Компания Exascend анонсировала SSD серий PE3 и PI3, рассчитанные на использование в сферах транспорта, телекоммуникаций, периферийных вычислений, а также в системах хранения корпоративного уровня. Изделия выполнены на основе флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 (NVMe 1.2).

Семейство PE3 включает модели Streaming, Pro и Max в форматах U.2 и М.2 2280, а также Boot стандарта М.2 2280. Все они рассчитаны на работу при температуре от 0 до +40 °C. Показатель MTBF достигает 2 млн часов; гарантия производителя — пять лет.

Изделия Streaming имеют вместимость от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения и записи информации достигает 3500 Мбайт/с. Показатель IOPS (количество операций ввода/вывода в секунду) — до 700 000 при произвольном чтении и до 95 000 при произвольной записи. Величина DWPD (полных перезаписей в сутки) равна 0,6.

Источник изображения: Exascend

Накопители Pro и Max имеют ёмкость соответственно от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт и от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт. В первом случае значение DWPD составляет 1,5, во втором — 5. Скорость последовательного чтения у всех устройств достигает 3100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1600 Мбайт/с. Показатель IOPS — до 700 000 при произвольном чтении и до 65 000 при произвольной записи.

Решения Boot имеют вместимость 240–960 Гбайт и величину DWPD, равную 1. Скорость чтения и записи — до 3200 Мбайт/с и 2000 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 700 000 при произвольном чтении и до 30 000 при произвольной записи.

Накопители серии PI3, в свою очередь, обладают расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они представлены в версиях ёмкостью от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи достигает 3500 Мбайт/с. Показатель IOPS — до 310 000 при произвольном чтении и до 245 000 при произвольной записи. Показатель MTBF равен 2 млн часов; гарантия — три года.

Известный производитель систем хранения данных, компания NetApp, анонсировала новую серию доступных флеш-хранилищ AFF C-Series, а также новое решение начального уровня AFF A150.

AFF C-Series целиком базируется на использовании QLC SSD, что позволяет говорить о достаточно невысокой для решений подобного класса стоимости. Однако технически это весьма серьёзные СХД, могущие предложить заказчику от 35 до 106 Пбайт эффективной ёмкости. Младшая модель, AFF C250, использует 2U-контроллер c 24 слотами под SSD и 4 слотами расширения PCIe.

C400 и C800 базируются на 4U-контроллерах, причём у C800 шасси включает 48 отсеков для SSD. Все три модели масштабируются в пределах от 2 до 24 узлов, максимальное же количество накопителей в системе составляет 576, 1152 и 1728 для C250, C400 и C800 соответственно. В качестве интерфейсов поддерживается как FC32, так и различные варианты Ethernet. При этом даже младшая модель имеет 4 порта 100GbE.

Источник изображений здесь и далее: NetApp

Новые массивы работают под управлением NetApp ONTAP 9 и поддерживают протоколы NVMe/FC, NVMe/TCP, FibreChannel, iSCSI, NFS, pNFS, CIFS/SMB и S3. При необходимости дисковое пространство можно расширить с помощью полок NS224 (2U, 24 отсека для NVMe SSD). В качестве хост-систем могут выступать ОС Windows Server 2012/2016, Linux, Oracle Solaris, AIX, HP-UX, macOS, VMware ESXi.

Технические характеристики AFF C-Series. По клику открывается полноразмерное изображение

Несколько особняком стоит AFF A150: это решение начального уровня для региональных офисов. Как и решения серии C, оно поддерживает как NVMe/FC, так и NVMe/TCP. Система также может расширяться до 864 накопителей с эффективным общим объёмом 26 Пбайт, но дисковые полки здесь используются другие — DS224C (24 отсека 2,5″ SFF); также имеется поддержка SAS-3.

Решения NetApp на базе флеш-памяти компактнее гибридных массивов, потребляют меньше энергии и обходятся дешевле

Одновременно с выпуском новых флеш-хранилищ NetApp представила и новые программы сопровождения своих продуктов — NetApp Advance и Storage Lifecycle Program. В рамках Storage Lifecycle Program возможно обновление контроллеров каждые 3, 4 или 5 лет, а также замена устаревших накопителей без доплаты за тот же объём данных. Также NetApp предоставляет гарантию 4:1 SAN Storage Efficiency. Если заявленная эффективность хранения данных не достигается, то NetApp исправит это всеми необходимыми средствами без необходимости дополнительной оплаты со стороны заказчика.

Компания Memblaze анонсировала SSD серий PBlaze6 6930 и PBlaze6 6936 для дата-центров. Изделия выполнены в форм-факторе U.3, а для обмена данными применяется интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D eTLC NAND.

Семейство PBlaze6 6930 включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. У младшей скорость последовательного чтения составляет до 7,0 Гбайт/с, у двух других — до 7,1 Гбайт/с. Скорость последовательной записи во всех случаях — до 7,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при чтении равен соответственно 1 600 000, 1 600 000 и 1 500 000, при записи — 340 000, 420 000 и 360 000. Накопители рассчитаны на 1,5 полных перезаписи в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет.

Источник изображения: Memblaze

Изделия PBlaze6 6936 доступны в модификациях на 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. Скоростные характеристики и величина IOPS при чтении аналогичны решениям PBlaze6 6930. Что касается значения IOPS при записи, то оно достигает соответственно 660 000, 680 000 и 650 000. Показатель DWPD — 3,3 на протяжении пяти лет.

Все накопители поддерживают шифрование AES-256 и функцию безопасного уничтожения данных Crypto Erase. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Средняя наработка на отказ (MTBF) заявлена на уровне 2 млн часов. Энергопотребление не превышает 25 Вт. Более подробную информацию о новинках можно найти на этой странице.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 9400 NVMe для дата-центров, на базе которых решаются задачи, связанные с ИИ, машинным обучением и высокопроизводительными вычислениями. Дебютировали изделия семейств 9400 PRO и 9400 MAX. Все новинки выполнены в SFF-формате U.3 толщиной 15 мм. Применены 176-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

Семейство 9400 PRO включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 1 600 000, при записи — до 300 000 (значения для конкретных моделей приведены в таблице ниже). Накопители рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (DWPD).

Источник изображений: Micron Technology

Изделия 9400 MAX, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. У них скорость последовательного чтения и записи также составляет до 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении достигает 1 600 000, при записи — 600 000. Значение DWPD равно трём. У всех новинок средняя наработка на отказ (MTTF) заявлена на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление варьируется от 14 до 25 Вт.

Нажмите для увеличения

Гарантия производителя составляет пять лет. Более подробно с характеристиками накопителей можно ознакомиться здесь.

Компания Exascend анонсировала SSD семейств SI3 и SE3 на основе чипов флеш-памяти 3D TLC. Изделия используют интерфейс SATA-3, а вместимость варьируется от 120 Гбайт до 7,68 Тбайт. Новинки доступны в разных форм-факторах — М.2 и SFF.

Накопители серии SI3 отличаются расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они подходят для таких областей, как телекоммуникации, периферийные вычисления, аэрокосмические и транспортные системы. Устройства предлагаются в вариантах исполнения M.2 2280, 2260, 2242, а также mSATA и SFF. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 535 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 85 000, при произвольной записи — до 70 000.

Источник изображений: Exascend

Решения семейства SE3 (М.2 2280 и SFF), в свою очередь, оптимизированы под корпоративные нагрузки. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Скорость последовательного чтения и записи — до 550 и 535 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS в зависимости от модификации варьируется от 80 000 до 95 000 при чтении и от 16 000 до 50 000 при записи.

Для устройств заявлена поддержка TCG Opal, шифрования AES-256, средств управления питанием Power Tuning и технологии оптимизации производительности SuperCruise. Величина MTBF достигает 2 млн часов. На накопители серий SI3 и SE3 предоставляется гарантия сроком три и пять лет соответственно.

Компания SMART Modular Technologies анонсировала накопители семейства DC4800, предназначенные для дата-центров, систем периферийных вычислений, гиперконвергентных инфраструктур и оборудования корпоративного класса. Новинки будут доступны в вариантах исполнения U.2 и E1.S.

В основу изделий, как утверждается, положены инновационный контроллер и ПО с улучшенной архитектурой. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC; обмен данными осуществляется через интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

В серию вошли модели вместимостью 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4600 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении и записи данных по 4 Кбайт — до 1 490 000 и 180 000 соответственно. Задержка при произвольном чтении равна 80 мкс, при произвольной записи — 15 мкс.

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Говорится о соответствии стандарту Open Compute Project (OCP) 1.0, поддержке TCG Opal 2.0 и о возможности шифрования данных по алгоритму AES с 256-битным ключом. Значение MTBF превышает 2 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Энергопотребление в активном режиме составляет менее 13 Вт. Более подробную информацию о накопителях можно найти на этой странице.

Компания Qsan Technology анонсировала твердотельные накопители серии SD4: эти двухпортовые SFF-устройства NVMe 1.4 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 выполнены в форм-факторе U.3 с толщиной корпуса 15 мм. Они подходят для применения в All-Flash СХД, например, XCubeFAS 3126. В накопителях задействована память SK Hynix V6 3D eTLC.

В семейство вошли модели вместимостью 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Все они могут выдерживать одну полную перезапись в сутки (величина DWPD). Заявленная скорость последовательного чтения информации у новинок достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6800 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет 1 600 000, при произвольной записи — 170 000 у младшей модели и 180 000 у двух других.

Изображение: QSAN

Средняя заявленная наработка на отказ — 2,5 млн часов. Устройства имеют размеры 69,85 × 100,1 × 14,65 мм и весят около 200 г. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Максимальное энергопотребление при последовательной записи варьируется от 17,9 до 20,1 Вт.

Изображение: QSAN

Упомянутое двухконтроллерное (Active-Active) хранилище XCubeFAS 3126 наделено процессором Intel Xeon с шестью ядрами, 16 Гбайт оперативной памяти DDR4 (расширяется до 384 Гбайт) и 26 отсеками для SFF-накопителей с фронтальным доступом. Система выполнена в формате 3U и снабжена двумя блоками питания. СХД подходит для ИИ-приложений, задач HPC и пр.

Европейская компания Swissbit AG анонсировала твердотельные накопители N4200, специально разработанные для центров обработки данных (ЦОД). Утверждается, что по сравнению с обычными SSD новинки обеспечивают увеличение постоянной скорости записи в 2–5 раз и повышение долговечности в два раза. Пока что в серии есть только 7,68-Тбайт модель, но готовится и вариант ёмкостью 15,36 Тбайт.

Решения выполнены в форм-факторе U.3 (100,4 × 69,9 × 14,8 мм) с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Используется флеш-память 3D NAND eTLC, дополненная буфером DDR4 DRAM. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4000 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт — до 800 000, при произвольной записи — до 130 000.

Источник изображения: Swissbit

Показатель MTBF превышает 2 млн часов. Устройства могут выдерживать от одной до трёх (в зависимости от конфигурации) полных перезаписей в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление составляет 16,3 Вт. Среди прочего упомянуты механизмы QoS, оптимизированная под высокие нагрузки архитектура, средства защиты от перегрева и потери питания, функция безопасного уничтожения данных Crypto Erase и т.д.

На ежегодной конференции Samsung Tech Day 2022 компания раскрыла свои планы относительно новинок в сфере памяти NAND и DRAM. Новые чипы по классификации Samsung относятся к поколению 1b — пятому поколению DRAM-устройств, использующих технологические процессы класса 10 нм. Корпорация намеревается развернуть массовое производство таких микросхем уже в 2023 году. Одновременно ведётся разработка новых технологий и материалов (в частности, диэлектриков класса High-K), позволяющих выйти за рамки 10-нм техпроцессов для чипов DRAM.

Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли. Источник изображения: news.samsung.com

В будущий спектр решений памяти нового поколения войдут кристаллы DDR5 ёмкостью 32 Гбит, экономичные чипы LPDDR5X с производительностью 8,5 Гбит/с на контакт и сверхскоростные микросхемы GDDR7 с невиданной ранее для этого типа памяти скоростью 36 Гбит/с на контакт. Для сравнения, GDDR6X на борту новейших ускорителей NVIDIA GeForce GTX 4090 работают на скорости всего 21 Гбит/с.

Столь быстрая память будет востребована в ЦОД нового поколения, суперкомпьютерах и кластерных системах, а также в игровой индустрии как видеопамять графических ускорителей и консолей следующих поколений. Экономичные и вместе с тем ёмкие решения, созданные с использованием новых техпроцессов, найдут своё место в мобильных устройствах и на рынке автономных транспортных средств.

Модули Samsung AXDIMM. Источник изображения: news.samsung.com

Но Samsung уделяет пристальное внимание и другим, более специализированным типам памяти, в частности, вычислительной памяти HBM-PIM (Processing-in-Memory) и AXDIMM с ускорителями на борту, а также продвижению стандарта CXL, который позволит достичь нового уровня дезагрегации инфраструктуры. За прошедшие 40 лет работы в области выпуска микросхем памяти общий их объём, произведенный компанией, достиг 1 трлн Гбайт, причем половина этого объёма выпущена за последние 3 года.

Также Samsung рассказала о восьмом и девятом поколении флеш-памяти V-NAND. В текущем восьмом поколении компания достигла наивысшей плотности упаковки ячеек среди всех TLC-устройств с ёмкостью чипа 512 Гбит, а к концу года будут доступны и микросхемы ёмкостью 1 Тбит. Девятое поколение запланировано на 2024 год, а к 2030 году компания надеется выпустить флеш-память с более чем тысячью слоёв. В связи с ростом популярности машинного обучения и возрастанием объёма ИИ-моделей Samsung ускорит процесс перехода от TLC к более ёмкой QLC NAND.

Компания Kioxia анонсировала чипы флеш-памяти BiCS Flash 3D, рассчитанные на использование в промышленной сфере. Изделия подходят для применения в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, встраиваемых компьютерах и других устройствах, которые эксплуатируются в жёстких условиях.

Чипы используют TLC-память, но поддерживают и режим SLC для приложений, которым необходимы высокие скорости чтения/записи данных. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °С, что позволяет эксплуатировать изделия в устройствах, монтируемых на открытых пространствах, в транспорте и пр.

Источник изображения: Kioxia

Представлены чипы вместимостью от 64 до 512 Гбайт. Они выполнены в корпусе 132-BGA. Пробные поставки изделий уже начались, а массовое производство планируется организовать ближе к концу текущего года. «Выпуск флеш-памяти следующего поколения BiCS Flash 3D промышленного класса подтверждает нашу приверженность поддержке индустриального сегмента рынка», — заявляет Kioxia.