Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, без громких анонсов представила свой первый SSD вместимостью 122,88 Тбайт, предназначенный для использования в системах с иммерсионным (погружным) жидкостным охлаждением. Устройство рассчитано на дата-центры и площадки гиперскейлеров. Накопитель относится к семейству DC25F. В его основу положены чипы флеш-памяти QLC NAND.

Доступны модификации в форм-факторах E3.S и E3.L: в обоих случаях для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 600 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3200 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 3 млн при произвольном чтении данных 4K-блоками и до 35 тыс. при произвольной записи. Накопители способны выдерживать 0,3 полных перезаписи в сутки (0,3 DWPD) на протяжении пяти лет. Это ставит их в один ряд с другими QLC-устройствами корпоративного класса, предназначенными для «теплого» и «холодного» хранения данных.

Источник изображения: Goodram

Goodram отмечает, что накопители прошли всестороннее тестирование с использованием различных диэлектрических жидкостей для иммерсионного охлаждения, включая составы Shell и Chevron. Утверждается, что эти SSD рассчитаны на длительную эксплуатацию без деградации.

Помимо модели вместимостью 122,88 Тбайт, Goodram предлагает широкий выбор других SSD для систем с иммерсионным охлаждением. Это устройства ёмкостью от 1,92 Тбайт и выше на основе чипов TLC NAND и QLC NAND с интерфейсами SATA, PCIe 4.0 и PCIe 5.0. Они доступны в форм-факторах SFF U.2 и U.3, E3.S и E1.S, M.2 2280 и M.2 22110.

Компания DapuStor анонсировала SSD семейства R6060, предназначенные для использования в ЦОД и в инфраструктурах корпоративного класса. Утверждается, что эти накопители подходят для векторных баз данных, крупномасштабных хранилищ и ресурсоёмких ИИ-систем.

Ранее DapuStor представила изделия J5060: эти SSD в форм-факторе SFF U.2 толщиной 15 мм оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов. Вместимость достигает 122 Тбайт.

Решения нового семейства R6060, как и модели J5060, выполнены в SFF-формате на основе чипов флеш-памяти QLC NAND. При этом задействован интерфейс PCIe 5.0. Вместимость может составлять 122 и 245 Тбайт. В основу положен фирменный контроллер DapuStor DP800, который обеспечивает скорость последовательного чтения информации до 28 Гбайт/с и скорость последовательной записи до 22 Гбайт/с (показатели быстродействия собственно устройств R6060 пока не раскрываются). Величина IOPS при произвольном чтении данных может достигать 6 млн. Задержка при случайной записи не превышает 3,5 мкс. Говорится об аппаратной поддержке RAID 5/6, TCG/AES/RSA/SHA/TRNG, Root of Trust и пр.

Источник изображения: DapuStor

Упомянута технология Flexible Data Placement (FDP): она интеллектуально распределяет данные по флеш-памяти QLC, оптимизируя использование доступных ячеек и сводя к минимуму влияние усиления записи (Write Amplification, WA). Благодаря этому наиболее часто используемые данные хранятся в самых быстрых и надёжных областях памяти. В результате, повышаются долговечность, производительность и эффективность накопителей.

В целом, как утверждается, по сравнению с другими доступными на рынке SSD изделия серии R6060 обеспечивают более низкую совокупную стоимость владения (TCO) при использовании на площадках гиперскейлеров. Поставки устройств уже начались.

Компания Solid State Storage Technology Corporation (SSSTC), дочерняя структура Kioxia, представила SSD серии ER4 для платформ корпоративного класса и дата-центров. По заявлениям разработчика, накопители подходят для применения в средах, ориентированных на аналитику данных в реальном времени, ИИ-инференс, виртуализацию и другие ресурсоёмкие задачи. Кроме того, изделия могут использоваться в NAS для малого и среднего бизнеса, системах резервного копирования и видеонаблюдения.

SSD выполнены в SFF-формате на основе 112-слойных чипов флеш-памяти Kioxia 3D TLC NAND. Задействован контроллер Innogrit IG5600BAA 575P TFBGA. Для подключения служит интерфейс SATA-3.

Источник изображения: SSSTC

В семейство ER4 вошли модели вместимостью 7,68 и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у обоих накопителей достигает 550 Мбайт/с, последовательной записи — 530 Мбайт/с. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет 98 тыс., при произвольной записи — 55 тыс. у младшей версии и 30 тыс. у старшей.

В накопителях реализован ряд функций обеспечения безопасности корпоративного уровня, включая сквозную защиту данных, безопасное стирание и 256-битное шифрование AES (с опциональной поддержкой TCG Enterprise). Средства Power Loss Protection (PLP) отвечают за сохранность информации при внезапном отключении питания. Показатель MTBF заявлен на уровне 3 млн часов. Устройства рассчитаны на работу в температурном диапазоне от 0 до +70 °C. Максимальное энергопотребление составляет 5 Вт. На накопители предоставляется пятилетняя гарантия.

Компания Phison Electronics анонсировала SSD корпоративного класса серий Pascari X201 и Pascari D201. Первые предназначены для рабочих нагрузок, которым требуется высокая производительность: обучение ИИ, масштабная аналитика, высокочастотный трейдинг и НРС-задачи. В свою очередь, изделия Pascari D201 ориентированы на гиперскейлеров и облачных провайдеров, которые оперируют средами с высокой плотностью хранения данных.

Все устройства выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC; для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Заявленная величина MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2,5 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Накопители Pascari X201 представлены в форм-факторах U.2 толщиной 15 мм и E3.S 1T. При этом доступны варианты X201E и X201P. В первом случае вместимость составляет 12,8 и 25,6 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у обеих моделей достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Величина IOPS составляет до 3,3 млн при произвольном чтении и до 1,05 млн при произвольной записи у варианта на 12,8 Тбайт и до 2,8 млн и 920 тыс. у устройства ёмкостью 25,6 Тбайт. Накопители X201E способны выдерживать до трёх полных перезаписей в сутки (3 DWPD).

Источник изображений: Phison

Решения X201P обладают вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS при произвольном чтении равно 3,3 млн и 2,8 млн, при произвольной записи — 600 тыс. и 480 тыс. Эти SSD рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (1 DWPD).

В семейство Pascari D201 также вошли варианты D201E и D201P, у которых показатель DWPD равен 3 и 1. Вместимость составляет соответственно 12,8 и 15,36 Тбайт. У всех устройств скорость последовательного чтения достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 Мбайт/с, величина IOPS при произвольном чтении — 3,3 млн. Вместе с тем IOPS при произвольной записи — 1,05 млн у версии на 12,8 Тбайт и 600 тыс. у накопителя на 15,36 Тбайт. Изделия выполнены в формате E1.S толщиной 15 мм. На все анонсированные новинки предоставляется пятилетняя гарантия.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N701 и N601, предназначенные для использования в коммерческой и индустриальной сферах. Изделия будут предлагаться в двух вариантах исполнения — M.2 1620 Heat Sink Ball Grid Array (HSBGA) и М.2 2230.

Устройства семейства N701 выполнены по технологии pSLC (pseudo Single Level Cell) с применением чипов флеш-памяти 3D TLC, а их вместимость варьируется от 80 до 320 Гбайт. В свою очередь, накопители N601 представляют собой традиционные решения 3D TLC с вариантами ёмкости от 240 до 960 Гбайт.

Все новинки оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x2. Скорость последовательного чтения информации достигает 3565 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3280 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 630 000 при произвольном чтении и до 755 000 при произвольной записи. Говорится о поддержке шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) — свыше 3 млн часов.

Источник изображения: ATP Electronics

SSD доступны в коммерческой (N701Pc и N601Sc) и индустриальной (N701Pi и N601Si) модификациях. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 29 235 Тбайт у накопителей серии N701 и 2810 Тбайт у N601.

В устройствах реализована фирменная технология Ace Thermal Throttling — интеллектуальный алгоритм теплового регулирования, который использует до 18 ступеней настройки с целью минимизации резких перепадов производительности при повышении температуры. Благодаря использованию двух линий PCIe 4.0 обеспечивается снижение энергопотребления до 20 % при обычной работе и до 40 % в режиме ожидания по сравнению с изделиями, в которых задействованы четыре линии. При этом производительность сохраняется на сопоставимом уровне.

Компания Greenliant сообщила о выпуске SSD серии PrimeDrive SX, предназначенных для использования во встраиваемых системах и периферийном оборудовании. Изделия выполнены в форм-факторе M.2 2280 на основе чипов флеш-памяти TLC NAND.

Устройства, как утверждается, обеспечивают оптимальный баланс производительности, энергопотребления и стоимости для решений своего класса. На начальном этапе доступна только модификация вместимостью 256 Гбайт, но в дальнейшем появятся и другие варианты.

Для обмена данными задействован интерфейс PCIe 3.0 x4. DRAM-кеш не предусмотрен. Заявленная скорость передачи информации при последовательном чтении достигает 3300 Мбайт/с, при последовательной записи — 1600 Мбайт/с. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Источник изображения: Greenliant

Реализована технология APST (Autonomous Power State Transition) для снижения энергопотребления. Инструменты динамического и статического выравнивания износа помогают повысить срок службы. Упомянуты средства коррекции ошибок ECC и сквозная защита целостности данных.

Среди областей применения накопителей PrimeDrive SX названы системы видеоконференцсвязи и видеонаблюдения, сетевые серверы, шлюзы и маршрутизаторы, регистраторы данных, контрольно-измерительное оборудование, сетевые хранилища, тонкие клиенты и пр. В настоящее время Greenliant наладила пробные поставки изделий, а их массовые отгрузки запланированы на IV квартал текущего года.

Стартап Novodisq представил блейд-сервер формата 2U ёмкостью 11,5 Пбайт с функцией ускорения ИИ и др. задач. Гиперконвергентная кластерная система разработан для замены или дополнения традиционных решений NAS, SAN и публичных облачных сервисов. Новинка поддерживает платформы Ceph, MinIO и Nextcloud (также планируется поддержка DAOS), предлагая доступ по NFS, iSCSI, NVMe-oF и S3.

Сервер содержит до 20 модулей Novoblade с фронтальной загрузкой. В каждом из них имеется до четырёх встроенных E2 SSD Novoblade объёмом 144 Тбайт каждый, на базе TLC NAND с шиной PCIe 4.0 x4. Накопители поддерживают NVMe v2.1 и ZNS, обеспечивая последовательную производительность чтения/записи до 1000 Мбайт/с, а на случайных операциях — до 70/30 тыс. IOPS. Надёжность накопителей составляет до 24 PBW. Энергопотребление: от 5 до 10 Вт. Система Novoblade предназначена для «тёплого» и «холодного» хранения данных.

Модули Novoblade объединяют вычислительные возможности, ускорители и хранилища. Основной модулей являются гибридные SoC AMD Versal AI Edge Gen 2 (для ИИ-нагрузок) или Versal Prime Gen 2 (для традиционных вычислений) c FPGA, 96 Гбайт DDR5, 32 Гбайт eMMC, модулем TPM2 и двумя интерфейсам 10/25GbE с RoCE v2 RDMA и TSN. Энергопотребление не превышает 60 Вт. Есть функции шифрования накопителей, декодирования видео, ускорения ИИ-обработки, оркестрации контейнеров и т.д. Платформа специально разработана для задач с большими объёмами данных, таких как геномика, геопространственная визуализация, видеоархивация и периферийные ИИ-вычисления. Сервер может работать под управлением стандартных дистрибутивов Linux (RHEL и Ubuntu LTS) с поддержкой Docker, Podman, QEMU/KVM, Portainer и OpenShift.

Источник изображений: Novodisq

2U-шасси глубиной 1000 мм рассчитано на установку до двадцати модулей Novodisq и оснащено двумя (1+1) БП мощностью 2600 Вт каждый (48 В DC). Возможно горизонтальное масштабирование с использованием каналов 100–400GbE. В базовой конфигурации шасси включает четыре 200GbE-модуля с возможностью горячей замены, каждый из которых имеет SFP28-корзины, а также управляемый L2-коммутатор. Предусмотрен набор средств управления, включая BMC с веб-интерфейсом, CLI и поддержкой API Ansible, SNMP и Redfish. Novoblade поддерживает локальное и удалённое управление, может интегрироваться в существующий стек или предоставляться с помощью инструментов «инфраструктура как код» (Infrastructure-as-Code).

По словам разработчика, система Novoblade обеспечивает плотность размещения примерно в 10 раз выше, чем у сервера на основе жестких дисков, и снижает энергопотребление на 90–95 % без необходимости в механическом охлаждении. Novodisq утверждает, что общая стоимость владения системой «обычно на 70–90 % ниже, чем у традиционных облачных или корпоративных решений в течение 5–10 лет».

«Это обусловлено несколькими факторами: уменьшенным пространством в стойке, низким энергопотреблением, отсутствием платы за передачу данных, минимальным охлаждением, длительным сроком службы и значительным упрощением управления. В отличие от облака, ваши расходы в основном фиксированы, а значит, предсказуемы, и, в отличие от традиционных систем, Novodisq не требует дорогостоящих лицензий, внешних контроллеров или постоянных циклов обновления. Вы получаете высокую производительность, долгосрочную надёжность и более высокую экономичность с первого дня», — приводит Blocks & Files сообщение компании.

Для сравнения, узлы Dell PowerScale F710 и F910 на базе 144-Тбайт Solidigm SSD ёмкостью 122 Тбайт, 24 отсеками в 2U-шасси и коэффициентом сжатия данных 2:1 обеспечивают почти 6 Пбайт эффективной емкости, что почти вдвое меньше, чем у сервера Novoblade.

Британская компания QuInAs Technology, по сообщению ресурса Blocks & Files, ещё на шаг приблизилась к серийному производству своей универсальной памяти UltraRAM, сочетающей такие характеристики, как высокая скорость DRAM, энергонезависимость NAND и низкое энергопотребление.

В разработке технологий, лежащих в основе UltraRAM, приняли участие исследователи из Университета Ланкастера (Lancaster University) и Университета Уорика (University of Warwick). Утверждается, что UltraRAM потребляет в 100 раз меньше энергии, чем DRAM, и в 1000 раз меньше, чем NAND-флеш. Данные в новой памяти могут храниться на протяжении 1000 лет. Кроме того, UltraRAM обладает высокой надёжностью: она может быть перезаписана не менее 10 млн раз.

Источник изображения: QuInAs

Принцип работы UltraRAM основан на эффекте квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку. Этот барьер формируется путём чередования тонкоплёночных слоёв антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb). В обычной памяти 3D NAND оксидный плавающий затвор в ячейке постепенно разрушается, тогда как у UltraRAM затвор практически не подвержен внешним воздействиям, говорят создатели. Благодаря этому обеспечивается большое количество циклов записи/стирания.

Партнёром QuInAs в рамках проекта по организации массового производства UltraRAM выступает компания IQE, тогда как грантовое финансирование предоставляет Innovate UK. Специалисты IQE разработали производственный процесс получения структур для UltraRAM с использованием эпитаксии (нарастание одного кристаллического материала на другом).

В настоящее время QuInAs и IQE обсуждают возможности коммерциализации памяти нового типа с производственными предприятиями и стратегическими партнёрами. Ожидается, что UltraRAM сможет найти применение в самых разных устройствах — от автономных изделий интернета вещей (IoT) и смартфонов до ноутбуков и оборудования для дата-центров.