Компания Samsung Electronics объявила о выпуске твердотельного накопителя SZ985 Z-SSD вместимостью 800 Гбайт, рассчитанного на корпоративный рынок.
О подготовке решения SZ985 Z-SSD мы рассказывали в прошлом году. Устройство выполнено в виде карты расширения PCIe, а в его основу положены чипы памяти Z-NAND. Как говорилось ранее, Z-NAND представляет собой многослойную память 3D NAND (в терминах Samsung — V-NAND) с записью в каждую ячейку по одному биту данных.
Накопитель SZ985 Z-SSD несёт на борту высокопроизводительный контроллер Samsung и 1,5 Гбайт памяти LPDDR4 DRAM. Утверждается, что показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении данных достигает 750 тыс., при произвольной записи — 170 тыс. Задержка при записи заявлена на уровне 16 мкс.
Samsung Electronics утверждает, что накопитель способен выдерживать до 30 циклов перезаписи всей информации в день (DWPD) на протяжении пяти лет. Средняя заявленная наработка на отказ (показатель MTBF) составляет 2 млн часов.
Новинка рассчитана на применение в системах высокопроизводительных вычислений (HPC). Это могут быть приложения, связанные с искусственным интеллектом, аналитикой больших данных, Интернетом вещей и пр. О цене SZ985 Z-SSD, к сожалению, ничего не сообщается.
Источник:
