Китайский полупроводниковый стартап Numemory из Уханя, также известный как Xincun Technology, объявил о создании 64-Гбит чипа памяти NM101 типа SCM (Storage Class Memory). Новинка в 10 раз превышает чипы NAND по скорости чтения и записи и в 5 раз — по продолжительности службы, передаёт ресурс Blocks and Files. Скорость IO у чипа равна 3200 MT/с — такая же, как была у Intel Optane PMem 200.

SCM в иерархии памяти занимает промежуточное место между NAND и DRAM, совмещая и плохие, и хорошие стороны обеих. Именно такой была память 3D XPoint, предлагавшаяся Intel под брендом Optane. Увы, Intel и Micron прекратили выпуск данного типа памяти, а оставшиеся альтернативы фактически являются разновидностью SLC NAND.

Источник изображения: Numemory

Numemory была основана в июле 2022 года. Сейчас у неё около 180 сотрудников, 80 % которых занимаются исследованиями и разработками, и 60 % имеют степень магистра или более высокую квалификацию. В 2023 году Numemory заявила, что у неё есть в общей сложности 273 патента, включая 60 международных и 213 зарегистрированных в Китае.

Numemory разработала технологию 3D Selector-Only Memory (SOM) с использованием памяти с изменением фазового состояния (Phase-change memory) с архитектурой Crossbar. Ровно на тех же принципах был построена и 3D XPoint, но Numemory заявляет, что её память значительно отличается. Numemory утверждает, что SOM имеет низкую задержку, хорошую масштабируемость (в том числе доступно вертикально стекирование), длительный срок жизни и т.д.

По данным ресурса South China Morning Post, Numemory заявила, что накопители, созданные с использованием технологии SCM, могут предложить ЦОД и поставщикам услуг облачных вычислений решение для хранения данных с большой ёмкостью, высокой плотностью, высокой пропускной способностью и низкой задержкой.

Несмотря на то, что страница истории, посвящённая созданию энергонезависимой памяти Optane, официально закрыта Intel, третье поколение модулей DCPMM всё-таки увидит свет и дополнит собой платформы Sapphire Rapids и Emerald Rapids (если к этому моменту они останутся в наличии). Об этом стало известно благодаря слайду, опубликованному в Twitter. Несмотря на принадлежность модулей PMem 300 (Crow Pass) к третьему поколению, в них используются кристаллы второго поколения, четырёхслойные Barlow Pass.

В Crow Pass применён новый контроллер Crow Valley с интерфейсом DDR-T2. Этот интерфейс позволяет создавать пулы Optane PMem объёмом до 4 Тбайт на сокет (8 × 512 Гбайт). Кроме того, DDR-T2 шина функционирует на вдвое более высокой частоте, нежели у ячеек памяти. И если PMem 200 предлагали интерфейс 3200 МТ/с, то в PMem 300 будут реализованы скорости 4000-4400 МТ/с, что более-менее соответствует параметрам модулей DDR5 DRAM, которые в серверных системах обычно имеют скорость 4800 МТ/с.

Источник: Twitter/9550pro

Соответствующим образом возрастёт производительность. Данные приводятся для режима 2RW1 (две операции чтения на одну операцию записи), и если первое поколение PMem ограничивается 4 Гбайт/с, а второе останавливается на отметке 4,83 Гбайт/с, то третье сможет развивать линейные скорости в районе 6 Гбайт/с. Ещё сильнее вырастет производительность в случайных операциях, с 1–1,2 Гбайт/с до 3 Гбайт/с.

Кроме того, в Crow Pass будут дополнены протоколы сохранения данных в случае потери питания — в дополнение к обычному режиму ADR появится FastADR. Как и предыдущие поколения PMem, Optane PMem 300 смогут работать в режиме App Direct, в качестве дополнения обычной DRAM и в смешанном режиме. Теплопакет у новинок, к слову, не изменился и составляет те же 15 Вт с возможностью кратковременного увеличения для повышения производительности, если есть запас по охлаждению.

В своё время совместная инициатива Intel и Micron, целью которой стало создание принципиально нового типа энергонезависимой памяти 3D XPoint, наделало много шума. Первые же выпущенные на основе данной технологии SSD показали великолепные результаты. Эту память сегодня мы знаем как Optane, и, увы, с надеждами на появление новых решений на её основе придётся распрощаться.

Тревожные звонки раздавались давно: в 2018 году Micron вышла из бизнеса, уступив своё производство 3D XPoint партнёру, а сама Intel отказалась от идеи выпуска потребительских накопителей на базе Optane. Но, по крайней мере, на тот момент она сосредоточила усилия на выпуске серверных решений. В их число вошёл и принципиально новый продукт: энергонезависимые модули DCPMM/PMem.

Они устанавливались в обычные слоты DIMM, не слишком сильно уступали в производительности классической оперативной памяти и позволяли кардинально нарастить объём доступной памяти за меньшую стоимость, нежели при использовании только DRAM. Казалось бы, память Optane нашла свою, пусть и довольно экзотическую нишу, что подтверждалось и многочисленными результатами тестов систем с Optane DCPMM, в том числе, в научных задачах. Но грянул гром!

По результатам II квартала 2022 года Intel сообщила, что изрядно похудевшее к этому моменту подразделение Optane принесло $559 млн убытков. Решение списать текущие запасы готовых решений и чипов по графе «убытки» окончательно доказывает то, что Intel действительно намеревается покончить с этой страницей своей истории. Равно как и с SSD — соответствующее подразделение продано компании SK Hynix.

На данный момент сама Intel официально подтвердила отказ от Optane: в рамках новой стратегии оптимизации бизнеса IDM 2.0 компания закроет подразделения, не являющиеся решающими в стратегическом отношении, либо просто недостаточно прибыльные. Впрочем, поддержка клиентов, уже вложившихся в Optane будет продолжена. Сама же Intel отметила, что переход на CXL позволит хотя бы отчасти заменить Optane PMem. Из альтернатив технологии Optane, тоже не слишком популярных, можно вспомнить Samsung Z-SSD и Toshiba/Kioxia XL-Flash.

Таким образом, приходится расстаться с мечтой о твердотельных накопителях не просто надёжных, но и лишённых традиционной медлительности NAND при операциях записи, особенно мелкоблочных. Стоимость производства чипов 3D XPoint даже во втором поколении, когда память удалось сделать четырёхслойной, всё же оказалась слишком высокой для того, чтобы устройства на её основе стали действительно выгодными для Intel.