Материалы по тегу: ddr5
|
09.11.2026 [08:31], Сергей Карасёв
Penguin Solutions представила модули DDR5-12800 MRDIMM для ИИ ЦОДКомпания Penguin Solutions анонсировала модули оперативной памяти SMART Modular DDR5 MRDIMM, спроектированные специально для дата-центров под задачи ИИ. Представленные решения поддерживают скорость передачи данных до 12 800 МТ/с. Модули доступны в вариантах ёмкостью 32, 64, 96 и 128 Гбайт. Напряжение питания составляет 1,1 В, высота изделий — 31,25 мм. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среди ключевых сфер применения названы ресурсоёмкие ИИ-приложения, в том числе инференс, и HPC. Подчеркивается, что память SMART Modular DDR5-12800 MRDIMM проходит строгое тестирование по фирменной методике Zefr. Этот процесс проверки имитирует жёсткие режимы эксплуатации в реальной среде. Он помогает выявлять и устранять потенциальные проблемы с синхронизацией и целостностью электрических сигналов, что гарантирует стабильную производительность и сохранность данных, необходимые для критически важной инфраструктуры ИИ, говорит компания. Утверждается, что отсев дефектных компонентов на этапе скрининга Zefr позволяет устранить более 90 % потенциальных сбоев, связанных с надёжностью памяти в реальных условиях эксплуатации. Реализованы улучшенные механизмы тепловой и электрической защиты. Кроме того, применяются компоненты ASR (Anti-Sulfur Resistors) для минимизации вредного воздействия серы. Это вещество широко используется во многих отраслях промышленности. Однако когда серебряные сплавы в DRAM-чипах подвергаются воздействию сернистых газов, происходит коррозионная реакция, что приводит к снижению проводимости и быстрому выходу изделий из строя. Специальное покрытие позволяет решить данную проблему.
14.10.2026 [18:37], Павел Котов
12 Тбайт DDR5 в довесок: представлены CXL-контроллеры Marvell Structera X 3406 и 3506Marvell анонсировала CXL-контроллеры для расширения памяти — модели Structera X 3406 и 3506 поддерживают до шести каналов и могут использоваться четырьмя хостами, подключаясь через PCIe 6.0 x16. Marvell Structera X 3406 поддерживает 18 слотов DDR4 RDIMM — до 9 Тбайт памяти на один контроллер, а Structera X 3506 — 12 слотов DDR5 RDIMM, до 6 Тбайт. В отличие от четырёхканальных контроллеров первого поколения новые модели поддерживают спецификации CXL 3.2. Начало поставок инженерных образцов намечено на I квартал 2027 года. Важнейшим нововведением стала поддержка работы с четырьмя хостами. Таким образом, блок памяти DDR4 или DDR5 превращается в совместно используемый несколькими серверами пул ресурсов, а не выступает индивидуальной картой расширения только для одного. Marvell позиционирует Structera X 3406/3506 как решения для задач инференса, если есть ограничения в производительности памяти или нехватка её объёма для KV-кеша. Подходят они и для моделей рекомендательных систем — их таблицы вложений нередко превышают объём памяти, доступный для адресации одним процессорным сокетом.
Источник изображения: Marvell Встроенный блок аппаратного ускорения LZ4 достигает скорости сжатия и распаковки в 250 Гбайт/с, что впятерь выше, чем у контроллеров предыдущего поколения. Это позволяет в два-три раза увеличить эффективный объём памяти в зависимости от типа рабочей нагрузки. При запуске рекомендательных моделей Marvell обещает двухкратный рост числа запросов в секунду и увеличение эффективной ёмкости таблиц на контроллер в два-три раза. При инференсе LLM время до получения первого токена сокращается на 40–50 % при той же длине контекста, или при той же задержке можно вдвое увеличить размер контекстного окна в сравнении с контроллерами первого поколения. За стабильную работу контроллеров Marvell Structera X 3406 и 3506 отвечает технология StructGuard, обеспечивающая функции RAS — она включает передовые средства коррекции ошибок для зашиты от сбоев устройства памяти. Поддерживаются постквантовая криптография, механизм проверки подлинности и целостности Caliptra 2.0, шифрование канала CXL между сервером и контроллером, а также шифрование памяти AES-256. Это первый CXL-контроллер расширения памяти с постквантовой защитой, утверждает Marvell. Новые Structera X 3406 и 3506 унаследовали драйверы и механизмы проверки совместимости от моделей 2404 и 2504, которые уже поставляются гиперскейлерам. Samsung и SK hynix отметили успешную валидацию Structera со своими модулями памяти. Контроллеры Structera X дополняют линейку, в которую входят ускорители Structera A для организации вычислений вблизи памяти, а также Photonic Fabric Memory Appliance — решение с использованием фотонной связи. Marvell позиционирует этот комплект как комплексное портфолио: от простого расширения памяти с прямым подключением до дезагрегированных систем.
07.10.2026 [15:08], Сергей Карасёв
Innodisk выпустила индустриальные модули DDR5-8000 RDIMMКомпания Innodisk анонсировала модули оперативной памяти DDR5-8000 RDIMM ECC, предназначенные для использования в периферийных ИИ-системах, корпоративных серверах и НРС-платформах. Изделия будут предлагаться в вариантах объёмом от 16 до 64 Гбайт. Отмечается, что работа таких ресурсоёмких приложений, как большие языковые модели (LLM), генеративный ИИ, цифровые двойники и телемедицинские сервисы, зачастую сопряжена с непрерывным обменом большими наборами данных между CPU и подсистемой RAM. Новые модули RDIMM со скоростью до 8000 МТ/с спроектированы специально для обеспечения высокой производительности и надёжности при постоянных нагрузках.
Источник изображения: Innodisk Реализованы различные механизмы безопасности, повышающие стабильность при эксплуатации в промышленных условиях. Так, встроенные TVS-диоды (супрессоры) защищают компоненты от резких скачков напряжения, а электронные предохранители eFuse предотвращают сбои при аномалиях в цепи питания. Модули получили позолоченные контакты (толщина покрытия составляет 30 мкм), что улучшает проводимость и увеличивает срок службы. Кроме того, предусмотрена защита от сульфирования, которая предотвращает выход модулей из строя при длительной работе в средах с высокой концентрацией серы. В I квартале 2027 года Innodisk планирует расширить ассортимент изделий DDR5-8000. В частности, будут представлены решения CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM и ECC CSODIMM. Эти модули найдут применение в широком спектре периферийных и промышленных устройств.
16.09.2026 [12:45], Сергей Карасёв
Micron создала серверные модули памяти RDIMM DDR5-9200 объёмом 512 ГбайтMicron объявила о разработке первых в мире модулей оперативной памяти RDIMM DDR5 объёмом 512 Гбайт. Изделия рассчитаны на применение в высокопроизводительных серверах, ориентированных на ресурсоёмкие задачи, такие как обучение больших языковых моделей (LLM), приложения агентного ИИ, инференс в реальном времени, анализ огромных массивов данных и пр. Представленные решения поддерживают скорость передачи данных до 9200 МТ/с. В модулях памяти кристаллы DRAM расположены вертикально друг над другом, что позволяет повысить плотность компоновки. Применяется технология сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via). Подчёркивается, что благодаря созданным изделиям RDIMM DDR5-9200 в одном двухсокетном сервере с 24 слотами DIMM может использоваться до 12 Тбайт ОЗУ. При этом достигается повышение энергоэффективности подсистемы RAM. Утверждается, что один модуль ёмкостью 512 Гбайт потребляет 16 Вт против 44,2 Вт у четырёх изделий на 128 Гбайт. Это соответствует выигрышу в 63,8 % при аналогичном общем объёме ОЗУ. Micron также заявляет, что в таких задачах, как аналитика данных в Apache Spark (SVM), новые модули памяти обеспечивают повышение производительности до 1,4 раза по сравнению с конфигурациями на базе DDR5 объёмом 256 Гбайт. Помимо этого, разработанные изделия предоставляют значительные преимущества для ресурсоёмких баз данных и платформ кеширования, включая RocksDB и Redis, повышая пропускную способность и улучшая параллелизм. В тестировании модулей RDIMM DDR5-9200 на 512 Гбайт принимают участие AMD и Intel. Организовать массовое производство решений планируется во II половине следующего года.
06.08.2026 [16:48], Сергей Карасёв
Marvell представила контроллеры и коммутаторы Structera CXL/PCIe 6.0 для ИИ-системMarvell анонсировала набор CXL-продуктов, призванных решить проблему дефицита памяти в системах, ориентированных на ресурсоёмкие ИИ-нагрузки. В частности, дебютировали специализированные контроллеры расширения памяти Structera X, чипы-ускорители Structera A и коммутаторы Structera S. Платформа Structera X оптимизирована специально для развёртывания на площадках гиперскейлеров. Изделия, как отмечается, разработаны в партнёрстве с ведущими мировыми компаниями в сфере облачных вычислений. В данное семейство вошли чипы Structera X 2404 и Structera X 2504, предназначенные для работы с памятью DDR4 и DDR5 соответственно. В свою очередь, решения Structera A предназначены для организации вычислений вблизи памяти (near-memory). В частности, представлен чип Structera A 2504, который объединяет 16 ядер Arm Neoverse V2, работающих на частоте 3,2 ГГц. Изделие поддерживает до 4 Тбайт памяти с пропускной способностью до 200 Гбайт/с, сжатие LZ4 и 256-бит шифрование XTS-AES. Чип позволяет снять часть нагрузки с CPU сервера, беря на себя такие задачи, как ИИ-инференс, обслуживание моделей рекомендаций на основе глубокого обучения (DLRM), векторный поиск и запуск резидентных баз данны. Вместе решения Structera X и Structera A предоставляют крупным компаниям комплексный инструментарий для масштабирования и оптимизации памяти в условиях дезагрегированной инфраструктуры ИИ. Наконец, в серию Structera S вошло устройство 30260 — это коммутатор PCIe 6.0 / CXL 3.x на 260 линий, который позволяет подключать до 16 или 32 CPU или GPU к общему пулу памяти объёмом до 48 Тбайт. При этом обеспечивается суммарная пропускная способность до 4 Тбайт/с, тогда как задержки составляют менее 460 нс. Говорится о совместимости с памятью DDR4 и DDR5. По заявлениям Marvell, Structera S демонстрирует до 16 раз лучшую масштабируемость по сравнению с локальной памятью и на 72 % меньшую задержку, чем при использовании пула на основе RDMA. В конфигурациях на базе GPU достигается до 4,8 раза более высокая пропускная способность при инференсе, тогда как время до получения первого токена сокращается на 82,7 %.
03.08.2026 [13:05], Сергей Карасёв
Renesas представила платформу третьего поколения DDR5 MRDIMM-16000Компания Renesas Electronics анонсировала чипсет третьего поколения для модулей оперативной памяти DDR5 Multiplexed Rank Dual In-Line Memory Module (MRDIMM). Изделия ориентированы на применение в системах для ИИ ЦОД, облачных платформ и других инфраструктур, рассчитанных на ресурсоёмкие задачи. В состав решения Renesas входят такие компоненты, как MRCD (Multiplexed Registering Clock Driver) для управления тактовыми сигналами, MDB (Multiplexed Data Buffer) для работы с буфером данных, PMIC (Power Management IC) для управления питанием, датчики температуры и пр. Кроме того, реализован инструментарий Device Equalization Self-Train Mode (DESTM) Quality Indication Status, который в числе прочего помогает точнее настраивать тайминги, чтобы максимально раскрыть потенциал системы. Чипсет Renesas третьего поколения обеспечивает скорость до 16 000 МТ/с. Это, как утверждается, что 25 % больше по сравнению с изделиями предыдущего поколения. При этом используется существующая инфраструктура DDR5. Таким образом, производители и интеграторы могут увеличить производительность подсистемы памяти серверного оборудования на четверть без внесения каких-либо изменений на уровне аппаратной платформы. Кроме того, говорится о высокой энергетической эффективности. Renesas уже начала пробные поставки компонентов MRDIMM Gen 3 MRCD (RRG5013x) и MDB (RRG5103x) некоторым клиентам, включая ведущих производителей памяти DRAM. Предполагается, что на коммерческом рынке модули DDR5-16000 MRDIMM появятся во II половине следующего года.
21.07.2026 [16:27], Владимир Мироненко
Некоторые Intel Xeon 6700P получат поддержку DDR5-8000 RDIMM, а 6900P — MRDIMM-8800 второго поколенияIntel объявила, что ряд процессоров Xeon 6700P получит поддержку «более новой и более быстрой памяти». Начиная с августа этого года, Intel добавит им поддержку модулей DDR5-8000 RDIMM вместо DDR5-6400. Кроме того, в I квартале 2027 года компания добавит поддержку модулей MRDIMM второго поколения для процессоров Xeon 6900P, пусть и без поддержки более высоких частот. По словам Intel, пропускная способность памяти является узким местом для современных ИИ-задач, и поэтому компания предложит поддержку более быстрой памяти на некоторых существующих моделях процессоров Xeon 6, чтобы клиенты могли беспррблемно собирать и модернизировать свои серверы. Так, некоторые модели процессоров Intel Xeon 6700P (Granite Rapids-SP) будут поддерживать конфигурацию DDR5-8000, но только в режиме 1DPC. Тем не менее, переход от модулей 6400 МТ/с к 8000 МТ/с обеспечивает увеличение пропускной способности на 25 % и снижение задержки памяти на 6 %. По словам компании, внедрение в процессоры Intel Xeon 6+ и Intel Xeon 6 поддержки DDR5-8000 станет первым подобным решением среди основных серверных платформ. Оно будет сделано посредством обновления BIOS в рамках UPLR в августе-сентябре 2026 года. В I квартале 2027 года Intel планирует внедрить поддержку MRDIMM второго поколения для процессоров Intel Xeon 6900P (Granite Rapids-AP). Правда, поддержка будет ограничена только модулями 8800 МТ/с, а не более быстрыми 12800 МТ/с.
03.06.2026 [13:36], Сергей Карасёв
Apacer представила медно-графеновое охлаждение GraTherX для модулей DDR5Apacer анонсировала систему охлаждения GraTherX для высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR5. Решение ориентировано на применение в системах с высокой плотностью компоновки и ограниченным внутренним пространством, а также в устройствах с безвентиляторной конструкцией. GraTherX представляет собой специальную теплоотводящую пластину, которая накрывает лицевую и тыльную стороны модуля DDR5. Изделие имеет многослойную конструкцию, выполненную с использованием меди и графена. Кроме того, предусмотрен дополнительный изоляционный слой, предназначенный для предотвращения прямого контакта компонентов памяти с другими элементами внутри корпуса устройства: это обеспечивает электробезопасность и надёжность. По заявлениям Apacer, технология GraTherX в условиях пассивного охлаждения и естественной конвекции позволяет понизить температуру модулей памяти с 82,7 до 59,3 °C. Таким образом, достигается сокращение на 23,4 °C по сравнению с примерно 3–5 °C при использовании традиционных изделий, таких как обычные радиаторы. Помимо этого, разница температур между передней и задней сторонами модуля DDR5 уменьшается примерно до 0,8 °C. Это важно, поскольку в индустриальных и коммерческих системах с безвентиляторным исполнением задняя сторона модулей памяти часто испытывает ограниченный приток воздуха из-за близости к материнской плате, что делает её более восприимчивой к локальному перегреву. Толщина изделия GraTherX составляет всего 0,17 мм: это позволяет интегрировать решение в существующие платформы без существенных изменений в конструкции. Благодаря эффективному отводу тепла среднее время безотказной работы (MTBF) памяти, как отмечает Apacer, увеличивается в 2,7 раза, тогда как частота отказов (FIT) сокращается на 60 %.
11.05.2026 [23:59], Руслан Авдеев
Meta✴ пришлось продлить срок службы серверов из-за дефицита памятиMeta✴ вынуждена продлить срок эксплуатации некоторых из своих серверов общего назначения из-за дефицита DRAM с шести до семи лет, сообщает The Wall Street Journal со ссылкой на внутреннюю документацию техногиганта, где говорится о том, что компания не ожидала существенного дефицита поставок оборудования, в основном именно из-за нехватки оперативной памяти, а также жёстких дисков. Предполагается, что дефицит продлится минимум до 2027 года. Ежегодно компания инвестирует огромные средства в инфраструктуру ЦОД и является одним из крупнейших заказчиков серверного оборудования в мире. Однако даже увеличение капзатрат до $125–$145 млрд в этом году не позволяет обновлять серверы прежними темпами. Внутренне моделирование Meta✴ показало, что увеличение срока эксплуатации серверов компании увеличит ожидаемую годовую интенсивность отказов (AFR) с 4,8 % до 7,4 % ежегодно. Такой риск считается приемлемым, хотя до восьми лет срок службы оборудования решили не продлевать. 95 % мирового выпуска DRAM приходится на Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology, которые в последние полтора года делают ставку на увеличение выпуска HBM для ИИ-ускорителей, поскольку такая память значительно маржинальнее обычной серверной DRAM. По оценкам IDC, речь может идти уже не о временном, «циклическом» дефиците, а о стратегическом перераспределении производственных ресурсов. Согласно прогнозам, на HBM в 2026 году придётся порядка 25 % выпуска всех пластин DRAM, спрос на неё растёт приблизительно на 70 % ежегодно.
Источник изображений: Meta✴ В результате цена DDR5 и других модулей резко выросла. Впрочем, с другими компонентами ситуация не лучше. Western Digital уже распродала даже не выпущенные HDD, у Seagate дела тоже идут отлично (для неё самой), а время поставок некоторых моделей серверных процессоров выросло до полугода. Таким образом, один из ключевых мировых покупателей серверного оборудования, в отличие от многих экспертов, не полагается на падение цен на память и другие компоненты к концу 2026 года, а предпочитает увеличить срок эксплуатации уже развёрнутого оборудования. Для более мелких покупателей это может служить сигналом всё более серьёзных проблем с закупками в обозримой перспективе. Если получить достаточно памяти по приемлемой цене не рассчитывает гиперскейлер, прочие могут столкнуться с более длительными сроками поставок, частичным выполнением заказов и значительным ростом цен. Вполне может оказаться, что продление сроков службы оборудования — оптимальный сценарий не только для Meta✴, что, помимо прочего, приведёт к переносу капитальных затрат и замедлению внедрения более энергоэффективных и высокопроизводительных платформ. Более того, дефициту HDD и SSD уделяется намного меньше внимания, чем нехватке DRAM, что, по-видимому, является ошибкой при планировании закупок. Массовая скупка HDD и рост цен на NAND оставляют всё меньше места для манёвра при формировании инфраструктуры для хранения данных. По мнению экспертов, новые производственные мощности для модулей памяти заработают ещё нескоро, и дефицит может постепенно снизиться в 2027–2028 гг., когда свои плоды начнут приносить инвестиции 2024–2025 гг. В качестве временной меры возможно повышение эффективности использования имеющегося оборудования программными средствами. Например, NVIDIA анонсировала новое ПО для мониторинга и продления жизни ИИ-ускорителей в ЦОД. С другой стороны, индустрия не в первый раз прибегает к увеличению сроков службы оборудования. Так поступали Microsoft, Google, CloudFlare, Scaleway и др.
02.03.2026 [12:35], Сергей Карасёв
Team Group анонсировала новые индустриальные NVMe SSD и модули памятиTeam Group готовит новые SSD в различных форм-факторах, а также модули оперативной памяти для индустриальных и встраиваемых систем. В частности, готовятся накопители Team Group Industrial R252 стандарта U.2 (NVMe), предназначенные для серверов. Эти устройства оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x4. Они обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 10 000 Мбайт/с. Кроме того, выйдут SSD серии Team Group Industrial R253, ориентированные на решение разнообразных задач в современных дата-центрах и на периферии. Такие устройства, получившие формат EDSFF E3.S, позиционируются в качестве накопителей большой ёмкости с улучшенной защитой данных. Они подходят для обработки ИИ-нагрузок, аналитики в реальном времени и пр. Дебютируют также SSD семейства Team Group Industrial R251 стандарта EDSFF E1.S, оптимизированные для серверов форм-фактора 1U. Эти накопители имеют сертификацию по стандартам виброустойчивости MIL-STD, что означает надёжность при эксплуатации в системах с высокой плотностью размещения оборудования.
Источник изображений: Team Group В сегменте оперативной памяти Team Group представит новые модули Industrial DDR4 U-DIMM и SO-DIMM, специально разработанные для промышленного применения и IoT-устройств. Помимо этого, готовятся изделия Industrial DDR5 CU-DIMM и CSO-DIMM с частотой до 7200 МГц, рассчитанные на ИИ-платформы. На системы со значительной интенсивностью вычислений ориентированы решения Team Group Industrial LPDDR5X CAMM2: они обеспечивают высокую пропускную способность и низкую задержку. ![]() |
|




