Согласно данным аналитических компаний TrendFocus и Wells Fargo, в III квартале 2021 года Samsung значительно обогнала других производителей по суммарной ёмкости отгруженных SSD корпоративного класса, заняв половину рынка. Два года назад, в III квартале 2019 года, на долю Intel и Samsung приходилось около 35 % ёмкости таких SSD, а в отчётном квартале доля Samsung выросла до 53,6 %, тогда как у Intel она сократилась до 15,2 %.

Пандемия COVID-19 вызвала резкое снижение темпов прироста в годовом исчислении с I квартала 2020 года по II квартал 2021 года, но рост поставок не останавливался, за исключением нулевого движения, зарегистрированного в начале 2019 года.

Western Digital и Kioxia совместно владеют долей 14,4 %, занимая третье место на рынке. SK Hynix с долей 8,6 % занимает пятое место, но поскольку она прибрела у Intel производство NAND SSD, на базе которого сформировала подразделение Solidigm, совокупная доля SK Hynix и Solidigm в поставках равна уже 23,8 %. То есть SK Hynix теперь находится на втором месте, а у WD/Kioxia — третья позиция. За ними следует Micron с долей рынка 5,6 %.

На диаграмме, отражающей долю поставщиков корпоративных NVMe SSD, видно, что изначально на рынке лидировала Intel, которая уступила первенство сначала Western Digital, а затем и Samsung. Причём сокращение доли WD было ещё более резким, чем у Intel. SK Hynix с Kioxia входят в категорию «Другие», а доля Micron отражает тот факт, что она никогда не была ведущим игроком на этом рынке.

Первый в мире «большой» ИИ-ускоритель на базе архитектуры RISC-V от молодой компании Esperanto, созданной ветераном индустрии Дэвидом Дитцелем (Dave Ditzel), который стоял у истоков легендарной Transmeta, может найти своё место в новых «умных» SSD Samsung. Корейский гигант раскрыл сведения о прототипе такого накопителя в рамках мероприятия SAFE, прошедшем осенью этого года.

Ускоритель Esperanto ET-SoC-1 изначально создавался с прицелом на энергоэффективные инференс-платформы для различных систем рекомендаций, и помимо 1088 ядер (ET-Minion), получил весьма объёмную подсистему SRAM (более 160 Мбайт) и восьмиканальный контроллер LPDDR4. Создатели ET-SoC-1 получили первые партии чипов, выпущенные с использованием 7-нм техпроцесса, и в настоящее время активно работают над различными сценариями использования своего детища.

Изображения: Samsung/Esperanto

Но не только они — на ET-SoC-1 обратила внимание компания Samsung. Такие системы сейчас используются повсюду, от стриминговых платформ до крупных магазинов и социальных сетей, поэтому рынок огромен, а преимущество на нём получат те, чьи движки рекомендаций работают быстрее и точнее. Они настолько прочно вошли в нашу жизнь, что по некоторым оценкам, у таких гигантов, как Google, Facebook* или Amazon, до 80% всех ИИ-нагрузок приходится именно на рекомендательные системы.

SSD с чипом Esperanto на борту (справа) упрощает работу рекомендационных систем и освобождает системные ресурсы

Увы, движки подобного рода оперируют с массивами информации объёмами в десятки гигабайт, но чтобы использовать их, системе надо сперва затребовать соответствующие данные с накопителей. В то же время от таких движков требуются практически мгновенные ответы на поступающие запросы, а сами массивы требуют регулярного обновления.

Но ET-SoC-1, по мнению Esperanto и Samsung, позволит перенести этот процесс ближе к накопителям — чип может быть непосредственно интегрирован в SSD и считывать массивы данных непосредственно из NAND-памяти. В концепции такого SmartSSD Samsung центральные процессоры серверов занимаются только диспетчеризацией пользовательских запросов, а вся работа с массивами, сопоставлением данных и выработкой решения ложится на плечи ET-SoC-1.

Первые результаты тестов, опубликованные Samsung

Такой подход разгружает не только процессоры, но и освобождает ресурсы PCIe-шины. Предварительные тесты показывают, что выигрыш в используемой пропускной способности между SSD и CPU может достигать от 10 до 100 раз, и это при том, что в прототипе задействуется лишь небольшая часть из 1088 ядер ET-SoC-1 — от 32 до 128. Но архитектура у творения Esperanto модульная, и ничто не мешает серийным «рекомендательным SSD» использовать более просты чипы с меньшим числом блоков ET-Minion.

* Внесена в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности».

Samsung Electronics анонсировала серверный NVMe SSD PM1743 с интерфейсом PCIe 5.0, фирменным контроллером и 128-слойной флеш-памятью TLC V-NAND шестого поколения. Ожидается, что новый накопитель и уже имеющийся в разработке вариант с PCIe 6.0 позволят укрепить технологическое лидерство компании на серверном рынке. Образцы PM1743 уже отправляются производителям чипсетов и серверов.

Samsung тестировала новинку совместно с Intel, чтобы решить проблемы, возникшие во время начальной оценки работы новой технологии. Обе компании уверены, что системы с PCIe 5.0 помогут трансформировать сферы ИИ, машинного обучения и высокопроизводительных баз данных, поскольку новый стандарт вдвое быстрее PCIe 4.0. Компания планирует начать массовое производство новинки в I квартале 2022 года.

Изображения: Samsung

Скорость последовательных чтения у PM1743 составляет до 13 Гбайт/с, а производительность на случайных операциях — 2,5 млн IOPS, т.е. в 1,9 и 1,7 раз быстрее, чем продукты с PCIe 4.0 соответственно. Выросла и скорость записи — до 6,6 Гбайт/с и 250 тыс. IOPS, т.е. прирост составил 1,7 и 1,9 раз. Samsung также отметила, что PM1743 на 30% экономичнее в сравнении с моделями предыдущего поколения, и достигает показателя 608 Мбайт/с на Ватт.

PM1743 будет доступен как в традиционном 2,5" варианте, так и в форм-факторе EDSFF E3.S. Будут доступны модели ёмкостью от 1,92 до 15,36 Тбайт. Компания также ожидает, что новый SSD станет первой в отрасли двухпортовой моделью с PCIe 5.0. Он также получит встроенный процессор безопасности и аппаратный Root of Trust (RoT).

Южнокорейский гигант Samsung представил первый образец системы хранения данных на аппаратной платформе Intel Xeon следующего поколения — Sapphire Rapids. Устройство продемонстрировано в рамках мероприятия OCP Global Summit 2021, которое посвящено открытым проектам в сферах программного и аппаратного обеспечения для центров обработки данных. Новинка разработана совместно с Inspur и Naver Cloud.

Poseidon V2 имеет два процессора Sapphire Rapids, 32 слота для модулей DDR5, а также вмещает до 24 устройств E3.S 1T (в отличие от E1 в Poseidon V1), но корзина совместима и с E3.S 2T. Собственно говоря, хранилищем в традиционно смысле слова эта система не является. Да, она подходит для NVMe SSD с интерфейсом PCIe 5.0 (как PM1743) — обычных NAND и SCM вроде Z-SSD, XL-Flash или Intel Optane — и предлагает быструю реализацию NVMe-oF, в том числе NVMe/TCP.

Poseidon V2 (Здесь и далее изображения Samsung)

Для 200GbE-подключением к системе Samsung уже удалось достичь скорости последовательных чтения и записи в 24,5 и 18,6 Гбайт/с, а для случайных — 19,4 и 8,7 Гбайт/с соответственно. Однако в форм-факторе E3.S также будут выпускаться и SmartSSD с возможностью самостоятельной обработки данных, и различные ускорители, и DRAM-экспандеры. Последнее возможно благодаря поддержке Сompute Express Link (CXL).

Однако наличие аппаратной поддержки — это полдела. Поэтому Samsung развивает фирменную Poseidon Storage OS. ОС будет отвечать за управлением томами, формирование программных RAID-массивов, мониторинг и профилирование производительности и так далее. Кроме того, она предложит функцию высокой доступности (2 узла), многопутевое (multi-path) подключение и будет принимать во внимание неравномерность доступа к памяти (NUMA). Разработчикам будут доступны открытые API.

Старт массового производства Poseidon V2 намечен на III квартал 2022 года, а в IV квартале Samsung планирует передать OCP все наработки по проекту. Строго говоря, большая часть компонентов новинки уже сделана в соотвествии со стандартами OCP, так что этот процесс вряд ли затянется.

CXL (Сompute Express Link) позволит создавать единые пулы памяти огромного объёма, и один из первых шагов к разработке таких решений сделала Samsung, представившая сначала память DDR5 в новом форм-факторе, а теперь и Scalable Memory Development Kit, набор разработчика для работы с такой памятью.

В основе CXL электрически и логически лежит PCI Expresss 5.0, однако Сompute Express Link идёт дальше. Это не просто шина «точка-точка» для подключения периферийных устройств, таких как ускорители или сетевые сопроцессоры, но полноценный универсальный интерфейс, способный, в частности, стереть различия между «накопителями» и «оперативной памятью» в их классическом понимании.

При этом массив памяти не обязательно должен располагаться в пределах корпуса системы: CXL поддерживает кеширование и имеет развитые средства шифрования, так что «шкаф памяти» может быть расположен и отдельно. Это открывает дорогу к созданию систем с невиданными ранее, петабайтными объёмами пулов памяти. И не последнюю роль в этом сыграла компания Samsung.

CXL открывает дорогу к созданию высокопроизводительных универсальных пулов памяти

Ещё в мае этого года Samsung представила первый экспандер, совместимый со стандартом CXL 2.0 — устройство, позволяющее расширять объём оперативной памяти сервера за счёт специальных CXL-модулей DDR5. А сейчас эта платформа стала ещё ближе к воплощению: компания объявила о доступности комплекта разработки Scalable Memory Development Kit (SMDK), позволяющего бесшовно состыковать основной пул оперативной памяти и CXL-модули.

Архитектура Samsung SMDK

SMDK включает два набора API, один из которых позволяет использовать CXL-память без модификации ОС и ПО. Но это временное решение, в состав также входит и набор оптимизированных API, позволяющий извлечь из новой технологии максимум. Платформа поддерживает виртуализацию массивов памяти и имеет продвинутые механизмы многоуровневой иерархии (tiering), реализованные с помощью фирменного движка Intelligent Tiering Engine (ITE), который учитывает тип памяти, её ёмкость, пропускную способность и уровень задержки доступа.

Само ПО SMDK базируется на открытом коде, причём компания планирует открыть и код ITE. Полностью поддерживаются устройства других производителей, при условии, что они отвечают спецификациям PCIe/CXL. Пока новые средства разработки доступны для предварительного тестирования, полностью открытыми они должны стать в первой половине следующего года. Над похожими технологиями работают и другие компании, например, VMware, представившая на днях Project Capitola, технологию программно определяемых массивов памяти.

В распоряжении ServeTheHome оказалась информация о твердотельных накопителях Samsung с кодовым обозначением PM1743. Официальная презентация этих устройств, как ожидается, состоится в следующем году. Изделия получат форм-фактор E3.S 1T и будут ориентированы на применение в корпоративном секторе.

Говорится об использовании интерфейса PCIe 5.0: x4 для однопортового варианта или два x2 для двухпортового. В основу лягут микрочипы флеш-памяти TLC V-NAND. Энергопотребление составит от 20 до 25 Вт. Кроме того, указан показатель DWPD — накопители будут рассчитаны на одну полную перезапись в сутки. Более подробная информация о готовящихся изделиях пока отсутствует. Но известно, что доступны устройства будут только во втором квартале следующего года.

Компания Samsung Electronics анонсировала твердотельные накопители серии PM1731a, рассчитанные на использование в оборудовании корпоративного класса. Это первые устройства южнокорейского гиганта, поддерживающие технологию Zoned Namespace (ZNS).

Здесь и ниже изображения Samsung

Samsung PM1731a выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма. Поначалу будут предлагаться две модификации — двухпортовые модели вместимостью 2 и 4 Тбайт. В основу решений положена память V-NAND шестого поколения. Отмечается, что накопители подходят для облачных платформ и корпоративных инфраструктур, для которых характерна высокая интенсивность обмена данными.

Массовое производство новинок запланировано на вторую половину текущего года. Компания обещает добавить поддержку своих ZNS-накопителей в xNVMe и SPDK.

Современная индустрия серверов и HPC нуждается в универсальном высокоскоростном интерфейсе, и таким интерфейсом должен стать Compute Express Link, базирующийся на возможностях протокола PCI Express 5.0. Мы рассказывали читателям об этой технологии ещё в начале года — тогда речь шла лишь о демонстрационной платформе, но сейчас разработчики аппаратного обеспечения анонсируют первые продукты, использующие CXL.

Как известно, современные вычислительные системы используют для шину PCI Express на коротких дистанциях; на длинных это, как правило, Ethernet или InfiniBand. Но остаётся один участок, который традиционно не охвачен каким-либо унифицированным интерфейсом, и это участок, связывающий процессоры с оперативной памятью. CXL позволяет унифицировать и этот момент, и компания Samsung уже анонсировала первые модули памяти в новом формате.

В эпоху популярности систем машинной аналитики, обучения и вычислений in-memory объёмы DRAM (и PMem) в серверных системах серьёзно выросли, но традиционный подход к расширению оперативной памяти содержит ряд проблем: это и большое количество контактов, и ограниченное число модулей памяти на канал. Производителям приходится искать баланс между скоростью, объёмом и физическими размерами памяти.

Стандарт CXL шире, нежели PCI Express, с его помощью возможна реализация различных топологий, а не только подключений «точка-точка». Причём дезагрегация ресурсов возможно не только в пределах шасси, но и в пределах стойки и далее (при наличии CXL-коммутатора с «оптикой»). Впрочем, главное в данном случае — поддержка протокола CXL.memory, причём с версии 2.0 с полным шифрованием.

В режиме CXL.memory подключённый к шине пул DRAM может объединяться с системным пулом оперативной памяти в единое пространство или делиться между другими устройствами (FPGA). При этом целью может ставиться как увеличение пропускной способности, так и наращивание объёмов до нескольких терабайт и более. Этот режим и реализован Samsung в новых модулях. Внешне они напоминают SSD, но в основе новинки лежит новый стандарт DDR5.

Такой модуль подключается к системе с помощью 16 линий PCIe 5.0, которые имеют суммарную пропускную способность 63 Гбайт/с. Более детальной информации о новых модулях Samsung CXL DDR5 пока мало, но очевидно, что при серьёзных объёмах DRAM такие модули потребуют и достаточно серьёзного охлаждения. Ожидается, что тепловыделение модуля объёмом 2 Тбайт может достигать 70-80 Вт, хотя выбранный форм-фактор (E3.S 2T) предполагает TDP на уровне 40 Вт.

Такой форм-фактор позволит свободно комбинировать DRAM, SCM и SSD в 2U-шасси, что позволит выбрать необходимое для конкретной нагрузки сочетание ёмкости и производительности. Интересно, появятся ли аналогичные DRAM-модули и в формате E1, который актуален для 1U-шасси, edge-систем, а также для высокоплотных HPC-решений.

Согласно официальному заявлению, новые модули успешно прошли квалификационное тестирование на некоей «серверной платформе Intel следующего поколения», однако больше никаких деталей Samsung пока не сообщает. Также известно, что компания сотрудничает и с AMD. О каких платформах идёт речь, сказать сейчас сложно, ведь даже Intel Sapphire Rapids будет поддерживать лишь CXL 1.1.

Отметим, что похожий подход предлагают и CCIX, и Gen-Z. Причём для Gen-Z ещё в 2019 году SMART Modular представила первый DRAM-модуль с DDR4, и тоже в форм-факторе E3. Впрочем, с тех пор CXL и Gen-Z успели «подружиться», да и Synopsys в своих IP-решениях позволяется совмещать CCIX и CXL. Альтернативный подход к наращиванию ёмкости памяти предлагает IBM — DDIMM-модули с интерфейсом OMI (Open Memory Interface).

Компания Samsung Electronics анонсировала сегодня высокопроизводительные твердотельные накопители PM1653, рассчитанные на использование в оборудовании корпоративного класса — серверах и системах хранения данных класса high-end.

Представленные устройства используют интерфейс SAS-4, который обеспечивает пропускную способность до 24 Гбит/с. Это в два раза выше по сравнению с SAS-3 (12 Гбит/с).

Конструкция накопителей включает контроллер Rhino и 128-слойные чипы флеш-памяти V-NAND шестого поколения. Вместимость может варьироваться от 800 Гбайт до 30,72 Тбайт, что позволяет формировать хранилища очень большой ёмкости.

PM1653 — это самые быстрые твердотельные SAS-накопители Samsung. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 4300 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3800 Мбайт/с.

Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении данных составляет до 800 тыс. При произвольной записи величина в зависимости от модификации накопителя составляет 135/270 тыс.

Компания Samsung уже начала пробные поставки новых устройств отдельным заказчикам. Начало массового производства запланировано на вторую половину текущего года.

Компания Samsung Electronics объявила сегодня об организации массового производства своих самых продвинутых твердотельных накопителей для центров обработки данных. Речь идёт об устройствах PM9A3, изготовленных в форм-факторе E1.S.

Решения выполнены в соответствии со спецификацией Open Compute Project (OCP). Южнокорейский гигант подчёркивает, что изделия обеспечивают оптимальное соотношение производительности, надёжности и энергоэффективности.

В основу положены микрочипы флеш-памяти V-NAND шестого поколения. Заявленная скорость последовательной записи информации достигает 3000 Мбайт/с. Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении и произвольной записи составляет соответственно до 750 тыс. и 160 тыс.

Samsung отмечает, что накопители обеспечивают возможность записи данных со скоростью 283 Мбайт/с в расчёте на один ватт затрачиваемой энергии. Для сравнения: у решений предыдущего поколения этот параметр равен 188 Мбайт/с.

В дополнение к стандартным средствам безопасности, таким как шифрование и аутентификация, добавлены средства Secure Boot и Anti-Rollback: первый из этих инструментов предотвращает использование несанкционированной прошивки, а второй запрещает «откат» до более ранних версий встроенного ПО.