Саммит пройдёт с 5 по 8 августа в городе Санта-Клара, штат Калифорния. Ведущие производители флеш-памяти могут попытаться поразить конкурентов и нас рассказами о 196-слойной 3D NAND или других достижениях в разработке многослойной NAND-флеш.

А в прошлом году на конференцию пришли китайцы. Компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) уже представила передовую по мировым меркам технологию модульного производства 3D NAND Xtacking и теперь собирается рассказать о втором поколении этой технологии. На нынешнем саммите нас ждёт встреча и с другой китайской компанией ― Sage Microelectronics. Компания Sage Micro создана ветеранами Кремниевой долины в 2011 году и к настоящему времени заняла в Китае прочное место на рынке контроллеров (ASIC) для корпоративных и промышленных SSD. Как оказалось, Sage Micro начала вторжение на рынок SSD с буферами из памяти STT-MRAM.

Разработчик первой массовой магниторезистивной памяти STT-MRAM компания Everspin сообщила, что она заключила с компанией Sage Microelectronics стратегическое партнёрство для разработки контроллеров SSD с поддержкой 1-Гбит чипов Everspin STT-MRAM. Массовое производство таких микросхем как раз стартует в августе. Память STT-MRAM обладает лучшими скоростными и энергоэффективными характеристиками, чем NAND, а также намного устойчивее к износу, чем традиционная флеш-память.

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Ёмкость 1 Гбит мала для замены массивов NAND в твердотельных накопителях, но достаточна для замены буфера DRAM на энергонезависимый буфер STT-MRAM. Накопители SSD с буферами STT-MRAM обещают лучшую приоритизацию и снижение задержек, что крайне востребовано в SSD корпоративного класса и в накопителях для промышленного и аэрокосмического оборудования. Разработка специализированных контроллеров, учитывающих преимущества STT-MRAM, дополнительно подчеркнёт достоинства новой и пока малораспространённой магниторезистивной памяти.

Постоянный URL: http://servernews.ru/991723
Система Orphus