Компания Micron Technology объявила о начале поставок первых в отрасли твердотельных (SSD) накопителей корпоративного класса, выполненных с использованием чипов памяти QLC NAND.

Технология QLC, или Quad-Level Cell, предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Таким образом, плотность хранения данных по сравнению с изделиями TLC (Triple-Level Cell) NAND, которые содержат три бита информации в ячейке, возрастает на 33 %.

Накопители Micron 5210 Ion выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Толщина корпуса составляет 7 мм. Для подключения используется стандартный интерфейс Serial ATA.

Покупателям будут предлагаться модификации Micron 5210 Ion вместимостью от 1,92 Тбайт до 7,68 Тбайт. Эти устройства хранения данных призваны составить конкуренцию традиционным жёстким дискам в корпоративном секторе.

Пока новинки поставляются ограниченному числу партнёров и заказчиков Micron Technology. Массовые отгрузки намечены на осень нынешнего года. О цене решений Micron 5210 Ion, к сожалению, ничего не сообщается. 

Корпорация Intel на мероприятии Open Compute Project Summit приоткрыла завесу тайны над новыми накопителями Optane M.2 SSD, рассчитанными на использование в оборудовании корпоративного класса.

Сейчас семейство решений Intel Optane включает флагманские изделия Optane SSD DC P4800X для корпоративного рынка, а также потребительские устройства Optane SSD 900P, Optane Memory и Optane SSD 800P M.2. При этом накопители P4800X и 900P отличаются довольно большими размерами и относительно высоким энергопотреблением, тогда как изделия Optane Memory и 800P имеют ограниченную ёмкость.

Новые накопители Optane для корпоративного рынка сейчас фигурируют под названием Optane SSD DC P4801X. Они будут выполнены в компактном формате М.2 и при этом предложат значительную вместимость. В частности, Intel продемонстрировала изделие ёмкостью 375 Гбайт. Увы, скоростные показатели при этом раскрыты не были.

Напомним, что основой изделий Optane является передовая память 3D XPoint, которая, как заявляет Intel, объединяет в себе все преимущества технологий производства памяти, доступных на рынке. Она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов. Эта память до 1000 раз быстрее и имеет до 1000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. 

Компания Samsung Electronics анонсировала новый твердотельный (SSD) накопитель для систем хранения данных корпоративного уровня: решение получило название PM883.

Reuters

Устройство выполнено в 2,5-дюймовом форм-факторе, а для подключения служит интерфейс Serial ATA 3.0, обеспечивающий пропускную способность до 6 Гбит/с. Вместимость составляет почти 8 Тбайт — 7680 Гбайт.

В новинке применены 64-слойные микрочипы флеш-памяти V-NAND. Кроме того, накопитель оборудован 16-гигабитным модулем памяти LPDDR4 DRAM, изготовленным по технологии 10-нанометрового класса.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 520 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении — до 98 000, при произвольной записи — до 28 000.

Отмечается, что устройство имеет высокую энергетическую эффективность. Так, энергопотребление при чтении составляет всего 2,8 Вт, при записи — 3,7 Вт.

В серию PM883, помимо модели вместимостью 7680 Гбайт, входит модификация ёмкостью 3840 Гбайт. Сроки начала продаж и ориентировочная цена изделий пока, увы, не раскрываются. 

Корпорация Toshiba анонсировала сразу три серии твердотельных (SSD) накопителей, рассчитанных на применение в центрах обработки данных.

Дебютировали устройства семейств CD5, XD5 и HK6-DC. В них применяется 64-слойная флеш-память BiCS Flash 3D. Задействована технология TLC (triple-level cell), позволяющая хранить три бита информации в одной ячейке.

Накопители серии CD5 представлены в 2,5-дюймовом исполнении с интерфейсом подключения U.2. Вместимость варьируется от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3140 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1980 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) на операциях чтения и записи — до 500 000 и до 35 000 соответственно.

Изделия XD5 имеют типоразмер M.2 22110 (интерфейс PCIe NVMe 1.2.1). Ёмкость составляет от 1,9 до 3,8 Тбайт. Скорость чтения достигает 2600 Мбайт/с, скорость записи — 890 Мбайт/с. Величина IOPS при чтении и записи — до 240 000 и до 21 000.

Наконец, решения HK6-DC выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Используется интерфейс Serial ATA 3.0. Вместимость варьируется от 960 Гбайт до 3,8 Тбайт. Заявленная скорость передачи информации достигает 550 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении составляет до 85 000.

Поставки образцов накопителей CD5, XD5 и HK6-DC начнутся в следующем квартале. Информации об ориентировочной цене решений на данный момент, к сожалению, нет. 

Компания GIGABYTE подготовила к выпуску карту расширения CMT2014, которая позволяет выделить слот PCI Express 3.0 x16 на материнской плате сразу под четыре твердотельных накопителя.

Новинка располагает четырьмя коннекторами для SSD-модулей M.2 PCIe Gen3 x4. На монтажной планке предусмотрены светодиодные индикаторы, информирующие о текущем статусе каждого из установленных накопителей.

Карта имеет однослотовое исполнение, её габариты составляют 210 × 130 мм. Можно использовать твердотельные модули М.2 2242/2260/2280/22110. Иными словами, максимальная длина таких накопителей может достигать 110 мм.

Любопытно, что при использовании модулей M.2 длиной 80 мм или меньше задняя часть карты расширения может быть попросту отломана. Это позволит уменьшить размер с 210 до 185 мм.

Решение GIGABYTE CMT2014 рассчитано на применение в серверах и рабочих станциях на аппаратной платформе Intel Xeon Purley. Информации об ориентировочной цене новинки на данный момент, к сожалению, нет. 

Компания Silicon Motion Technology Corporation представила первые в мире одночиповые твердотельные накопители PCIe NVMe, рассчитанные на использование во встраиваемых устройствах и оборудовании корпоративного класса.

Анонсированные изделия относятся к семейству FerriSSD. Они выполнены в соответствии со спецификацией NVM Express (NVMe), которая описывает доступ к SSD с помощью шины PCI Express.

Покупателям будут предлагаться решения серий SM689 и SM681. В первом случае задействован интерфейс PCIe 3.0 x4, во втором — PCIe 3.0 x2. Вместимость накопителей варьируется от 16 до 256 Гбайт.

Разработчик отмечает, что скорость последовательного чтения информации в зависимости от модификации достигает 1450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 650 Мбайт/с. Таким образом, новые изделия подходят для применения в высокопроизводительных устройствах.

Важно отметить, что накопители характеризуются широким диапазоном рабочих температур — от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Это позволяет использовать их, к примеру, в автомобильных системах, которые эксплуатируются в неблагоприятных условиях.

Информации о стоимости изделий Silicon Motion FerriSSD SM689 и SM681 на данный момент нет. 

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства самых ёмких в мире твердотельных (SSD) накопителей с интерфейсом Serial Attached SCSI (SAS).

Устройства хранения данных серии PM1643 рассчитаны на корпоративный рынок. Они выполнены на основе 64-слойных чипов памяти V-NAND вместимостью 512 Гбит. Объём накопителей достигает 30,72 Тбайт.

Применённый интерфейс SAS обеспечивает пропускную способность до 12 Гбит/с. Заявленная скорость последовательного чтения информации составляет до 2100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 1700 Мбайт/с.

Новые накопители выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Толщина корпуса составляет 15 мм. Устройства предназначены прежде всего для систем хранения данных следующего поколения.

Заявленный показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении достигает 400 000, при произвольной записи — 50 000. Средняя наработка на отказ (MTBF) равна 2 млн часов.

Позднее в текущем году в новом семействе твердотельных накопителей будут представлены модели вместимостью 15,36 Тбайт, 7,68 Тбайт, 3,84 Тбайт, 1,92 Тбайт, а также 960 Гбайт и 800 Гбайт. Гарантия производителя составляет пять лет. 

Корпорация Intel официально представила твердотельные накопители SSD DC P4510, предназначенные для использования в составе центров обработки данных и облачных платформ.

Устройства полагаются на 64-слойные микрочипы памяти Intel TLC 3D NAND. Они выполнены в формате 2,5" U.2 с толщиной корпуса 15 мм. Задействован интерфейс PCIe NVMe 3.0 x4.

В семейство вошли модели вместимостью 8, 4, 2 и 1 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает соответственно 3200, 3000, 3200 и 2850 Мбайт/с. Скорость последовательной записи — до 3000, 2900, 2000 и 1100 Мбайт/с.

Средняя наработка на отказ, как утверждается, достигает 2 млн часов. Поддерживается шифрование данных по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит. Весят устройства 139 граммов.

Отмечается также, что в первой половине текущего года станут доступны твердотельные накопители P4511 в формате M.2 110. Кроме того, корпорация Intel продолжает развивать направление устройств хранения в новом формате «линейки» (ruler), которые базируются на спецификации Enterprise and Datacenter SSD Form Factor (EDSFF). Использование данных решений позволит создавать одноюнитовые серверы большой вместимости. 

Компания Samsung Electronics объявила о выпуске твердотельного накопителя SZ985 Z-SSD вместимостью 800 Гбайт, рассчитанного на корпоративный рынок.

О подготовке решения SZ985 Z-SSD мы рассказывали в прошлом году. Устройство выполнено в виде карты расширения PCIe, а в его основу положены чипы памяти Z-NAND. Как говорилось ранее, Z-NAND представляет собой многослойную память 3D NAND (в терминах Samsung — V-NAND) с записью в каждую ячейку по одному биту данных.

Накопитель SZ985 Z-SSD несёт на борту высокопроизводительный контроллер Samsung и 1,5 Гбайт памяти LPDDR4 DRAM. Утверждается, что показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении данных достигает 750 тыс., при произвольной записи — 170 тыс. Задержка при записи заявлена на уровне 16 мкс.

Samsung Electronics утверждает, что накопитель способен выдерживать до 30 циклов перезаписи всей информации в день (DWPD) на протяжении пяти лет. Средняя заявленная наработка на отказ (показатель MTBF) составляет 2 млн часов.

Новинка рассчитана на применение в системах высокопроизводительных вычислений (HPC). Это могут быть приложения, связанные с искусственным интеллектом, аналитикой больших данных, Интернетом вещей и пр. О цене SZ985 Z-SSD, к сожалению, ничего не сообщается. 

Компания ATP Electronics представила новые твердотельные (SSD) накопители, предназначенные для использования в промышленном оборудовании, а также в устройствах, работающих в экстремальных условиях.

Изделия с обозначением 2280-D2-M относятся к устройствам M.2 NVMe. Применены микрочипы флеш-памяти 3D MLC (Multi-Level Cell) NAND. Вместимость варьируется от 128 Гбайт до 1 Тбайт.

Скорость последовательного чтения информации, как утверждается, достигает 2540 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1100 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении — до 100 000.

В новом семействе представлены накопители серий N600i и N600c. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия, во втором — от 0 до плюс 70 градусов Цельсия.

Габариты изделий составляют 80,0 × 22,0 × 3,5 мм. Говорится о поддержке команд TRIM. Средняя заявленная наработка на отказ превышает 2 млн часов.

Сроки начала продаж накопителей и их ориентировочная стоимость пока не раскрываются.