Компания Goke Microelectronics объявила о разработке твердотельных накопителей (SSD) корпоративного класса на основе памяти Toshiba XL-Flash.

Напомним, что XL-Flash является конкурентом Optane и по сравнению с обычной флеш-памятью NAND обладает значительно меньшими задержками, более высокой скоростью передачи данных и возросшей вместимостью. Используется технология SLC — один бит информации в ячейке.

Но вернёмся к анонсированным накопителям. Они объединены в серию Goke 2311: вместимость устройств достигает 4 Тбайт.

В накопителях задействован контроллер собственной разработки Goke. Подключение осуществляется через интерфейс PCIe Gen3 x4. Заявленная скорость чтения информации достигает 3 Гбайт/с, скорость записи — 1 Гбайт/с.

Утверждается, что серийные изделия Goke 2311 смогут похвастаться задержкой менее 15 мкс при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт.

Массовый выпуск устройств планируется организовать в 2020 году. О цене ничего не сообщается. 

Компания Smart IOPS анонсировала накопители корпоративного класса Unobtanium FN, предназначенные для использования в составе систем с высокими требованиями к задержкам и производительности.

Основа решений — память XL-FLASH, представленная корпорацией Toshiba на этой неделе. По сравнению с обычной флеш-памятью NAND изделия XL-FLASH обладают значительно меньшими задержками (менее 5 мкс на операциях чтения) и более высокой скоростью передачи данных.

Утверждается, что накопители Unobtanium FN способны выполнять до 1 700 000 операций в секунду при произвольном чтении информации и до 800 000 операций в секунду при произвольной записи. Производитель также заявляет, что типичная задержка для случайного чтения составляет 30 мкс, а для случайного чтения с глубиной очереди 16 она равна 75 мкс (99,999% QoS). 

Устройства обладают достаточно высокой надёжностью. Они рассчитаны на 15 полных перезаписей в течение суток на протяжении пятилетнего срока.

Накопители Unobtanium FN будут предлагаться в виде карт расширения и в 2,5-дюймовом форм-факторе. Поначалу Smart IOPS предложит версии вместимостью 800 Гбайт, 1,6 Тбайт и 3,2 Тбайт. В дальнейшем может быть выпущена модель ёмкостью 6,4 Тбайт. 

Компания Toshiba Memory America анонсировала память XL-FLASH, которая будет применяться в устройствах хранения для дата-центров и накопителях корпоративного класса.

Об особенностях памяти XL-FLASH можно узнать в нашем материале. В её основе — технология BiCS FLASH 3D, при этом предусматривается хранение только одного бита информации в ячейке (SLC).

По сути, XL-FLASH предстоит занять промежуточное положение между DRAM и NAND. По сравнению с обычной флеш-памятью NAND новые изделия обладают значительно меньшими задержками (менее 5 мкс на операциях чтения), более высокой скоростью передачи данных и возросшей вместимостью. Если же сравнивать с DRAM, то цена XL-FLASH в расчёте на единицу данных окажется существенно ниже. XL-FLASH может составить конкуренцию памяти 3D XPoint и продуктам Intel Optane Memory на её основе. 

Поначалу Toshiba наладит выпуск 128-гигабитных кристаллов XL-FLASH в массиве из двух, четырех и восьми штук в одном корпусе. Таким образом, ёмкость составит 32 Гбайт, 64 Гбайт и 128 Гбайт.

Пробные поставки изделий будут организованы в сентябре, а начало массового производства намечено на 2020 год. Цена пока не раскрывается.