Материалы по тегу: nand
22.02.2023 [13:35], Сергей Карасёв
Надёжные и ёмкие: Exascend представила индустриальные SSD PI3 c расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °CКомпания Exascend анонсировала SSD серий PE3 и PI3, рассчитанные на использование в сферах транспорта, телекоммуникаций, периферийных вычислений, а также в системах хранения корпоративного уровня. Изделия выполнены на основе флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 (NVMe 1.2). Семейство PE3 включает модели Streaming, Pro и Max в форматах U.2 и М.2 2280, а также Boot стандарта М.2 2280. Все они рассчитаны на работу при температуре от 0 до +40 °C. Показатель MTBF достигает 2 млн часов; гарантия производителя — пять лет. Изделия Streaming имеют вместимость от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения и записи информации достигает 3500 Мбайт/с. Показатель IOPS (количество операций ввода/вывода в секунду) — до 700 000 при произвольном чтении и до 95 000 при произвольной записи. Величина DWPD (полных перезаписей в сутки) равна 0,6. Накопители Pro и Max имеют ёмкость соответственно от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт и от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт. В первом случае значение DWPD составляет 1,5, во втором — 5. Скорость последовательного чтения у всех устройств достигает 3100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1600 Мбайт/с. Показатель IOPS — до 700 000 при произвольном чтении и до 65 000 при произвольной записи. Решения Boot имеют вместимость 240–960 Гбайт и величину DWPD, равную 1. Скорость чтения и записи — до 3200 Мбайт/с и 2000 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 700 000 при произвольном чтении и до 30 000 при произвольной записи. Накопители серии PI3, в свою очередь, обладают расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они представлены в версиях ёмкостью от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи достигает 3500 Мбайт/с. Показатель IOPS — до 310 000 при произвольном чтении и до 245 000 при произвольной записи. Показатель MTBF равен 2 млн часов; гарантия — три года.
08.02.2023 [15:47], Алексей Степин
NetApp представила новые недорогие флеш-хранилища AFF C-Series на базе QLC NANDИзвестный производитель систем хранения данных, компания NetApp, анонсировала новую серию доступных флеш-хранилищ AFF C-Series, а также новое решение начального уровня AFF A150. AFF C-Series целиком базируется на использовании QLC SSD, что позволяет говорить о достаточно невысокой для решений подобного класса стоимости. Однако технически это весьма серьёзные СХД, могущие предложить заказчику от 35 до 106 Пбайт эффективной ёмкости. Младшая модель, AFF C250, использует 2U-контроллер c 24 слотами под SSD и 4 слотами расширения PCIe. C400 и C800 базируются на 4U-контроллерах, причём у C800 шасси включает 48 отсеков для SSD. Все три модели масштабируются в пределах от 2 до 24 узлов, максимальное же количество накопителей в системе составляет 576, 1152 и 1728 для C250, C400 и C800 соответственно. В качестве интерфейсов поддерживается как FC32, так и различные варианты Ethernet. При этом даже младшая модель имеет 4 порта 100GbE. ![]() Источник изображений здесь и далее: NetApp Новые массивы работают под управлением NetApp ONTAP 9 и поддерживают протоколы NVMe/FC, NVMe/TCP, FibreChannel, iSCSI, NFS, pNFS, CIFS/SMB и S3. При необходимости дисковое пространство можно расширить с помощью полок NS224 (2U, 24 отсека для NVMe SSD). В качестве хост-систем могут выступать ОС Windows Server 2012/2016, Linux, Oracle Solaris, AIX, HP-UX, macOS, VMware ESXi. Несколько особняком стоит AFF A150: это решение начального уровня для региональных офисов. Как и решения серии C, оно поддерживает как NVMe/FC, так и NVMe/TCP. Система также может расширяться до 864 накопителей с эффективным общим объёмом 26 Пбайт, но дисковые полки здесь используются другие — DS224C (24 отсека 2,5″ SFF); также имеется поддержка SAS-3. ![]() Решения NetApp на базе флеш-памяти компактнее гибридных массивов, потребляют меньше энергии и обходятся дешевле Одновременно с выпуском новых флеш-хранилищ NetApp представила и новые программы сопровождения своих продуктов — NetApp Advance и Storage Lifecycle Program. В рамках Storage Lifecycle Program возможно обновление контроллеров каждые 3, 4 или 5 лет, а также замена устаревших накопителей без доплаты за тот же объём данных. Также NetApp предоставляет гарантию 4:1 SAN Storage Efficiency. Если заявленная эффективность хранения данных не достигается, то NetApp исправит это всеми необходимыми средствами без необходимости дополнительной оплаты со стороны заказчика.
11.01.2023 [17:03], Сергей Карасёв
Memblaze выпустила серверные SSD PBlaze6 6930: U.3, до 30,72 Тбайт, PCIe 4.0 и 3D eTLC NANDКомпания Memblaze анонсировала SSD серий PBlaze6 6930 и PBlaze6 6936 для дата-центров. Изделия выполнены в форм-факторе U.3, а для обмена данными применяется интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D eTLC NAND. Семейство PBlaze6 6930 включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. У младшей скорость последовательного чтения составляет до 7,0 Гбайт/с, у двух других — до 7,1 Гбайт/с. Скорость последовательной записи во всех случаях — до 7,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при чтении равен соответственно 1 600 000, 1 600 000 и 1 500 000, при записи — 340 000, 420 000 и 360 000. Накопители рассчитаны на 1,5 полных перезаписи в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет. ![]() Источник изображения: Memblaze Изделия PBlaze6 6936 доступны в модификациях на 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. Скоростные характеристики и величина IOPS при чтении аналогичны решениям PBlaze6 6930. Что касается значения IOPS при записи, то оно достигает соответственно 660 000, 680 000 и 650 000. Показатель DWPD — 3,3 на протяжении пяти лет. Все накопители поддерживают шифрование AES-256 и функцию безопасного уничтожения данных Crypto Erase. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Средняя наработка на отказ (MTBF) заявлена на уровне 2 млн часов. Энергопотребление не превышает 25 Вт. Более подробную информацию о новинках можно найти на этой странице.
10.01.2023 [15:20], Сергей Карасёв
Micron представила серверные NVMe SSD серии 9400: U.3, 30,72 Тбайт и PCIe 4.0Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 9400 NVMe для дата-центров, на базе которых решаются задачи, связанные с ИИ, машинным обучением и высокопроизводительными вычислениями. Дебютировали изделия семейств 9400 PRO и 9400 MAX. Все новинки выполнены в SFF-формате U.3 толщиной 15 мм. Применены 176-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Семейство 9400 PRO включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 1 600 000, при записи — до 300 000 (значения для конкретных моделей приведены в таблице ниже). Накопители рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (DWPD). ![]() Источник изображений: Micron Technology Изделия 9400 MAX, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. У них скорость последовательного чтения и записи также составляет до 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении достигает 1 600 000, при записи — 600 000. Значение DWPD равно трём. У всех новинок средняя наработка на отказ (MTTF) заявлена на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление варьируется от 14 до 25 Вт. Гарантия производителя составляет пять лет. Более подробно с характеристиками накопителей можно ознакомиться здесь.
09.12.2022 [13:25], Сергей Карасёв
Exascend представила индустриальные SSD серий SI3 и SE3 вместимостью до 7,68 ТбайтКомпания Exascend анонсировала SSD семейств SI3 и SE3 на основе чипов флеш-памяти 3D TLC. Изделия используют интерфейс SATA-3, а вместимость варьируется от 120 Гбайт до 7,68 Тбайт. Новинки доступны в разных форм-факторах — М.2 и SFF. Накопители серии SI3 отличаются расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они подходят для таких областей, как телекоммуникации, периферийные вычисления, аэрокосмические и транспортные системы. Устройства предлагаются в вариантах исполнения M.2 2280, 2260, 2242, а также mSATA и SFF. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 535 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 85 000, при произвольной записи — до 70 000. ![]() Источник изображений: Exascend Решения семейства SE3 (М.2 2280 и SFF), в свою очередь, оптимизированы под корпоративные нагрузки. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Скорость последовательного чтения и записи — до 550 и 535 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS в зависимости от модификации варьируется от 80 000 до 95 000 при чтении и от 16 000 до 50 000 при записи. ![]() Для устройств заявлена поддержка TCG Opal, шифрования AES-256, средств управления питанием Power Tuning и технологии оптимизации производительности SuperCruise. Величина MTBF достигает 2 млн часов. На накопители серий SI3 и SE3 предоставляется гарантия сроком три и пять лет соответственно.
30.11.2022 [12:14], Сергей Карасёв
SMART Modular выпустила серверные SSD DC4800 в форматах U.2 и E1.S ёмкостью до 7,68 ТбайтКомпания SMART Modular Technologies анонсировала накопители семейства DC4800, предназначенные для дата-центров, систем периферийных вычислений, гиперконвергентных инфраструктур и оборудования корпоративного класса. Новинки будут доступны в вариантах исполнения U.2 и E1.S. В основу изделий, как утверждается, положены инновационный контроллер и ПО с улучшенной архитектурой. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC; обмен данными осуществляется через интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). В серию вошли модели вместимостью 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4600 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении и записи данных по 4 Кбайт — до 1 490 000 и 180 000 соответственно. Задержка при произвольном чтении равна 80 мкс, при произвольной записи — 15 мкс. ![]() Источник изображения: SMART Modular Technologies Говорится о соответствии стандарту Open Compute Project (OCP) 1.0, поддержке TCG Opal 2.0 и о возможности шифрования данных по алгоритму AES с 256-битным ключом. Значение MTBF превышает 2 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Энергопотребление в активном режиме составляет менее 13 Вт. Более подробную информацию о накопителях можно найти на этой странице.
22.11.2022 [14:34], Сергей Карасёв
Qsan представила фирменные SSD SD4: U.3, PCIe 4.0 x4, два порта и ёмкость до 15,36 ТбайтКомпания Qsan Technology анонсировала твердотельные накопители серии SD4: эти двухпортовые SFF-устройства NVMe 1.4 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 выполнены в форм-факторе U.3 с толщиной корпуса 15 мм. Они подходят для применения в All-Flash СХД, например, XCubeFAS 3126. В накопителях задействована память SK Hynix V6 3D eTLC. В семейство вошли модели вместимостью 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Все они могут выдерживать одну полную перезапись в сутки (величина DWPD). Заявленная скорость последовательного чтения информации у новинок достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6800 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет 1 600 000, при произвольной записи — 170 000 у младшей модели и 180 000 у двух других. ![]() Изображение: QSAN Средняя заявленная наработка на отказ — 2,5 млн часов. Устройства имеют размеры 69,85 × 100,1 × 14,65 мм и весят около 200 г. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Максимальное энергопотребление при последовательной записи варьируется от 17,9 до 20,1 Вт. ![]() Изображение: QSAN Упомянутое двухконтроллерное (Active-Active) хранилище XCubeFAS 3126 наделено процессором Intel Xeon с шестью ядрами, 16 Гбайт оперативной памяти DDR4 (расширяется до 384 Гбайт) и 26 отсеками для SFF-накопителей с фронтальным доступом. Система выполнена в формате 3U и снабжена двумя блоками питания. СХД подходит для ИИ-приложений, задач HPC и пр.
14.10.2022 [11:38], Сергей Карасёв
Swissbit представила серверные SSD серии N4200: 7,68 Тбайт, U.3 и PCIe 4.0Европейская компания Swissbit AG анонсировала твердотельные накопители N4200, специально разработанные для центров обработки данных (ЦОД). Утверждается, что по сравнению с обычными SSD новинки обеспечивают увеличение постоянной скорости записи в 2–5 раз и повышение долговечности в два раза. Пока что в серии есть только 7,68-Тбайт модель, но готовится и вариант ёмкостью 15,36 Тбайт. Решения выполнены в форм-факторе U.3 (100,4 × 69,9 × 14,8 мм) с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Используется флеш-память 3D NAND eTLC, дополненная буфером DDR4 DRAM. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4000 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт — до 800 000, при произвольной записи — до 130 000. ![]() Источник изображения: Swissbit Показатель MTBF превышает 2 млн часов. Устройства могут выдерживать от одной до трёх (в зависимости от конфигурации) полных перезаписей в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление составляет 16,3 Вт. Среди прочего упомянуты механизмы QoS, оптимизированная под высокие нагрузки архитектура, средства защиты от перегрева и потери питания, функция безопасного уничтожения данных Crypto Erase и т.д.
11.10.2022 [23:18], Алексей Степин
Samsung разрабатывает память GDDR7 для HPC и ЦОД нового поколенияНа ежегодной конференции Samsung Tech Day 2022 компания раскрыла свои планы относительно новинок в сфере памяти NAND и DRAM. Новые чипы по классификации Samsung относятся к поколению 1b — пятому поколению DRAM-устройств, использующих технологические процессы класса 10 нм. Корпорация намеревается развернуть массовое производство таких микросхем уже в 2023 году. Одновременно ведётся разработка новых технологий и материалов (в частности, диэлектриков класса High-K), позволяющих выйти за рамки 10-нм техпроцессов для чипов DRAM. ![]() Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли. Источник изображения: news.samsung.com В будущий спектр решений памяти нового поколения войдут кристаллы DDR5 ёмкостью 32 Гбит, экономичные чипы LPDDR5X с производительностью 8,5 Гбит/с на контакт и сверхскоростные микросхемы GDDR7 с невиданной ранее для этого типа памяти скоростью 36 Гбит/с на контакт. Для сравнения, GDDR6X на борту новейших ускорителей NVIDIA GeForce GTX 4090 работают на скорости всего 21 Гбит/с. Столь быстрая память будет востребована в ЦОД нового поколения, суперкомпьютерах и кластерных системах, а также в игровой индустрии как видеопамять графических ускорителей и консолей следующих поколений. Экономичные и вместе с тем ёмкие решения, созданные с использованием новых техпроцессов, найдут своё место в мобильных устройствах и на рынке автономных транспортных средств. ![]() Модули Samsung AXDIMM. Источник изображения: news.samsung.com Но Samsung уделяет пристальное внимание и другим, более специализированным типам памяти, в частности, вычислительной памяти HBM-PIM (Processing-in-Memory) и AXDIMM с ускорителями на борту, а также продвижению стандарта CXL, который позволит достичь нового уровня дезагрегации инфраструктуры. За прошедшие 40 лет работы в области выпуска микросхем памяти общий их объём, произведенный компанией, достиг 1 трлн Гбайт, причем половина этого объёма выпущена за последние 3 года. Также Samsung рассказала о восьмом и девятом поколении флеш-памяти V-NAND. В текущем восьмом поколении компания достигла наивысшей плотности упаковки ячеек среди всех TLC-устройств с ёмкостью чипа 512 Гбит, а к концу года будут доступны и микросхемы ёмкостью 1 Тбит. Девятое поколение запланировано на 2024 год, а к 2030 году компания надеется выпустить флеш-память с более чем тысячью слоёв. В связи с ростом популярности машинного обучения и возрастанием объёма ИИ-моделей Samsung ускорит процесс перехода от TLC к более ёмкой QLC NAND.
14.09.2022 [13:42], Сергей Карасёв
Kioxia представила индустриальную флеш-память BiCS Flash 3D с расширенным диапазоном рабочих температурКомпания Kioxia анонсировала чипы флеш-памяти BiCS Flash 3D, рассчитанные на использование в промышленной сфере. Изделия подходят для применения в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, встраиваемых компьютерах и других устройствах, которые эксплуатируются в жёстких условиях. Чипы используют TLC-память, но поддерживают и режим SLC для приложений, которым необходимы высокие скорости чтения/записи данных. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °С, что позволяет эксплуатировать изделия в устройствах, монтируемых на открытых пространствах, в транспорте и пр. ![]() Источник изображения: Kioxia Представлены чипы вместимостью от 64 до 512 Гбайт. Они выполнены в корпусе 132-BGA. Пробные поставки изделий уже начались, а массовое производство планируется организовать ближе к концу текущего года. «Выпуск флеш-памяти следующего поколения BiCS Flash 3D промышленного класса подтверждает нашу приверженность поддержке индустриального сегмента рынка», — заявляет Kioxia. |
|