Компания Goodram Industrial анонсировала новый модуль памяти стандарта DDR4-3200 SO-DIMM, обладающий повышенной надёжностью. Изделие с обозначением GR4S32G320D8I рассчитано на использование во встраиваемых устройствах, в составе облачных платформ, в системах виртуализации и пр.

Решение имеет ёмкость 32 Гбайт. Благодаря исполнению SO-DIMM модуль может применяться в компактных устройствах на основе материнских плат семейства ITX (nano-, pico- и micro-ITX).

Источник изображения: Goodram Industrial

Новинка рассчитана на эксплуатацию в расширенном температурном диапазоне — от -40 до +85 °C. Кроме того, будет доступна версия с температурным режимом от 0 до +85 °C. Производитель отмечает, что модули GR4S32G320D8I проходят тщательное тестирование, подтверждающее их надёжность.

IT-корпорация Hewlett Packard Enterprise (HPE) повышает стоимость модулей оперативной памяти для серверов на величину до 20 %. Сказывается нехватка чипов DRAM, из-за которой эта продукция дорожает.

Как сообщает издание The Register со ссылкой на информационное сообщение, разосланное HPE своим клиентам, с 21 августа 2017 года компания повышает цены на модули памяти для старых серверов начального уровня. К примеру, решения DDR4 с частотой 2133 МГц, которые используются в девятом поколении серверов на процессорах Haswell, подорожали на 10 %.

hpe.com

Память DDR3 (для серверов восьмого поколения) стала дороже на 15–19 %, а модули UDIMM (для серверов 9-го поколений серий 10 и 100) — на 10 –19 %.

В компании отметили, что решение о наращивании цен на серверную «оперативку» не повлияет на конкурентоспособность HPE, поскольку рост коснулся лишь решений для старого недорогого оборудования, а Dell больше не продаёт память DDR 133 МГц и DDR3.

hpe.com

Интересно, что HPE упомянула только Dell. По всей видимости, компанию не заботит конкуренция со стороны Cisco, Lenovo, Supermicro и др., отмечает источник.

По данным аналитиков DRAMeXchange, средняя продажная стоимость DRAM-памяти для компьютеров и серверов подскочила более чем на 10 % во втором квартале 2017 года относительно трёх предыдущих месяцев. Рост цен ожидается и в третьей четверти.

Линии по выпуску микросхем типа DRAM не резиновые, тогда как вариантов исполнения чипов оперативной памяти как минимум три — это чипы относительно малой плотности для персональных компьютеров, кристаллы для оперативной памяти смартфонов и планшетов, а также высокоплотные кристаллы памяти для серверов. Делая акцент на какой-то один из этих вариантов, другие неизбежно попадут в разряд дефицитной продукции. Это тем более досадно, что уже примерно год чипы DRAM стали дефицитной продукцией во всех её проявлениях, а перекос в производстве в погоне за прибылью только усугубляет ситуацию с неудовлетворённым спросом.

Микросхемы памяти компании Samsung

Производителям памяти дефицит играет на руку. Обычно цены на DRAM меняются циклично — от сверхприбылей до баланса на грани убыточности. В данном случае скорого снижения цен на память пока не предвидится. На рынке осталось всего три крупных игрока — компании Samsung, SK Hynix и Micron. Из игры вышли немецкая Qimonda и японская Elpida. Это несколько ослабило конкуренцию. К тому же сегодня есть три чёткие рыночные ниши, где каждому из трёх лидеров есть, где развернуться, чего не было раньше. Дополнительным буфером для производителей DRAM стало производство флеш-памяти, которое также увеличило свою роль за последние годы. Конкуренция как бы есть, но каждый занят своим делом и не спешит ликвидировать дефицит на отдельно взятых направлениях.

Динамика изменения выручки тройки лидеров рынка памяти с первого по второй квартал 2017 года (TrendForce)

Более того, как отмечают аналитики TrendForce, тройка лидеров рынка DRAM ещё сильнее сокращает выпуск памяти для ПК и расширяет долю в производстве памяти для серверов. Последние стали требовать высокоплотных 32-Гбайт модулей памяти RDIMM и 64-Гбайт модулей LRDIMM. На этом и концентрируются производители. На данном рынке тройка лидеров только с первого по второй квартал 2017 года увеличила выручку на 30,1 %! Выход во второй половине этого года новой серверной платформы Intel Xeon поколения Skylake только подстегнёт спрос на ёмкие серверные планки памяти. До конца года спрос на серверную память будет превышать предложение и продолжит разогревать цены.

Микросхемы памяти компании SK Hynix

Компания Samsung лучше других подготовилась к выпуску высокоплотной серверной памяти. Она выпускает наиболее передовые 18-нм чипы DRAM. Во втором квартале выручка Samsung на рынке памяти для серверов последовательно выросла на 36,5 % — до $1,99 млрд. На этом рынке компания увеличила свою долю с 42,7 % до 44,8 %. Компания SK Hynix немного сократила долю на рынке серверной памяти с 31,6 % до 31,1 % и смогла заработать за квартал $1,377 млрд. За квартал выручка SK Hynix на этом направлении выросла на 28,2 %. Доля серверной памяти в продукции компании увеличилась до 32 % и будет увеличиваться дальше. Также в SK Hynix ускоряют переход на выпуск 21-нм микросхем.

Модули памяти компании Micron

Компания Micron последовательно увеличила квартальную выручку от выпуска серверных чипов и модулей DRAM на 22 %. Это принесло компании за три последних месяца $1,07 млрд. Доля серверной памяти в продукции Micron превысила 30 % и будет дальше повышаться (как минимум — до конца текущего года). На своих линиях Micron практикует производство памяти с нормами 20 нм. Американский производитель развивается заметно медленнее своих южнокорейских конкурентов, но следует сделать скидку на достаточно дорогое производство в США и в Японии и учесть, что Micron продолжает переваривать активы Elpida и всё ещё оптимизирует работу с новыми партнёрами на Тайване. Впрочем, это не мешает компании участвовать в процессе съёма сливок с рынка серверной памяти. И до конца года мы вряд ли увидим какие-то положительные для покупателей перемены.

Серверная оперативная память дорожает из-за дефицита. Об этом пишет IT-портал DigiTimes со ссылкой на данные аналитиков DRAMeXchange.

По их словам, во второй половине 2016 года спрос на DRAM-память для серверов был выше предложения из-за того, что производители чипов изменили свои ассортименты. В связи с возникшим дефицитом производители серверов увеличили закупки памяти, что привело к дальнейшему повышению цен на неё.

ww.tweaktown.com

По прогнозам DRAMeXchange, во втором квартале 2017 года продажные цены на серверную DRAM-память увеличатся в среднем на 10 %, а в третьей четверти рост сохранится в силу дефицита продукции.

Уже в первом квартале 2017 года производители серверной «оперативки» не смогли удовлетворить спрос на память. К примеру, они выполнили лишь 80 % заказов от постоянных партнёров и 60 % от китайских и тайваньских ODM-производителей оборудования, отмечают аналитики DRAMeXchange.

Ранее в исследовательской компании сообщили о двузначном росте глобальной DRAM-отрасли в четвёртом квартале 2016 года. Выручка от продаж всех видов памяти DRAM поднялась на 18 % и достигла $12,45 млрд. Объём сегмента мобильной памяти вырос на 20 % до $5,5 млрд.

Южнокорейские производители Samsung Electronics и SK hynix контролируют более 80 % мирового рынка серверной оперативной памяти, свидетельствуют данные аналитиков IHS.

По их подсчётам, в первом квартале 2015 года на долю Samsung пришлось 46,9 % глобальных продаж чипов DRAM-памяти для серверов против 42,4 % годом ранее. У идущей следом SK hynix показатель присутствия немного снизился — с 35,2 % в январе–марте 2014 года до 33,5 % год спустя. Таким образом, эти две компании имеют в активе 80,4 % рассматриваемого рынка.

businesskorea.co.kr

Тройку лидеров замыкает американская Micron Technology, которая завершила первые три календарных месяца с 17,5-процентной долей в мировых продажах серверной DRAM-памяти, что на 4,2 процентного пункта меньше в сравнении с аналогичным периодом прошлого года.

Остальные вендоры занимают чуть более 2 % рынка, объём которого в 2015 году ожидается на уровне $8 млрд, а в 2016 и 2019 годах — в размере 8,4 и 13,4 млрд долларов соответственно. Продажи всех видов чипов оперативной памяти, согласно прогнозам IHS, в нынешнем году достигнут $48,6 млрд против $46,2 млрд в 2014-м.

tweaktown.com

В Samsung ожидают, что во второй половине 2015 года серверная «оперативка» станет крупнейшим сегментом рынка DRAM-памяти. Эта компания и её соотечественница SK hynix всё сильнее устремляются в этот сектор для удовлетворения растущего спроса на ОЗУ для высокопроизводительных систем, отмечают специалисты.

Компания Rambus заявила, что она официально представит новый тип динамической памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM), специально разработанный для использования в серверах и суперкомпьютерах, в ближайшие недели. Ожидается, что новый тип DRAM позволит увеличить объём и пропускную способность оперативной памяти в мощных серверах, при этом увеличив пропускную способность и сократив задержки доступа к такой памяти.

«Мы готовимся к анонсу нового продукта перед Intel Developer Forum в следующем месяце», — сказал Рон Блэк (Ron Black), исполнительный директор Rambus, в ходе телефонной конференции с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Этот продукт относится к двум стратегическим программам по развитию компьютерной памяти, которые мы обсуждали ранее».

Память Rambus XDR DRAM

Современные серверы обладают невероятной вычислительной мощностью и обрабатывают огромные объёмы данных. Во многом способность серверов быстро обработать какой-либо массив данных ограничивается не вычислительными возможностями, а объёмом оперативной памяти, которыми располагает машина и которые поддерживаются современными микропроцессорами. Так, даже самые мощные Intel Xeon E7-8890 v3 с 18 ядрами поддерживают до 1,5 Тбайт памяти при использовании масштабируемых буферов памяти (scalable memory buffers, SMB). Хотя SMB (а также centaur memory buffer, которые применяются в серверах на базе IBM Power 8) отчасти решают проблему поддержку больших объёмов памяти, они несколько ограничивают производительность, поскольку уменьшают пропускную способность и увеличивают задержки доступа к ячейкам DRAM.

Согласно Rambus, новый тип памяти, разработанный компанией специально для центров обработки данных, а также ряд сопутствующих технологий, решат проблему с объёмом DRAM в серверах, а также снизят задержки. Сейчас компания не сообщает большого количества подробностей о новой технологии DRAM, но даёт понять, что новый тип памяти это именно динамическая память произвольным доступом, а не ускоренная NAND флеш-память.

«Последние несколько лет мы работали над продуктом, который поможет увеличить производительность памяти в серверах», — заявил господин Блэк. «Наша технология, хоть и не относится к классу памяти для накопителей, как спекулируют некоторые, но увеличит как пропускную способность, так и объём памяти для удовлетворения растущих потребностей центров обработки данных».

Примечательно, что Rambus готовится анонсировать новые технологии перед форумом разработчиков Intel, а не на IDF. Последнее может означать, что новый типа DRAM, разрабатываемый Rambus, не является частью перспективного плана Intel.

Модуль памяти RDRAM, производства Toshiba

Хотя все типы оперативной памяти, разработанные когда-либо Rambus – RDRAM, XDR, XDR2, мобильная XDR и т.п. – обладали целым рядом преимуществ против стандартных, никому из них не удалось стать по-настоящему популярными. RDRAM и XDR стали памятью для PlayStation 2 и PlayStation 3, но этим успех Rambus на рынке массовых устройств ограничился. Как следствие, если Rambus хочет, чтобы её новая DRAM для серверов стала по-настоящему популярной, она должна быть по-настоящему прорывной. С последним могут возникнуть трудности: платформа Intel Xeon 2017 года (Purley, Skylake-EP/EX) будет поддерживать до 6 Тбайт стандартной памяти на процессорный разъём, а сами CPU обладать шестью каналами памяти типа DDR4. Как следствие, вряд ли Intel будет нуждаться в Rambus.

Несмотря на то, что платформа Intel Xeon следующего поколения может и не поддержать новую архитектуру оперативной памяти, разработанную Rambus, ранее в этом году компания заявляла, что два крупных производителя DRAM уже подписали меморандум о взаимопонимании с Rambus касательно новой технологии. Таким образом, для Rambus всё еще может сложиться очень неплохо.

Samsung приступила к массовому производству модулей памяти DDR4 для серверов нового поколения. Они основаны на чипах самой Samsung, отпечатанных с соблюдением норм 20-нм класса (то есть между 20-нм и 32-нм нормами). Каждый используемый чип DDR4 является 4-гигабитным, так что для создания 32-Гбайт модулей требуется 128 кристаллов. Похоже, компания также собирается в перспективе выпустить 16-Гбайт модули DDR4 на основе тех же чипов.

Отдельные кристаллы DDR4 могут обеспечивать скорость передачи на уровне до 2667 Мбит/с. По словам Samsung, это на 25% больше по сравнению с соответствующими предложениями DDR3. При более высокой производительности чипы DDR4 потребляют на 30% меньше энергии. Компании, содержащие центры обработки данных, могут ценить экономию энергии даже больше, чем прибавку скорости.

Несмотря на тот факт, что Samsung начала массовое производство, пока не ясно, в каких системах могут быть использованы такие модули памяти. Это проблема яйца и курицы — модули памяти должны быть доступны до того, как компании смогут воспользоваться ими в своих серверах. Аналитическая компания iSuppli, впрочем, ожидает, что DDR4 может занять до 12% рынка DRAM уже в следующем году, а в 2015 это значение может составить уже подавляющие 56%.

Компания Micron из г. Бойсе (Айдахо, США) закрыла сделку по покупке обанкротившейся японской компании Elpida, став, вследствие этого, производителем DRAM номер два в мире после Samsung. Примерно за $2,5 миллиарда Micron получила технологию 300-мм подложек DRAM Elpida и 24% в фирме Tawiwanese Rexchip Electronics Corp, доля Elpida в которой была 65%, увеличив свой пакет примерно до 90%.

В собственность Micron перешли заводы Elpida в г. Акита (Япония) и на Тайване, производящие свыше 185 тысяч 300-мм подложек в месяц, что на 45% увеличивает производственные мощности DRAM компании. Micron теперь также второй по величине работодатель Тайваня. Юкио Сакамото (Yukio Sakamoto), генеральный директор и президент Elpida, ушёл в отставку, президентом и директором Elpida, а также президентом Micron Japan назначен Ёшитака Киношита (Yoshitaka Kinoshita).

Материалы по теме:

• J'son & Partners Consulting отмечает рост российского рынка ЦОД;
• Настоящее и будущее российского серверного рынка: мнение экспертов;
• Российский IT-рынок: факты и тенденции развития в корпоративном сегменте.

Источник:

• crn.com

Канадская компания Diablo Technologies, основанная 10 лет назад бывшими сотрудниками Nortel ASIC Рикардо Бадалоне (Riccardo Badalone), Майклом Парзиале (Michael Parziale) и Франко Форлини (Franco Forlini), ранее работавшем в BroadTel Communications, получила $28 миллионов для развития своей технологии Memory Channel Storage (MCS). Данная технология позволяет использовать совместно флеш и DRAM, обеспечивая выполняющимся программам быстрый доступ к данным и, по утверждению Diablo, имеет крайне низкую задержку и очень высокую пропускную способность, что устраняет необходимость покупки избыточной флеш-емкости.

MCS была разработана для будущих энергонезависимых технологий памяти. Она имеет сходство с технологией, применяемой компанией Fusion-IO во флеш-картах ioMemory PCIe и сквозной архитектурой памяти. Предыдущий раунд финансирования в июне 2008 года дал компании $15 миллионов. Целевой уровень OEM-производителей для этой технологии MCS легко определить: Cisco, Dell, EMC, HDS, HP, IBM и NetApp. Интересно, кто из них будет спонсировать Diablo дальше.

Материалы по теме:

• J'son & Partners Consulting отмечает рост российского рынка ЦОД;
• Настоящее и будущее российского серверного рынка: мнение экспертов;
• Российский IT-рынок: факты и тенденции развития в корпоративном сегменте.

Источник:

• theregister.co.uk

По прогнозам аналитической компании IHS iSuppli, в 2011 году продажи модулей памяти DRAM вырастут по сравнению с 2010 годом на 10,8% — с 733,2 до 812,8 миллионов единиц. Рост продаж будет меньше, чем в 2010 году по сравнению с 2009 годом — 14,6%, тем не менее, и этот показатель превышает показатели предшествующих четырех лет. По словам аналитика IHS Клиффорда Лэймбаха (Clifford Leimbach), восстановление глобальной экономики позволило пользователям с большей легкостью менять компьютеры, или обновлять их компоненты, что и стало одной из причин роста этого рынка.

В текущем году 63% модулей DRAM (примерно 510 миллионов единиц) будет изготовлено производителями комплектного оборудования (OEM), такими, например, как компания Samsung Electronics, которые не только устанавливают модули DRAM собственного производства в свою продукцию, но и продают их другим производителям. Оставшаяся часть модулей поступит на рынок через сторонних поставщиков, причем 19% модулей (примерно 155 миллионов единиц) будут проданы таким производителям, как, например, Dell, а 18% (примерно 147 миллионов единиц) поступят в розничную продажу и будут использованы конечными пользователями для апгрейда их компьютерных устройств. В 2010 году рынок модулей DRAM от сторонних поставщиков оценивался в 10,6 миллиарда долларов, а крупнейшим таким поставщиком стала компания Kingston Technology, выручка которой в 2010 году составила 4,9 миллиарда долларов — почти половина этого сектора рынка. Эпоха чипов DDR2, которые доминировали на рынке с 2006 по 2009 годы, осталась в прошлом, и рынком почти полностью завладели чипы DDR3, которыми, по прогнозам IHS, модули DRAM будут преимущественно комплектоваться еще примерно пять лет. Широкого проникновения на рынок модулей DRAM с чипами DDR4 следует ожидать ориентировочно в середине 2015 года.

Источник:

• digitimes.com