Современные твердотельные накопители хороши всем, но сами принципы, на которых строится NAND-память, наделяют их конечным ресурсом перезаписи, что в некоторых сценариях весьма критично. Специально для таких сценариев предназначен новый SSD Solidigm D7-P5810, анонсированный буквально на днях.

Большая часть современных SSD использует многослойную память 3D TLC NAND, а в погоне за ёмкостью и плотностью упаковки данных практическими всеми производителями NAND-устройств и самих SSD активно осваиваются технологии QLC и PLC, с четырьмя и пятью битами на ячейку, соответственно.

Но это означает пониженный ресурс записи и для использования в качестве устройств strorage class memory (SCM) такие SSD подходят не лучшим образом. Новый Solidigm D7-P5810, однако, использует 144-слойную память 3D NAND в режиме SLC, с одним битом на ячейку. За исключением экзотических технологий, вроде MRAM или почившего в бозе Optane это самый надёжный на сегодня вариант энергонезависимой памяти.

Источник изображений здесь и далее: Solidigm

Именно использование SLC-памяти позволяет компании-производителю заявлять для P5810 общий ресурс записи в 73 Пбайт и 50 полных перезаписей в день в течение пятилетнего гарантийного срока. Наработка на отказ заявлена на уровне 2 млн часов, а показатель UBER не превышает 1 сектор на 10¹⁷ бит. Ёмкость при этом не слишком высока, что характерно для всех SLC-устройств: новинка представлена в вариантах 800 Гбайт и 1,6 Тбайт (появится в первой половине 2024 года).

Solidigm D7-P5810 использует форм-фактор U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4), что позволяет ему развивать линейные скорости 6400 и 4000 Мбайт/с при чтении и записи соответственно. На случайных операциях при максимальной глубине запроса накопитель обеспечивает 865 тысяч IOPS при чтении и 495 тысяч IOPS при записи. Латентность при этом находится в пределах 10–15 мкс, при случайном чтении она не превышает 53 мкс.

Solidigm D7-P5810 в сравнении с соперниками. Конкурент A — Micron XTR, конкурент B — Kioxia FL6. Источник: Solidigm

Устройство достаточно экономично: в активном состоянии новый SSD потребляет не более 12 Вт, а в режиме простоя — не более 5 Вт. В качестве сценариев использования Solidigm называет кеширование в системах на базе QLC NAND, также он отлично подойдет для HPC-систем или систем сбора данных и логов.

Правда, новый накопитель не уникален: на рынке ему придётся конкурировать с Kioxia FL6 или Micron XTR, также использующими SLC 3D NAND. Оба конкурента имеют варианты с большей ёмкостью (3,2 Тбайт у Kioxia, 1,92 Тбайт у Micron), но заметно уступают Solidigm D7-P5810 в производительности на случайных операциях записи.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

Компания Swissbit анонсировала карты памяти серии S-600 форматов SD и microSD, предназначенные для использования в экстремальных условиях. Изделия подходят для устройств Интернета вещей, периферийного оборудования, медицинских приборов, транспортных систем и других приборов, к которым предъявляются повышенные требования в плане надёжности.

Новинки выполнены на чипах флеш-памяти SLC NAND (один бит информации в ячейке). Это обеспечивает высокую долговечность и целостность данных. Количество циклов записи/стирания (P/E) достигает 100 тыс. Доступны версии с расширенным и индустриальным диапазонами рабочих температур: от -25 до +85 °C и от -40 до +85 °C соответственно.

Источник изображения: Swissbit

Флеш-карты S-600 формата SD выполнены по стандартам SD 5.0 и Speed Class 10/U3/V30. Скорость последовательного чтения достигает 95 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 55 Мбайт/с. Представлены варианты вместимостью 512 Мбайт, а также 1, 2, 4, 8, 16 и 32 Гбайт. Размеры — 32 × 24 × 2,1 мм.

Карты S-600u формата microSD, в свою очередь, соответствуют стандартам SD 3.0 и Speed Class 10/U1. Скорость последовательного чтения составляет до 35 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 21 Мбайт/с. Ёмкость — 512 Мбайт, а также 1 и 2 Гбайт. Изделия имеют размеры 15 × 11 × 0,7 мм.

Показатель MTBF у всех новинок составляет не менее 3 млн часов; количество установок/извлечений из разъёма — до 20 тыс. Применён контроллер Hyperstone S9. Напряжение питания может варьироваться от 2,7 до 3,6 В. Упомянута поддержка SPI-режима.

Компания ODU анонсировала флеш-накопитель AMC High-Density Flash Drive: это защищённое устройство повышенной прочности позволяет решать задачи хранения данных в жёстких условиях эксплуатации. Портативный накопитель отлично подходит для систем, которые работают вдали от цивилизации и привычной инфраструктуры.

Здесь и ниже изображения ODU

Новинка использует коннектор ODU AMC High-Density с количеством контактов до 27. Это решение обеспечивает возможность быстрой фиксации и разблокировки соединения, а также дополнительную защиту путём винтового крепления (может потребоваться, например, в случае высокой вибрационной нагрузки). Данные разъёмы поддерживают распространённые протоколы передачи данных, такие как CAT6A, HDMI, USB 2.0 и USB 3.2 Gen1x1.

Для накопителя заявлена степень защиты IP68/69K, в том числе в подключённом состоянии. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °C. Вместимость накопителя составляет 64 Гбайт. Задействована PSLC-технология (Pseudo Single Level Cell). Утверждается, что устройство выдерживает большее количество циклов записи и чтения по сравнению с традиционными флеш-накопителями с ячейками MLC.

В качестве областей применения новинки названы стандартные и встраиваемые компьютеры, портативные и мобильные устройства, беспилотные летательные (UAV), наземные (UGV), надводные (USV) и подводные (UUV) аппараты.

Компании Winbond Electronics и Macronix International намерены в текущем году предложить новые продукты на основе флеш-памяти SLC NAND. Об этом сообщает ресурс DigiTimes, ссылаясь на отраслевые источники.

Технология SLC, или Single-Level Cell, предусматривает хранение только одного бита информации в одной ячейке. По сравнению с изделиями MLC (Multi-Level Cell) такие чипы обладают более высокими надёжностью и долговечностью.

Сообщается, что Winbond и Macronix намерены расширить ассортимент продуктов на базе SLC NAND для промышленного применения, а также для ряда нишевых областей.

Предполагается, что выпуск новых продуктов на базе технологии SLC NAND поможет компаниям повысить прибыль. К примеру, Winbond отмечает рост спроса на память NAND: в конце прошлого года на эти изделия пришлось около 9 % в общей выручке компании против 7 % в начале 2019 года.

Winbond рассчитывает на увеличение до 25% доли продукции для промышленного и автомобильного секторов. Отмечается, что в нынешнем году ожидается хороший спрос на высокоплотные чипы SLC NAND ёмкостью 512 Мбит и 1 Гбит.

Macronix, в свою очередь, наращивает выпуск SLC NAND, производимой по разработанному в компании техпроцесу 19 нм. Именно эти чипы должны помочь компании завоевать рынок промышленной памяти.

Компания Greenliant объявила о начале пробных поставок твердотельных накопителей EnduroSLC Industrial Enterprise EX Series, рассчитанных на использование в коммерческой и промышленной сферах.

Устройства вошли в семейство G3200. Изделия обладают повышенной надёжностью: утверждается, что они способны выдерживать до 30 полных перезаписей в сутки (показатель DWPD) на протяжении пяти лет.

Ещё одна особенность устройств — расширенный диапазон рабочих температур. Он простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Реализована поддержка шифрования информации по алгоритму AES-256. Кроме того, упомянута функция безопасного уничтожения данных Crypto Erase.

Накопители выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе с применением микрочипов флеш-памяти 3D SLC NAND. Для подключения служит стандартный интерфейс SATA 3.0.

В серию G3200 вошли четыре модели — вместимостью 800 Гбайт и 960 Гбайт, а также 1,6 Тбайт и 1,92 Тбайт. Массовое производство новинок начнётся в ближайшее время; о цене пока ничего не сообщается.

Корпорация Toshiba Memory анонсировала флеш-чипы SLC NAND нового поколения, использующие последовательный интерфейс SPI (Serial Peripheral Interface).

Изделия предназначены для встраиваемых решений. Они могут использоваться в промышленном оборудовании, робототехнических системах, принтерах, носимых устройствах и пр.

В семейство вошли флеш-чипы ёмкостью 1 Гбит, 2 Гбит, 4 Гбит и 8 Гбит. Рабочая частота составляет 133 МГц, напряжение питания — 1,8 В или 3,3 В.

Изделия могут функционировать в широком температурном диапазоне — от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Это позволяет применять их в самых разнообразных сферах.

Toshiba отмечает, что благодаря высокой скорости считывания и записи, а также большому ресурсу записи модули флеш-памяти NAND типа SLC идеально подходят для применения в разнообразных потребительских и промышленных системах. Кроме того, флеш-память NAND типа SLC намного экономичнее флеш-памяти NOR.

Поставки новых изделий начнутся уже в следующем месяце (чипы ёмкостью 8 Гбит станут доступны в декабре). О цене ничего не сообщается.

Компания SMART Modular Technologies анонсировала твердотельные накопители (SSD) повышенной надёжности S5E, подходящие для использования в системах телеметрии, наблюдения и в других критически важных областях.

Решения выполнены с применением микрочипов флеш-памяти SLC NAND: эта технология предусматривает хранение только одного бита информации в ячейке. Утверждается, что накопители могут быть полностью перезаписаны до 40 000 раз.

Устройства серии S5E выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Для подключения к компьютеру служит интерфейс Serial ATA 3.0. Габариты составляют 100 × 70 × 7 мм.

В семейство вошли модели вместимостью 120, 240 и 480 Гбайт. Скорости последовательного чтения и записи информации достигают 530 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении составляет до 80 000, при произвольной записи — до 50 000.

Накопители поддерживают шифрование данных по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит. Кроме того, реализованы функции безопасного удаления информации.

Цена и сроки начала продаж новинок пока не раскрываются.

Технология энергонезависимых модулей NVDIMM обсуждалась специалистами, средствами массовой информации и рядовыми читателями неоднократно. Суть её, вкратце, довольно проста: модуль использует обычные чипы памяти DRAM, но оснащён и модулями NAND, а также подсистемой питания на базе суперконденсаторов. В случае сбоя внешнего питания, сохранённая в конденсаторах энергия позволяет переписать данные из DRAM в NAND, что позволяет избежать потери данных и потенциального сбоя ПО, что в серьёзных серверных системах крайне важно.

Поскольку индустрия IT активно переходит на использование нового стандарта DDR4, появление соответствующих модулей NVDIMM было лишь вопросом времени. Компания Micron Technology, известная нашим читателям, в основном, по весьма удачным твердотельным накопителям, продаваемым под брендом Crucial, представила свой первый модуль DDR4 NVDIMM. Ёмкость DRAM составляет 8 Гбайт, а подсистема NAND использует SLC объёмом 16 Гбайт. Частота DRAM составляет 2133 МГц. Поддерживается технология коррекции ошибок ECC.

Любопытно, что подсистема аварийного питания использована внешняя, что довольно логично — в конструктиве обычного модуля DIMM не так-то просто разместить компоненты достаточной ёмкости, либо модуль получается слишком большим и не подойдёт для использования в некоторых серверных корпусах. В данном случае используется модуль питания AgigA Tech под названием PowerGEM, но возможно и подключение к независимой линии питания с напряжением 12 вольт. Как и в случае с другими моделями NVDIMM, требуется поддержка со стороны BIOS системной платы.

Компания COMMELL анонсировала новую линейку твердотельных накопителей в форм-факторе 2,5″ с интерфейсом Serial ATA 3.0. Любопытно, что новая серия может предложить серьёзный выбор ёмкостей — от 16 Гбайт до 1 Тбайт, а также то, что в некоторых моделях используется память SLC NAND. Последняя обладает существенно большим ресурсом, нежели наиболее распространённая сегодня MLC, и уж тем более, трехъячеечная TLC, так что соответствующие накопители хорошо подходят для применения в промышленной сфере.

Это подтверждается и расширенным температурным диапазоном: для моделей на базе SLC он заявлен в пределах от -40 до +85 градусов Цельсия. В модельном ряду SED2F самый скромный набор ёмкостей — от 16 до 128 Гбайт для SLC и 32 ‒ 512 Гбайт для моделей на базе MLC. Скорости чтения и записи в первом случае очень скромные, всего 170 Мбайт/с, версия MLC быстрее и может читать данные на скорости 520 Мбайт/с и вести запись на скорости 450 Мбайт/с. Данных о производительности на случайных операциях, к сожалению, производитель не предоставляет.

Модельный ряд SED2FII также предлагает выбор между SLC и MLC, верхняя планка ёмкости здесь выше — 512 Гбайт. Скорость чтения одинакова для SLC- и MLC-вариантов, она составляет 510 Мбайт/с, а вот запись в случае SLC намного медленней — 150 Мбайт/с против 400 у MLC. Это может быть связано с отсутствием DRAM-кеша. Наконец, модельный ряд SED2FIII отличается повышенной надежностью в плане защиты от сбоев по питанию. Он использует только MLC NAND, максимальная ёмкость в этом ряду — 1 Тбайт. Скорости чтения и записи составляют 530 и 290 Мбайт/с, соответственно. Какой контроллер используется в новых накопителях COMMELL, компания не сообщает.