Компания Silicon Motion Technology сообщила о выпуске эталонного комплекта MonTitan SSD Reference Design Kit (RDK), предназначенного для создания твердотельных накопителей большой ёмкости для дата-центров и корпоративных систем.

В основу аппаратной платформы положен контроллер Silicon Motion MonTitan SM8366 с поддержкой PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 и OCP 2.5. Это изделие специально спроектировано для накопителей, ориентированных на ЦОД и инфраструктуры гиперскейлеров.

Для накопителей на основе MonTitan SSD RDK предусмотрено использование 2-Тбит чипов флеш-памяти QLC NAND. При этом ёмкость эталонного SSD составляет 128 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации превышает 14 Гбайт/с, тогда как показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении составляет более 3,3 млн. По заявлениям Silicon Motion, по значению IOPS изделие обеспечивает прирост производительности свыше 25 % по сравнению с конкурирующими накопителями большой вместимости с интерфейсом PCIe 5.0. Благодаря этому максимизируется быстродействие и устраняются узкие места в работе систем хранения данных.

Источник изображения: Silicon Motion

Упомянута технология NVMe 2.0 FDP (Flexible Data Placement), которая позволяет эффективно управлять распределением данных по флеш-памяти QLC, оптимизируя использование доступных ячеек. Это снижает нагрузку на накопитель, улучает предсказуемость его поведения и повышает общую производительность. Вместе с тем фирменный запатентованный инструмент Silicon Motion PerformaShape использует многоступенчатый алгоритм для оптимизации работы SSD.

В целом, платформа MonTitan SSD RDK позволяет создавать накопители, рассчитанные на ресурсоёмкие задачи ИИ, такие как обучение больших языковых моделей (LLM).

Компания Kioxia анонсировала SSD семейства LC9, ориентированные на использование в дата-центрах и системах корпоративного класса. Накопители предназначены прежде всего для поддержания нагрузок, связанных с генеративным ИИ и большими языковыми моделями (LLM).

В основу изделий положены чипы флеш-памяти Kioxia QLC BiCS Flash 3D восьмого поколения плотностью 2 Тбит с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Kioxia смогла добиться вертикального и горизонтального масштабирования кристалла памяти с помощью запатентованных процессов и инновационных архитектур. Вместимость SSD достигает 122,88 Тбайт.

Устройства выполнены в формате SFF U.2, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0): возможны конфигурации PCIe х4 (один порт) или x2/х2 (два порта). Накопитель может выдерживать 0,3 перезаписи в сутки (DWPD), что составляет немногим менее 37 Тбайт в день или 1,5 Тбайт в час на протяжении всего срока службы.

Источник изображения: Kioxia

Утверждается, что изделия LC9 могут использоваться совместно с технологией AiSAQ — All-in-Storage ANNS with Product Quantization, где ANNS — это новый алгоритм «приблизительного поиска ближайшего соседа», оптимизированный для твердотельных накопителей. Технология AiSAQ обеспечивает масштабируемую производительность для RAG, выполняя поиск непосредственно на SSD без размещения индексных данных в DRAM. Благодаря этому обеспечивается работа крупномасштабных баз данных без зависимости от ограниченных ресурсов оперативной памяти. Кроме того, возможен быстрый запуск векторных баз данных — без необходимости загрузки индексных сведений в DRAM.

Нужно отметить, что SSD вместимостью более 120 Тбайт ранее уже анонсировали другие производители, в частности, Solidigm, Phison и Western Digital. При этом устройства Solidigm D5-P5336 оснащены интерфейсом PCIe 4.0, а Phison Pascari D200V — PCIe 5.0.

Компания Advantech анонсировала SSD семейства SQFlash EU-2 PCIe/NVMe для дата-центров и платформ корпоративного уровня. Изделия выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 х4.

Дебютировали решения SQF-CU2 EU-2 в форм-факторе SFF U.2 (SFF-8639), SQF-CE3 EU-2 стандарта E3.S (EDSFF 1C), а также SQF-CE1 EU-2 типоразмера E1.S (EDSFF 1C). Во всех случаях реализована поддержка NVMe 2.0, AES-256 и TCG-OPAL. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD).

Серия SQF-CU2 EU-2 включает модификации вместимостью от 1,9 до 30,7 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает o 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 8500 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении — до 3 млн, при произвольной записи — до 400 тыс. Размеры устройств составляют 100,2 × 69,85 × 15,0 мм.

Источник изображений: Advantech

Изделия SQF-CE3 EU-2, в свою очередь, обладают ёмкостью от 1,9 до 15,3 Тбайт. Скорости последовательного чтения и записи — до 14 000 и 8500 Мбайт/с, величина IOPS при произвольных чтении и записи — до 3 млн и 480 тыс. Габариты — 112,75 × 76,0 × 7,5 мм.

В серию SQF-CE1 EU-2 вошли SSD вместимостью от 1,9 до 7,6 Тбайт. Заявленные скорости последовательного чтения и записи достигают 14 000 и 8300 Мбайт/с, величина IOPS — 3 млн и 220 тыс. при произвольных чтении и записи соответственно. Размеры устройств — 118,75 × 33,75 × 9,0/15,0 мм.

Кроме того, компания Advantech представила SSD семейства SQF-CE1 930L-D в формате E1.S с интерфейсом PCIe 4.0 х4. Они имеют вместимость от 480 Гбайт до 3,8 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации составляет дo 6800 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2000 Мбайт/с.

Британский стартап PEAK:AIO анонсировал обновлённую платформу хранения данных AI Data Server, предназначенную для поддержания ресурсоёмких нагрузок ИИ. Сервер в форм-факторе 2U на основе SSD производства Solidigm обеспечивает 1,5 Пбайт «сырой» вместимости. PEAK:AIO утверждает, что благодаря новому программному стеку NVMe устраняются «узкие места Linux», что обеспечивает высокую производительность для приложений ИИ с интенсивным использованием данных.

AI Data Server — это программно-определяемое хранилище на стороннем оборудовании. В частности, применяется сервер Dell PowerEdge R7625, оборудованный сетевыми адаптерами NVIDIA ConnectX-7. Заявленная пропускная способность достигает 120 Гбайт/с. Система комплектуется накопителями Solidigm D5-P5336 вместимостью 61,44 Тбайт. Эти изделия выполнены на 192-слойных чипах флеш-памяти QLC 3D NAND и оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 2.0). Скорость последовательного чтения/записи достигает 7000/3000 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольном чтении — 1 005 000. Сервер комплектуется 24 накопителями, что в сумме обеспечивает около 1,5 Пбайт ёмкости.

Источник изображения: PEAK:AIO

Платформа AI Data Server может использоваться для решения различных задач в специфичных областях, таких как здравоохранение, исследования и периферийные приложения ИИ. Подобные нагрузки требуют наличия высокопроизводительного хранилища, но зачастую доступ к инфраструктуре ЦОД у организаций из указанных отраслей ограничен. Система AI Data Server позволяет устранить данный пробел: она может масштабироваться от единичных узлов до кластеров, рассчитанных на огромные озера данных ИИ.

Компания Vdura анонсировала узел хранения данных V5000 All-Flash Appliance (F Node) типоразмера 1U, предназначенный для использования в составе платформы V5000. Изделие ориентировано на решение ресурсоёмких задач, связанных с ИИ, включая развёртывание генеративных моделей.

Платформа V5000, анонсированная около трёх месяцев назад, объединяет управляющие узлы Director Node формата 1U и гибридные узлы хранения на основе SSD и HDD. Применяется фирменная программная платформа Vdura Data Platform (VDP) v11 с параллельной файловой системой PFS.

Новые узлы F Node допускают установку 12 накопителей NVMe QLC вместимостью до 128 Тбайт каждый. Таким образом, суммарная «сырая» ёмкость узла достигает 1,536 Пбайт. В основу F Node положен процессор AMD EPYC 9005 Turin, функционирующий в тандеме с 384 Гбайт RAM. Задействован 400G-адаптер NVIDIA ConnectX-7 SmartNIC, обеспечивающий низкую задержку при передаче данных. Упомянуты три слота PCIe и один слот OCP 5.0.

Минимальная конфигурация системы V5000 на базе All-Flash включает по три узла Director Node и F Node, которые могут масштабироваться независимо друг от друга для достижения необходимой производительности и/или вместимости. Одна стойка 42U может содержать три узла Director Node и до 39 узлов F Node, что обеспечит 59,9 Пбайт «сырой» ёмкости.

Источник изображения: Vdura

В целом, как утверждается, возможно наращивание ресурсов до тысяч узлов F Node. Компания Vdura предлагает унифицированную высокопроизводительную инфраструктуру, которая способна поддерживать каждый этап жизненного цикла ИИ — от обучения модели до долгосрочного хранения данных.

Корпорация IBM анонсировала систему хранения FlashSystem C200 класса All-Flash, которая, как утверждается, предлагает оптимальный баланс цены, производительности и вместимости. Новинка может рассматриваться в качестве альтернативы платформам на основе HDD и гибридным решениям.

Устройство выполнено в форм-факторе 2U с двумя контроллерами. Задействованы в общей сложности 32 ядра Intel Xeon (модель процессоров не уточняется). Говорится о наличии 32 Гбайт «кеш-памяти». Установлены два блока питания неназванной мощности.

СХД базируется на накопителях FlashCore Modules (FCM) четвёртого поколения: задействованы проприетарные изделия IBM на чипах QLC NAND. Утверждается, что такие изделия обеспечивают в 5,5 раза больше циклов записи, чем стандартные QLC-накопители. В общей сложности в состав FlashSystem C200 включены 24 модуля FCM ёмкостью 46 Тбайт каждый. Это обеспечивает «сырую» вместимость в 1,1 Пбайт, тогда как эффективная ёмкость с учётом компрессии достигает 2,3 Пбайт. Заявленная задержка составляет 1–2 мс, показатель IOPS — до 200 тыс. Пропускная способность — до 23 Гбайт/с. Система оптимизирована для последовательных нагрузок.

Источник изображения: IBM

Система располагает восемью портами 10GbE. Опционально могут быть добавлены порты Ethernet в конфигурации 8 × 25/10GbE NVMe-TCP и Fibre Channel в конфигурации 16 × 32G FC/NVMe-FC. Кроме того, предусмотрен выделенный сетевой порт управления на основе разъёма RJ45.

FlashSystem C200 может применяться в составе многоуровневого хранилища. По заявлениям IBM, новая СХД обеспечивает 10-кратный прирост производительности по сравнению с решениями на базе HDD. При этом достигается снижение энергопотребления, а также повышение экономической эффективности благодаря сокращению капитальных затрат и расходов на техническое обслуживание. Новинка поступит в продажу 21 марта по цене $381 тыс.

Компания Exascend анонсировала SSD семейства PE4 в форм-факторе М.2 2280, способные хранить до 15,36 Тбайт информации. На сегодняшний день это самые вместительные изделия в своём классе. Устройства также доступны в форматах U.2 и E1.S.

В основу накопителей положены чипы флеш-памяти 3D TLC NAND, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 (NVMe 1.4). У стандартных (Standard) решений M.2 2280 заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3270 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2980 Мбайт/с. Величина IOPS на операциях произвольного чтения и записи блоками по 4 Кбайт — до 404 тыс. и 52 тыс. соответственно. Вместимость варьируется от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт.

Помимо стандартных SSD, серия PE4 М.2 2280 включает варианты Pro и Max. Первые используют чипы 3D TLC NAND, а их ёмкость варьируется от 240 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорость чтения/записи — до 3200/3005 Мбайт/с. Значение IOPS при чтении и записи составляет до 381 тыс. и 121 тыс. соответственно. Накопители Max, в свою очередь, построены на чипах pSLC, а их вместимость — от 240 Гбайт до 1,92 Тбайт. Скорость чтения и записи — до 3075 и 2980 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 436 тыс. и 173 тыс.

Источник изображения: Exascend

Решения типоразмера U.2 и E1.S также доступны в версиях Standard, Pro и Max. Их ёмкость варьируется от 960 Гбайт до 15,36 Тбайт. Скоростные показатели в целом сопоставимы с таковыми у решений М.2 2280.

Все SSD могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +70 °C. Значение MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2 млн часов. Говорится о поддержке TCG Opal 2.01, шифрования AES-256, а также аппаратной функции Power Loss Protection (PLP), которая отвечают за сохранность информации при внезапном отключении питания. Производитель предоставляет на изделия пятилетнюю гарантию.

Компания SanDisk, по сообщению Tom's Hardware, поделилась планами по выпуску SSD большой вместимости для ЦОД. Речь идёт о накопителях, выполненных на фирменной платформе UltraQLC. В частности, SanDisk в ближайшие годы намерена создать устройство ёмкостью 1 Пбайт.

Платформа UltraQLC состоит из нескольких ключевых компонентов. Это память Sandisk BICS 8 QLC 3D NAND (четыре бита информации в ячейке), передовой контроллер с 64 каналами NAND, а также встроенное ПО.

По сути, именно кастомизированный контроллер является центральным элементом UltraQLC. Он содержит аппаратные ускорители, оптимизированные для определённых задач. Эти ускорители берут на себя отдельные функции прошивки, благодаря чему сокращается задержка, повышается пропускная способность и улучшается общая надёжность, что особенно важно в случае формирования гипермасштабируемых массивов хранения данных.

Источник изображений: SanDisk

Контроллер также динамически регулирует энергопотребление в зависимости от текущей рабочей нагрузки, обеспечивая оптимальную энергоэффективность. Упомянут усовершенствованный мультиплексор шины, который позволяет полностью задействовать все каналы NAND без ущерба для быстродействия.

В текущем году SanDisk выпустит накопитель UltraQLC DC SN670 вместимостью 128 Тбайт. Это устройство использует интерфейс PCIe 5.0 (NVMe). Утверждается, что по сравнению с лучшими SSD на основе памяти QLC, которые сейчас доступны на рынке, новинка обеспечит рост производительности на 68 % при произвольном чтении и на 55 % при произвольной записи. При последовательных чтении и записи прибавка заявлена на уровне 7 % и 27 % соответственно.

На 2026 год SanDisk наметила выпуск накопителя UltraQLC, способного хранить 256 Тбайт информации. В 2027-м ожидается появление варианта вместимостью 512 Тбайт. После этого выйдет модель на 1 Пбайт: точная дата анонса такого SSD не называется, но, по всей видимости, произойдёт это до конца текущего десятилетия.

Компания Swissbit анонсировала SSD семейства A1200, рассчитанные на использование в коммерческом и индустриальном сегментах. Изделия подходят для таких задач, как автоматизация, робототехника, аналитика данных, периферийные вычисления и пр. Накопители выполнены в форм-факторе М.2 2280 на основе чипов флеш-памяти 3D eTLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 х4 (NVMe 1.4). Устройства способны выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет.

В серию вошли модели вместимостью 480 Гбайт, 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1800 Мбайт/с. Величина IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 800 тыс. при произвольном чтении и до 60 тыс. при произвольной записи. Реализована поддержка TCG Opal 2.0 и шифрования AES-256, а также функции безопасного удаления информации Crypto Erase.

Источник изображения: Swissbit

Накопители используют фирменную технологию Swissbit powersafe с высококачественными танталовыми конденсаторами, которая обеспечивает защиту от сбоев питания и гарантирует целостность данных даже в условиях нестабильного энергоснабжения. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Кроме того, компания Swissbit предложит изделия A1000 с аналогичными техническими характеристиками: эти SSD могут эксплуатироваться при температурах от -25 до +85 °C. Все накопители будут предлагаться в модификациях с радиатором охлаждения и без такового.

Компания Cervoz анонсировала SSD семейства T445 индустриального класса: накопители, как утверждается, подходят для шлюзов IoT, промышленных компьютеров, систем автоматизации и пр. При этом изделия могут эксплуатироваться в широком температурном диапазоне.

Новинки выполнены в форм-факторе M.2 2280. Их особенностью разработчик называет одностороннюю компоновку: все основные компоненты, такие как чипы флеш-памяти 3D TLC NAND, контроллер и схема управления питанием, расположены на одной стороне накопителя. По сравнению с традиционным «двухсторонним» дизайном толщина уменьшается на 1,35 мм. Кроме того, расширяются возможности по отводу тепла. Это делает устройства T445 подходящими для применения в условиях жёстко ограниченного пространства.

Источник изображения: Cervoz

Накопители используют интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 2.0). В семейство входят модели вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации составляет до 5080 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 4740 Мбайт/с. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) варьируется от 469 до 3750 Тбайт в зависимости от ёмкости.

Изделия доступны в двух вариантах исполнения — со стандартным и с расширенным температурным диапазоном: в первом случае он простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C. Реализованы сквозная защита данных End-to-End Data Protection и технология улучшения производительности SLC Write Cache. Инструмент Dynamic Thermal Throttling помогает повысить срок службы. Опционально предлагается функция защиты от записи Write Protect.