Компания SMART Modular Technologies представила твердотельные накопители серии N200, рассчитанные на использование в сетевых системах хранения данных, серверах, различном телекоммуникационном оборудовании, промышленных устройствах и пр.

В семейство вошли решения в разных форм-факторах. Это, в частности, 2,5-дюймовые изделия, а также модули mSATA (MO-300), Slim SATA (MO-297), M.2 2242 и 2280.

Все накопители выполнены с применением микрочипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Технология TLC, напомним, предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

Вместимость в зависимости от модификации варьируется от 32 Гбайт до 1 Тбайт. Говорится о том, что устройства имеют расширенный диапазон рабочих температур.

Среди прочего стоит упомянуть повышенную надёжность, что важно, поскольку решения могут применяться в составе критически важного оборудования.

Более подробную информацию о твердотельных накопителях SMART Modular N200 можно найти на этой странице. 

Компания ADATA анонсировала твердотельные накопители серий ISSS316 и IMSS316, рассчитанные на использование в промышленном оборудовании, системах автоматизации, платформах видеонаблюдения и пр.

Все новые изделия изготавливаются с применением микрочипов флеш-памяти 3D TLC NAND. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 градусов Цельсия. Поддерживаются средства мониторинга S.M.A.R.T. и технология NCQ, оптимизирующая порядок, в котором выполняются команды чтения и записи.

Решения ISSS316 выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсом SATA 3.0. Скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 520 Мбайт/с.

В семействе IMSS316 представлены решения формата mSATA. Эти накопители способны считывать информацию со скоростью до 540 Мбайт/с и записывать данные со скоростью до 530 Мбайт/с.

В обоих семействах будут доступны изделия вместимостью 32 Гбайт, 64 Гбайт, 128 Гбайт, 256 Гбайт, 512 Гбайт и 1 Тбайт. В серии IMSS316 также планируется выпуск накопителя ёмкостью 2 Тбайт.

О цене новинок, к сожалению, ничего не сообщается. 

На выставке SC18, которая на прошлой неделе состоялась в Далласе, штат Техас, было показано множество продуктов, использующих FPGA-матрицы от компании Xilinx. Среди них оказались фирменные ускорители вычислений и системы на их основе, а также новые «умные» твердотельные накопители SmartSSD.

На своём собственном стенде Xilinx продемонстрировала новейший ускоритель вычислений Alveo U280. Он построен на 16-нм FPGA-матрице с архитектурой Xilinx UltraScale. Её дополняет 8 Гбайт памяти HBM2 с пропускной способностью 460 Гбайт/с и два модуля памяти DDR4 по 16 Гбайт каждый. Также отметим использование интерфейса PCI Express 4.0 x8 и поддержку CCIX.

Напомним, что платформа CCIX разрабатывается для обеспечения связи между абсолютно всеми компонентами системы, которые не сочетаются напрямую. И теперь она получила реализацию в кремнии. Также отметим, что сейчас консорциум CCIX активно продвигает свой стандарт, и на многих стендах SC18 были замечены решения, использующие его.

Как и другие ускорители серии Alveo, новый Alveo U280 предназначен для центров обработки данных. По словам производителя, ускорители на FPGA способны наилучшим образом подстраиваться под те задачи, выполнение которых на него возложено, что в результате делает их универсальным решением. Здесь сразу стоит отметить, что Xilinx сейчас активно работает над средствами разработки и стремится сделать их как можно проще, чтобы облегчить работу с её ускорителями, дав возможность сборки кода  C/C++/OpenCL для FPGA. Это один из главных моментов в борьбе с Intel, которая давно занимается аналогичными компиляторами для продуктов Altera. 

Возможно, в том числе и по этой причине ускорители на базе FPGA от Xilinx получают всё большее распространение. В том числе в облаках: у Amazon уже есть Ryft, а Microsoft планирует внедрить продукты компании в Azure. На SC18 оказалось непривычно много решений с платами Alveo, которые производители готовы предлагать заказчикам в составе своих систем наряду с Altera или даже в качестве альтернативы NVIDIA, так как последние решения компании оптимизированы и для работы с ИИ. 

Главной новинкой на стенде Xilinx стали так называемые SmartSSD, созданные совместно с Samsung. Данные «умные» накопители сочетают в себе однокристальную платформу с FPGA под названием Xilinx ZU19EG MPSoC, а также оперативную память (DDR или HBM), ну и, конечно же, саму твердотельную память V-NAND от Samsung. Ключевое отличие от обычных SSD в том, что SmartSSD сам частично занят вычислениями и обработкой данных, так сказать, не отходя от кассы. Такой подход обсуждается годами, но только сейчас получил хорошую реализацию в «железе».  

Строго говоря, это не первая попытка совместить SSD и FPGA в «одном флаконе» — такие решения ещё два года назад демонстрировала компания Smart IOPS, но они были ориентированы скорее на оптимизацию потоков данных, обращений к накопителю и предварительной выборке. Понятно, что полностью всю обработку данных переложить на плечи SmartSSD нельзя, но вполне стандартные операции шифрования, архивирирования, дедупликации ему под силам. Кроме того, разработчики упоминают ещё и (де)кодирование видео или работу с ИИ. В любом случае важно то, что таким образом можно существенно снизить обмен между накопителем и остальной системой, так как передаваться будут уже предобработанные данные + значительно сокращается путь самих данных в сравнении с установленными порознь SSD и FPGA. 

На стенде с этим SmartSSD свои решения демонстировала компания Bigstream, которая занимается акселерацией работы с базами данных и BigData-системами с помощью FPGA и GPU. Конкретный пример — значительное ускорение комплексной выборки данных из Spark за счёт обработки записей на FPGA. Отдельно отмечается, что для конечных пользователей всё это происходит прозрачно, так как слой оффлоада задач лежит ниже, на уровне фреймворка или драйвера БД. Похожие решения для гетерогенных вычислений, в том числе в облаках, совместно с Xilinx предлагает и BLACKLYNX. К слову, обратите внимание на слайд выше. С накопителем Samsung PM983 мы уже знакомы — это «линеечный» SSD формата NF-1. А вот PM983F, похоже, тот же SSD, но с FPGA на борту. 

Были показаны также и «умные» сетевые адаптеры, оснащённые FPGA-матрицами Xilinx. Например, решение от Mellanox Technologies под названием Innova-2, которое было впервые представлено ещё год назад. Затея, в целом, та же, что у SmartSSD: переконфигурируемость и предварительная обработка данных на лету. 

Huawei также создаёт ускорители на FPGA от Xilinx

Как и говорилось в самом начале, на выставке было показано множество продуктов, использующих FPGA-матрицы Xilinx. Отдельного внимания заслуживает сотрудничество AMD и Xilinx, которое началось не так давно, но уже в следующем году может принести довольно интересные плоды.

На стенде AMD была показана разрабатываемая платформа на базе процессора EPYC «Rome» и ускорителей Xilinx Alveo с интерфейсом PCIe 4.0. Также эта платформа может иметь твердотельные накопители Samsung с NVMe PCIe 4.0, InfiniBand-карту Mellanox с пропускной способностью 200 Гбит/с и сетевой адаптер Ethernet Broadcom Thor, также со скоростью 200 Гбит/с. Отдельно стоит обратить внимание, что здесь нет компонентов от Intel и NVIDIA: CPU, накопителей, интерконнекта и ускорителей. Кроме того, AMD может предложить и собственные Instinct'ы для вычислений. 

Компания SMART Modular Technologies представила накопитель nvNITRO в форм-факторе U.2. До этого устройство распространялось в виде PCIe-адаптера с шиной PCI Express 3.0 x8. Поставки PCIe-версии накопителя SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт стартовали в мае текущего года. Анонс разработки состоялся в августе 2017 года. Версия с 2 Гбайт памяти так и не вышла. Пусть вас не смущает небольшой по современным меркам объём памяти накопителей. Зато это память Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) компании Everspin Technologies, которая, как сказано в спецификациях, имеет неограниченную устойчивость к износу.

Накопитель SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт в форм-факторе U.2

Другое важное преимущество у магниторезистивной памяти с записью с переносом спина электрона — это малые задержки при обращении. Задержки при чтении порядка 6,26 мкс, а задержки при записи — 7,22 мкс. Даже у хвалёных и непревзойдённых Intel Optane на памяти 3D XPoint задержки на этих операциях в пределах 10 мкс, а у обычных SSD на памяти NAND они могут быть больше на один порядок. К сожалению, всё портит низкая плотность памяти MRAM. Разработчик и производители так и не смогли наладить массовое производство магниторезистивной памяти объёмом свыше 256 Мбит на один кристалл.

Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв

Выпуск накопителя nvNITRO в исполнении U.2 расширяет сферу использования устройств и повышает удобство эксплуатации. Например, данный форм-фактор поддерживает горячую замену накопителей, что невозможно в исполнении карты с интерфейсом PCIe. Также nvNITRO в исполнении U.2 удобнее использовать в качестве кеширующего накопителя в стойке, установив его непосредственно в корзину с SSD или HDD, доступ к данным на которых он должен кешировать.

Наиболее востребованной сферой применения накопителя nvNITRO считается область проведения финансовых транзакций, где время буквально — деньги. Производитель утверждает, что использование nvNITRO снижает время ожидания реакции финансовых приложений до 90 % по сравнению с SSD корпоративного класса. Правда, цена за накопитель обещает оказаться немалой. По форм-фактору U.2 информации пока нет, а в исполнении PCIe накопитель стоит от $2200.

nvNITRO Accelerator Card

Стоит также отметить высокое потребление накопителей nvNITRO. При объёме всего в 1 Гбайт устройство потребляет до 25 Вт в режиме чтение/запись в соотношении 70/30. Может так статься, что в этом вина контроллера, который выполнен на матрице FPGA, что достаточно неэффективно. Но подтверждения этому у нас нет.

Компания Advantech анонсировала твердотельные накопители промышленного класса SQFlash 920: новинки подходят для использования в устройствах Интернета вещей, системах машинного зрения, автомобильных платформах и пр.

Заказчики смогут выбирать между изделиями в 2,5-дюймовом исполнении U.2 (SFF-8639) PCIe/NVMe и в формате NGFF M.2 2280 (используется интерфейс PCIe Gen. 3.0 x4 / NVMe 1.3).

В накопителях применены микрочипы флеш-памяти Toshiba 3D NAND BiCS 3. Упомянута поддержка команд TRIM, которые служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности устройств хранения данных.

Говорится о повышенной надёжности и широком диапазоне рабочих температур, который простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Вместимость накопителей Advantech SQFlash 920 может достигать 8 Тбайт. Скоростные показатели пока, к сожалению, не раскрываются.

Сроки начала продаж и ориентировочная цена новинок будут названы позднее. 

Компания Micron начала массовые поставки твердотельных накопителей 5210 Ion корпоративного класса, построенных на микросхемах памяти типа QLC 3D NAND. В мае этого года производитель начал поставки этих накопителей ограниченному кругу клиентов, а теперь же они доступны всем желающим.

Для начала напомним, что твердотельная память типа QLC предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Это обеспечивает на 33 % более высокую плотность хранения информации по сравнению с флеш-памятью типа TLC 3D NAND, которая способна вместить три бита в одну ячейку. В накопителях 5210 Ion используется 64-слойная память QLC 3D NAND собственного производства Micron.

Производитель позиционирует новинки в качестве полноценной замены традиционным жёстким дискам. Твердотельные накопители обладают гораздо более высокой скоростью работы, а также занимают меньше места по сравнению с жёсткими дисками и потребляют втрое меньше энергии, что в масштабах крупных серверов может быть существенным плюсом. Отмечается, что накопители Micron 5210 Ion способны проявить себя с лучшей стороны в таких задачах, как анализ данных в реальном времени, а также в IT-проектах, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением, обработкой больших объёмов данных (Big Data), работой с базами данных и многими другими областями.

Накопители Micron 5210 Ion доступны в версиях объёмом 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Во всех случаях накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и имеют толщину 7 мм. Для подключения используется интерфейс SATA III (6 Гбит/с). Для новинок заявлена скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с, записи — от 260 до 360 Мбайт/с в зависимости от объёма. Производительность случайного чтения достигает 70–90 тыс IOPS, а записи — всего 4,5-13 тыс IOPS.

Производитель не уточняет стоимость твердотельных накопителей Micron 5210 Ion. Дистрибьютеры же на данный момент принимают предварительные заказы на новинки по цене около 21–24 цента за 1 Гбайт (получается около $1650 за модель объёмом 7,68 Тбайт). Для сравнения, розничная цена накопителей Micron 5200 ECO на базе TCL-памяти составляет 25–28 центов за гигабайт. Оптовые же цены на новые Micron 5210 Ion будут ощутимо ниже, да и розничные цены после начала продаж могут оказаться ниже 20 центов за гигабайт.

Компания Innodisk анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии 3TG6-P, рассчитанные на использование в оборудовании промышленного класса.

Изделия выполнены в формате 2,5 дюйма: габариты составляют 69,8 × 100,0 × 6,8 мм. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC (три бита информации в одной ячейке).

Вместимость варьируется от 128 Гбайт до 4 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 530 Мбайт/с. Запись данных может осуществляться со скоростью до 460 Мбайт/с.

Новинки характеризуются широким диапазоном рабочих температур: от простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Таким образом, устройства могут эксплуатироваться в самых суровых условиях.

Показатель MTBF (среднее время безотказной работы), как утверждается, превышает 3 млн часов. Накопителям не страшны вибрации и удары.

Среди прочего стоит выделить средства мониторинга S.M.A.R.T., а также возможность шифрования информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит. 

Компания Samsung Electronics анонсировала новые твердотельные (SSD) накопители, рассчитанные на использование в оборудовании корпоративного класса.

Представлены изделия четырёх серий — 860 DCT, 883 DCT, 983 DCT и 983 ZET. Все они используют микрочипы флеш-памяти Samsung V-NAND. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Накопители серий 860 DCT и 883 DCT выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе; для подключения служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0. При этом вместимость устройств 860 DCT варьируется от 960 Гбайт до 3,84 Тбайт, а изделий 883 DCT — от 240 Гбайт до 3,84 Тбайт.

Решения серий 983 DCT и 983 ZET, в свою очередь, относятся к высокопроизводительным накопителям. Они используют интерфейс PCIe Gen 3.0 x4 и стандарт NVMe 1.2b.

Устройства 983 DCT выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе с разъёмом U.2. Доступны два варианта ёмкости — 960 Гбайт и 1,92 Тбайт.

Накопители 983 ZET представляют собой карты расширения HHHL (half height, half length). Покупатели смогут выбирать между модификациями вместимостью 480 и 960 Гбайт.

Со скоростными показателями всех накопителей можно ознакомиться в таблице выше. Поставки устройств серий 860 DCT, 883 DCT и 983 DCT уже начались, а изделия 983 ZET станут доступны 24 сентября. Гарантия производителя — до пяти лет. 

На протяжении уже довольно продолжительного времени компания Intel не упускает возможности напомнить о подготовке модулей памяти Optane DC Persistent Memory. На недавнем мероприятии Intel Datacenter Summit 2018, где были обнародованы планы компании на будущее в серверном сегменте, было объявлено о начале поставок модулей Optane DC компании Google.

Однако актуальные серверные процессоры Intel Xeon Skylake-SP не поддерживают работу с новыми модулями, несмотря на полную их совместимость со слотами DDR4 DIMM на уровне контактов. Данная возможность будет только у будущих Cascade Lake-SP, которые пока что даже не были представлены. Поэтому зачем Google память, которую негде использовать, пока что неясно. Хотя, возможно, Google уже имеет на руках образцы процессоров Cascade Lake-SP и как раз занимается их тестированием в реальных условиях.

Также Intel пока что не раскрывает все подробности о новых модулях памяти. Неизвестна ни их латентность, ни точная скорость, ни цена, ни надёжность, ни безопасность, ни множество других особенностей. В Intel предпочитают ограничиваться лишь общими фразами, например, что модули Optane DC обладают более высокой скоростью, нежели традиционные твердотельные накопители. То есть в иерархии памяти занимают место как раз между ними.

Эти модули построены на твердотельной памяти 3D XPoint. Несмотря на проигрыш в скорости традиционной оперативной памяти, у модулей Optane DC есть несколько важных преимуществ. В частности, куда больший объём за меньшую стоимость, а также наличие возможности сохранить данные даже в отсутствие питания. На данный момент Intel производит модули Optane DC объёмом до 512 Гбайт, а один процессор способен работать с шестью такими модулями.

Компания Intel представила новый твердотельный накопитель серии SSD DC P4500, рассчитанный на использование в корпоративном секторе.

Изделие выполнено в «линеечном» форм-факторе (Ruler). Вместимость составляет внушительные 32 Тбайт. Intel утверждает, что новинка обладает самой высокой плотностью хранения информации среди всех решений компании.

Полностью характеристики накопителя пока не раскрываются. Но отмечается, что в его составе задействованы 64-слойные микрочипы флеш-памяти TLC (три бита на ячейку) 3D NAND.

В одном сервере типоразмера 1U можно разместить 32 твердотельных накопителя Intel в «линеечном» форм-факторе. Таким образом, может быть сформировано высокопроизводительное и в то же время компактное хранилище информации суммарным объёмом в 1 Пбайт.

В качестве областей применения новинки названы системы аналитики больших данных, сервисы потоковой передачи видеоматериалов, сети доставки контента и т. п.