Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Компания Samsung Electronics возрождает технологию памяти Z-NAND после семилетнего перерыва, позиционируя её как высокопроизводительное решение для ИИ-нагрузок. По данным DigiTimes, следующее поколение памяти Z-NAND получит 15-кратное увеличение производительности по сравнению с современными NVMe SSD и даст возможность ускорителю возможность напрямую обращаться к накопителю Z-NAND с минимальными задержками.

Как пишет Tom's Hardware, исполнительный вице-президент Samsung по производству памяти сообщил, что при значительном росте производительности с помощью технологии Z-NAND энергопотребление накопителей будет на 80 % ниже по сравнению с традиционной флеш-памятью NAND. Кроме того, в новом поколении упор сделан на минимизацию задержек. Для этого Samsung внедряет новую технологию GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), которая позволит ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM, тем самым значительно сокращая время доступа.

Samsung представила технологию Z-NAND в 2016 году в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint (Optane). Вышедший в 2018 году твердотельный накопитель Samsung 983 ZET на базе 64-слойной SLC 3D V-NAND предлагал значительно более низкую задержку и высокие скорости в сравнении с обычными NVMe SSD. По производительности он вплотную приблизился к Intel Optane SSD 900P. Обе технологии фактически относятся к SCM (Storage Class Memory), хотя только Intel предлагала PMem-модули в виде DIMM. Однако в итоге разработку 3D XPoint последняя (вместе с Micron) забросила, да и Samsung, ответив выпуском Z-SSD на появление Optane, решила свою технологию не развивать.

Примерно в то же время Kioxia (тогда ещё Toshiba) представила свой вариант сверхбыстрой SLC NAND — XL-Flash. Её она тоже довольно долго особенно не развивала, но планирует уже в следующем году представить XL-Flash SSD с переработанным контроллером, который обеспечит более 10 млн IOPS, особенно на небольших транзакциях. Для точной настройки SSD с целью повышения производительности при запуске ресурсоёмких ИИ-приложений компания сотрудничает с ведущими производителями ускорителей. Phison также предлагает eSLC-накопители PASCARI с технологией aiDAPTIV+. SLC-накопители также есть у Solidigm и Micron.

Впрочем, широкая востребованность Z-SSD может оказаться под вопросом. Уже анонсированы быстрые SSD с интерфейсом PCIe 6.0. CXL же позволяет относительно недорого наращивать объём памяти, хотя и в ущерб задержкам. Так что Samsung придётся сделать новые Z-SSD не только быстрыми, но и экономически эффективными.

Компания SanDisk анонсировала NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, разработанный для удовлетворения растущих потребностей в ИИ-системах и ресурсоёмких вычислениях. Новинка позиционируется как решение для крупномасштабных приложений — таких, как озёра данных ИИ, высокоскоростной приём данных и аналитика в реальном времени, — где требуется масштабный и быстрый доступ к информации. А в скором времени компания обещает создать накопитель ёмкостью 1 Пбайт.

Созданный на недавно анонсированной платформе UltraQLC, твердотельный накопитель SanDisk UltraQLC SN670 будет доступен в вариантах ёмкостью 256 и 128 Тбайт. В нём используется 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллом CBA (CMOS Direct Bonded to Array) объёмом 2 Тбит и контроллер с интерфейсом PCIe 5.0. Аналогичные чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA установлены в 245,76-Тбайт SSD компании Kioxia, производственного партнёра SanDisk.

Источник изображения: SanDisk

Используемая в SanDisk UltraQLC SN670 технология Direct Write QLC, позволяет обходиться без традиционной буферизации SLC, осуществляя безопасную запись непосредственно на слои QLC без потерь при отключении питания. Как отметил ресурс Blocks & Files, обычно это приводит к снижению производительности по сравнению с аналогичными накопителями, использующими кеш SLC, если только не используются дополнительные усовершенствования для ускорения процесса.

Функция динамического масштабирования частоты (Dynamic Frequency Scaling) обеспечивает рост производительности до 10 % при заданном уровне энергопотребления. Для поддержания пропускной способности и долговечности при экстремальных объёмах записи в SN670 используется масштабируемый многоядерный контроллер. Обновлённый профиль Data Retention (DR) позволяет сократить число циклов обновления данных на 33 %, что повышает надёжность накопителя и снижает энергопотребление.

Обе версии накопителя SanDisk UltraQLC SN670 объёмом 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в форм-факторе U.2 в I половине 2026 года. Ожидается, что в течение года появятся и другие форм-факторы. Если SN670 будет готов к апрелю 2026 года, это, по мнению Blocks & Files, означает, что на доработку накопителя потребуется ещё около восьми месяцев. Вероятно, именно поэтому компания пока не раскрывает информацию о производительности и надёжности — накопитель и контроллер, по всей видимости, ещё не прошли финальное тестирование.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серий 6600 ION, 7600 и 9650 для дата-центров и систем корпоративного класса. Новинки, подходящие в том числе для ресурсоёмких нагрузок ИИ, предлагаются в различных форм-факторах — U.2, E1.S и E3.S.

Изделия Micron 6600 ION оптимизированы для сред, в которых постоянно генерируются и обрабатываются большие массивы данных: это может быть, например, инфраструктура интернета вещей (IoT). Устройства выполнены на основе флеш-чипов G9 QLC NAND, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны исполнения E3.S 1T и U.2.

В семейство Micron 6600 ION входят модификации вместимостью 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. В I половине 2026 года появится вариант ёмкостью 245 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении блоков данных по 4 Кбайт составляет до 2 млн, при произвольной записи — до 100 тыс. Показатель надёжности достигает 1 DWPD (полная перезапись в сутки) при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 DWPD при случайном доступе.

Источник изображений: Micron

Накопители серии Micron 7600, в свою очередь, подходят для задач ИИ. Устройства выпускаются в форматах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). Применены чипы флеш-памяти G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательных чтения и записи — до 12 000 и 7000 Мбайт/с соответственно.

Покупатели смогут выбирать между модификациями Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. В первом случае вместимость варьируется от 1,92 до 15,36 Тбайт, а надёжность находится на уровне 1 DWPD (на протяжении пяти лет). Величина IOPS — до 2,1 млн при чтении и до 400 тыс. при записи. В случае Micron 7600 Max ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт, показатель DWPD равен 3. Значение IOPS — до 2,1 млн при произвольном чтении и до 675 тыс. при произвольной записи. Micron заявляет о задержке менее 1 мс при 99,9999 % операций.

Изделия Micron 9650 специально разработаны для обучения ИИ-моделей, инференса в режиме реального времени и других задач, при которых критическое значение имеют производительность и стабильная пропускная способность. Устройства в форм-факторах E3.S и E1.S оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0). Используются чипы флеш-памяти G9 TLC NAND. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на уровне 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — 14 000 Мбайт/с. Устройства E1.S допускают применение жидкостного охлаждения.

Серия включает версии Micron 9650 Pro (1 DWPD) и Micron 9650 Max (3 DWPD) вместимостью 7,68–30,72 и 6,4–25,6 Тбайт соответственно. Показатель IOPS при произвольном чтении достигает 5,5 млн, при произвольной записи — 1,1 млн у Pro и 1,5 млн у Max.

Максимальное энергопотребление у всех представленных изделий находится на уровне 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) — 2,5 млн часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки устройств Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а SSD серии Micron 6600 ION выйдут позднее в текущем квартале. 

Инициатива Open Flash Platform (OFP) призвана полностью пересмотреть работу с флеш-памятью в ИИ ЦОД. Участники OFP — Hammerspace, Linux Foundation, Лос-Аламосская национальная лаборатория (LANL), ScaleFlux, SK hynix и Xsight Systems — намерены отказаться от традиционных All-Flash хранилищ и контроллеров. Вместо них предложено использовать флеш-картриджи с минимумом аппаратной начинки, а доступ к таким массивам предоставлять посредством DPU и pNFS.

Как отмечено в пресс-релизе, OFP отвечает многим фундаментальным требованиям, возникающим в связи со следующим этапом развития СХД для ИИ. Для ИИ требуются поистине огромные массивы данных, но вместе с тем ЦОД сталкиваются с дефицитом энергии, повышением температуры и недостатком свободного места. Именно поэтому в OFP решили, что инфраструктуры хранения для ИИ лучше разработать с чистого листа.

Если 10 лет назад технология NVMe вывела флеш-память на новый уровень производительности благодаря отказу от устаревших шин данных и контроллеров, то теперь OFP обещает раскрыть возможности флеш-памяти, исключив посредников в виде серверов хранения и проприетарных программных стеков. OFP же опирается на открытые стандарты и open source решения, в частности, Parallel NFS (pNFS) и стандартный Linux, для размещения флеш-памяти непосредственно в SAN. А отказ от традиционных СХД обеспечит на порядок большую плотность размещения данных, существенную экономию энергии и значительно более низкую совокупную стоимость владения.

Источник изображения: openflashplatform.org

OFP отметила, что существующие решения изначально привязаны к модели сервера хранения, которая требует чрезмерных ресурсов для повышения производительности и возможностей. Конструкции всех современных поставщиков AFA не оптимизированы для достижения максимальной плотности размещения флеш-памяти и привязаны к сроку службы CPU (обычно пять лет), тогда как срок службы флеш-памяти в среднем составляет восемь лет. Эти серверы хранения также предлагают проприетарные структуры и уровни хранения данных, что приводит к увеличению количества копий данных и добавлению расходов на лицензирование для каждого узла.

Комментируя инициативу, ресурс Blocks & Files отметил, что Pure Storage и другие поставщики AFA уже предлагают оптимизированные схемы лицензирования и подписки, в том числе с обновлением контроллеров и дисковых полок. Та же Pure Storage предлагает более высокую плотность хранения, чем многие другие поставщики, хотя и использует проприетарные решения. Поддержкой DPU тоже удивить нельзя. Например, VAST Data уже поддерживает работу своего ПО на NVIDIA BlueField-3. А большинство поставщиков флеш-массивов и так поддерживают RDMA и GPUDirect.

OFP выступает за открытый, основанный на стандартах подход, включающий несколько основных элементов:

• Флеш-устройства на основе QLC (но не только) для повышения плотности. Закупки не должны быть привязаны к одном поставщику (впрочем, сейчас на рынке именно такая ситуация).
• IPU/DPU, которые стали достаточными зрелыми, чтобы заменить гораздо более требовательные процессоры для обслуживания данных. Более низкая стоимость и энергопотребление означают гораздо более высокую эффективность для сервисов обработки данных.
• Картриджи OFP, которые включают всё необходимое оборудование для хранения и обслуживания данных в форм-факторе, оптимизированном для низкого энергопотребления и повышения плотности размещения флеш-памяти.
• Шасси OFP, которые вмещают несколько картриджей OFP и обеспечивают распределение питания и возможность монтажа в различные типы стоек.
• Linux в качестве основной программной платформы со стандартной реализацией NFS (но это и так индустриальный стандарт).

Благодаря использованию открытых архитектур и компонентов, соответствующих отраслевым стандартам, реализация OFP приведёт к значительному повышению эффективности хранения данных, утверждают основатели инициативы. Так, обещано десятикратное увеличение плотности размещения данных, что позволит «упаковать» в одну стойку 1 Эбайт, попутно снизив энергопотребление на 90 %, увеличив срок службы флеш-памяти на 60 % и уменьшив совокупную стоимость владения (TCO) на 60 % по сравнению со стандартными массивами хранения.

По мнению Blocks & Files, в текущем виде OFP выглядит скорее как маркетинговая инициатива, от которой в первую очеред выиграют её участники. Концепция же «сетевых» SSD сама по себе не нова. Весной Kioxia показала SSD с «оптикой». Да, тут речь идёт скорее о блочном доступе и NVMe-oF, но, например, Nimbus Data в прошлом году представила ExaDrive EN с поддержкой NFS.

Компания Kioxia анонсировала первый в отрасли твердотельный накопитель NVMe, способный вместить 245,76 Тбайт информации. Устройство, вошедшее в семейство LC9, рассчитано прежде всего на рабочие нагрузки, связанные с генеративным ИИ.

SSD серии LC9 дебютировали в марте нынешнего года. Их основой служат чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Задействован неназванный проприетарный контроллер, совместимый с NVMe 2.0. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 x4 (с поддержкой двух портов).

Изначально в семействе LC9 были представлены решения в формате U.2 вместимостью до 122,88 Тбайт. Теперь максимальная ёмкость таких устройств увеличилась в два раза — до 245,76 Тбайт. Кроме того, в серии LC9 появились изделия типоразмера EDSFF E3.L на 245,76 Тбайт, а также EDSFF E3.S на 122,88 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Скорость последовательного чтения достигает 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 3 Гбайт/с. Это не самые высокие показатели для SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 5.0, но в данном случае Kioxia пришлось пойти на компромисс с целью достижения рекордной вместимости. Величина IOPS на операциях произвольного чтения составляет до 1,3 млн IOPS, на операциях произвольной записи — до 50 тыс. Накопители рассчитаны на 0,3 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD).

SSD поддерживают ряд функций для повышения надёжности и обеспечения целостности данных. Это средства защиты от внезапного отключения питания (PLP), технология FDP (Flexible Data Placement) для повышения долговечности, инструмент управления ошибками на основе контроля четности и пр. Реализованы шифрование AES-256 и алгоритмы постквантовой криптографии, устойчивые к атакам будущих квантовых компьютеров.

Компания Exascend анонсировала новый SSD серии PE4 для периферийных систем хранения данных — устройство вместимостью 30,72 Тбайт. Утверждается, что это первый в отрасли накопитель такой ёмкости, выполненный в формате U.2 с толщиной корпуса 7 мм. Кроме того, дебютировала модель на 23,04 Тбайт.

Новинки выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3395 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3355 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 375 000, при произвольной записи — до 61 000.

По заявлениям Exascend, новые SSD снижают требования к пространству в стойке на 50 % по сравнению с накопителями толщиной 15 мм. При этом система типоразмера 1U может обеспечить до 737 Тбайт пространства в конфигурации 24 × 30,72 Тбайт. Отмечается также, что устройства позволяют снизить энергопотребление на 50–70 % по сравнению с альтернативными продуктами. В активном режиме показатель составляет менее 9,1 Вт, в режиме ожидания — менее 1,9 Вт.

Источник изображения: Exascend

Накопители могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +70 °C. Они способны выдерживать до 0,6 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD) на протяжении пяти лет. Значение TBW достигает 33 280 Тбайт, величина MTBF (средняя наработка на отказ) — 2 млн часов. Реализована поддержка TCG Opal 2.01 и AES-256. Аппаратные и программные средства Power Loss Protection (PLP) отвечают за сохранность данных при внезапном отключении питания. Стабильность производительности достигается благодаря интеллектуальной системе терморегулирования, оптимизированному размещению контроллера и специальной конструкции корпуса, обеспечивающей эффективное рассеивание тепла.

Компания Team Group выпустила SSD серии P250Q, о подготовке которых сообщалось в марте нынешнего года. Особенностью новинок является аппаратная система самоуничтожения One-Click Data Destruction, которая гарантирует полное удаление хранящейся информации без возможности восстановления.

В устройствах реализована запатентованная технология, основанная на использовании независимой электрической цепи для стирания данных на аппаратном уровне: осуществляется это путём непосредственного воздействия на чипы флеш-памяти. Для активации функции может использоваться специальная физическая кнопка: в зависимости от продолжительности нажатия на неё запускаются различные режимы уничтожения информации, а о ходе процесса информируют светодиодные индикаторы.

Кроме того, предусмотрена интеллектуальная программная система автоматического возобновления процесса самоуничтожения на случай внезапного отключения питания. Таким образом, даже если выключить компьютер или извлечь накопитель после активации функции удаления, стирание данных будет завершено после восстановления подачи питания.

Источник изображения: Team Group

SSD семейства P250Q выполнены в формате М.2 2280 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Применены чипы флеш-памяти 3D TLC NAND. В семейство входят модели вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 5500 Мбайт/с. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Производитель предоставляет на накопители трёхлетнюю гарантию. Новинки ориентированы на использование в оборонном секторе, индустриальной сфере и в других областях, где требуется повышенный уровень конфиденциальности и защиты данных.

Компания DapuStor пополнила семейство SSD для дата-центров J5060 моделью вместимостью 122,88 Тбайт. Устройство выполнено в форм-факторе U.2 толщиной 15 мм, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов.

Как и другие представители серии J5060, новинка построена на флеш-чипах 3D QLC NAND корпоративного класса. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 7,3 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 2,8 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 1,5 млн, при произвольной записи блоками по 32 Кбайт — до 15 тыс.

Накопитель рассчитан на 0,5 полных перезаписи в сутки (0,5 DWPD), а величина MTBF (средняя наработка на отказ) указана на уровне 2 млн часов. Максимальное энергопотребление составляет менее 25 Вт под нагрузкой и 5 Вт в режиме ожидания. Производитель предоставляет на накопители пятилетнюю гарантию.

Источник изображения: DapuStor

Компания DapuStor отмечает, что при формировании хранилищ общей ёмкостью 10 Пбайт применение SSD на 122,88 Тбайт обеспечит снижение совокупной стоимости владения (TCO) до 35 % на протяжении пяти лет по сравнению с HDD вместимостью 24 Тбайт.

Нужно отметить, что SSD объёмом 122,88 Тбайт, выполненные на основе флеш-памяти QLC NAND, уже есть в ассортименте других компаний. В частности, Solidigm в ноябре прошлого года анонсировала устройства D5-P5336 (PCIe 4.0) с такой ёмкостью, которые доступны в вариантах U.2 (15 мм) и E1.L. Кроме того, аналогичные изделия представила Phison: устройства вошли в семейство Pascari D205V (PCIe 5.0). А Kioxia в марте текущего года выпустила SSD серии LC9 ёмкостью до 122,88 Тбайт в формате U.2 (PCIe 5.0).

Компания MiPhi Semiconductors, совместное предприятие между индийской Micromax Informatics и тайваньской Phison Technology, по сообщениям сетевых источников, организовала в Индии производство первых в стране SSD корпоративного класса.

Отмечается, что накопители ориентированы на дата-центры, платформы HPC, облачную инфраструктуру и критически важные корпоративные системы. Начало выпуска таких SSD знаменует собой значительный шаг на пути Индии к технологической самодостаточности.

Какие именно накопители MiPhi Semiconductors изготавливает на индийском предприятии, не уточняется. На сайте компании приводятся технические характеристики семи семейств SSD корпоративного класса: MP-SA50V, MP-SA50P, MP-SA50E и MP-BA50P с интерфейсом SATA-3, а также изделия MP-D100P, MP-X100P и MP-X100E с интерфейсом PCIe 4.0 x4. Все устройства построены на чипах флеш-памяти 3D TLC. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Изделия MP-SA50V, MP-SA50P и MP-SA50E выполнены в SFF-формате, MP-BA50P — М.2 2280. Скорость последовательного чтения информации у всех этих моделей достигает 530 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 500 Мбайт/с. Вместимость в зависимости от варианта исполнения варьируется от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт (см. таблицу ниже).

Источник изображения: MiPhi Semiconductors

Решения MP-D100P доступны в вариантах M.2 2280/22110 ёмкостью от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорости чтения и записи — до 6000 и 1800 Мбайт/с. Наконец, накопители MP-X100P и MP-X100E стандарта U.2/U.3 обладают вместимостью соответственно до 30,72 Тбайт и 25,6 Тбайт. У них скорость чтения составляет до 7000 Мбайт/с, скорость записи — до 6800 Мбайт/с.