Не столь давно Intel анонсировала новую линейку процессоров Xeon E5 v3. Как вы уже знаете из нашей предыдущей заметки, они рассчитаны на совместную работу с памятью типа DDR4. Однако, эта память, хотя и может обеспечивать преимущество в некоторых задачах, остаётся пока не слишком популярной и достаточно дорогой.

Как сообщает ресурс cpu-world.com, Intel планирует дополнить линейку Xeon E5 v3 новыми моделями с контроллером памяти DDR3. Пока известно о следующих вариантах:

• Xeon E5-2629 v3: 8 ядер, 2,4 ГГц, 20 Мбайт кеша L3, 85 ватт TDP;
• Xeon E5-2649 v3: 10 ядер, 2,3 ГГц, 25 Мбайт кеша L3, 105 ватт TDP;
• Xeon E5-2669 v3: 12 ядер, 2,3 ГГц, 30 Мбайт кеша L3, 120 ватт TDP.

Разумеется, новые процессоры не смогут работать на существующих платах с разъёмом LGA 2011-3, так как они оснащены слотами памяти DDR4 и электрически несовместимы с моделями Xeon, контроллер памяти у которых сконфигурирован на использование DDR3.

Одна из моделей Asrock с поддержкой DDR3: инвестировать в дорогую память не придётся

Но, к примеру, компания Asrock уже готова к началу поставок новых моделей Xeon и предлагает платы LGA 2011-3 с разъёмами DDR3: EPC612D8T, EPC612D8TA, EPC612D8TA-TB и EP2C612D16T-4L. Все они поддерживают память DDR3 с частотой до 1866 МГц. Официальный анонс этих плат состоялся на этой неделе, а значит, вскоре на рынок поступят и новые процессоры Xeon.

Появились интересные детали относительно платформы AMD Toronto. Похоже, производитель реализует поддержку как памяти DD3, так и DDR4 на одной платформе. Ресурс Bitsandchips.it, ссылаясь на свои источники, сообщает о появлении двойного контроллера оперативной памяти в процессорах Toronto.

Toronto APU и CPU являются частью семейства серверных процессоров AMD Opteron и получат ядра с архитектурой Excavator. Предыдущие утечки сообщали, что будут версии чипов Toronto с поддержой либо DDR3, либо DDR4, но, похоже, будут поддерживается оба типа памяти благодаря двойному встроенному контроллеру памяти.

Ранее AMD ясно говорила о нежелании поддерживать DDR4 как из-за отсутствия нужды в этом стандарте на рынке, так и из-за повышенной стоимости памяти. Однако компания, похоже, пересмотрела это решение. Платформа Opteron в настоящее время представлена APU Berlin, а Toronto их заменят. Как APU, так и CPU Toronto получат по 4 ядра x86 Excavator.

Потребительские процессоры Carrizo тоже должны были получить поддержку DDR4, но, согласно последним сообщениям, от этого решения компания отказалась. Почему же Toronto получит двойной контроллер памяти? Причина проста: хотя память DDR4 и дорога, это не столь важно на серверном рынке, где выходят на первый план такие преимущества DDR4 как пониженное энергопотребление и увеличенная плотность. Наконец, поддержка DDR4 может стать важна в будущем, когда новый тип памяти станет дешевле DDR3 (примерно 2016 год) — и тогда владельцы серверов смогут осуществить переход на новый тип памяти.

Bitsandchips.it также считает, что есть высокая доля вероятности, что мы увидим в мобильной версии Carrizo появление модуля памяти HBM Stacked DRAM с высокой пропускной способностью. Этот тип памяти отличается небольшой занимаемой площадью и высокой скоростью передачи данных, что должно положительно сказаться на графической производительности гибридных процессоров.

Micron Technology представила монолитные (однокристальные) 8-Гбит компоненты памяти DDR SDRAM. Это расширило спектр приложений компании для таких требовательных направлений, как анализ данных. Компоненты производятся с соблюдением современных 25-нм технологических норм производства DRAM.

Память стандарта DDR3 используется в самых разных областях, и появление 8-Гбит компонентов позволит создавать более ёмкие модули памяти с повышенной рентабельностью. В настоящее время компания позиционирует свою новую продукцию на те серверные масштабные задачи, которые требуют интенсивной работы с большими объёмами памяти.

«Возможность масштабирования в соответствии с растущими запросами на память наших клиентов была ключевым фактором разработки этих 8-Гбит компонентов, — отметил вице-президент по маркетингу вычислительных и сетевых продуктов Micron. — Мы будем продолжать работать с партнёрами с целью минимизации рисков, увеличения гибкости и оптимизации совокупной стоимости владения».

techpowerup.com

На основе 8-Гбит компонентов будут создаваться ёмкие модули вроде 32-Гбайт RDIMM для использования в центрах обработки данных для анализа, поиска, работы социальных сетей и так далее. Портфель предложений DDR3 от Micron включает однокристальные или двухкристальные 8-Гбит компоненты, двухранговые модули памяти RDIMM объёмом 32 Гбайт, модули LRDIMM объёмом 64 Гбайт, 32-Гбайт ECC SODIMM и 16-Гбайт VLP ECC UDIMM.

Компания Transcend объявила о выпуске модулей памяти DDR3-1866 Registered DIMM (RDIMM) и DDR3-1866 Unbuffered ECC DIMM (ECC UDIMM), предназначенных для использования в серверах на платформе Intel Romley-EP.

Сообщается, что модули протестированы на полную совместимость с процессорами серии Xeon E5-2600 v2, известными под кодовым названием Ivy Bridge-EP. Ёмкость составляет 4 Гбайт, напряжение питания — 1,5 В. Задержки равны 13-13-13.

Новые модули подходят для применения в центрах обработки данных, построенных с использованием технологий виртуализации. Код коррекции ошибок в памяти (ECC) обеспечивает целостность данных, надёжность и непрерывность работы системы.

На изделия DDR3-1866 RDIMM и DDR3-1866 UDIMM предоставляется пожизненная гарантия. Продукты полностью соответствуют стандартам JEDEC.

Информации о цене модулей, к сожалению, нет.

Компания Transcend объявила о выпуске модулей памяти DDR3L-1600 Low Voltage с пониженным напряжением питания, рассчитанных на использование в системах для интеллектуального анализа данных (датамайнинга) и работы с большими данными. Модули имеют ёмкость от 8 до 16 Гбайт. Напряжение питания составляет 1,35 В против 1,5 В у стандартных модулей DDR3. Это, как утверждается, позволяет снизить электрическую нагрузку на контроллер памяти и уменьшить тепловыделение, что дает возможность сократить энергопотребление соответствующего узла системы на 20%.

Кроме того, замена модулей ёмкостью 4 гигабайта на 8-гигабайтные изделия обеспечит дальнейшее повышение энергетической эффективности серверных платформ. Новые изделия Transcend оснащены встроенным датчиком температуры. На них предоставляется пожизненная гарантия. Информации о цене модулей DDR3L-1600 Low Voltage, к сожалению, нет.

Компания ADATA Technology Co. объявила о выпуске целой россыпи "свежих" серверных 240-контактных DIMM-модулей оперативной памяти DDR3, отличающихся, как утверждается, завидной производительностью при низком энергопотреблении.

По заявлениям создателей, их изделия специально оптимизированы для эффективного применения в облачных бизнес-решениях. При этом отмечается, что новинки совместимы с такими семействами процессоров, как Nehalem, Westmere, Sandy Bridge и Ivy Bridge от Intel, а также Interlagos и Valencia от AMD. Что же касается полного перечня доступных продуктов и их основных технических характеристик, то эта информация наглядно представлена в приведённой ниже таблице.

О цене анонсированных модулей и о сроках начала их массовых продаж пока никаких сведений от разработчиков не поступало.

Главным недостатком памяти типа DRAM является её энергозависимость. Из-за неполадок с электропитанием данные, находящиеся в ОЗУ, будут безвозвратно утеряны, что для некоторых предприятий может вылиться в огромные затраты времени и средств на восстановление информации. В арсенале компании Viking Modular Solutions есть решение проблемы – устройство под названием ArxCis-NV DRAM.

Решение совмещает стандартные 240-контактные модули регистровой оперативной памяти DRAM DDR3 с поддержкой кодов коррекции ошибок объёмом 2, 4 или 8 Гбайт, набор микросхем флеш-памяти NAND аналогичного объёма, суперконденсатор и управляющую микросхему. Компания Viking и раньше занималась выпуском подобных решений, и новая версия ArxCis выводит модули "энергонезависимой" оперативной памяти на новый уровень производительности с пропускной способностью до 12,6 Гбайт/с.

Модули имеют специальный контроллер линии питания интерфейса DIMM, и в случае обнаружения любого намёка на возможный сбой в электропитании или возникновения ошибки в процессе ввода/вывода, управляющая микросхема отдаёт команду на резервное копирование содержимого ОЗУ во флеш-память. Суперконденсатор выполняет роль резервного источника питания, и в случае сбоя подачи энергии способен поддерживать "жизнь" микросхем энергозависимой памяти столько, сколько необходимо для создания резервной копии. После устранения неполадок модуль автоматически восстановит все сохранённые данные обратно в ОЗУ.

Основная область применения ArxCis - сети хранения данных, серверы виртуализации и подобное оборудование в "облачных" центрах обработки данных. Ориентировочная стоимость варианта ёмкостью 2 Гбайт составляет $300.

Источник:

• computerworld.com

Компания Samsung Electronics продолжает разработки в области оперативной памяти и в скором времени сможет предложить энергоэффективные модули ёмкостью 32 Гбайт, предназначенные для использования в высокопроизводительных серверах. Микросхемы память этих модулей будут изготавливаться с соблюдением технологического процесса 30-нм класса с применением технологии межслойных соединений TSV (Through Silicon Via).

Технология "связи сквозь кремний" предполагает соединение кремниевых кристаллов через вертикальные микроскопические отверстия, заполненные металлом. Таким образом, производитель получает возможность уйти от массы соединительных межслойных проводников. Технология TSV позволяет значительно повысить плотность записи на чип, экономить место на подложке и усовершенствовать сигнальные характеристики памяти.

Микросхемы памяти Samsung будут совмещать четыре кремниевых кристалла ёмкостью 1 Гбит каждый. Пропускная способность одного чипа составит 1333 Мбит/с, что примерно на 70% превосходит показатели уже представленных на рынке модулей аналогичного объёма. При исключительных параметрах быстродействия, Samsung намерена сохранить низкое рабочее напряжение памяти (1,35 вольт) и энергопотребление на уровне 4,5 ватт в час. Как утверждается, это будут самые экономичные модули памяти в мире.

Источник:

• koreaittimes.com

Представители Samsung Electronics сообщили, что компания приступила к массовому производству новых модулей памяти с емкостью в 32 Гбайт, ориентированных, главным образом, на применение в мощных серверах, обслуживающих облачные сервисы. Модули RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module — модули регистровой памяти с двухрядным расположением микросхем) изготавливаются на основе чипов памяти DDR3 DRAM на 4 Гбайт, к производству которых по 30-нанометровой технологии компания приступила уже в феврале текущего года (40-нанометровую технологию компания начала использовать годом раньше).

По словам разработчиков, новые чипы примерно на 50% превосходят по производительности 4-гигабитные чипы DDR3, которые компания производит по 40-нанометровой технологии, и Samsung ожидает их быстрого и широкого проникновения на рынок. Новые модули работают при напряжении в 1,35 вольта с тактовой частотой 1866 МГц, что на 40% превышает тактовую частоту 32-гигабайтных модулей RDIMM (1333 МГц), изготавливаемых по 40-нанометровой технологии и работающих при напряжении в 1,5 вольта. Представители Samsung сообщили также, что на данный момент компания изготавливает по 30-нанометровой технологии чипы и модули памяти для всех секторов рынка — начиная с мобильных устройств и заканчивая высокопроизводительными серверами. Кроме того, Samsung планирует начать производство еще более энергоэффективных 4-гигабитных чипов DDR3 по 20-нанометровой технологии во второй половине 2011 года. Специалисты Samsung предполагают, что к 2012 году более 10% выпускаемых компанией чипов DRAM будут 4-гигабитными, или еще более емкими.

Источник:

• digitimes.com

Корпорация Samsung объявила о создании 8-гигабайтных модулей RDMIMM, использующих чипы Green DDR3 DRAM. Микросхемы производятся по технологическому процессу 40 нм. Новинку уже успешно протестировали основные потребители компьютерных комплектующих Samsung.

Для построения модулей использовалась технология трехмерной компоновки чипов под названием TSV (Through Silicon Via). Она позволяет поместить на плате несколько слоев микросхем, соединенных вертикальными медными проводниками через микроскопические отверстия в кремнии. Благодаря сокращению длины соединений несколько чипов, расположенные один на другом, обеспечивают производительность, сопоставимую с быстродействием цельного кристалла.

Не менее важное преимущество новой технологии заключается в снижении электрической мощности модулей RAM. По сравнении с обычными планками RDIMM "зеленые" модули Samsung расходуют на 40% меньше энергии. Кроме того, уплотнение микросхем позволяет в перспективе уменьшить число разъемов для "оперативки" в серверных системах нового поколения. Если удалить из компьютеров, использующихся сегодня, 30% слотов RAM, то плотность оперативной памяти увеличится в полтора раза.

Опробовав технологию TSV на модулях RDIMM, Samsung уже занимается ее адаптаций для других серверных решений, требующих высокой производительности памяти при строгих ограничениях на объем потребляемой энергии. Массовое распространение продуктов на основе TSV ожидается с 2012 года.

Источник:

• www.xbitlabs.com