Материалы по тегу: samsung

24.01.2023 [21:55], Руслан Авдеев

Большой системе — большой монитор: разрешение дисплея Stallion в техасском суперкомпьютерном центре выросло до 597 МПикс

Хотя дисплей Stallion Техасского университета в Остине и без того имел одно из самых высоких разрешений в мире, университетская лаборатория TACC POB Visualization Laboratory обновила оборудование, позволяющее в мельчайших деталях рассматривать важные для учёных изображения. Речь идёт, например, как о снимках звёздного неба, сделанных космическими телескопами, так и о новых вариантах вируса COVID-19.

Новый Stallion, пришедший на замену системе, установленной ещё в 2008 году, работает в паре с кластером, предлагающим пользователям более 74 Гбайт графической памяти (ускорители NVIDIA Quadro K5000), 1,28 Тбайт оперативной памяти и 19 Тбайт постоянной памяти, а также 232 ядра CPU. За вывод изображения и управление «распределённым» дисплеем отвечает ПО DisplayCluster и MostPixelsEver. Обновлённый дисплей, состоит из восемнадцати (6×3) 65″ QLED-панелей Samsung, каждая — с разрешением 8К. После обновления суммарное разрешение дисплея увеличилось со 328 до 597 МПикс, а его яркость выросла.

 Источник изображения: TACC

Источник изображения: TACC

По мнению учёных, даже старый Stallion уже «менял правила игры», а его новая версия стала ещё лучше — теперь, к примеру, можно в мельчайших деталях рассматривать объекты вроде развалин древнего камбоджийского мегаполиса Ангкора. Исследователи способны будут разглядеть даже те детали, которые раньше остались бы незамеченными. В частности, активно пользуется новой технологией команда Cosmic Evolution Early Release Science Survey (CEERS), изучающая данные, снятые телескопом «Джеймс Уэбб» — даже на небольшом фрагменте можно разглядеть огромное количество незаметных ранее галактик, включая самые отдалённые из известных сегодня.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1080784
14.12.2022 [20:39], Алексей Степин

AMD и Samsung создали уникальный экспериментальный ИИ-суперкомпьютер, скрестив «умную» память HBM-PIM и ускорители Instinct

Концепция вычислений в памяти (in-memory computing) имеет ряд преимуществ при построении HPC-систем, и компания Samsung сделала в этой области важный шаг. Впервые на практике южнокорейский гигант совместил в экспериментальном суперкомпьютере свои чипы in-memory с ускорителями AMD Instinct. Согласно заявлениям Samsung, такое сочетание даёт существенный прирост производительности при обучении «тяжёлых» ИИ-моделей. При этом улучшаются и показатели энергоэффективности.

Новая система насчитывает 96 ускорителей AMD Instinct MI100, каждый из которых дополнен фирменной памятью HBM-PIM с функциями processing-in-memory. В состав системы входит 12 вычислительных узлов с 8 ускорителями в каждом. Шестёрка узлов связана с другой посредством коммутаторов InfiniBand. Используется 16 линков со скоростью 200 Гбит/с.

 Здесь и далее источник изображений: Samsung

Здесь и далее источник изображений: Samsung

Кластер Samsung нельзя назвать рекордсменом, но результаты получены весьма обнадёживающие: в задаче обучения языковой модели Text-to-Test Transfer Transformer (T5), разработанной Google, использование вычислительной памяти позволило снизить время обучения в 2,5 раза, а потребление энергии при этом сократилось в 2,7 раза.

 Здесь и далее источник изображений: Samsung

Технология весьма дружественна к экологии: по словам Samsung, такой кластер с памятью HBM-PIM способен сэкономить 2100 ГВт·час в год, что в пересчёте на «углеродный след» означает снижение выбросов на 960 тыс. т за тот же период. Для поглощения аналогичных объёмов углекислого газа потребовалось бы 10 лет и 16 млн. деревьев.

Компания уверена в своей технологии вычислений в памяти и посредством SYCL уже подготовила спецификации, позволяющие разработчикам ПО использовать все преимущества HBM-PIM. Также Samsung активно работает над похожей концепцией PNM (processing-near-memory), которая найдёт своё применение в модулях памяти CXL.

 Устройство Samsung HBM-PIM

Устройство Samsung HBM-PIM

Работы по внедрению PIM и PNM Samsung ведёт давно, ещё на конференции Hot Chips 33 в прошлом году она объявила, что намерена оснастить вычислительными ускорителями все типы памяти — не только HBM2/3, но и DDR4/5. Тогда же впервые был продемонстрирован рабочий образец HBM-PIM, где каждый чип был оснащён ускорителем с FP16-производительностью 1,2 Тфлопс.

Таким образом, первая HPC-система с технологией PIM полностью доказала работоспособность концепции вычислений в памяти. Samsung намеревается активно продвигать технологии PIM и PNM как в ИТ-индустрии, так и в академической среде, главном потребителе ресурсов суперкомпьютеров и кластерных систем.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1078884
11.10.2022 [23:18], Алексей Степин

Samsung разрабатывает память GDDR7 для HPC и ЦОД нового поколения

На ежегодной конференции Samsung Tech Day 2022 компания раскрыла свои планы относительно новинок в сфере памяти NAND и DRAM. Новые чипы по классификации Samsung относятся к поколению 1b — пятому поколению DRAM-устройств, использующих технологические процессы класса 10 нм. Корпорация намеревается развернуть массовое производство таких микросхем уже в 2023 году. Одновременно ведётся разработка новых технологий и материалов (в частности, диэлектриков класса High-K), позволяющих выйти за рамки 10-нм техпроцессов для чипов DRAM.

 Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли. Источник изображения: news.samsung.com

Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли. Источник изображения: news.samsung.com

В будущий спектр решений памяти нового поколения войдут кристаллы DDR5 ёмкостью 32 Гбит, экономичные чипы LPDDR5X с производительностью 8,5 Гбит/с на контакт и сверхскоростные микросхемы GDDR7 с невиданной ранее для этого типа памяти скоростью 36 Гбит/с на контакт. Для сравнения, GDDR6X на борту новейших ускорителей NVIDIA GeForce GTX 4090 работают на скорости всего 21 Гбит/с.

Столь быстрая память будет востребована в ЦОД нового поколения, суперкомпьютерах и кластерных системах, а также в игровой индустрии как видеопамять графических ускорителей и консолей следующих поколений. Экономичные и вместе с тем ёмкие решения, созданные с использованием новых техпроцессов, найдут своё место в мобильных устройствах и на рынке автономных транспортных средств.

 Модули Samsung AXDIMM. Источник изображения: news.samsung.com

Модули Samsung AXDIMM. Источник изображения: news.samsung.com

Но Samsung уделяет пристальное внимание и другим, более специализированным типам памяти, в частности, вычислительной памяти HBM-PIM (Processing-in-Memory) и AXDIMM с ускорителями на борту, а также продвижению стандарта CXL, который позволит достичь нового уровня дезагрегации инфраструктуры. За прошедшие 40 лет работы в области выпуска микросхем памяти общий их объём, произведенный компанией, достиг 1 трлн Гбайт, причем половина этого объёма выпущена за последние 3 года.

Также Samsung рассказала о восьмом и девятом поколении флеш-памяти V-NAND. В текущем восьмом поколении компания достигла наивысшей плотности упаковки ячеек среди всех TLC-устройств с ёмкостью чипа 512 Гбит, а к концу года будут доступны и микросхемы ёмкостью 1 Тбит. Девятое поколение запланировано на 2024 год, а к 2030 году компания надеется выпустить флеш-память с более чем тысячью слоёв. В связи с ростом популярности машинного обучения и возрастанием объёма ИИ-моделей Samsung ускорит процесс перехода от TLC к более ёмкой QLC NAND.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1075603
03.08.2022 [18:56], Игорь Осколков

Samsung анонсировала Memory-Semantic SSD: DRAM + NAND + CXL

Samsung анонсировала новые решения для корпоративного сектора, которые, по словам компании, «трансформируют перемещение, хранение, обработку и управление данными в эпоху Big Data». Впрочем, подробные характеристики новинок компания не предоставила, ограничившись общими словами.

Первым в списке значится петабайтное хранилище (Petabyte Storage). Под этим компания подразумевает возможность формирования СХД ёмкостью от 1 Пбайт на базе единственного узла. Высота и компоновка такого узла не уточняются, но это не так и важно, поскольку аналогичные, пусть и поначалу специализированные, решения от других вендоров были представлены ещё два с лишним года назад. Упомянула Samsung и о возможностях расширенной телеметрии, отслеживающей состояние DRAM, NAND, контроллера и прошивки в составе SSD и позволяющей зарнее выявить потенциальные проблемы.

 Изображения: Samsung

Изображения: Samsung

Следующий анонс касается т.н. Memory-Semantic SSD, который, по словам компании, сочетает преимущества обычных накопителей и оперативной памяти. В этом можно было бы увидеть намёк на SCM-решение, подходящее в качестве замены почивших Optane, но в данном случае прямо говорится о наличии DRAM-кеша, который позволяет до 20 раз улучшить показатели скорости и задержки на случайных операциях чтения по сравнению с обычными SSD.

Новый SSD оптимизирован для мелкоблочных чтения и записи, что, по словам Samsung, крайне важно для ИИ-нагрузок и машинного обучения. Кроме того, прямо говорится о поддержке CXL. Анонсированные вчера спецификации CXL 3.0 как раз позволяют в полной мере задействовать все возможности такого гибридного SSD в составе CXL-фабрики и GFAM. Но до массового распространения этого стандарта пока ещё очень далеко.

Наконец, компания объявила о доступности накопителей PM1743 и PM1653 — первых SSD с поддержкой PCIe 5.0 и SAS-4 соответственно. Кроме того, компания напомнила о втором поколении своих SmartSSD с FPGA на борту и CXL-модулях DDR5. Однако сейчас для Samsung, пожалуй, важнее представить новое поколение NAND, чтобы догнать Micron, SK Hynix и даже YMTC.

UPD 08.08.2022: ресурс Blocks & Files поделился некоторыми подробностями о новинках Samsung. Так, в рамках проекта Petabyte Storage компания показала 128-Тбайт SSD на базе QLC-памяти и с поддержкой ZNS. Samsung смогла уместить в SFF-корпус сразу две платы с чипами памяти. Так что новинка значительно компактнее, ёмче и быстрее предыдущего рекордсмена — 100-Тбайт Nimbus ExaDrive.

Прототип Memory-Semantic SSD базируется на PM9A3 с CXL-интерфейсом и 8-Гбайт DRAM-кешем. Он действительно предлагает как NVMe-доступ (CXL.io), так и load/store (CXL.mem). Наличие DRAM-буфера позволяет работать с блоками размером от 64 байт. Заявленная пиковая производительность для последовательного чтения достигает 139 Гбайт/с, а для случайного — 22 млн IOPS.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1071491
21.07.2022 [18:16], Алексей Степин

Samsung представила второе поколение «вычислительных» SmartSSD с FPGA Xilinx на борту

Идея «умных» накопителей не нова и довольно очевидна — накопители можно дополнить чипами, которые могут взять на себя первичную обработку данных непосредственно на месте их хранения, например, обслуживая рутинные операции с базами данных или (де-)компрессию на лету и без загрузки CPU хост-системы.

Samsung Electronics экспериментирует с данной технологией давно: компания демонстрировала прототипы «вычислительных SSD» ещё на SC18, а в 2020 году уже представила коммерческие накопители SmartSSD, оснащённые мощной ПЛИС Xilinx Kintex, дополненной 4 Гбайт оперативной памяти. Но пришло время двигаться дальше и сегодня компания анонсировала новое поколение накопителей.

 Источник: Samsung Electronics

Источник: Samsung Electronics

Во втором поколении SmartSSD компания-разработчик сменила FPGA Kintex на более универсальную и производительную платформу Versal. Сама AMD Xilinx называет эти чипы «адаптивной платформой ускорения вычислений», поскольку в них имеются блоки практически на любой случай, от классической ПЛИС до ядер Arm Cortex-A и R, а также DSP и криптодвижки.

 Источник: Samsung Electronics

Источник: Samsung Electronics

По словам Samsung, новые накопители обрабатывают «тяжёлые» запросы к БД на 50 % быстрее традиционных серверных SSD, при этом они на 70 % экономичнее, а выигрыш по нагрузке на CPU сервера составляет и вовсе 97 %, поскольку основную работу берёт на себя Versal. Главной областью применения SmartSSD нового поколения Samsung видит рынок машинного обучения и сетей пятого и шестого поколений, как требующий активной обработки больших объёмов данных.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1070601
11.05.2022 [15:19], Сергей Карасёв

Samsung представила первый в мире CXL-модуль DDR5 ёмкостью 512 Гбайт

Компания Samsung Electronics сообщила о создании DDR5-модуля Compute Express Link (CXL) вместимостью 512 Гбайт — это первое в отрасли решение столь высокой ёмкости, имеющее интерфейс PCIe 5.0 и выполненное в форм-факторе E3.S. Модуль даёт возможность значительно повысить объём памяти серверных систем и увеличить её пропускную способность.

Это, в свою очередь, позволяет ускорить выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ) и высокопроизводительными вычислениями (HPC) в центрах обработки данных. На текущий момент Samsung уже подписала с Lenovo соглашение о развитии CXL-решений. Ожидается, что тестирование новых модулей памяти начнётся в III квартале этого года, а массовыми они станут после появления на рынке новых платформ AMD EPYC Genoa и Intel Xeon Sapphire Rapids.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

«Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объёмов данных. Открытый, обладающий широкой отраслевой поддержкой протокол CXL, основанный на интерфейсе PCI Express (PCIe) 5.0, обеспечивает высокоскоростную передачу с малой задержкой между хост-процессором и такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные устройства ввода-вывода», — заявляет Samsung.

Свой первый CXL-модуль памяти Samsung представила год назад. Чуть позже появилась и платформа для разработки. В конце прошлого года компания показала первую гибридную СХД Poseidon V2 с поддержкой CXL, которая позволяет объединить в одной платформе (Smart)SSD, DRAM и ускорители, а буквально на днях было продемонстрировано совместное с Liqid и Tanzanite решение для работы с пулами CXL-памяти.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1065705
05.05.2022 [02:15], Алексей Степин

Liqid, Samsung и Tanzanite объединились для работы над пулами CXL-памяти

За развитием CXL мы следим давно, поскольку эта технология служит фундаментом для компонуемой инфраструктуры, где все ресурсы физически разнесены и могут быть объединены в нужную конфигурацию по запросу. Внедрение CXL 2.0 позволит организовывать и отдельные пулы DRAM или быстрой энергонезависимой памяти вроде Optane.

 Демонстрационная платформа Tanzanite (Изображения: Business Wire)

Демонстрационная платформа Tanzanite (Изображения: Business Wire)

Первый вариант пулов памяти CXL совместно представили Liqid, Samsung и Tanzanite. У Liqid есть PCIe-платформа и ПО для управления дезагрегированными ресурсами, Samsung уже представила первую CXL-память DDR5, а Tanzanite занята разработкой CXL-фабрики на базе чипсета собственной разработки SLICTZ. Liquid недавно получила новые инвестиции от DigitalBridge Ventures и Blackwells Capital, что говорит о заинтересованности крупных инвесторов в развитии идей дезагрегации и композитных вычислительных сред.

Но самое интересное в совместном решении компаний — чип SLICTZ. Он может работать в качестве коммутатора CXL и предоставляет все нужные для организации выделенных пулов CXL-памяти технологии, включая поддержку энергонезависимых модулей и разбиение пула на уровни (tiering). Текущая реализация SLICTZ базируется на флагманских ПЛИС Intel Agilex, но это всего лишь прототип, так что компания со временем наверняка выпустит и ASIC.

 Пул композитной памяти Tanzanite

Пул композитной памяти Tanzanite

Тем не менее, даже первое поколение SLICTZ способно управлять пулом памяти объёмом 80 Тбайт, предоставляя каждому подключённому хосту пропускную спосоность, эквивалентную 32 каналам DDR4 или 16 каналам DDR5. Более того, по словам создателей, задержка доступа будет даже меньше, чем у типичного двухсокетного сервера.

Сама Tanzanite планирует наделить SLITZ достаточно высокой производительностью для поддержки концепции «вычисления рядом с памятью» (Near Memory Compute), что позволит организовать первичную обработку данных и разгрузить, тем самым, хост-процессоры. Не является ли это отходом от базовых принципов дезагрегации, покажет время.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1065289
26.04.2022 [17:12], Сергей Карасёв

Уникальный тысячеядерный RISC-V чип Esperanto ET-SoC-1 приглянулся Samsung

Стартап Esperanto Technologies сообщил о том, что сразу несколько крупных IT-игроков тестируют её уникальный ИИ-ускоритель ET-SoC-1. В их число, в частности, входит Samsung SDS, подразделение южнокорейского гиганта, специализирующееся на IT-решениях и услугах. В конце прошлого года Samsung уже представила концепт SmartSSD, который как раз задействует ET-SoC-1 для «умной» обработки данных непосредственно на накопителе.

Чип Esperanto ET-SoC-1 использует архитектуру RISC-V. Он содержит 1088 энергоэффективных ядер ET-Minion и четыре высокопроизводительных ядра ET-Maxion. Подробно об особенностях новинки можно узнать в нашем материале. Чип предназначен для решения сложных задач, связанных с ИИ и машинным обучением. Утверждается, что изделие обеспечивает более высокую энергетическую эффективность, нежели другие специализированные решения.

Esperanto прямо не говорит, кто ещё, помимо Samsung SDS, тестирует решение. Отмечается лишь, что это «ведущие заказчики». Между тем Патрик Бангерт, вице-президент по ИИ-решениям в Samsung SDS, говорит, что его команда впечатлена результатами первых тестов ET-SoC-1: «Чип был быстрым, производительным и в целом простым в использовании. Кроме того, изделие продемонстрировало почти линейное масштабирование производительности в различных конфигурациях вычислительных ИИ-кластеров»

 Изображение: Samsung

Изображение: Samsung

Аналитики Cambrian-AI Research также высоко оценили работу новинки в Resnet50, DLRM и BERT, отметив, что уровень энергопотребления укладывался в 20 Вт при максимальной рабочей частоте чипа. Отмечена и хорошая программная поддержка, которая позволит не только охватить будущие ИИ-нагрузки, но и потенциально позволит использовать ET-SoC-1 для других массивно-параллельных задач. Поскольку чип ориентирован на гиперскейлеров, качество ПО зачастую выходит на первый план.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1064709
31.03.2022 [17:07], Руслан Авдеев

Samsung и Tomorrow Water объединят ЦОД с очистными сооружениями

Дочернее предприятие южнокорейского концерна BKT, компания Tomorrow Water, занимающаяся преимущественно очисткой сточных вод, объединит усилия с Samsung для строительства дата-центров, комбинированных с канализационной и очистной инфраструктурой.

Основной идеей стало размещение ЦОД на территории водоочистительных сооружений — получаемое здесь биотопливо может применяться для питания информационной инфраструктуры, а дата-центр, в свою очередь, может делиться избыточным теплом для подогрева биореакторов. По расчётам Tomorrow Water, созданные под брендом Co-Flow объединения позволят использовать все преимущества инфраструктур очистительных сооружений и ЦОД.

Известно, что компания уже заключила соглашение c американской Arcadis, которая займётся оценкой и разработкой первых проектов Co-Flow в США. Пока же Tomorrow Water, Samsung, а также Dohwa Engineering и BNZ Partners будут совместно разрабатывать архитектуру, способную объединить несколько инфраструктур на территории Южной Кореи.

 Источник изображения: Tomorrow Water

Источник изображения: Tomorrow Water

Разработанная Tomorrow Water система биофильтрации воды Proteus позволит заменить ёмкости-отстойники в очистительных сооружениях. Например, с 2018 года при реализации флагманского проекта Jungnang Water Recycling Center площади очиститных систем удалось снизить на 60 %, а на освободившейся земле, в частности, был разбит парк. Данные о проекте объединения очистных сооружений и ЦОД появились ещё в мае прошлого года.

Сотрудничество с ЦОД позволит максимально снизить и уровень выбросов — благодаря системе фильтрации ёмкости с водой можно размещать под землёй, а дата-центр — на поверхности. Это весьма важно для желающих построить ЦОД, поскольку такие проекты обычно необходимо реализовать недалеко от городской инфраструктуры с коммуникациями. Земля в таких районах обычно довольна дорога и часто уже занята.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1063138
09.01.2022 [00:58], Владимир Мироненко

Samsung снова захватила более половины рынка корпоративных SSD

Согласно данным аналитических компаний TrendFocus и Wells Fargo, в III квартале 2021 года Samsung значительно обогнала других производителей по суммарной ёмкости отгруженных SSD корпоративного класса, заняв половину рынка. Два года назад, в III квартале 2019 года, на долю Intel и Samsung приходилось около 35 % ёмкости таких SSD, а в отчётном квартале доля Samsung выросла до 53,6 %, тогда как у Intel она сократилась до 15,2 %.

Пандемия COVID-19 вызвала резкое снижение темпов прироста в годовом исчислении с I квартала 2020 года по II квартал 2021 года, но рост поставок не останавливался, за исключением нулевого движения, зарегистрированного в начале 2019 года.

Western Digital и Kioxia совместно владеют долей 14,4 %, занимая третье место на рынке. SK Hynix с долей 8,6 % занимает пятое место, но поскольку она прибрела у Intel производство NAND SSD, на базе которого сформировала подразделение Solidigm, совокупная доля SK Hynix и Solidigm в поставках равна уже 23,8 %. То есть SK Hynix теперь находится на втором месте, а у WD/Kioxia — третья позиция. За ними следует Micron с долей рынка 5,6 %.

На диаграмме, отражающей долю поставщиков корпоративных NVMe SSD, видно, что изначально на рынке лидировала Intel, которая уступила первенство сначала Western Digital, а затем и Samsung. Причём сокращение доли WD было ещё более резким, чем у Intel. SK Hynix с Kioxia входят в категорию «Другие», а доля Micron отражает тот факт, что она никогда не была ведущим игроком на этом рынке.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1057580
Система Orphus