Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Ассоциация JEDEC Solid State Technology объявила о публикации стандарта памяти с высокой пропускной способностью HBM4. Он предполагает дальнейшее повышение пропускной способности, эффективности и ёмкости памяти для ускорителей следующего поколения, ориентированных на задачи ИИ и НРС.

Стандарт JESD270-4 HBM4, как утверждается, привносит многочисленные улучшения по сравнению с предыдущей версией. В частности, благодаря переходу от 1024-бит интерфейса у HBM3E к 2048-бит общая пропускная способность возросла до 2 Тбайт/с. Таким образом, HBM4 подходит для наиболее ресурсоёмких приложений, требующих эффективной обработки огромных массивов данных и сложных вычислений, включая генеративный ИИ.

Стандарт HBM4 удваивает количество независимых каналов на стек с 16 (HBM3) до 32: это предоставляет разработчикам большую гибкость. Говорится о поддержке уровней напряжения VDDQ 0,7 В, 0,75 В, 0,8 В или 0,9 В и VDDC 1,0 В или 1,05 В, что обеспечивает возможность снижения энергопотребления и повышения энергоэффективности. Допускается формирование 4-, 8-, 12- и 16-ярусных стеков ёмкостью 24 и 32 Гбайт. Упомянута поддержка Directed Refresh Management (DRFM) для снижения риска сбоев и повышения надёжности, доступности и удобства обслуживания.

Источник изображения: SK hynix

Для стандарта HBM4 заявлена обратная совместимость с существующими контроллерами HBM3, что обеспечивает бесшовную интеграцию и гибкость при разработке систем нового поколения. При этом один и тот же контроллер может работать как с HBM3, так и с HBM4.

«Внедрение HBM4 знаменует собой важный шаг в области создания памяти с высокой пропускной способностью, обеспечивая производительность, эффективность и масштабируемость, которые необходимы для поддержки ИИ и высокопроизводительных вычислений следующего поколения», — говорит старший вице-президент, корпоративный научный сотрудник и технический директор по вычислениям и графике AMD.