Компания Micron Technology объявила о старте рассылки образцов модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), специально разработанной для приложений ИИ и HPC. По сравнению с обычными RDIMM у модулей MRDIMM до 39 % выше пропускная способность памяти, на 15 % выше эффективность работы шины и до 40 % ниже задержка. MRDIMM-модули будут иметь ёмкость 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт.

Модули памяти обеспечивают скорость передачи данных 8800 МТ/с и выпускаются в двух форматах: стандартной и увеличенной (TFF, Tall Form Factor) высоты, которые подходят для серверов высотой 1U и 2U. Благодаря улучшенной конструкции модулей TFF температура DRAM снижается до 20 °С при той же мощности и потоке воздуха, обеспечивая более эффективное охлаждение в ЦОД и оптимизируя общее энергопотребление системы для рабочих нагрузок с интенсивным использованием памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Сообщается, что новое предложение представляет собой первое поколение семейства Micron MRDIMM и будет совместимо только с процессорами Intel Xeon 6, поскольку стандарт JEDEC для памяти MRDIMM официально ещё не выпущен. Массовые поставки Micron MRDIMM начнутся во II половине 2024 года. Компания сообщила, что последующие поколения MRDIMM будут по-прежнему обеспечивать до 45 % лучшую пропускную способность памяти на канал по сравнению с RDIMM аналогичного поколения.

Ранее образцы MRDIMM (или MR-DIMM) показала ADATA. А SK hynix совместно с Intel и Renesas ещё в конце 2022 года объявила о создании похожего типа памяти — DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM. Весной этого года Micron также показала образцы DDR5-8800 MCR DIMM.

На ежегодной выставке Computex 2023 компания ADATA продемонстрировала свои первые модули памяти нового поколения, которые будут использоваться в современных вычислительных системах: CAMM, CXL и MR-DIMM.

Для серверных систем компания продемонстрировала решение на базе стандарта CXL 1.1 с интерфейсом PCI Express 5.0 x4, выполненное в форм-факторе E3.S. Модуль несёт на борту контроллер Montage Technology и предназначен для расширения основного объёма оперативной памяти, подобно решениям DCPMM. При этом у Samsung, например, уже есть DRAM с поддержкой CXL 2.0.

Интересно выглядит также другое серверное решение — MR-DIMM (multi-ranked buffered DIMM). Это новое поколение буферизированной памяти, поддержка которой появится в следующих поколениях процессоров AMD и Intel. По сути, такой модуль объединяет два RDIMM в одном, что позволяет поднять ёмкость и производительность «малой кровью».

Скорость этих последних новинок стартует с отметки 8400 Мт/с, максимальное значение пока составляет 17600 Мт/с. Модули MR-DIMM Adata будут поставляться в объёмах 16, 32, 64, 128 и 192 Гбайт. Одним из инициаторов создания стандарта MR-DIMM (или MRDIMM) стала AMD. Intel, Renesas и SK hynix работают над похожим решением — MCR DIMM.

Наконец, у компании уже есть готовый дизайн модуля CAMM в форм-факторе, который призван заменить SO-DIMM в компактных, сверхкомпактных и переносных системах. Интересно, что каждый модуль CAMM на базе LPDDR5 изначально будет поддерживать работу в двухканальном режиме. Правда, спецификации CAMM будут завершены только во второй половине этого года, так что некоторые характеристики могут измениться.

Компания AMD и ассоциация JEDEC, по сообщению ресурса HotHardware, проектируют модули оперативной памяти DDR5 RAM нового типа — MRDIMM, или Multi-Ranked Buffered DIMM. Речь идёт об изделиях с многоранговой буферизацией, ориентированных на серверное оборудование. Модули обеспечат высочайшую скорость передачи данных — до 17 600 МТ/с.

По задумке разработчиков, решения MRDIMM будут объединять два модуля DDR5 с возможностью одновременного использования двух рангов. Таким образом, в случае, например, пары модулей DDR5 со скоростью работы 4400 МТ/с можно будет получить эквивалентную производительность до 8800 МТ/с.

Источник изображения: Robert Hormuth / LinkedIn

Для использования такой схемы потребуется специальный мультиплексор между оперативной памятью и CPU. Он позволит направлять в сторону процессора вдвое больше информации по сравнению с традиционными архитектурами. Аналогичный подход применяет SK hynix в своей памяти DDR5 MCR DIMM. Такой подход обеспечивает удвоение скорости работы подсистемы ОЗУ без увеличения быстродействия самих чипов памяти. По всей видимости, буферизация с применением мультиплексора добавит некоторую задержку при передаче информации, но она будет компенсироваться более высокой скоростью работы сдвоенных модулей.

Память MRDIMM первого поколения сможет функционировать с показателем 8800 МТ/с, второго — 12 800 МТ/с. А после 2030 года ожидается появление решений со скоростью до 17 600 МТ/с. Новая память может стать альтернативой дорогостоящим продуктам HBM, которые масштабируются только до определённого значения ёмкости. При этом объединение двух модулей DDR5 избавит от необходимости добавлять дополнительные ОЗУ-слоты на серверные материнские платы. Как в случае MCR, подход MRDIMM всё так же напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.