Материалы по тегу: triquint

04.05.2012 [09:27], Георгий Орлов

TriQuint получила крупный контракт от DARPA

Компания TriQuint Semiconductor, специализирующаяся на разработке и производстве радиочастотных микрочипов (RF chip, Radio-frequency chip), сообщила, что была выбрана Управлением перспективных исследований и разработок министерства обороны США (DARPA, U.S. Defense Advanced Research Projects Agency) для участия в программе по разработке микропреобразователей мощности (МРС, Microscale Power Conversion). Сумма по контракту составит 12,3 миллионов долларов. По словам представителей TriQuint, новый модулятор компании, базирующийся на технологии транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), позволит создавать высокоэффективные и очень компактные преобразователи радиочастот (RF transmitters).

TriQuint Semiconductor

TriQuint станет генеральным подрядчиком программы MPC Technical Area I, в рамках которой будут разрабатываться высокоскоростные преобразователи (модуляторы) DC/DC. Их интеграция с самыми современными компонентами усилителей радиочастот позволит создавать высокоэффективные и компактные устройства, ориентированные на применение в радарах и коммуникационных системах. Компания TriQuint занимается GaN-транзисторами с 1999 года и считается одним из пионеров в этой области. На данный момент компания участвует в ряде проектов DARPA, сотрудничая с такими организациями, как Rockwell Collins и Northrop Grumman, а также с Университетом штата Колорадо. По словам представителей компании, разрабатываемые для DARPA преобразователи, работающие в режиме обогащения, будут иметь запирающее напряжение в 200 вольт и скорость нарастания выходного напряжения в 500 вольт за наносекунду. Предполагается, что КПД усилителей радиочастоты, созданных на базе таких преобразователей и работающих в диапазоне 8-12 гигагерц, будет достигать 75%.

Материалы по теме:

Источник:

Постоянный URL: http://servernews.ru/595831
23.04.2012 [00:59], Георгий Орлов

TriQuint и американские военные будут работать над нитрид-галлиевыми микросхемами

TriQuint Semiconductor объявила о сотрудничестве с научно-исследовательской лабораторией (ARL) армии США, целью которого является создание высокочастотных аналогово-цифровых интегральных схем, на основе нитрида галлия (GaN). Компания подписала с ARL соглашение о совместных исследованиях и разработках и будет предоставлять военным исследователям доступ к технологиям TriQuint, говорится в пресс-релизе. В свою очередь, ARL обеспечит разработку и тестирование микросхем, отметил в пресс-релизе Джеймс Л. Клейн (James L. Klein), вице-президент TriQuint по оборонной продукции и услугам литейного производства.

TriQuint Semiconductor

TriQuin работает над GaN-процессом с 1999 года, и результаты исследований уже используются Управлением перспективных исследовательских проектов (DARPA) в программе нитридной электроники следующего поколения (NEXT), а также во множестве других процессов и программ GaN-технологии лабораторий ВВС, армии и военно-морского флота США. Представители TriQuint надеются, что соглашение позволит стимулировать разработку высокопроизводительных монолитных СВЧ интегральных схем (МИС) и развитие дизайна микросхем. Созданные в рамках этой инициативы микросхемы будут основаны на новом режиме E/D (обогащение/обеднение) GaN-технологии TriQuint.

Материалы по теме:

Источник:

Постоянный URL: http://servernews.ru/595754
Система Orphus