Компания Renesas Electronics анонсировала чипсет третьего поколения для модулей оперативной памяти DDR5 Multiplexed Rank Dual In-Line Memory Module (MRDIMM). Изделия ориентированы на применение в системах для ИИ ЦОД, облачных платформ и других инфраструктур, рассчитанных на ресурсоёмкие задачи.

В состав решения Renesas входят такие компоненты, как MRCD (Multiplexed Registering Clock Driver) для управления тактовыми сигналами, MDB (Multiplexed Data Buffer) для работы с буфером данных, PMIC (Power Management IC) для управления питанием, датчики температуры и пр. Кроме того, реализован инструментарий Device Equalization Self-Train Mode (DESTM) Quality Indication Status, который в числе прочего помогает точнее настраивать тайминги, чтобы максимально раскрыть потенциал системы.

Источник изображения: Renesas Electronics

Чипсет Renesas третьего поколения обеспечивает скорость до 16 000 МТ/с. Это, как утверждается, что 25 % больше по сравнению с изделиями предыдущего поколения. При этом используется существующая инфраструктура DDR5. Таким образом, производители и интеграторы могут увеличить производительность подсистемы памяти серверного оборудования на четверть без внесения каких-либо изменений на уровне аппаратной платформы. Кроме того, говорится о высокой энергетической эффективности.

Renesas уже начала пробные поставки компонентов MRDIMM Gen 3 MRCD (RRG5013x) и MDB (RRG5103x) некоторым клиентам, включая ведущих производителей памяти DRAM. Предполагается, что на коммерческом рынке модули DDR5-16000 MRDIMM появятся во II половине следующего года.

Южная Корея анонсировала масштабный инвестиционный план с целью ускорения технологического развития страны, включающий три мегапроекта, которые направлены на укрепление цепочек поставок полупроводников, создание инфраструктуры ИИ и развитие индустрии физического ИИ. Об этом сообщил президент Ли Чжэ Мён (Lee Jae Myung) в ходе брифинга с участием глав Samsung Electronics и SK hynix, а также ряда других компаний.

«Мы должны создать основные строительные блоки ИИ быстрее, чем любая другая страна, — сказал Ли. — Полупроводники, физический ИИ и ИИ ЦОД — это три столпа нашего следующего большого шага вперёд». Он подчеркнул, что синергия между полупроводниками, ЦОД и физическим ИИ позволит Южной Корее стать мировым лидером в революции ИИ. «Когда эти три столпа будут работать вместе, как взаимосвязанные шестерни, Корея станет ведущей мировой промышленной державой в эпоху ИИ», — сообщил президент. Согласовывая расширение производства полупроводников с ростом мощностей ИИ ЦОД и развитием физического ИИ, Южная Корея стремится создать вертикально интегрированную экосистему ИИ.

Национальные цели включают удвоение производства DRAM в течение пяти лет и расширение вычислительных мощностей для ИИ примерно до 18,4 ГВт к 2035 году. Президент назвал программу «стратегией выживания нации» в эпоху ИИ, с корпоративными инвестиционными обязательствами на общую сумму более ₩3,755 квадрлн (приблизительно $2,74 трлн) в течение следующих десятилетий в области инфраструктуры ИИ, производства полупроводников и передовых технологий.

Ли Чжэ Мён отметил, что что существующие производственные мощности по выпуску чипов в Йонгине (Yongin) и Пхёнтхэке (Pyeongtaek), центре южнокорейского «полупроводникового пояса» к югу от Сеула, «уже достигли своего предела», и призвал компании ускорить инвестиции в создание производственных мощностей на юго-западе страны.

Источник изображения: Daniel Bernard / Unsplash

Сообщается, что Samsung Electronics и SK hynix инвестируют в общей сложности ₩800 трлн ($518 млрд) в строительство четырёх заводов по производству микросхем памяти в юго-западном регионе страны Хонам (Honam), при этом каждая компания построит по два завода. Ещё ₩81 трлн ($52 млрд) будет направлено на создание крупномасштабного комплекса по упаковке HBM в центральном регионе страны. Председатель правления Samsung Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong) заявил, что город Кванджу (Gwangju) является вероятным местом для новых заводов Samsung, в то время как производственные мощности HBM будут сосредоточены в Чхонане (Cheonan) и Оньяне (Onyang) в регионе Чхунчхон (Chungcheong).

Кроме того, до 2035 года корейские технологические и энергетические гиганты, такие как SK, GS и Naver, планируют выделить еще ₩550 трлн ($356 млрд) на строительство ИИ ЦОД общей мощностью 8,4 ГВт в Ульсане (Ulsan), Донхэ (Donghae), Седжоне (Sejong) и других регионах.

В понедельник Samsung также опубликовала пресс-релиз, в котором объявила о планах инвестировать ₩2,655 квадрлн (около $1,7 трлн) в технологические проекты в стране в течение следующего десятилетия. Из этой суммы ₩2,03 квадрлн (около $1,48 трлн) предполагается направить в развитие кластеров полупроводниковой промышленности, включая кампус в Пхёнтхэке (Pyeongtaek Campus) и Национальный промышленный комплекс в Йонгине (Yongin National Industrial Complex), а ₩625 трлн ($0,22 трлн) — на развитие регионов Хонам, Чхунчхон и Йонгнам (Yeongnam), сосредоточив усилия на полупроводниках для ИИ, робототехнике, батареях, а также компонентах и материалах для IT-индустрии.

Samsung назвала предлагаемые правительством льготы в сфере электроснабжения, водоснабжения, рабочей силы и условий жизни ключевыми факторами при выборе Кванджу, расположенного примерно в 300 км к югу от Сеула, для размещения нового завода по производству полупроводников, а также ИИ ЦОД в Хэнаме (Haenam), на южной оконечности полуострова. Не все уверены в том, что юго-западный регион сможет обеспечить производство микросхем мирового класса, пишет The Wall Street Journal. Эксперты указывают на удалённость региона от существующих сетей поставок полупроводников и на трудности с привлечением квалифицированных кадров из столицы.

В свою очередь, SK Group, как пишет TechCrunch, объявила о среднесрочной и долгосрочной инвестиционной стратегии на сумму ₩2,1 квадрлн (около $1,4 трлн), из которых ₩1100 трлн пойдут на расширение мощностей по производству полупроводников и ₩1 квадрлн ($0,65 трлн) — на создание ИИ ЦОД по всей стране. SK hynix займётся расширением производства чипов, а SK Telecom — строительством ИИ ЦОД на 15 ГВт.

Meta✴ подготовила ASIC Vistara, который позволит посредством CXL установить старую память, например, DDR4, взятую из списанных серверов, в новые серверы, что позволит хотя бы частично сгладить дефицит DRAM, из-за которого компания уже вынужденно продлила срок жизни оборудования. В числе преимуществ такого подхода авторы называют практически бесплатное добавление памяти за счёт повторного использования, повышение производительности благодаря использованию большей ёмкости памяти и снижение выбросов углекислого газа.

Meta✴ отметила, что технология CXL в целом не получила широкого распространения из-за «низкой пропускной способности, высокой задержки и высоких накладных расходов». «Например, расширенная память, которую мы используем в производстве, обеспечивает примерно в 10 раз меньшую пропускную способность и примерно на 60 % большую задержку, чем локальная память», — отмечает компания.

В частности, дополнительные контроллеры и мостики между различными интерфейсами добавляют порядка 150 нс задержек. Кроме того, сообщается, что «большинство решений CXL интегрируют DRAM с контроллером, что препятствует повторному использованию DIMM, и часто не поддерживают DDR4, что является обязательным условием для повторного использования старой памяти». При этом у компании были и есть в использовании около десятка различных DDR4 DIMM. По словам Meta✴, эти проблемы решают в компании с помощью совместной разработки аппаратного и программного обеспечения.

Источник изображений: Meta✴

«В аппаратной части мы разрабатываем собственную микросхему CXL ASIC, Vistara, оптимизированную для повторного использования DRAM, энергоэффективности и низкой задержки. В программной части мы создаем оптимизированное решение на основе TPP (Transparent Page Placement), определяем подходящее соотношение локальной и расширенной памяти для каждой рабочей нагрузки и автоматизируем конфигурацию для каждой задачи, в том числе отключая расширенную память для нагрузок, чувствительных к увеличению задержки», — говорит компания.

ASIC Vistara имеет два 72-бит канала DDR4-3200 (на практике частота снижена до 2400) с ECC с поддержкой 2DPC, позволяющими установить до 256 Гбайт памяти (на практике 128 Гбайт в четырёх DIMM). Для общения с хостом используется интерфейс PCIe 5.0 x16 (на практике достаточно и x8) с поддержкой CXL 1.1/2.0 Type 3. ASIC потребляет около 9 Вт, а задержка обращений к памяти составляет порядка 50 нс. В состав контроллера входят три управляющих ядра RISC-V. Модули с Vistara, по два на каждый односокетный узел, устанавливаются в отдельные слоты в задней части шасси и обдуваются отдельным потоком воздуха во избежание перегрева и для повышения стабильности работы.

Как сообщается, это решение обеспечивает существенный прирост производительности для различных рабочих нагрузок, включая сокращение количества используемых серверов до 25 % для дезагрегированного машинного обучения и сокращение средней задержки на 29 % для распределённых кешей. Стоит отметить, что Microsoft также озаботилась возможностью использования старых модулей DDR4 и морально устаревших SSD в новых серверах в рамках проекта GreenSKU.

Qualcomm анонсировала High Bandwidth Compute (HBC), гибридное решение для вычислений и памяти, разработанное в качестве альтернативы памяти HBM и обеспечения большей производительности, эффективности и пропускной способности. В нём используется трёхмерная архитектура Near-Memory Computing (NMC), обеспечивающая предельно близкое расположение быстрой памяти к вычислительным ядра.

В HBC используется память LPDDR, размещённая вертикально в несколько слоёв, соединённых сквозными кремниевыми контактами (TSV). Такой подход обеспечивает лучшую энергоэффективность, чем традиционная HBM, в которой в вертикальных слоях размещается память DDR, поскольку микросхемы LPDDR потребляют меньше энергии, обеспечивая при этом аналогичную пропускную способность и ёмкость.

При этом в основании HBC лежит вычислительный кристалл, который берёт на себя часть обработки данных основного процессора, тем самым разгружая его. Как отметил ресурс Techpowerup, эта технология аналогична используемой в памяти HBM4, где базовый кристалл представляет собой логический кристалл для лучшей интеграции вычислительных решений, таких как трассировка пакетов и подготовка данных для ввода и вывода из HBM.

Источник изображений: Qualcomm

Qualcomm сообщила, что HBC обеспечивает шестикратное увеличение пропускной способности на Вт по сравнению с HBM, согласно опубликованным характеристикам конкурирующих продуктов, нормализованным на уровне платы, а также 200-кратное увеличение ёмкости на Вт по сравнению с SRAM, согласно опубликованным характеристикам конкурирующих продуктов, нормализованным на уровне стойки.

HBC первого поколения (HBC Gen 1) достигла пропускной способности 133 Тбайт/с на ускорителе AI250, что в 18 раз больше, чем у AI200 на базе LPDDR5X. Коммерческое тестирование HBC1 с AI250 ожидается в середине 2027 года. Компания планирует выпуск решения HBC Gen 2 в 2028 году. Это решение выйдет с ИИ-ускорителем Qualcomm Dragonfly AI300 и обеспечит 54-кратное увеличение эффективной пропускной способности по сравнению с AI200 и семикратное увеличения пропускной способности на Вт по сравнению с HBM.

Dragonfly AI300 интегрирует HBC2, обеспечив высокую пропускную способность и низкую задержку для инференса больших языковых и мультимодальных моделей (LLM, LMM) и агентного ИИ. По данным Qualcomm, ожидается в 4–8 раз более высокая производительность по сравнению с существующими архитектурами на базе GPU по пропускной способности памяти на Вт на карту. Масштабирование решения будет осуществляться с помощью интерконнектов UALink и ESUN с использованием медных и оптических кабелей. Коммерческое производство образцов Dragonfly AI300 начнётся в 2028 году.

AMD объявила о покупке стартапа Mext, специализирующегося на оптимизации использования имеющейся памяти в ИИ-системах с целью снижения расходов, ускорения развёртывания и масштабирования. Предполагается, что это поможет решить проблемы клиентов AMD, в настоящее время страдающих от дефицита памяти для ИИ ЦОД, сообщает Silicon Angle.

Mext создала технологию многоуровневого управления памятью, интеллектуально переносящую не слишком часто используемые данные из дорогой DRAM в NAND. В основе технологии — прогнозирование обращений к памяти, благодаря которой постоянно анализируются шаблоны доступа к данным и используются ИИ-алгоритмы, чтобы попытаться «угадать», какие данные из флеш-памяти могут понадобиться в ближайшее время. Эти данные заранее извлекаются в DRAM, благодаря чему приложения получают к ним доступ без лишних задержек и снижения производительности.

Сделка предполагает решение усугубляющейся проблемы операторов крупных ЦОД. По мере увеличения и усложнения ИИ-моделей, HPC, виртуализации и задач, связанных с аналитикой данных, стремительно увеличивается потребность в дефицитной памяти всех классов. Нехватка ведёт к росту цен и сложностям с покупкой. В результате дефицит серьёзно мешает оптимизировать производительность дата-центров, причём DRAM-модули нередко используются чрезвычайно неэффективно.

Источник изображения: Sebastian Herrmann/unsplash.com

В AMD рассчитывают, что проблему поможет решить технология Mext, которая сможет повысить эффективность ЦОД. Фактически решение стартапа увеличивает эффективный объём доступной памяти, благодаря чему растёт производительность уже имеющегося оборудования и снижается необходимость в закупках дополнительных DRAM-модулей. В AMD ожидают, что технология поможет снизить общую стоимость владения ИИ-инфраструктурой для облачных провайдеров и корпоративных покупателей. При этом выиграют не только ИИ ЦОД, но и обычные вычислительные площадки.

AMD намерена интегрировать технологии Mext в собственное портфолио решений для ЦОД. Кроме того, компания приобрела команду талантливых разработчиков стартапа, хорошо разбирающихся в архитектурах памяти, инфраструктурном ПО и крупномасштабных вычислительных системах. По мнению экспертов, сделка вряд ли окажет заметное влияние на выручку AMD в краткосрочной перспективе, но новость в любом случае была весьма благосклонно принята на Уолл-стрит. Кратковременный всплеск стоимости акций довёл капитализацию компании до $900 млрд.

Стоит отметить, что свои решения по интеллектуальному перемещению данных между DRAM и NAND также предлагают ADATA (TRUSTA AI Scaler) и Phison (aiDAPTIV+), но они совместимы только с их собственными накопителями. Broadcom встроила похожий механизм в платформу VCF. При этом сама NAND-память тоже в дефиците, так что вопрос оптимизации использования SSD стоит не менее остро.

Meta✴ вынуждена продлить срок эксплуатации некоторых из своих серверов общего назначения из-за дефицита DRAM с шести до семи лет, сообщает The Wall Street Journal со ссылкой на внутреннюю документацию техногиганта, где говорится о том, что компания не ожидала существенного дефицита поставок оборудования, в основном именно из-за нехватки оперативной памяти, а также жёстких дисков. Предполагается, что дефицит продлится минимум до 2027 года.

Ежегодно компания инвестирует огромные средства в инфраструктуру ЦОД и является одним из крупнейших заказчиков серверного оборудования в мире. Однако даже увеличение капзатрат до $125–$145 млрд в этом году не позволяет обновлять серверы прежними темпами. Внутренне моделирование Meta✴ показало, что увеличение срока эксплуатации серверов компании увеличит ожидаемую годовую интенсивность отказов (AFR) с 4,8 % до 7,4 % ежегодно. Такой риск считается приемлемым, хотя до восьми лет срок службы оборудования решили не продлевать.

95 % мирового выпуска DRAM приходится на Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology, которые в последние полтора года делают ставку на увеличение выпуска HBM для ИИ-ускорителей, поскольку такая память значительно маржинальнее обычной серверной DRAM. По оценкам IDC, речь может идти уже не о временном, «циклическом» дефиците, а о стратегическом перераспределении производственных ресурсов. Согласно прогнозам, на HBM в 2026 году придётся порядка 25 % выпуска всех пластин DRAM, спрос на неё растёт приблизительно на 70 % ежегодно.

Источник изображений: Meta✴

В результате цена DDR5 и других модулей резко выросла. Впрочем, с другими компонентами ситуация не лучше. Western Digital уже распродала даже не выпущенные HDD, у Seagate дела тоже идут отлично (для неё самой), а время поставок некоторых моделей серверных процессоров выросло до полугода. Таким образом, один из ключевых мировых покупателей серверного оборудования, в отличие от многих экспертов, не полагается на падение цен на память и другие компоненты к концу 2026 года, а предпочитает увеличить срок эксплуатации уже развёрнутого оборудования.

Для более мелких покупателей это может служить сигналом всё более серьёзных проблем с закупками в обозримой перспективе. Если получить достаточно памяти по приемлемой цене не рассчитывает гиперскейлер, прочие могут столкнуться с более длительными сроками поставок, частичным выполнением заказов и значительным ростом цен. Вполне может оказаться, что продление сроков службы оборудования — оптимальный сценарий не только для Meta✴, что, помимо прочего, приведёт к переносу капитальных затрат и замедлению внедрения более энергоэффективных и высокопроизводительных платформ.

Более того, дефициту HDD и SSD уделяется намного меньше внимания, чем нехватке DRAM, что, по-видимому, является ошибкой при планировании закупок. Массовая скупка HDD и рост цен на NAND оставляют всё меньше места для манёвра при формировании инфраструктуры для хранения данных. По мнению экспертов, новые производственные мощности для модулей памяти заработают ещё нескоро, и дефицит может постепенно снизиться в 2027–2028 гг., когда свои плоды начнут приносить инвестиции 2024–2025 гг.

В качестве временной меры возможно повышение эффективности использования имеющегося оборудования программными средствами. Например, NVIDIA анонсировала новое ПО для мониторинга и продления жизни ИИ-ускорителей в ЦОД. С другой стороны, индустрия не в первый раз прибегает к увеличению сроков службы оборудования. Так поступали Microsoft, Google, CloudFlare, Scaleway и др.

Стартап Majestic Labs анонсировал сервер нового типа Prometheus, призванный решить проблему «стены памяти» в современных ИИ-системах, оперирующих моделями с огромным количеством параметров. Утверждается, что Prometheus может обеспечить производительность, сопоставимую с несколькими стойками традиционных серверов, одновременно снижая энергопотребление и общую стоимость владения.

Компания Majestic Labs вышла из скрытого режима (Stealth) в ноябре прошлого года. Стартап отмечает, что в современных ИИ-системах наблюдается разрыв между объёмом и производительностью памяти и вычислительными возможностями ускорителей. Majestic Labs предлагает решить проблему путём внедрения новой архитектуры, предполагающей разделение памяти и вычислительных ресурсов. Речь идёт об использовании специализированных ИИ-ускорителей и блоков быстрой памяти, объём которой составит до 128 Тбайт в рамках одного сервера.

Источник изображения: Majestic Labs

В составе Prometheus задействованы проприетарные чипы AI Processing Units (AIU) под названием Ignite. Они объединяют CPU-ядра на базе Arm с векторными и тензорными движками RISC-V. При этом используется единое пространство памяти. Говорится о поддержке популярных фреймворков, таких как PyTorch, vLLM и OpenAI Triton, что позволяет запускать существующие рабочие нагрузки без изменения кода.

По заявлениям Majestic Labs, платформа Prometheus способна работать с ИИ-моделями с огромными контекстными окнами и триллионами параметров. При этом отсутствуют фрагментация и узкие места, присущие традиционным ИИ-серверам. Среди сфер применения названы смешанные экспертные системы, ИИ-агенты, графовые нейронные сети и пр.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM), объявила о заключении соглашения о стратегическом сотрудничестве с Microchip Technology. Партнёрство направлено на расширение производственных мощностей и обеспечение долгосрочных поставок MRAM-изделий.

В настоящее время Everspin изготавливает MRAM-чипы и туннельные магниторезистивные (TMR) датчики на линии в Чандлере (Аризона, США), которая располагается на площадке NXP. В рамках нового соглашения Everspin создаст точную копию такого производства на объекте Microchip в американском штате Орегон.

Партнёрство с Microchip, как ожидается, обеспечит ряд стратегических преимуществ. В частности, Everspin сможет нарастить объёмы выпуска продукции и обеспечить стабильность поставок. Кроме того, Everspin получит дополнительные возможности для реализации научно-исследовательских программ, направленных на улучшение характеристик MRAM и развитие соответствующей технологии. Речь идёт о новых сценариях использования такой памяти и о поддержке рабочих нагрузок следующего поколения.

Источник изображения: Everspin

«Сотрудничество с Microchip позволит увеличить масштабы производства продукции для удовлетворения спроса, одновременно способствуя дальнейшей реализации наших планов в области MRAM», — заявил глава Everspin. Соглашение между Everspin и Microchip Technology заключено на 10 лет с возможностью последующего расширения каждые два года. Первые продукты, изготовленные на предприятии в Орегоне, поступят на рынок во II половине 2027 года. Everspin продолжит производить чипы MRAM и TMR-датчики на линии в Чандлере.

Компания Raspberry Pi объявила об очередном повышении цен на свои одноплатные компьютеры и другие продукты. Удорожание связано с дефицитом чипов памяти DRAM и NAND на фоне стремительного развития инфраструктуры дата-центров для ИИ. Стоимость изделий Raspberry Pi уже была значительно увеличена два месяца назад.

Новое повышение цен распространяется на Raspberry Pi 4 и Raspberry Pi 5 с объемом памяти 4 Гбайт и более, Raspberry Pi 500 и Raspberry Pi 500+, все варианты Compute Module 4, Compute Module 4S и Compute Module 5 и другие изделия. В целом, подорожали следующие продукты:

• Raspberry Pi 4/5 с 4 Гбайт — плюс $25;
• Raspberry Pi 4/5 с 8 Гбайт — плюс $50;
• Raspberry Pi 5 с 16 Гбайт — плюс $100;
• Raspberry Pi 500 — плюс $50;
• Raspberry Pi 500+ — плюс $150;
• Compute Module 4/4S с 1 Гбайт — плюс $11,25;
• Compute Module 4/4S/5 с 2 Гбайт — плюс $12,5;
• Compute Module 4/4S/5 с 4 Гбайт — плюс $25;
• Compute Module 4/4S/5 с 8 Гбайт — плюс $50;
• Compute Module 5 с 16 Гбайт — плюс $100;
• Комплект разработчиков для Compute Module 5 — плюс $25;
• Raspberry Pi AI HAT+ 2 — плюс $50.

Источник изображения: Raspberry Pi

Вместе с тем Raspberry Pi представила новую модификацию одноплатного компьютера Raspberry Pi 4, оснащённую 3 Гбайт ОЗУ. Такое изделие, занявшее промежуточное положение между версиями с 2 и 4 Гбайт оперативной памяти, предлагается за $83,75.

Отмечается также, что пока не планируется повышать цены на классические продукты, включая Raspberry Pi Zero, Raspberry Pi Zero W и Raspberry Pi Zero 2 W, Raspberry Pi 1, Raspberry Pi 3, Raspberry Pi 3B+ и Raspberry Pi 3A+, а также Raspberry Pi Compute Module 1 и Raspberry Pi Compute Module 3+ . В этих устройствах используется более старая память LPDDR2 DRAM, которая в достаточном количестве имеется на складах Raspberry Pi.

Everspin Technologies анонсировала новое семейство чипов магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM) — изделия Unisyst, ориентированные на применение во встраиваемых системах.

Отмечается, что решения Unisyst используют унифицированную архитектуру MRAM, объединяющую традиционную память и постоянное хранилище высокой плотности. На первом этапе чипы новой серии будут предлагаться в вариантах ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Задействован последовательный интерфейс xSPI (8 линий, работающих на частоте 200 МГц).

Источник изображения: Everspin Technologies

Устройства на базе Unisyst будут соответствовать стандарту AEC-Q100 Grade 1. Гарантирована сохранность записанной информации в течение как минимум 10 лет. При этом чипы могут эксплуатироваться при экстремальных температурах. Заявленная скорость чтения данных достигает 400 Мбайт/с, скорость записи — приблизительно 90 Мбайт/с: это, как подчёркивает Everspin, более чем в 400 раз превосходит показатели памяти NOR.

Изделия Unisyst предназначены для приложений, которым требуется энергонезависимая память, сочетающая высокую пропускную способность, износостойкость и предсказуемое поведение при изменении температуры. В качестве ключевых сфер использования названы автомобильная, аэрокосмическая и промышленная отрасли, а также периферийные системы с ИИ-функциями.

Инженерные образцы MRAM-чипов Unisyst станут доступны в IV квартале 2026 года. Впоследствии Everspin намерена расширять данное семейство.