Китайский полупроводниковый стартап Numemory из Уханя, также известный как Xincun Technology, объявил о создании 64-Гбит чипа памяти NM101 типа SCM (Storage Class Memory). Новинка в 10 раз превышает чипы NAND по скорости чтения и записи и в 5 раз — по продолжительности службы, передаёт ресурс Blocks and Files. Скорость IO у чипа равна 3200 MT/с — такая же, как была у Intel Optane PMem 200.

SCM в иерархии памяти занимает промежуточное место между NAND и DRAM, совмещая и плохие, и хорошие стороны обеих. Именно такой была память 3D XPoint, предлагавшаяся Intel под брендом Optane. Увы, Intel и Micron прекратили выпуск данного типа памяти, а оставшиеся альтернативы фактически являются разновидностью SLC NAND.

Источник изображения: Numemory

Numemory была основана в июле 2022 года. Сейчас у неё около 180 сотрудников, 80 % которых занимаются исследованиями и разработками, и 60 % имеют степень магистра или более высокую квалификацию. В 2023 году Numemory заявила, что у неё есть в общей сложности 273 патента, включая 60 международных и 213 зарегистрированных в Китае.

Numemory разработала технологию 3D Selector-Only Memory (SOM) с использованием памяти с изменением фазового состояния (Phase-change memory) с архитектурой Crossbar. Ровно на тех же принципах был построена и 3D XPoint, но Numemory заявляет, что её память значительно отличается. Numemory утверждает, что SOM имеет низкую задержку, хорошую масштабируемость (в том числе доступно вертикально стекирование), длительный срок жизни и т.д.

По данным ресурса South China Morning Post, Numemory заявила, что накопители, созданные с использованием технологии SCM, могут предложить ЦОД и поставщикам услуг облачных вычислений решение для хранения данных с большой ёмкостью, высокой плотностью, высокой пропускной способностью и низкой задержкой.

Несмотря на то, что страница истории, посвящённая созданию энергонезависимой памяти Optane, официально закрыта Intel, третье поколение модулей DCPMM всё-таки увидит свет и дополнит собой платформы Sapphire Rapids и Emerald Rapids (если к этому моменту они останутся в наличии). Об этом стало известно благодаря слайду, опубликованному в Twitter. Несмотря на принадлежность модулей PMem 300 (Crow Pass) к третьему поколению, в них используются кристаллы второго поколения, четырёхслойные Barlow Pass.

В Crow Pass применён новый контроллер Crow Valley с интерфейсом DDR-T2. Этот интерфейс позволяет создавать пулы Optane PMem объёмом до 4 Тбайт на сокет (8 × 512 Гбайт). Кроме того, DDR-T2 шина функционирует на вдвое более высокой частоте, нежели у ячеек памяти. И если PMem 200 предлагали интерфейс 3200 МТ/с, то в PMem 300 будут реализованы скорости 4000-4400 МТ/с, что более-менее соответствует параметрам модулей DDR5 DRAM, которые в серверных системах обычно имеют скорость 4800 МТ/с.

Источник: Twitter/9550pro

Соответствующим образом возрастёт производительность. Данные приводятся для режима 2RW1 (две операции чтения на одну операцию записи), и если первое поколение PMem ограничивается 4 Гбайт/с, а второе останавливается на отметке 4,83 Гбайт/с, то третье сможет развивать линейные скорости в районе 6 Гбайт/с. Ещё сильнее вырастет производительность в случайных операциях, с 1–1,2 Гбайт/с до 3 Гбайт/с.

Кроме того, в Crow Pass будут дополнены протоколы сохранения данных в случае потери питания — в дополнение к обычному режиму ADR появится FastADR. Как и предыдущие поколения PMem, Optane PMem 300 смогут работать в режиме App Direct, в качестве дополнения обычной DRAM и в смешанном режиме. Теплопакет у новинок, к слову, не изменился и составляет те же 15 Вт с возможностью кратковременного увеличения для повышения производительности, если есть запас по охлаждению.