Компания Phison Electronics анонсировала SSD корпоративного класса серий Pascari X201 и Pascari D201. Первые предназначены для рабочих нагрузок, которым требуется высокая производительность: обучение ИИ, масштабная аналитика, высокочастотный трейдинг и НРС-задачи. В свою очередь, изделия Pascari D201 ориентированы на гиперскейлеров и облачных провайдеров, которые оперируют средами с высокой плотностью хранения данных.

Все устройства выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC; для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Заявленная величина MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2,5 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Накопители Pascari X201 представлены в форм-факторах U.2 толщиной 15 мм и E3.S 1T. При этом доступны варианты X201E и X201P. В первом случае вместимость составляет 12,8 и 25,6 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у обеих моделей достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Величина IOPS составляет до 3,3 млн при произвольном чтении и до 1,05 млн при произвольной записи у варианта на 12,8 Тбайт и до 2,8 млн и 920 тыс. у устройства ёмкостью 25,6 Тбайт. Накопители X201E способны выдерживать до трёх полных перезаписей в сутки (3 DWPD).

Источник изображений: Phison

Решения X201P обладают вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS при произвольном чтении равно 3,3 млн и 2,8 млн, при произвольной записи — 600 тыс. и 480 тыс. Эти SSD рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (1 DWPD).

В семейство Pascari D201 также вошли варианты D201E и D201P, у которых показатель DWPD равен 3 и 1. Вместимость составляет соответственно 12,8 и 15,36 Тбайт. У всех устройств скорость последовательного чтения достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 Мбайт/с, величина IOPS при произвольном чтении — 3,3 млн. Вместе с тем IOPS при произвольной записи — 1,05 млн у версии на 12,8 Тбайт и 600 тыс. у накопителя на 15,36 Тбайт. Изделия выполнены в формате E1.S толщиной 15 мм. На все анонсированные новинки предоставляется пятилетняя гарантия.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N701 и N601, предназначенные для использования в коммерческой и индустриальной сферах. Изделия будут предлагаться в двух вариантах исполнения — M.2 1620 Heat Sink Ball Grid Array (HSBGA) и М.2 2230.

Устройства семейства N701 выполнены по технологии pSLC (pseudo Single Level Cell) с применением чипов флеш-памяти 3D TLC, а их вместимость варьируется от 80 до 320 Гбайт. В свою очередь, накопители N601 представляют собой традиционные решения 3D TLC с вариантами ёмкости от 240 до 960 Гбайт.

Все новинки оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x2. Скорость последовательного чтения информации достигает 3565 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3280 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 630 000 при произвольном чтении и до 755 000 при произвольной записи. Говорится о поддержке шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) — свыше 3 млн часов.

Источник изображения: ATP Electronics

SSD доступны в коммерческой (N701Pc и N601Sc) и индустриальной (N701Pi и N601Si) модификациях. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 29 235 Тбайт у накопителей серии N701 и 2810 Тбайт у N601.

В устройствах реализована фирменная технология Ace Thermal Throttling — интеллектуальный алгоритм теплового регулирования, который использует до 18 ступеней настройки с целью минимизации резких перепадов производительности при повышении температуры. Благодаря использованию двух линий PCIe 4.0 обеспечивается снижение энергопотребления до 20 % при обычной работе и до 40 % в режиме ожидания по сравнению с изделиями, в которых задействованы четыре линии. При этом производительность сохраняется на сопоставимом уровне.

Компания Greenliant сообщила о выпуске SSD серии PrimeDrive SX, предназначенных для использования во встраиваемых системах и периферийном оборудовании. Изделия выполнены в форм-факторе M.2 2280 на основе чипов флеш-памяти TLC NAND.

Устройства, как утверждается, обеспечивают оптимальный баланс производительности, энергопотребления и стоимости для решений своего класса. На начальном этапе доступна только модификация вместимостью 256 Гбайт, но в дальнейшем появятся и другие варианты.

Для обмена данными задействован интерфейс PCIe 3.0 x4. DRAM-кеш не предусмотрен. Заявленная скорость передачи информации при последовательном чтении достигает 3300 Мбайт/с, при последовательной записи — 1600 Мбайт/с. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Источник изображения: Greenliant

Реализована технология APST (Autonomous Power State Transition) для снижения энергопотребления. Инструменты динамического и статического выравнивания износа помогают повысить срок службы. Упомянуты средства коррекции ошибок ECC и сквозная защита целостности данных.

Среди областей применения накопителей PrimeDrive SX названы системы видеоконференцсвязи и видеонаблюдения, сетевые серверы, шлюзы и маршрутизаторы, регистраторы данных, контрольно-измерительное оборудование, сетевые хранилища, тонкие клиенты и пр. В настоящее время Greenliant наладила пробные поставки изделий, а их массовые отгрузки запланированы на IV квартал текущего года.

Стартап Novodisq представил блейд-сервер формата 2U ёмкостью 11,5 Пбайт с функцией ускорения ИИ и др. задач. Гиперконвергентная кластерная система разработан для замены или дополнения традиционных решений NAS, SAN и публичных облачных сервисов. Новинка поддерживает платформы Ceph, MinIO и Nextcloud (также планируется поддержка DAOS), предлагая доступ по NFS, iSCSI, NVMe-oF и S3.

Сервер содержит до 20 модулей Novoblade с фронтальной загрузкой. В каждом из них имеется до четырёх встроенных E2 SSD Novoblade объёмом 144 Тбайт каждый, на базе TLC NAND с шиной PCIe 4.0 x4. Накопители поддерживают NVMe v2.1 и ZNS, обеспечивая последовательную производительность чтения/записи до 1000 Мбайт/с, а на случайных операциях — до 70/30 тыс. IOPS. Надёжность накопителей составляет до 24 PBW. Энергопотребление: от 5 до 10 Вт. Система Novoblade предназначена для «тёплого» и «холодного» хранения данных.

Модули Novoblade объединяют вычислительные возможности, ускорители и хранилища. Основной модулей являются гибридные SoC AMD Versal AI Edge Gen 2 (для ИИ-нагрузок) или Versal Prime Gen 2 (для традиционных вычислений) c FPGA, 96 Гбайт DDR5, 32 Гбайт eMMC, модулем TPM2 и двумя интерфейсам 10/25GbE с RoCE v2 RDMA и TSN. Энергопотребление не превышает 60 Вт. Есть функции шифрования накопителей, декодирования видео, ускорения ИИ-обработки, оркестрации контейнеров и т.д. Платформа специально разработана для задач с большими объёмами данных, таких как геномика, геопространственная визуализация, видеоархивация и периферийные ИИ-вычисления. Сервер может работать под управлением стандартных дистрибутивов Linux (RHEL и Ubuntu LTS) с поддержкой Docker, Podman, QEMU/KVM, Portainer и OpenShift.

Источник изображений: Novodisq

2U-шасси глубиной 1000 мм рассчитано на установку до двадцати модулей Novodisq и оснащено двумя (1+1) БП мощностью 2600 Вт каждый (48 В DC). Возможно горизонтальное масштабирование с использованием каналов 100–400GbE. В базовой конфигурации шасси включает четыре 200GbE-модуля с возможностью горячей замены, каждый из которых имеет SFP28-корзины, а также управляемый L2-коммутатор. Предусмотрен набор средств управления, включая BMC с веб-интерфейсом, CLI и поддержкой API Ansible, SNMP и Redfish. Novoblade поддерживает локальное и удалённое управление, может интегрироваться в существующий стек или предоставляться с помощью инструментов «инфраструктура как код» (Infrastructure-as-Code).

По словам разработчика, система Novoblade обеспечивает плотность размещения примерно в 10 раз выше, чем у сервера на основе жестких дисков, и снижает энергопотребление на 90–95 % без необходимости в механическом охлаждении. Novodisq утверждает, что общая стоимость владения системой «обычно на 70–90 % ниже, чем у традиционных облачных или корпоративных решений в течение 5–10 лет».

«Это обусловлено несколькими факторами: уменьшенным пространством в стойке, низким энергопотреблением, отсутствием платы за передачу данных, минимальным охлаждением, длительным сроком службы и значительным упрощением управления. В отличие от облака, ваши расходы в основном фиксированы, а значит, предсказуемы, и, в отличие от традиционных систем, Novodisq не требует дорогостоящих лицензий, внешних контроллеров или постоянных циклов обновления. Вы получаете высокую производительность, долгосрочную надёжность и более высокую экономичность с первого дня», — приводит Blocks & Files сообщение компании.

Для сравнения, узлы Dell PowerScale F710 и F910 на базе 144-Тбайт Solidigm SSD ёмкостью 122 Тбайт, 24 отсеками в 2U-шасси и коэффициентом сжатия данных 2:1 обеспечивают почти 6 Пбайт эффективной емкости, что почти вдвое меньше, чем у сервера Novoblade.

Британская компания QuInAs Technology, по сообщению ресурса Blocks & Files, ещё на шаг приблизилась к серийному производству своей универсальной памяти UltraRAM, сочетающей такие характеристики, как высокая скорость DRAM, энергонезависимость NAND и низкое энергопотребление.

В разработке технологий, лежащих в основе UltraRAM, приняли участие исследователи из Университета Ланкастера (Lancaster University) и Университета Уорика (University of Warwick). Утверждается, что UltraRAM потребляет в 100 раз меньше энергии, чем DRAM, и в 1000 раз меньше, чем NAND-флеш. Данные в новой памяти могут храниться на протяжении 1000 лет. Кроме того, UltraRAM обладает высокой надёжностью: она может быть перезаписана не менее 10 млн раз.

Источник изображения: QuInAs

Принцип работы UltraRAM основан на эффекте квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку. Этот барьер формируется путём чередования тонкоплёночных слоёв антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb). В обычной памяти 3D NAND оксидный плавающий затвор в ячейке постепенно разрушается, тогда как у UltraRAM затвор практически не подвержен внешним воздействиям, говорят создатели. Благодаря этому обеспечивается большое количество циклов записи/стирания.

Партнёром QuInAs в рамках проекта по организации массового производства UltraRAM выступает компания IQE, тогда как грантовое финансирование предоставляет Innovate UK. Специалисты IQE разработали производственный процесс получения структур для UltraRAM с использованием эпитаксии (нарастание одного кристаллического материала на другом).

В настоящее время QuInAs и IQE обсуждают возможности коммерциализации памяти нового типа с производственными предприятиями и стратегическими партнёрами. Ожидается, что UltraRAM сможет найти применение в самых разных устройствах — от автономных изделий интернета вещей (IoT) и смартфонов до ноутбуков и оборудования для дата-центров.

Компания Solid State Storage Technology Corporation (SSSTC) анонсировала SSD семейства CA8, предназначенные для применения в интеллектуальных устройствах интернета вещей, платформах промышленной автоматизации, периферийных компьютерах, автомобильных системах и пр.

По заявлениям SSSTC, изделия CA8 — это первые на рынке индустриальные устройства M.2 2280 с памятью Kioxia BiCS Flash восьмого поколения. Применены 218-слойные флеш-чипы 3D TLC NAND с технологией CBA (CMOS direct Bonded to Array), которая, как утверждается, существенно повышает энергоэффективность, производительность и плотность хранения данных по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Источник изображения: SSSTC

В серию CA8 вошли модели вместимостью 512 Гбайт, а также 1, 2 и 4 Тбайт. Для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4 (NVMe 2.0). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 Мбайт/с. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 2 млн при произвольном чтении и 1,6 млн при произвольной записи: это, как подчеркивается, одни из самых высоких значений для индустриальных SSD, доступных на рынке.

Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C. Значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Упомянута поддержка AES-256 и TCG Opal. Функция Power Loss Notification (PLN) предотвращает повреждение данных при неожиданных отключениях питания. Накопители способны выдерживать более одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет.

Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Компания Samsung Electronics возрождает технологию памяти Z-NAND после семилетнего перерыва, позиционируя её как высокопроизводительное решение для ИИ-нагрузок. По данным DigiTimes, следующее поколение памяти Z-NAND получит 15-кратное увеличение производительности по сравнению с современными NVMe SSD и даст ускорителю возможность напрямую обращаться к накопителю Z-NAND с минимальными задержками.

Как пишет Tom's Hardware, исполнительный вице-президент Samsung по производству памяти сообщил, что при значительном росте производительности с помощью технологии Z-NAND энергопотребление накопителей будет на 80 % ниже по сравнению с традиционной флеш-памятью NAND. Кроме того, в новом поколении упор сделан на минимизацию задержек. Для этого Samsung внедряет новую технологию GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), которая позволит ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM, тем самым значительно сокращая время доступа.

Samsung представила технологию Z-NAND в 2016 году в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint (Optane). Вышедший в 2018 году твердотельный накопитель Samsung 983 ZET на базе 64-слойной SLC 3D V-NAND предлагал значительно более низкую задержку и высокие скорости в сравнении с обычными NVMe SSD. По производительности он вплотную приблизился к Intel Optane SSD 900P. Обе технологии фактически относятся к SCM (Storage Class Memory), хотя только Intel предлагала PMem-модули в виде DIMM. Однако в итоге разработку 3D XPoint последняя (вместе с Micron) забросила, да и Samsung, ответив выпуском Z-SSD на появление Optane, решила свою технологию не развивать.

Примерно в то же время Kioxia (тогда ещё Toshiba) представила свой вариант сверхбыстрой SLC NAND — XL-Flash. Её она тоже довольно долго особенно не развивала, но планирует уже в следующем году представить XL-Flash SSD с переработанным контроллером, который обеспечит более 10 млн IOPS, особенно на небольших транзакциях. Для точной настройки SSD с целью повышения производительности при запуске ресурсоёмких ИИ-приложений компания сотрудничает с ведущими производителями ускорителей. Phison также предлагает eSLC-накопители PASCARI с технологией aiDAPTIV+. SLC-накопители также есть у Solidigm и Micron.

Впрочем, широкая востребованность Z-SSD может оказаться под вопросом. Уже анонсированы быстрые SSD с интерфейсом PCIe 6.0. CXL же позволяет относительно недорого наращивать объём памяти, хотя и в ущерб задержкам. Так что Samsung придётся сделать новые Z-SSD не только быстрыми, но и экономически эффективными.