Dell Technologies анонсировала высокопроизводительные СХД нового поколения PowerStore Elite, относящиеся к классу All-Flash. Устройства выполнены на аппаратной платформе Intel, а в составе программной части используется PowerStoreOS 5.0.

Дебютировали модели PowerStore 1500, 5500 и 9500. Все они выполнены в форм-факторе 3U с двумя контроллерами. Модель PowerStore 1500 комплектуется одним 24-ядерным Xeon (1,9 ГГц) и 512 Гбайт DDR5 (в расчёте на контроллер). Поддерживается до 24 NVMe-накопителей EDSFF E3.S (в перспективе — E3.L). В случае PowerStore 5500 задействованы два чипа Xeon с 24 ядрами (1,8 ГГц) и 1 Гбайт RAM на контроллер, а количество поддерживаемых E3.S достигает 40. Модификация PowerStore 9500 наделена двумя процессорами Xeon с 32 ядрами (2,2 ГГц) и 2 Гбайт RAM на контроллер; поддерживаются 40 накопителей.

Все новинки допускают использование SSD типа TLC вместимостью до 15,36 Тбайт и QLC ёмкостью до 30,72 Тбайт. Могут подключаться полки расширения, поддерживающие до 44 EDSFF-накопителей. Максимальная общая вместимость достигает 5,8 Пбайт. Младшая версия использует межузловой интерконнект 100GbE RDMA, две другие — 200GbE RDMA. Могут быть использованы до пяти разъёмов OCP 3.0 (PCIe 4.0/5.0 x16).

Источник изображения: Dell

Независимо от модели, система охлаждения включает шесть вентиляторов на каждый контроллер (в сумме 12 вентиляторов на шасси). В зависимости от модификации будут доступны варианты с сетевыми портами в следующих конфигурациях: 4 × FC32/64, 4 × 1/10GbE, 4 × 10/25GbE, 2 × 100GbE. В дальнейшем появится поддержка 200/400GbE и 128Gb FC. Реализованы средства дедупликации и сжатия 6:1. Компания Dell заявляет, что новые системы можно объединять в кластеры с существующими массивами PowerStore. Продажи представленных устройств начнутся в июле.

Компания Kaytus, базирующаяся в Сингапуре, анонсировала системы хранения KR1180 (1U10), KR2280 (2U24) и KR4266 (4U60) типа All-Flash, рассчитанные на применение в инфраструктурах ИИ. Утверждается, что при построении платформ экзабайтного масштаба суммарная пропускная способность достигает 10 Тбайт/с, а показатель IOPS при чтении — 100 млн.

Для новинок предусмотрено применение SSD с интерфейсом PCIe 5.0 на основе чипов флеш-памяти QLC NAND. Kaytus подчёркивает, что такие накопители по сравнению с традиционными продуктами на основе TLC NAND позволяют снизить общую стоимость владения на 70 % в течение пяти лет. Могут устанавливаться SSD вместимостью до 122,88 Тбайт.

Модель KR1180 выполнена в форм-факторе 1U: она оснащена десятью отсеками для SFF-накопителей SAS/SATA/NVMe. Общая ёмкость может составлять до 1 Пбайт; пропускная способность — 140 Гбайт/с. В зависимости от модификации устанавливается один процессор Intel Xeon 6 (Sierra Forest-SP/Granite Rapids-SP) или AMD EPYC 9005 Turin. Доступны соответственно 16 и 24 слота для модулей DDR5. Есть два внутренних коннектора для SSD типоразмера M.2, три слота PCIe 5.0 x8 для карт расширения HHHL, а также разъём PCIe 5.0 x8/x16 OCP 3.0 NIC. Питание обеспечивают два блока мощностью до 2000 Вт с сертификатом 80 Plus Platinum/Titanium. Применено воздушное охлаждение.

Версия KR2280 стандарта 2U рассчитана на 24 накопителя SFF SAS/SATA/NVMe. Могут быть задействованы один или два процессора Intel Xeon 6 или AMD EPYC 9005. Упомянуты соответственно 32 и 24 слота DDR5. В зависимости от конфигурации доступны до семи слотов PCIe 5.0. Используются два блока питания мощностью до 3200 Вт с сертификатом 80 Plus Platinum/Titanium. Предлагаются опции воздушного и жидкостного охлаждения.

Источник изображения: Kaytus

Вариант KR4266 формата 4U позволяет установить в общей сложности 60 накопителей QLC SSD, а суммарная вместимость достигает 7 Пбайт. Пропускная способность — до 260 Гбайт/с, величина IOPS — до 20 млн. Поддерживаются один или два процессора Intel Xeon 6 и до 32 модулей DDR5-6400. Могут быть задействованы до 12 слотов PCIe 5.0, включая два разъёма для карт OCP 3.0 NIC. Применены блоки питания мощностью до 2700 Вт с сертификатом 80 Plus Platinum/Titanium.

Micron объявила о начале поставок SSD Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, который позиционируется компанией как самый ёмкий из доступных на рынке SSD в мире. Он предназначен для поддержки рабочих ИИ-нагрузок, облачных вычислений, корпоративных задач, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ и облачные файловые и объектные хранилища.

Новый SSD основан на фирменной 276-слойной памяти G9 QLC NAND. Он доступен в форматах U.2 и E3.L с ёмкостью 30,72/61,44/22,88/245,76 Тбайт, причём самый ёмкий вариант выпускается именно в формате E3.L. 245-Тбайт модель обеспечивает скорость последовательного чтения и записи до 13,7 Гбайт/с и 3,0 Гбайт/с соответственно, а также до 1,78 млн 48 тыс. IOPS при случайном чтении и записи соответственно. Накопитель использует однопортовый интерфейс PCIe 5.0 x4 и соответствует стандартам OCP 2.6, NVMe 2.0d, NVMe-MI 1.2d. Максимальное энергопотребление не превышает 30 Вт.

Новинка в большей степени рассчитана на сценарии чтения, поскольку при последовательной записи заявленный уровень надёжности составляет 1 DPWD, а при случайной 4K-блоками — 0,075 DWPD. Впрочем, её сильная сторона — это как раз высокая ёмкость. Так, для достижения эквивалентной ёмкости хранения с использованием E3.L-версии на 245 Тбайт потребуется на 82 % меньше стоек, чем при использовании HDD. В 1U-шасси в этом случае можно получить более 3,9 Пбайт, а в 36U-стойке — 176,9 Пбайт.

Источник изображений: Micron Technology

Как отметил ресурс Servethehome, преимущество нового SSD заключается не только в высокой ёмкости, но и в форм-факторе EDSFF, который делает практичными гораздо более плотные полки для хранения данных. В рекламных материалах Micron сообщается, что при развёртывании 1 Эбайт ёмкости с использованием 245,76-Тбайт E3.L-накопителей потребуется в 5,6 раза меньше места, чем для 44-Тбайт HDD. В итоге для одного и того же набора данных потребуется меньше шасси, меньше стоек и меньше вспомогательной инфраструктуры.

По словам Micron, в сравнении с жёсткими дисками для ИИ-нагрузок Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт обеспечил до 84 раз лучшую энергоэффективность, в 8,6 раза более быструю предварительную обработку ИИ и в 3,4 раза большую пропускную способность при приёме данных, а также до 29 раз меньшую задержку. Для объектного хранения те же накопители продемонстрировали до 435 раз большую пропускную способность на Ватт, в 96 раз более быстрое время до первого байта и в 58 раз большую суммарную пропускную способность. А для развёртывания 1 Эбайт в случае HDD потребуется в 1,9 раза больше энергии по сравнению с накопителями 245-Тбайт SSD Micron.

Хотя Micron утверждает, что Micron 6600 ION является самым ёмким коммерчески доступным SSD в мире, конкурентам есть что предложить. Так, Kioxia анонсировала SSD LC9 ёмкостью 245,76 Тбайт с интерфейсом PCIe 5.0, а Sandisk в августе прошлого года анонсировала UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, поставки которого начнутся в I половине этого года. Как отметил ресурс Blocks & Files, ожидается, что Samsung и SK hynix/Solidigm представят сопоставимые по ёмкости накопители позже в этом году.

Компания Kingston расширила ассортимент SSD серии DC3000ME, представив модель вместимостью 30,72 Тбайт. Новинка, рассчитанная на дата-центры, выполнена в форм-факторе SFF U.2 толщиной 15 мм и оснащена интерфейсом PCIe 5.0 x4 (NVMe). Накопители DC3000ME были анонсированы около года назад. Изначально в семейство вошли модели ёмкостью 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт, построенные на чипах флеш-памяти 3D eTLC NAND.

Новое устройство, рассчитанное на хранение 30,72 Тбайт информации, обеспечивает скорость последовательного чтения до 14 000 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 9700 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении блоками по 4 Кбайт достигает 2,6 млн, при произвольной записи — 350 тыс. Заявленная задержка при чтение составляет менее 175 мкс, при записи — менее 12 мкс. Гарантированный объём записанной информации (величина TBW) — 56 064 Тбайт. SSD рассчитан на одну полную перезапись в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет. Средняя наработка на отказ (MTBF) — 2 млн часов.

Источник изображения: Kingston

В накопителе реализована поддержка TCG Opal 2.0 и шифрования AES-256. Упомянуты статическое и динамическое выравнивание износа, а также встроенная защита от потери питания. Энергопотребление в режиме простоя составляет 9 Вт, в режиме чтения — 9,5 Вт. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Устройство имеет габариты 100,5 × 69,8 × 14,8 мм и весит 160,5 г. Производитель предоставляет на новинку 5-летнюю гарантию и бесплатную техническую поддержку. SSD подходит для широкого спектра серверных задач, среди которых названы приложения ИИ и HPC, оперативная обработка транзакций (OLTP), базы данных, облачная инфраструктура и периферийные вычисления.

По словам главы Sandisk Дэвида Геклера (David Goeckeler), компания стремится к заключению долгосрочных соглашений о поставке NAND-памяти клиентам, представляющим индустрию дата-центров. Рынок памяти находится на этапе структурных изменений, вызванных спросом со стороны ИИ-проектов.

Многолетние контракты обеспечат баланс предсказуемого спроса и привлекательных экономических условий — это позволит отойти от традиционно применявшейся в отрасли поквартальной модели ценообразования. Sandisk подчёркивает, что в новой реальности соглашения превратились из инструментов переговоров о ценах в критически важные механизмы обеспечения поставок, поскольку индустрия ЦОД нуждается в крупных и долгосрочных поставках NAND-памяти.

Sandisk рассчитывает, что на ЦОД будет приходиться крупнейшая доля рынка NAND-памяти в календарном 2026 году, рост составит 20–60 % в течение двух циклов прогнозирования. В минувшем квартале производитель сообщал о последовательном увеличении продаж в сегменте дата-центров на 64 %, после роста в 20 % в предыдущем отчётном периоде.

Источник изображения: Sandisk

Изменения свидетельствуют о фундаментальной трансформации рынка, поскольку гиперскейлерам требуется прогнозируемое предложение для удовлетворения растущих потребностей в оборудовании. Клиенты Sandisk уже передают компании прогнозы спроса до 2028 года включительно, теперь речь идёт об обсуждении соглашений сроком на 1–5 лет.

Sandisk стремится добиться привлекательных и стабильных финансовых результатов своей деятельности. Кроме того, компания рассчитывает сформировать портфолио механизмов фиксированного и гибкого ценообразования, чтобы обеспечить оптимальные результаты в разных рыночных условиях. Подчёркивается, что клиенты, готовые к долгосрочным обязательствам, получат приоритетные поставки в условиях дефицита предложения. Те, кто предпочитает договариваться ежеквартально, могут оказаться в менее выгодной ситуации, столкнувшись с нехваткой компонентов.

Sandisk намерена и дальше ежегодго наращивать производство памяти на уровне 15–19 %, к концу 2026 года основными станут чипы BiCS8. Слухи о возможном переходе к BiCS10 для удовлетворения спроса опровергаются — для закрытия текущих потребностей рынка достаточно имеющихся производственных мощностей.

Источник изображения: Sandisk

На SanDisk приходится приблизительно 25 % рынка периферийных вычислений. Сейчас она расширяет портфолио SSD для корпоративных клиентов. Проводятся квалификационные испытания продуктов гиперскейлерами, в т.ч. QLC SSD ёмкостью 128 Тбайт под кодовым названием Stargate, в финансовых отчётах поставки которых ещё не отмечены. Также совместно с южнокорейской SK Hynix разрабатывается память HBF. Ожидается, что прототипы соответствующих кристаллов появятся уже к концу 2026 года, а готовые для тестирования клиентами варианты — годом позже.

Работу совместного предприятия Sandisk и Kioxia продлили ещё на пять лет, т.е. Sandisk обеспечила себе производственные мощности до 2034 года. Благодаря этому компания сможет инвестировать в исследования и разработки на уровне, сопоставимом с лидерами рынка, сохраняя лидерство по минимизации издержек.

В связи с продолжающимся усовершенствованием ИИ-серверов и коммутаторов объём NOR-памяти на одну единицу такой продукции, как ожидают аналитики DigiTimes, вырастет в несколько раз на фоне прогнозируемого дефицита высокопроизводительных компонентов.

Согласно прогнозу DigiTimes, во II квартале 2026 года цены на NOR Flash вырастут последовательно на 40–50 %, причем по некоторым позициям клиенты будут готовы платить надбавки, чтобы гарантировать поставки в рамках контрактов. Что касается памяти SLC NAND и MLC NAND, то здесь ожидается ещё более значительный рост цен — на 400–500 % во II квартале в годовом исчислении, что побудит тайваньского производителя Winbond Electronics ускорить расширение мощностей по производству SLC NAND. Winbond выпускает NOR-память для ИИ-серверов и сетевых приложений с использованием 58-нм техпроцесса, в то время как память для носимых устройств, таких как Bluetooth-гарнитуры, производится по 45-нм техпроцессу.

DigiTimes отметил, что более сложный дизайн NVIDIA GB300 по сравнению с GB200 с большим объёмом памяти и более высокими требованиями к её спецификациям обусловил рост спроса на модули NOR ёмкостью 512 Мбайт и 1 Гбайт. Но запасы модули NOR-памяти большой ёмкости остаются относительно ограниченными. По данным источников, цены на NOR-флеш выросли в I квартале 2026 года примерно на 30 %, а на некоторые позиции — на 50 %. Хотя масштабы повышения цен менее значительны, чем в категории DDR4, предложение NOR остаётся ограниченным, и ожидается, что контрактные цены неё во II квартале вырастут ещё на 40–50 %, а сроки поставки специальных вариантов увеличатся до 12–14 недель.

Источник изображения: Winbond

Тайваньский производитель Macronix тоже утверждает, что продолжающийся рост выпуска серверов для ИИ-нагрузок создаёт структурную напряжённость на рынке NOR, которую будет сложно преодолеть в краткосрочной перспективе. Уход крупных производителей NAND-памяти с рынков SLC NAND и MLC NAND ещё больше подстегнул дефицит и позволил Winbond и Macronix выступать на рынке в качестве основных поставщиков. Цены Macronix на MLC eMMC недавно выросли вдвое по сравнению с декабрём 2025 года. Несмотря на авансовые платежи, внесённые ранее в этом году, клиентам не обеспечили поставки до китайского Нового года, что сделало эту продукцию крайне дефицитной на нишевых рынках, пишет DigiTimes.

Доля в выручке Macronix от памяти NAND (включая eMMC) выросла до 21 %, более чем вдвое превысив уровень прошлого года. Контрактные цены Winbond на память SLC NAND во II квартале 2026 года, как ожидается, резко вырастут по сравнению с аналогичным периодом 2025 года — до 400–500 %. Цены Winbond на SLC NAND в I квартале выросли больше всего в её портфолио, превысив рост цен на DDR4.

Компания планирует расширение своих мощностей по производству памяти. В частности, будут запущены производственные линии по выпуску DRAM на заводе в Гаосюне (Gāoxióng). Сообщается, что мощность завода компании в Тайчжуне (Táizhōng) составляет примерно 58 тыс. пластин в месяц, включая приблизительно 25 тыс. пластин для NOR, 15 тыс. пластин для NAND и 10 тыс. пластин для DRAM. Ожидается значительное увеличение общего объёма производства до примерно 50 тыс. пластин памяти NOR и SLC NAND с более высокой рентабельностью.

Источник изображения: Macronix

Согласно данным Winbond, на SLC NAND, производимую по 46-нм и 32-нм техпроцессам, приходится около 15–25 % выручки. Её доля в выручке компании будет расти по мере роста цен, что приведет к сокращению мощностей, выделенных на производство DRAM по устаревшим техпроцессам. Цены на флеш-память, изготовленную по традиционным технологиям, стремительно растут, а спрос на NOR-память большой ёмкости увеличился в несколько раз.

По данным источников DigiTimes, Winbond, увеличившая объёмы поставок, недавно завершила согласование цен по контрактам на I квартал 2026 года. Ожидается, что рост цен на DRAM, начавшийся в IV квартале 2025 года, продолжится и во II квартале 2026 года, что ознаменует собой третий подряд квартал роста и фактически удвоение контрактных цен в годовом исчислении. Также сообщается, что новые производственные мощности Winbond, запланированные к вводу в эксплуатацию в 2027 году, уже полностью забронированы.

Глава Winbond сообщил о резко увеличившемся количестве запросов от клиентов, что создало дефицит предложения и затрудняет удовлетворение всех их потребностей. Помимо прямых клиентов первого уровня, владельцы брендов второго уровня и операторы третьего уровня всё чаще обходят посредников и ведут переговоры напрямую с Winbond, что отражает высокий рыночный спрос, отметил DigiTimes.

Поставщик СХД для HPC и ИИ ЦОД — компания VDURA заявила, что ценовая пропасть между SSD и HDD корпоративного уровня расширяется, поскольку цены на твердотельные накопители растут значительно быстрее, чем на жёсткие диски, сообщает Blocks & Files. Новая информация, в частности, должна положить конец рассуждениям о том, что SDD окончательно вытеснят HDD, о чём так мечтает Pure Storage, по крайней мере, до тех пор, пока цены на NAND-память значительно не упадут.

VDURA полагает, что критические изменения рынка особенно отразятся на ИИ, HPC и других средах с интенсивным использованием данных, где требования к производительности памяти не изменятся даже по мере роста цен. Компания ежеквартально публикует т.н. Flash Volatility Index (FVI) и Storage Economics Optimizer Tool для мониторинга изменений цен на SSD и HDD и помогает клиентам хотя бы отчасти компенсировать стремительный рост цен на твердотельные накопители.

По данным VDURA, со II квартала 2025 года по I квартал 2026 цена 30-Тбайт TLC SSD выросла на 257 %, с $3062 до $10 950, а цены на HDD за тот же период выросли на 35 %, что расширило ценовой разрыв. Так, разница в цене TLC SSD и HDD выросла с 6,2 раза во II квартале 2025 года до 16,4 раза в I квартале 2026-го, а в случае QLC SSD — в 14,2 раза. В результате значительно выросли риски для All-Flash архитектур. Утверждаются, что отправленные несколько месяцев назад коммерческие предложения теперь требуют полного пересмотра бюджетов.

The Flash Volatility Index помогает отследить, как изменения в цепочке поставок флеш-накопителей ведут к изменению цен на реальном розничном рынке и как это сравнимо с рынком HDD. Storage Economics Optimizer Tool позволяет клиентам моделировать общую стоимость системы с учётом различных архитектур хранения, целевых показателей производительности и др.

Источник изображения: VDURA

VDURA использовала Storage Economics Optimizer Tool для оценки воздействия волатильности цен флеш-накопителей для распространённых архитектур хранилищ на 25 Пбайт, обеспечивающих скорость передачи данных 1 Тбайт/с. По данным на II квартал 2025 года, хранилище, использовавшее исключительно SSD, предполагало годовые затраты в размере $8,50 млн. К I кварталу 2026 года та же конфигурация подорожала до $24,54 млн, рост составил 189 %, в основном из-за роста цен на SSD.

При этом утверждается, что архитектуры, комбинирующие использование SSD и HDD, позволяют значительно снизить рост цен и эффект от возможного неожиданного скачка цен на рынке твердотельных накопителей, с сохранением необходимых уровней производительности.

В докладе FVI отражается усугубляющееся ценовое давление по всем уровнями инфраструктурного стека. Со II квартала 2025 года по I квартал 2026 года цены на оперативную память (DRAM) взлетели на 205 %, рост обусловлен высоким спросом на системы на основе ИИ-ускорителей, требующие больших объёмов памяти. Высокоскоростные сетевые компоненты столкнулись с похожими ограничениями, что дополнительно сказывается на цене систем. Особенно это затратно для вариантов с большим количеством узлов.

Согласно данным из доклада FVI, многолетние договоры о покупке компонентов гиперскейлерами фактически заблокировали значительную часть мощностей для производства SSD до конца 2026 г. В то же время крупномасштабные инфраструктурные ИИ-проекты продолжают «поглощать» оставшиеся поставки. По оценкам экспертов, ценовое давление может сохраниться и в 2027 году и позже.

Как заявляют в VDURA, после десятилетия относительно стабильного ценообразования на NAND-память, правила изменились. Лидерам рынка инфраструктуры требуются реальные данные о том, что происходит и планировать деятельность в соответствии с существующими трендами.

Компания Dell расширила ассортимент СХД серии PowerStore, анонсировав модель 5200Q типа All-Flash. Новинка позволяет сформировать интеллектуальное хранилище, обеспечивающее ускорение работы с блочными, файловыми и виртуальными томами.

Устройство выполнено на аппаратной платформе Intel. Применены два контроллера, функционирующие в режиме «активный — активный». В общей сложности задействованы четыре неназванных процессора Xeon с 96 вычислительными ядрами, работающими на частоте 2,2 ГГц. Объём оперативной памяти составляет 1152 Гбайт.

СХД имеет типоразмер 2U. Во фронтальной части расположены 25 отсеков для SFF-накопителей NVMe. Могут применяться SSD на основе чипов памяти QLC вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Питание обеспечивают два блока с резервированием. В общей сложности могут быть использованы до 24 сетевых Front-end-портов в следующей конфигурации: 16 × FC16/32, 24 × 10GbE, 24 × 10/25GbE или 8 × 100GbE. Секция Back-end включает порты 100GbE QSFP. Кроме того, предусмотрен выделенный сетевой порт управления 1GbE. Говорится о поддержке протоколов FC, NVMe/FC, iSCSI, NVMe/TCP, NFSv3/4/4.1/4.2; CIFS SMB 2/3.0/3.02/3.1.1, FTP и SFTP.

В связке с СХД могут функционировать до трёх модулей расширения формата 2U, рассчитанных на 24 накопителя SFF (NVMe) каждый. Таким образом, в общей сложности система с учётом устройств расширения может содержать до 93 накопителей SFF и четыре изделия NVRAM. В составе кластера количество SSD может достигать 372 штук при суммарной вместимости 23,6 Пбайт с учётом компрессии. В качестве программной платформы применяется PowerStore OS.

Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, без громких анонсов представила свой первый SSD вместимостью 122,88 Тбайт, предназначенный для использования в системах с иммерсионным (погружным) жидкостным охлаждением. Устройство рассчитано на дата-центры и площадки гиперскейлеров. Накопитель относится к семейству DC25F. В его основу положены чипы флеш-памяти QLC NAND.

Доступны модификации в форм-факторах E3.S и E3.L: в обоих случаях для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 600 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3200 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 3 млн при произвольном чтении данных 4K-блоками и до 35 тыс. при произвольной записи. Накопители способны выдерживать 0,3 полных перезаписи в сутки (0,3 DWPD) на протяжении пяти лет. Это ставит их в один ряд с другими QLC-устройствами корпоративного класса, предназначенными для «теплого» и «холодного» хранения данных.

Источник изображения: Goodram

Goodram отмечает, что накопители прошли всестороннее тестирование с использованием различных диэлектрических жидкостей для иммерсионного охлаждения, включая составы Shell и Chevron. Утверждается, что эти SSD рассчитаны на длительную эксплуатацию без деградации.

Помимо модели вместимостью 122,88 Тбайт, Goodram предлагает широкий выбор других SSD для систем с иммерсионным охлаждением. Это устройства ёмкостью от 1,92 Тбайт и выше на основе чипов TLC NAND и QLC NAND с интерфейсами SATA, PCIe 4.0 и PCIe 5.0. Они доступны в форм-факторах SFF U.2 и U.3, E3.S и E1.S, M.2 2280 и M.2 22110.

Компания DapuStor анонсировала SSD семейства R6060, предназначенные для использования в ЦОД и в инфраструктурах корпоративного класса. Утверждается, что эти накопители подходят для векторных баз данных, крупномасштабных хранилищ и ресурсоёмких ИИ-систем.

Ранее DapuStor представила изделия J5060: эти SSD в форм-факторе SFF U.2 толщиной 15 мм оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов. Вместимость достигает 122 Тбайт.

Решения нового семейства R6060, как и модели J5060, выполнены в SFF-формате на основе чипов флеш-памяти QLC NAND. При этом задействован интерфейс PCIe 5.0. Вместимость может составлять 122 и 245 Тбайт. В основу положен фирменный контроллер DapuStor DP800, который обеспечивает скорость последовательного чтения информации до 28 Гбайт/с и скорость последовательной записи до 22 Гбайт/с (показатели быстродействия собственно устройств R6060 пока не раскрываются). Величина IOPS при произвольном чтении данных может достигать 6 млн. Задержка при случайной записи не превышает 3,5 мкс. Говорится об аппаратной поддержке RAID 5/6, TCG/AES/RSA/SHA/TRNG, Root of Trust и пр.

Источник изображения: DapuStor

Упомянута технология Flexible Data Placement (FDP): она интеллектуально распределяет данные по флеш-памяти QLC, оптимизируя использование доступных ячеек и сводя к минимуму влияние усиления записи (Write Amplification, WA). Благодаря этому наиболее часто используемые данные хранятся в самых быстрых и надёжных областях памяти. В результате, повышаются долговечность, производительность и эффективность накопителей.

В целом, как утверждается, по сравнению с другими доступными на рынке SSD изделия серии R6060 обеспечивают более низкую совокупную стоимость владения (TCO) при использовании на площадках гиперскейлеров. Поставки устройств уже начались.