Компания SK hynix, по сообщению ресурса Blocks & Files, проектирует память нового типа AI DRAM (AI-D) для высокопроизводительных ИИ-платформ. Изделия нового типа будут предлагаться в трёх модификациях — AI-D O (Optimization), AI-D B (Breakthrough) и AI-D E (Expansion), что, как ожидается, позволит устранить узкие места современных систем.

SK hynix является одним из лидеров рынка памяти HBM (Hgh Bandwidth Memory) для ИИ-ускорителей. Однако достижения в данной сфере отстают от развития GPU, из-за чего возникает препятствие в виде «стены памяти»: наблюдается разрыв между объёмом и производительностью HBM и вычислительными возможностями ускорителей. Проще говоря, GPU простаивают в ожидании данных.

Одним из способов решения проблемы является создание кастомизированных чипов HBM, предназначенных для удовлетворения конкретных потребностей клиентов. Вторым вариантом SK hynix считает выпуск специализированной памяти AI-D, спроектированной для различных ИИ-нагрузок.

Источник изображений: SK hynix

В частности, вариант AI-D O предполагает разработку энергосберегающей высокопроизводительной DRAM, которая позволит снизить общую стоимость владения ИИ-платформ. Для таких изделий предусмотрено применение технологий MRDIMM, SOCAMM2 и LPDDR5R.

Продукты семейства AI-D B помогут решить проблему нехватки памяти. Такие изделия будут отличаться «сверхвысокой ёмкостью с возможностью гибкого распределения». Упомянуты технологии CMM (Compute eXpress Link Memory Module) и PIM (Processing-In-Memory). Это означает интеграцию вычислительных возможностей непосредственно в память, что позволит устранить узкие места в перемещении данных и повысить общее быстродействие ИИ-систем.

Ёмкость AI-D B составит до 2 Тбайт — в виде массива из 16 модулей SOCAMM2 на 128 Гбайт каждый. Причём память отдельных ускорителей сможет объединяться в общее адресное пространство объёмом до 16 Пбайт. Любой GPU сможет заимствовать свободную память из этого пула для расширения собственных возможностей по мере роста нагрузки.

Наконец, архитектура AI-D E подразумевает использование памяти, включая HBM, за пределами дата-центров. SK hynix планирует применять DRAM в таких областях, как робототехника, мобильные устройства и платформы промышленной автоматизации.

Компания Micron Technology анонсировала компактные модули оперативной памяти SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Modules), предназначенные для использования в серверах для задачи ИИ. Изделия, выполненные на энергоэффективных чипах LPDDR5X, имеют ёмкость 192 Гбайт.

Модули SOCAMM первого поколения были анонсированы в марте нынешнего года. Их размеры составляют 14 × 90 мм. При изготовлении применяется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм класса), а объём равен 128 Гбайт. Решения SOCAMM2 производятся по наиболее передовой технологии Micron — DRAM 1γ (шестое поколение памяти 10-нм класса). По сравнению с оригинальными модулями ёмкость SOCAMM2 увеличилась в полтора раза при сохранении прежних габаритных размеров. Энергетическая эффективность при этом повысилась более чем на 20 %. По сравнению с сопоставимыми по классу решениями DDR5 RDIMM энергоэффективность улучшена более чем на 66 %. Заявленная скорость передачи данных достигает 9,6 Гбит/с на контакт.

Источник изображения: Micron

Таким образом, по заявлениям Micron, технологии, положенные в основу SOCAMM2, превращают маломощную память LPDDR5X, изначально разработанную для смартфонов, в эффективные решения для дата-центров. При этом модульная конструкция SOCAMM2 и инновационная технология стекирования повышают удобство обслуживания и облегчают проектирование серверов с жидкостным охлаждением.

Пробные поставки образцов новой памяти уже начались. Micron принимает активное участие в разработке спецификации JEDEC SOCAMM2 и тесно сотрудничает с отраслевыми партнёрами с целью вывода решений на коммерческий рынок. Пока что модули SOCAMM используются в NVIDIA GB300.

Компания Ampere Computing анонсировала процессоры семейства AmpereOne M, разработанные специально для поддержания ресурсоёмких ИИ-нагрузок в дата-центрах. Утверждается, что чипы подходят для задач инференса, работы с большими языковыми моделями (LLM), генеративным ИИ и пр.

О подготовке новых изделий впервые сообщалось летом прошлого года. Конфигурация процессоров включает от 96 до 192 кастомизированных 64-бит ядер на базе Arm v8.6+. Имеется 16 Кбайт кеша инструкций и 64 Кбайт кеша данных L1 в расчёте на ядро, а также 2 Мбайт L2-кеша на ядро. Объём системного кеша составляет 64 Мбайт. Реализованы 12 каналов DDR5-5600 (поддерживается один модуль DIMM на канал) с возможностью адресации до 3 Тбайт памяти.

Источник изображений: Ampere

Конструкция чипов включает 96 линий PCIe 5.0 с поддержкой бифуркации до режима x4 и возможностью использования до 24 дискретных подключённых устройств. Упомянуты средства виртуализации, шифрование памяти, поддержка прерываний I2C, GPIO, QSPI и GPI, системный и сторожевой таймеры. Предусмотрены развитые функции обеспечения безопасности, включая повышение производительности криптографических алгоритмов RNG, SHA512, SHA3.

На сегодняшний день в серию AmpereOne M входят шесть моделей с тактовой частотой от 2,6 до 3,6 ГГц. Показатель TDP варьируется от 239 до 348 Вт. Благодаря интеллектуальной сети с высокой пропускной способностью и большому количеству однопоточных вычислительных ядер обеспечивается линейное масштабирование производительности в зависимости от текущей рабочей нагрузки. Возможна динамическая оптимизация мощности.

Процессоры используют 7228-контактный разъём FCLGA. При производстве применяется 5-нм технология TSMC. По заявлениям Ampere, новые CPU подходят для применения в составе систем для серверных стоек высокой плотности. Благодаря этому достигается снижение эксплуатационных расходов по сравнению с ИИ-инфраструктурой на базе GPU.

Компании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Компания Team Group 2025 анонсировала большое количество новинок для индустриального и коммерческого применения. Дебютировали SSD в различных форм-факторах, модули оперативной памяти, а также флеш-карты micro SD.

В частности, представлен накопитель P250Q One-Click Data Destruction SSD, особенность которого заключается в поддержке физического уничтожения флеш-памяти с целью недопустимости извлечения информации. Эта функция дополняет традиционное программное стирание, исключая возможность восстановления конфиденциальных данных.

Кроме того, анонсированы накопители RF40 E1.S Enterprise SSD в форм-факторе E1.S для дата-центров. Эти устройства допускают горячую замену, а за отвод тепла отвечает запатентованный медно-графеновый радиатор толщиной всего 0,17 мм. На промышленный сектор ориентированы изделия серий R840 и R250 типоразмера М.2, оснащённые интерфейсом PCIe 5.0 x4. В этих SSD применён контроллер, при производстве которого используется 6-нм технология TSMC. Информация о вместимости и скоростных характеристиках всех перечисленных изделий пока не раскрывается.

В список новинок вошли модули оперативной памяти промышленного класса DDR5 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют на частоте 6400 МГц при напряжении питания 1,1 В. Эти модули могут применяться в серверах, индустриальных ноутбуках повышенной прочности и пр.

Источник изображения: Team Group

Анонсированы также модули памяти CAMM2 и LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), рассчитанные на промышленные системы, edge-устройства и пр. Такие решения монтируются параллельно материнской плате, благодаря чему занимают меньше места в высоту. Для установки применяются резьбовые стойки. Память соответствует стандарту DDR5-6400.

В число прочих новинок вошли серверные модули памяти CXL 2.0 Server Memory Module. Плюс к этому представлены карты памяти D500R WORM Memory Card и D500N Hidden Memory Card. Первые ориентированы WORM-нагрузки (Write Once, Read Many), что предотвращает стирание или изменение данных. Карты второго типа получили встроенную функцию скрытия разделов.

Компания ADATA Industrial анонсировала модули оперативной памяти промышленного класса DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Изделия рассчитаны на эксплуатацию в суровых условиях. Они могут применяться в оборудовании для дата-центров, в ИИ-устройствах для периферийных вычислений, транспортных системах, IoT-приборах и пр.

Модули функционируют при напряжении 1,1 В. Вне зависимости от форм-фактора доступны варианты ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт. Говорится о поддержке ECC. ADATA предлагает модификации со стандартным и расширенным температурным диапазоном: в первом случае он простирается от 0 до +95 °C, во втором — от -40 до +95 °C.

Источник изображения: ADATA Industrial

Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), обеспечивающая защиту от перепадов напряжения. Специальное конформное покрытие помогает минимизировать негативное влияние факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий.

По желанию заказчика может быть добавлена защита от сульфирования. Отмечается, что в среде с высокой концентрацией серы при определённых условиях (высоких температурах, влажности и загрязнениях) могут образовываться различные виды соединений серы, которые воздействуют на серебряные сплавы в DRAM-чипах. Это может приводить к выводу модулей из строя. Для решения проблемы ADATA предлагает соответствующую защиту.

Компания Apacer Technology объявила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR5-6400 индустриального класса, спроектированных специально для задач ИИ и НРС. Изделия могут применяться в системах автоматизации, медицинском оборудовании, IoT-устройствах, интеллектуальных автомобильных платформах и пр.

Представлены решения DDR5-6400 стандартов CU-DIMM (Clocked Unbuffered DIMM) и CSO-DIMM (Clocked Small Outline DIMM). Они функционируют при напряжении 1,1 В. Ёмкость модулей составляет 8, 16, 32 и 64 Гбайт.

Источник изображения: Apacer

По заявлениям Apacer Technology, в конструкции изделий применяются компоненты высокого качества. Упомянуты полностью бессвинцовые резисторы. Кроме того, модули удовлетворяют новейшим стандартам JEDEC Raw Card Revision 1.0, обеспечивая стабильность передачи данных и высокую производительность.

Для изделий в качестве опции доступно специальное конформное покрытие, предназначенное для защиты от негативного влияния факторов окружающей среды: повышенных температур, влаги, загрязнений, химических веществ и механических воздействий. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C.

Кроме того, может быть добавлена защита от сульфирования. Сера широко используется во многих отраслях промышленности. Когда серебряные сплавы в DRAM-чипах подвергаются воздействию сернистых газов, происходит коррозионная реакция: сульфирование приводит к снижению проводимости и быстрому выходу изделий из строя. Для решения проблемы Apacer применяет запатентованную технологию.

Исследователи Лёвенского католического университета (Бельгия), Любекского университета (Германия) и Бирмингемского университета (Великобритания) обнаружили, что система защиты виртуальных машин от атак с использованием вредоносного гипервизора AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), не так безопасна, как утверждает разработчик, пишет The Register.

Технологии Secure Encrypted Virtualization (SEV) предоставляют доверенную среду исполнения (TEE), призванную обеспечить защиту виртуальных машин от незаконных попыток вмешательства со стороны тех, кто имеет доступ к оборудованию ЦОД. Механизм SEV-SNP реализован в процессорах AMD EPYC, начиная с 7003 (Milan). Аналогичные механизмы есть и у конкурентов: Intel Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX), а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Все эти технологии отвечают за шифрование памяти и изоляцию ресурсов.

Исследователи разработали способ обхода SEV-SNP, который они назвали BadRAM (CVE-2024-21944 и AMD-SB-3015). Для атаки требуется оборудование стоимостью около $10, включая Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарею на 9 В. Атака BadRAM требует наличие физического доступа к оборудованию. Она основана на манипуляциях с чипом SPD (Serial Presence Detect), который передаёт данные о модуле DDR4/DDR5 во время загрузки системы. Манипулируя SPD, злоумышленники создают адреса-фантомы для физической памяти, благодаря которым можно незаметно получить доступ к данным в виртуальной машине.

Источник изображения: badram.eu

«Мы удваиваем видимый в системе объём DIMM, чтобы обмануть контроллер памяти CPU и заставить его использовать дополнительные «фантомные» биты адресации, — объясняют авторы исследования. — Два разных физических адреса теперь ссылаются на одно и то же местоположение DRAM». С помощью таких фантомов злоумышленники могут обойти защиту памяти, раскрывая конфиденциальные данные или вызывя сбои. BadRAM позволяет подделать критически важные отчёты удалённой аттестации и вставлять необнаруживаемые бэкдоры в любую виртуальную машину, защищённую SEV-SNP.

Атака может быть реализована и без физического доступа к оборудованию, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным, что противоречит спецификациям JEDEC. Авторы исследования обнаружили по крайней мере два DDR4-модуля Corsair без должной защиты SPD. Память DDR3 тоже может быть взломана путём замены чипа SPD.

Источник изображения: badram.eu

«BadRAM полностью подрывает доверие к технологии защищённой зашифрованной виртуализации AMD (SEV-SNP), которая широко используется крупными поставщиками облачных услуг, включая Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure», — сообщил The Register Джо Ван Балк (Jo Van Bulck), профессор лаборатории DistriNet на кафедре компьютерных наук KU Leuven.

Исследователи отметили, что решения SGX и TDX Intel не имеют такой уязвимости, поскольку в них реализованы контрмеры против создания псевдонимов (alias) памяти. Arm CCA, судя по спецификации, тоже не имеет проблем, но для проверки этого у исследователей не было коммерческих чипов. Полный доклад об атаке исследователи планируют представить в мае 2025 года на конференции IEEE Symposium on Security and Privacy.

Источник изображения: AMD

Исследователи уведомили AMD о найденных проблемах в феврале 2024 года. «AMD рекомендует использовать модули памяти, которые блокируют SPD, а также следовать передовым практикам в области физической безопасности систем. AMD также выпустила обновления прошивок защиты от уязвимости», — сообщили в AMD ресурсу The Register в ответ на просьбу прокомментировать публикацию исследователей.

Согласно оценкам аналитической компании TrendForce, в III квартале 2024 года глобальный доход производителей памяти DRAM достиг $26,02 млрд (последовательный рост на 13,6 %) на фоне растущего спроса на память DDR5 и HBM для ЦОД, несмотря на снижение поставок памяти LPDDR4 и DDR4 из-за сокращения запасов китайскими брендами смартфонов и расширения мощностей китайскими поставщиками DRAM.

Как и в предыдущем квартале средняя цена продажи (ASP) продолжала расти, чему способствовало, в том числе, вытеснение памятью HBM производства обычной DRAM. При этом контрактные цены выросли на 8–13 %.

В IV квартале TrendForce ожидает квартальный рост общих поставок DRAM в битах, полагая при этом, что ограничения мощностей, вызванные производством HBM, окажут более слабое, чем ожидалось, влияние на цены. Кроме того, расширение мощностей китайскими поставщиками может побудить производителей ПК и бренды смартфонов активно расходовать имеющиеся запасы, чтобы пополнять их более дешёвой DRAM. Это может привести к снижению контрактных цен на обычную DRAM.

Источник изображения: SK hynix

Благодаря росту контрактных цен на DRAM для серверов и ПК в III квартале увеличились доходы трёх крупнейших производителей памяти. Samsung сохранила лидерство с доходом в $10,7 млрд, что на 9 % больше показателя предыдущего квартала. В связи со стратегическим снижением запасов LPDDR4 и DDR4 поставки компанией памяти в битах остались на уровне предыдущего квартала.

На втором месте по-прежнему находится SK hynix с доходом в $8,95 млрд (последовательный рост на 13,1 %). Несмотря на рост поставок HBM3e, более слабые продажи LPDDR4 и DDR4 привели к снижению показателя поставок в битах на 1–3% в квартальном исчислении. Доход Micron вырос на 28,3 % в квартальном исчислении до $5,78 млрд благодаря значительному росту поставок серверной памяти DRAM и HBM3e, что привело к увеличению поставок в битах на 13 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Источник изображения: TrendForce

Тайваньские поставщики DRAM, столкнувшиеся в III квартале с падением выручки, значительно отстали от тройки лидеров. У Nanya Technology было отмечено падение поставок в битах более чем на 20 % в квартальном исчислении из-за более слабого спроса на потребительскую DRAM и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Операционная прибыль ещё больше снизилась (с -23,4 % до -30,8 %) из-за инцидента с отключением электроэнергии.

Выручка Winbond снизилась в квартальном исчислении на 8,6 % до $154 млн на фоне падения спроса на потребительскую DRAM снизился, что также негативно отразилось на объёме поставок в битах. Наконец, PSMC сообщила о падении выручки от собственного производства потребительской DRAM на 27,6 %. Однако, с учётом полупроводникового производства, её общая выручка от поставок DRAM выросла на 18 % в квартальном исчислении, что обусловлено продолжающимся пополнением запасов клиентами в сфере производства полупроводников.

Компания Innodisk анонсировала модули памяти DDR5-6400 ёмкостью 64 Гбайт, предназначенные для задач с интенсивным использованием данных. Это могут быть приложения ИИ (в том числе генеративного), платформы смешанной реальности, большие языковые модели (LLM), автономные транспортные средства, телемедицинские системы и пр.

Изделия доступны в различных вариантах исполнения — CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM и RDIMM. Помимо версии на 64 Гбайт, серия включает варианты объёмом 8, 16, 32, 24 и 48 Гбайт.

Источник изображения: Innodisk

Модули функционируют при напряжении питания 1,1 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C. Реализована технология TVS (Transient Voltage Suppressor), которая обеспечивает защиту от перепадов напряжения. Контакты модулей имеют покрытие золотом толщиной 30 мкм, благодаря чему улучшается проводимость и обеспечивается защита от окисления: это увеличивает срок службы.

По заявлениям Innodisk, модули памяти DDR5-6400 полностью совместимы с новейшими процессорами AMD и Intel. Среди ключевых сфер применения изделий названы индустриальные и встраиваемые устройства, серверное оборудование, системы видеонаблюдения, платформы промышленной автоматизации и пр. В частности, память может поддерживать работу ресурсоёмких приложений ИИ на периферии. Применительно к телемедицине 3D-визуализация с высоким разрешением и анализ данных в режиме реального времени позволят удалённо проводить пациентам хирургические операции с высокой точностью, говорит компания.