Материалы по тегу: nand

16.09.2021 [12:31], Сергей Карасёв

TeamGroup представила твердотельные накопители и модули ОЗУ промышленного класса

Компания TeamGroup анонсировала твердотельные накопители серий S750-M80 и S750-3A форматов M.2 SATA SSD и mSATA SSD соответственно. Кроме того, представлены модули оперативной памяти DDR4 WT DIMM. Все изделия спроектированы с прицелом на промышленное оборудование, устройства для Интернета вещей, edge-системы и т. п.

Продукты проходят жёсткое тестирование на соответствие стандартам ударопрочности MIL-STD-202G и MIL-STD-883K, а также вибростойкости MIL-STD-810G. Гарантирована стабильная работа в экстремальных условиях.

Здесь и ниже изображения TeamGroup

Здесь и ниже изображения TeamGroup

Твердотельные накопители M.2 SATA SSD S750-M80 и mSATA SSD S750-3A поддерживают TCG Opal 2.0 и шифрование AES с ключом длиной 256 бит. Применены некие специальные микрочипы 3D TLC, которые, как утверждается, обеспечивают более высокую производительность по сравнению с обычными изделиями.

Накопители используют интерфейс SATA. Известно, что вместимость варьируется от 128 Гбайт до 1 Тбайт. Скорость чтения достигает 560 Мбайт/с, скорость записи — 510 Мбайт/с. Применён запатентованный графеновый радиатор охлаждения.

Модули оперативной памяти DDR4 WT DIMM выделяются широким диапазоном рабочих температур: от -40 до 95 °C. Эти изделия также получили тонкий графеновый радиатор. Другие характеристики пока не раскрываются.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1049159
31.08.2021 [20:34], Игорь Осколков

Western Digital анонсировала «концептуально новые» жёсткие диски с технологией OptiNAND: 20+ Тбайт без SMR

Western Digital анонсировала технологию OptiNAND, которая, по её словам, полностью меняет архитектуру жёстких дисков и вместе с ePMR открывает путь к созданию накопителей ёмкостью более 20 Тбайт (от 2,2 Тбайт на пластину) даже при использовании CMR — вплоть до 50 Тбайт во второй половине этого десятилетия. OptiNAND предполагает интеграцию индустриального UFS-накопителя серии iNAND непосредственно в HDD. Но это не просто ещё один вариант NAND-кеша.

Увеличение ёмкости одной пластины происходит благодаря повышению плотности размещения дорожек, что, правда, на современном этапе развития жёстких дисков требует различных ухищрений: заполнение корпуса гелием, использование продвинутых актуаторов, применение новых материалов, требующих энергетической поддержки записи (MAMR, HAMR и т.д.). Вместе с тем механическая часть накопителей не столь «тонка» и подвержена различным колебаниям, которые могут повлиять на запись и считывание столь плотно упакованных дорожек.

При производстве жёстких дисков делается калибровка и учёт этих ошибок в позиционировании головки (RRO, repeatable run out), а данные (речь идёт о гигабайтах) обычно записываются непосредственно на пластины, откуда и считываются во время работы накопителя. В случае OptiNAND эти мета-данные попадают во флеш-память, позволяя высвободить место. Правда, пока не уточняется, насколько это значимо на фоне общей ёмкости пластины.

Второй важный тип мета-данных, который теперь попадает в iNAND, — это информация о произведённых операциях записи. При повышении плотности размещения риск того, что запись на одну дорожку повлияет на данные в соседней, резко увеличивается. Поэтому, опираясь на данные о прошлых записях, жёсткий диск периодически перезаписывает данные соседних дорожек для повышения сохранности информации.

В старых накопителях одна такая операция приходилась примерно на 10 тыс. записей, в современных — на менее, чем на 10 записей. Причём учёт ведётся именно на уровне дорожек. iNAND же позволяет повысить точность отслеживания записей до секторов, что, в свою очередь, позволяет разнести операции перезаписи в пространстве и времени, снизив общую нагрузку на накопитель и повысив плотность размещения дорожек без ущерба для производительности, поскольку надо тратить меньше времени на «самообслуживание».

Наконец, быстрая и ёмкая UFS (вплоть до 3.1) позволяет сохранить в 50 раз больше данных и мета-данных из DRAM в сравнении с жёсткими дисками без OptiNAND в случае аварийного отключения накопителя и в целом повысить его производительность, причём в независимости от того, включено ли кеширование записи или нет. Кроме того, новый слой памяти позволяет лучше оптимизировать прошивку под конкретные задачи — будут использоваться 162-слойные TLC-чипы от Kioxia, которые можно настроить в том числе на работу в режиме SLC.

Western Digital планирует использовать OptiNAND в большинстве серий своих жёстких дисков, предназначенных для облаков и гиперскейлеров, корпоративных нужд (Gold), систем видеонаблюдения (Purple) и NAS (Red). Первые образцы 20-Тбайт накопителей (CMR + ePMR) с OptiNAND уже тестируются избранными клиентами компании. А вот о потребительских решениях пока ничего сказано не было.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1048003
09.08.2021 [16:56], Алексей Степин

Память X-NAND, сочетающая преимущества QLC и SLC, стала на шаг ближе к реальности

Классическая архитектура NAND-памяти имеет свои пределы: по мере увеличения количества бит на ячейку падает и производительность, и надёжность. Компания NEO Semiconductor, о разработках которой мы рассказывали ранее, получила новые патенты на технологию X-NAND, позволяющую обойти ограничения традиционной флеш-памяти.

Даже переход от MLC к TLC вызвал в своё время множество нареканий, часть из которых удалось обойти переходом от планарной NAND к NAND с 3D-структурами. Но дальнейший рост плотности под вопросом: QLC-накопители не блещут производительностью, особенно при записи; а в случае с PLC ситуация ещё более обострится.

Цена многоячеечности в классической NAND-памяти

Цена многоячеечности в классической NAND-памяти

NEO Semiconductor предлагает решение, призванное избавить технологию NAND от основных её недостатков. Технология X-NAND позволит сделать QLC-память не только более производительной, нежели классическая SLC, но и более компактной с точки зрения расхода транзисторов и площади кристалла.

Архитектура страничного буфера классической флеш-памяти (слева) и X-NAND

Архитектура страничного буфера классической флеш-памяти (слева) и X-NAND

Обычно с падением производительности многоячеечной NAND пытаются бороться увеличением числа одновременно программируемых столбцов (Y-Plane), но это ведёт к резкому росту объёма буферов записи — каждый «слой» требует собственного буфера. В архитектуре X-NAND, однако, один буфер может использоваться для параллельной работы с большим количеством линий, 16 и более. То есть при неизменном объёме буфера количество Y-Plane можно повысить в 16 и более раз, во столько же раз увеличивая и производительность за счёт параллелизма операций чтения и записи.

X-NAND позволит как уменьшить размер кристалла, так и увеличить производительность при прежней площади

X-NAND позволит как уменьшить размер кристалла, так и увеличить производительность при прежней площади

Компания опубликовала достаточно подробную документацию, в которой разъясняется ряд нюансов, на которых базируется технология X-NAND. Так, программирование одновременно 16 ячеек с помощью одного страничного буфера достигается за счёт использования импульсов длительностью не более 10 мкс, что позволяет обойтись ёмкостью бит-линий без операций обновления (refresh), а заодно и существенно снизить энергопотребление. Также доступно краткое двухстраничное описание новой технологии.

Запись в SLC и перемещение в QLC в архитектуре X-NAND идут одновременно

Запись в SLC и перемещение в QLC в архитектуре X-NAND идут одновременно

NEO Semiconductor считает, что 16 Y-слоёв не предел: при 64 выигрыш в производительности при операциях записи и чтения может достигнуть 22 и 30 раз соответственно; узким местом станет пропускная способность самого интерфейса, а не возможности структур X-NAND. При этом надёжности разработчики тоже уделяют немало внимания: использование укороченных бит-линий позволяет снизить их ёмкость и повысить точность управления, что сделает достаточно надёжным даже пятибитный вариант (PLC).

Оценка преимуществ X-NAND при разном количестве бит на ячейку

Оценка преимуществ X-NAND при разном количестве бит на ячейку

Обойти чудовищное падение скорости при записи в технологии X-NAND позволяет возможность параллельного программирования ячеек: свежие данные всегда пишутся в SLC-ячейки, но одновременно с этим идёт процесс их перемещения в TLC/QLC/PLC-области. Таким образом, исключается основная проблема многоячеечных NAND-устройств, а именно сильное падение производительности записи при выходе за пределы SLC-кеша.

Переход на X-NAND позволит сделать QLC- и PLC-накопители быстрыми на всём объёме

Переход на X-NAND позволит сделать QLC- и PLC-накопители быстрыми на всём объёме

Компания NEO Semiconductor уже получила два новых патента США за номерами 11056190 B2 и 11049579 B2, а значит, она намеревается продвигать технологию X-NAND всерьез, лицензируя её ведущим производителям NAND-устройств, таким как SK Hynix с Intel, Micron, Kioxia, Samsung, Western Digital. Если всё сложится удачно, такая память сможет совершить революцию в All-Flash СХД и наверняка заинтересует гиперскейлеров.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1046271
21.04.2021 [21:46], Сергей Карасёв

Novachips представила 20-Тбайт SSD Scalar-20T на базе MLC NAND

Компания Novachips начала поставки твердотельного накопителя большой вместимости Scalar-20T, подходящего для использования в коммерческом оборудовании и промышленных системах. Изделие рассчитано на хранение 20 Тбайт информации.

Устройство выполнено в 2,5-дюймовом форм-факторе с применением контроллера NVS3800 собственной разработки. Задействованы микрочипы флеш-памяти MLC NAND, а для подключения служит интерфейс SATA 3.0.

Заявленная скорость последовательного чтения и записи данных достигает 540 Мбайт/с. Реализована возможность шифрования информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Накопитель доступен в модификациях C-grade и I-grade. В первом случае устройство оптимизировано для установки в коммерческие компьютеры, например, мобильные рабочие станции или системы по обработке видеоматериалов профессионального уровня.

Версия I-grade рассчитана на промышленное оборудование. Диапазон рабочих температур в этом случае простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Функция Cryptoerase обеспечивает безопасное уничтожение хранящихся данных.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1037834
01.04.2021 [12:58], Сергей Карасёв

U.2-накопители Netlist N1962 имеют вместимость до 15,36 Тбайт

Компания Netlist сообщила о доступности твердотельных накопителей корпоративного класса N1962: устройства, выполненные в соответствии со спецификацией NVM Express 1.4, используют для обмена данными с компьютером интерфейс PCI Express 4.0 x4.

Решения соответствуют формату U.2. Задействованы 96-слойные микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND (три бита информации в одной ячейке). Показатель MTBF (средняя заявленная наработка на отказ) — 2 млн часов.

Доступны две разновидности накопителей с разным уровнем надёжности: 1 DWPD (полных перезаписей в сутки) и 3 DWPD. В первом случае вместимость составляет 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт, во втором — 3,2, 6,4 и 12,8 Тбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7,0 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 6,5 Гбайт/с. Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении и произвольной записи данных — до 1,6 млн и 245 тыс. соответственно.

Накопители поддерживают шифрование AES-256. Упомянуты средства мониторинга S.M.A.R.T., а также функция безопасного уничтожения данных Crypto Erase. Производитель предоставляет на устройства пятилетнюю гарантию.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1036296
05.02.2021 [18:17], Илья Коваль

HPE предлагает заменить 10K HDD на QLC SSD серии VRO, но не для всех нагрузок

HPE анонсировала новую серию накопителей VRO (Very Read Optimized), которые призваны заменить 2,5” жёсткие диски 10K RPM и сертифицированы для работы в платформах Apollo, ProLiant и Synergy. Новинки до 175 раз быстрее, имеют впятеро более низкие задержки и в три раза энергоэффективнее в сравнении с самыми быстрыми HDD от HPE. Но есть один нюанс.

Нюанс этот заключается в том, что новые накопители построены на базе 96-слойной QLC-памяти Micron и оптимизированы под определённый тип нагрузок, почему они и названы VRO: > 80% для случайного чтения и < 20% для последовательной записи крупными блоками (128 Кбайт). В этом случае показатель DWPD достигает 0,8. Неподходящая нагрузка — 100% случайная запись 4K-блоками — снижает это показатель до 0,05-0,2 в зависимости от ёмкости накопителя.

Накопители имеют интерфейс SATA3 с поддержкой горячей замены и представлены в форм-факторе 2,5” (960 Гбайт, 1,92 Тбайт, 3,84 Тбайт и 7,68 Тбайт) и 3,5” (3,84 Тбайт и 7,68 Тбайт). Максимальная скорость чтения для всех накопителей составляет 500 Мбайт/с, записи — от 135 (2,5” 960 Гбайт) до 340 (3,5” 7,68 Тбайт) Мбайт/с. Типовой показать IOPS при случайном чтении и записи 43000 и 1950 соответственно для первого накопителя и 54000 и 4500 — для второго. При этом младшая модель в наихудшем сценарии может записать до 350 Тбайт, а старшая — до 700 Тбайт.

Типовые нагрузки для VRO SSD: базы данных SQL/NoSQL, системы Big Data, vSAN, объектное хранилище, Hadoop, СХД для ИИ и машинного обучения и так далее. Все накопители имеют трёхлетнюю гарантию. По данным Blocks&Files, стоимость новинок стартует с $739,99. Несмотря на то, что стоимость SSD всё равно выше HDD, с учётом более высокой производительности выигрыш в TCO, по словам HPE, заметен.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1031997
29.12.2020 [14:48], Юрий Поздеев

VAST LightSpeed – быстрая система хранения на основе QLC и Optane

VAST DATA выпустила платформу хранения LightSpeed, само название которой уже намекает на высокую скорость работы. Решение построено на базе другого продукта компании — Universal Storage DASE (DisAggregated, Shared, Everything), которое было анонсировано в прошлом году. Что такого особенного в новой архитектуре и действительно ли хранилище получилось быстрым?

По словам VAST, ее универсальное хранилище (Universal Storage) — это полностью новая технология, которая использует последние технологии, такие как NVMe-over-Fabric, Storage Class Memory (SCM, в даном случае это Optane) и флеш-память QLC. Все это вместе позволяет создать полностью дезагрегированное хранилище с флеш-памятью NVMe, с масштабированием до эксабайта и с поддержкой различных рабочих нагрузок.

Основные преимущества VAST Universal Storage DASE:

  • Масштабирование СХД до эксабайта и глобальное пространство имен: каждый сервер имеет доступ ко всем накопителям в кластере, устраняется необходимость в дорогостоящем ускорении операций чтения/записи на основе DRAM или в тиринге, гарантируя, что каждая операция чтения/записи будет выполняться на быстрых накопителях NVMe.
  • Серверы слабо связаны в архитектуре VAST и могут масштабироваться почти до бесконечности, потому что им не нужно координировать операции ввода-вывода друг с другом и они не обрабатывают межкластерное взаимодействие, что обычно является основной трудностью в масштабировании систем хранения. Серверы VAST можно поместить в контейнеры и встроить в серверы приложений, чтобы обеспечить производительность NVMe-oF на каждом хосте;
  • Глобальная трансляция QLC: архитектура VAST DASE оптимизирована для записи на недорогие носители QLC, позволяет увеличить их долговечность до 10 лет, за счет применения новых методов размещения данных, с использованием большого буфера записи SCM;
  • Глобальная защита данных: компромисс между затратами на защиту данных и отказоустойчивостью системы достигается за счет новых алгоритмов, которые при большом количестве узлов обеспечивают накладные расходы в 2% (по сравнению с 33-66% для традиционных систем);
  • Глобальное сжатие: VAST применяет собственные разработки для сжатия данных, которое может быть как глобальным, так и побайтовым. Система обнаруживает и использует шаблоны схожести данных в глобальном пространстве имен на уровне детализации, который в 4 000 – 128 000 раз меньше, чем современные подходы к дедупликации. Конечным результатом является система, которая реализует эффективные алгоритмы сжатия для всех видов данных, без ущерба для скорости доступа.

По заявлению VAST, новые платформы LightSpeed NMVe обеспечивают вдвое большую пропускную способность, чем системы предыдущего поколения.

Кластеры VAST LightSpeed доступны в трех вариантах конфигурации:

  • 2 узла LightSpeed, обеспечивающие пропускную способность 80 Гбайт/с, с использованием 32 GPU;
  • 5 узлов (Pentagon), обеспечивающие пропускную способность 200 Гбайт/с, с использованием 80 GPU;
  • 10 узлов (Decagon), обеспечивающие пропускную способность 400 Гбайт/с, с использованием 160 GPU.

VAST в настоящее время сотрудничает с NVIDIA, чтобы использовать технологию NVIDIA GPU Direct Storage, что позволит получить значительный прирост в производительности для операций ввода/вывода.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1028996
16.12.2020 [17:00], Сергей Карасёв

Intel D7-P5510 и D5-P5316: серверные PCIe 4.0 SSD на базе 144-слойной TLC и QLC NAND

Корпорация Intel анонсировала сегодня новые твердотельные накопители корпоративного класса — изделия D7-P5510 и D5-P5316, предназначенные для применения в центрах обработки данных, в составе облачных платформ и пр.

Решение D7-P5510 — первый в мире накопитель, построенный по 144-слойной технологии TLC NAND (трёхуровневая архитектура ячейки памяти). Устройство выполнено в формате U.2 с толщиной корпуса 15 мм.

Заказчикам будут доступны модификации D7-P5510 вместимостью 3,84 и 7,68 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 7000 Мбайт/с, скорость записи — 4194 Мбайт/с. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении и записи блоками по 4 Кбайт — до 930 000 и 190 000 соответственно.

Устройства могут выдерживать более одной полной перезаписи в сутки (DWPD). Среди особенностей новинок можно отметить поддержку NVMe-MI, более быструю работу TRIM, поддержку множественных пространств имён с возможностью блокировки, настраиваемый уровень TDP, а также аппаратное шифрование AES-256 (TCG OPAL 2.0.1).

В свою очередь, D5-P5316 — накопитель большей ёмкости с высоким уровнем износостойкости, произведённый по первой в отрасли 144-слойной технологии QLC NAND (четыре бита информации в ячейке). Устройства будут предлагаться в форматах U.2 и E1.L, а вместимость составит 15,36 и 30,72 Тбайт.

Для накопителей D5-P5316 приводятся показатели быстродействия на операциях чтения — до 6800 Мбайт/с и до 800 000 IOPS. Отмечается, что по скорости чтения, благодаря оптимизациям, новые QLC-накопители почти не отличаются от TLC. Это же относится и к различным показателям надёжности. В частности, для 30-Тбайт заявлена возможность записи до 18 Пбайт.

Новинки обеспечат высокую плотность хранения данных — до 1 Пбайт в 1U-шасси для E1.L-накопителей. Увеличение ёмкости вкупе со снижением энергопотребления снижает совокупную стоимость владения СХД. И через пару, по мнению Intel, SSD станут выгоднее HDD.

Продажи изделий D7-P5510 начнутся до конца 2020 года, тогда как решения D5-P5316 станут доступны в первой половине 2021-го.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1027981
01.12.2020 [17:21], Алексей Степин

Новая технология X-NAND сочетает плотность QLC и скорость SLC

Флеш-память NAND используется сегодня везде, от портативных устройств до сверхпроизводительных корпоративных систем хранения данных. У технологии есть свои ограничения, к примеру, увеличение количества бит в ячейке NAND приводит к снижению производительности и надёжности. Компания NEO Semiconductor предлагает своё видение флеш-памяти нового поколения под названием X-NAND, сочетающее в себе высокую плотность хранения данных, свойственную QLC и производительность, характерную для SLC или MLC.

В классической архитектуре буферы занимают существенную часть кристалла

В классической архитектуре буферы занимают существенную часть кристалла

В своё время переход от MLC к TLC вызвал массу вопросов: да, повысить плотность хранения данных удалось на треть (три бита на ячейку вместо двух), однако это привело к необходимости использования восьми программирующих напряжений. Требования к точности работы контроллера возросли, а надёжность такой флеш-памяти, напротив, снизилась. Победить это удалось переходом от планарных технологий к 3D NAND. Но сейчас внедрение QLC и памяти с ещё более высоким числом бит на ячейку вызывает те же вопросы, ставшие ещё острее.

Внедрение более тонких техпроцессов в производстве флеш-памяти исчерпывает потенциал надёжности, достигнутый за счёт внедрения 3D NAND, и в памяти типа QLC количество циклов перезаписи падает вновь. Кроме того, производительность таких устройств часто оказывается ниже всякой критики, особенно на операциях записи. В накопителях потребительского класса такой провал компенсируется активным использованием части флеш-массива в режиме SLC, но для серьёзного применения такой подход не годится, поскольку не обеспечивает устоявшейся производительности в сценариях с постоянной нагрузкой.

X-NAND позволяет обойтись одним буфером, но в 16 раз увеличить степень параллелизма

X-NAND позволяет обойтись одним буфером, но в 16 раз увеличить степень параллелизма

Увеличить производительность многоячеечной NAND можно путём наращивания количества одновременно программируемых столбцов (Y-plane) — за счёт параллелизма скорость записи серьёзно повышается. Но каждый столбец требует собственного буфера записи (обычно объёмом 16 Кбайт на блок) и уже при 16 «слоях» размер кристалла такой флеш-памяти вырастает на 270%. При этом сама архитектура такова, что количество одновременно проводимых операций чтения или записи не может превышать количества буферов.

Компания NEO Semiconductor предлагает свой выход: в архитектуре X-NAND используется общий буфер. Его объём составляет те же 16 Кбайт на блок, однако на каждую страницу приходится лишь по 1 Кбайт, что позволяет избежать непрактичного «раздувания» кристалла. При этом за счёт параллелизма растёт и производительность: по заявлениям компании-разработчика, память QLC X-NAND в три раза быстрее обычной QLC на случайных операциях, а при линейной записи выигрыш составляет 14 раз.

Память QLC X-NAND может быть быстрее классической SLC NAND

Память QLC X-NAND может быть быстрее классической SLC NAND

В некоторых параметрах QLC X-NAND даже превосходит классическую SLC NAND, обычную служащую скоростным эталоном; особенно впечатляет скорость чтения: до 11 Гбайт/с на страницу проттив 1,6 Гбайт/с у SLC. При этом надёжность также выше: X-NAND за счёт параллелизма может не столь часто «тревожить» ячейки программирующими импульсами, меньше изнашивая их.

Сама технология, конечно, требует изменений в логике работы контроллера, однако физически адаптировать производство обычной NAND под X-NAND, как сообщает NEO Semiconductor, весьма просто: в самой структуре ячеек X-NAND изменений нет, и общий техпроцесс остаётся прежним. Следовательно, любой потенциальный партнёр компании, располагающий производством NAND, может легко опробовать технологию в действии без существенных денежных затрат.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1026741
01.12.2020 [15:53], Юрий Поздеев

IBM смогла довести скорость и надёжность QLC-накопителей до уровня TLC

Еще совсем недавно многие покупатели SSD опасались ставить накопители с TLC памятью, предпочитая переплатить за более выносливую и надежную MLC. Но все течет, все меняется, и кто бы мог предположить, что IBM будет использовать в своих передовых СХД FlashSystem 9200 исключительно QLC-память, доведя ее долговечность и производительность до уровня TLC. Но обо всем по порядку.

Флеш-память с четырьмя уровнями ячеек (QLC) дешевле в производстве, чем флеш-память с тремя уровнями, имеет более высокую плотность хранения, однако это сказывается на ресурсе и надежности. QLC хранит 4 бита в одной ячейке, что увеличивает продолжительность операций ввода-вывода, а это негативно сказывается на скорости чтения и записи.

Кроме того, QLC имеет меньший срок службы, выражаемый в циклах стирания-записи. Чтобы преодолеть эти ограничения, IBM разработала контроллер на базе FPGA Xilinx для своих запатентованных накопителей Flash Core Module (FCM), который отслеживает и классифицирует блоки флеш-памяти на предмет работоспособности и долговечности. Блоки данных, которые записываются наиболее часто, перемещаются на ячейки флеш-памяти с самым большим остаточным ресурсом.

Все вместе это позволило получить 16 000 циклов перезаписи на накопителе с QLC-памятью (накопитель с TLC показал 18 000 циклов перезаписи по аналогичной методике измерений). Для сравнения: обычный QLC-накопитель имеет около 1000 циклов перезаписи. Кроме того, IBM решила отказаться от использования суперконденсаторов для защиты информации и стала использовать магниторезистивную память (MRAM) Everspin. Если учесть, что срок службы суперконденсатора не превышает 5-7 лет, последствия эксплуатации их в составе модулей в долгосрочной перспективе не внушала оптимизма. По сути, MRAM выступает в роли энергонезависимого кеша записи.

В FCM второго поколения IBM заменила 256-Мбит ST-DDR3 на 1-Гбит ST-DDR4. Изменилась основная память для хранения данных: с 64-слойной TLC NAND перешли на 96-слойную QLC NAND (оба типа памяти для IBM поставляет Micron). Это позволило увеличить максимальную емкость накопителя до 38,4 Тбайт, сохранить высокую производительность и обеспечить приемлемый ресурс (2 DWPD, как и в случае FCM первого поколения). Контроллер FCM-2 использует 20-канальный интерфейс NAND, сжатие данных выполняется «на лету» (с коэффициентом примерно 2.3).

Еще одной особенностью FCM второго поколения является возможность использования части ячеек в качестве SLC-кеша. Контроллер отслеживает шаблоны операций ввода-вывода и сохраняет наиболее часто используемые данные на SLC, вместо QLC, что положительно сказывается на скорости работы. Для снижения износа ячеек используется специальный алгоритм для выравнивания нагрузки на ячейки и сборки мусора, что позволяет повысить их живучесть.

Теперь пришло время посмотреть какие же преимущества дают новые FCM для СХД IBM FlashSystem 9200: в 2U с 24 накопителями полезная емкость может достигать 757 Тбайт, при этом эффективная емкость для стандартного набора данных составляет уже 1,73 Пбайт, что раньше являлось недостижимым для таких компактных систем, а если добавить к этому производительность в 4,5 млн IOPS и надежность 99,9999%, то получим очень серьезную заявку на лидерство в своем классе.

СХД поддерживает не только фирменные IBM FCM, но и стандартные NVMe/SAS SSD корпоративного класса, а также до четырёх накопителей SCM — Intel Optane или Samsung zSSD. Впрочем, SCM, по мнению IBM, гораздо интереснее и полезнее использовать с новыми шинами вроде CXL 2.0, которые полностью изменят подход к работе с данными.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1026728
Система Orphus