Компании Kioxia и NVIDIA, по сообщению Nikkei, разрабатывают SSD нового типа для ИИ-систем, которые по показателю IOPS (операций ввода/вывода в секунду) будут превосходить современные изделия практически в 100 раз. Предполагается, что такие устройства смогут стать альтернативой HBM при расширении памяти ИИ-ускорителей.

Коити Фукуда (Koichi Fukuda), главный инженер подразделения твердотельных накопителей Kioxia, рассказал, что компания проектирует устройства в соответствии с требованиями NVIDIA. Речь идёт об SSD следующего поколения с интерфейсом PCIe 7.0. Предполагается, что такие изделия смогут демонстрировать показатель IOPS на уровне 100 млн, что позволит применять их в том числе для ИИ-инференса.

Более того, NVIDIA стремится к достижению значения IOPS в 200 млн. Такого результата Kioxia рассчитывает добиться путём объединения в массив двух SSD нового типа. Особенностью этих накопителей станет то, что они смогут обмениваться данными с GPU напрямую, не вовлекая в эти операции CPU, как в случае с традиционными решениями. Пробные поставки устройств планируется организовать во II половине 2026 года, тогда как на коммерческом рынке накопители нового типа могут появиться в 2027-м.

Источник изображения: Kioxia

Согласно прогнозам Kioxia, к 2029 году почти половина спроса на NAND-память, которая применяется в SSD, будет связана с системами ИИ. Участники рынка также говорят о возобновлении инвестиций в разработку NAND-продуктов после двухлетнего затишья. Восстановление активности среди производителей объясняется растущей потребностью в высокоскоростных накопителях большой вместимости с высокими показателями быстродействия при произвольном доступе. Одним из перспективных направлений названо создание решений на основе флеш-памяти с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash): разработки в данной сфере, в частности, ведёт SanDisk.

Компания Greenliant сообщила о выпуске SSD серии PrimeDrive SX, предназначенных для использования во встраиваемых системах и периферийном оборудовании. Изделия выполнены в форм-факторе M.2 2280 на основе чипов флеш-памяти TLC NAND.

Устройства, как утверждается, обеспечивают оптимальный баланс производительности, энергопотребления и стоимости для решений своего класса. На начальном этапе доступна только модификация вместимостью 256 Гбайт, но в дальнейшем появятся и другие варианты.

Для обмена данными задействован интерфейс PCIe 3.0 x4. DRAM-кеш не предусмотрен. Заявленная скорость передачи информации при последовательном чтении достигает 3300 Мбайт/с, при последовательной записи — 1600 Мбайт/с. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Источник изображения: Greenliant

Реализована технология APST (Autonomous Power State Transition) для снижения энергопотребления. Инструменты динамического и статического выравнивания износа помогают повысить срок службы. Упомянуты средства коррекции ошибок ECC и сквозная защита целостности данных.

Среди областей применения накопителей PrimeDrive SX названы системы видеоконференцсвязи и видеонаблюдения, сетевые серверы, шлюзы и маршрутизаторы, регистраторы данных, контрольно-измерительное оборудование, сетевые хранилища, тонкие клиенты и пр. В настоящее время Greenliant наладила пробные поставки изделий, а их массовые отгрузки запланированы на IV квартал текущего года.

Компания TrendForce обнародовала результаты исследования мирового рынка SSD корпоративного класса во II квартале текущего года: поставки в денежном выражении достигли $5,48 млрд. Для сравнения, в I четверти 2025-го отгрузки оценивались в $4,76 млрд. То есть, зафиксирован рост примерно на 15,1 %.

Аналитики отмечают, что повышение спроса обусловлено прежде всего стремительным развитием ИИ. Операторы дата-центров и гиперскейлеры продолжают активно закупать высокопроизводительные системы хранения данных на основе SSD.

Источник изображения: TrendForce

Ведущим игроком рынка является Samsung с продажами на уровне $1,9 млрд во II квартале нынешнего года, что соответствует росту на 0,5 % по отношению к I четверти 2025-го. При этом доля южнокорейского производителя сократилась в квартальном исчислении с 39,6 % до 34,6 %. На втором месте располагается SK Group (SK hynix + Solidigm), увеличившая отгрузки на 47,1 % — до $1,46 млрд: доля группы поднялась с 20,8 % до 26,7 %. Замыкает тройку Micron, у которой продажи в квартальном выражении упали на 7,9 % — до $784,6 млн. Эта компания контролирует 14,3 % отрасли против 17,9 % в I квартале 2025 года.

Далее идёт Kioxia, продемонстрировавшая рост выручки на 32,5 % по сравнению с предыдущим кварталом — до $750,3 млн, тогда как рыночная доля компании увеличилась с 11,9 % до 13,7 %. На пятом месте находится SanDisk, которая выручила около $213,0 млн, что на 8,2 % меньше, чем в предыдущем квартале: позиции компании ослабли с 4,9 % до 3,9 %.

Таким образом, суммарная выручка пяти ведущих поставщиков по итогам II квартала 2025 года достигла $5,11 млрд, что на 12,7 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. Эти игроки сообща контролируют 93,2 % отрасли в денежном выражении. Кварталом ранее их суммарная доля была выше — приблизительно 95,1 %.

Raspberry Pi сообщила о выпуске нового SSD формата М.2 2230, предназначенного для использования с одноплатными компьютерами Raspberry Pi 5 и другими устройствами. Изделие может применяться в том числе в качестве загрузочного накопителя.

Оригинальные SSD под брендом Raspberry Pi дебютировали в октябре прошло года. Тогда были представлены модификации вместимостью 256 и 512 Гбайт. Новая версия рассчитана на хранение 1 Тбайт информации. Устройство имеет интерфейс PCIe 3.0 (NVMe 1.4), тогда как RPi 5 предлагает только PCIe 2.0 x1. Заявленный показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольных чтении и записи данных блоками по 4 Кбайт достигает 90 тыс. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Стоимость Raspberry Pi SSD на 1 Тбайт составляет $70. Для сравнения: варианты на 256 и 512 Гбайт можно приобрести за $30 и $45 соответственно. Накопители будут выпускаться как минимум до января 2032 года. Для монтажа накопителя на Raspberry Pi 5 требуется модуль Raspberry Pi M.2 HAT+ (Hardware Attached on Top) с коннектором M.2, который продаётся отдельно.

Источник изображения: Raspberry Pi

Помимо SSD, компания Raspberry Pi предлагает официальные карты памяти стандарта microSD. Они доступны в модификациях объёмом 32, 64, 128 и 256 Гбайт. Изделия соответствуют классам C10, U3, V30 и A2. Величина IOPS при произвольном чтении достигает 5000, при произвольной записи — 2000. Опционально на такие карты может быть предустановлена ОС Raspberry Pi. Изделия могут эксплуатироваться при температурах от -25 до +85 °C.

Компания Kioxia сообщила о разработке прототипа флеш-модуля (аналога SSD), который сочетает в себе большую вместимость и высокую пропускную способность. Изделие создано в рамках проекта, поддерживаемого японской Организацией по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).

Модуль способен хранить 5 Тбайт информации. При этом скорость передачи данных теоретически может составлять до 64 Гбайт/с. Для достижения таких показателей Kioxia разработала новую архитектуру, основанную на последовательном соединении микросхем флеш-памяти.

Источник изображения: Kioxia

В составе изделия каждый флеш-чип подключён к отдельному контроллеру. Благодаря такой каскадной конфигурации пропускная способность не снижается даже при увеличении количества микросхем флеш-памяти. Благодаря последовательному соединению контроллеров удалось добиться снижения энергопотребления и улучшения целостности сигнала. Задействована модуляция PAM4. Скорость передачи информации достигает 128 Гбит/с на контроллер.

В прототипе применяется интерфейс PCIe 6.0 х8. Для каждого контроллера обеспечивается снижение задержки чтения путём предварительной выборки данных с использованием внутреннего кеша. Специальные механизмы обработки сигналов позволяют достичь скорости обмена данными между контроллером и подключенным к нему флеш-чипом в 4 Гбит/с. Общее энергопотребление модуля составляет менее 40 Вт. Ожидается, что новинка найдёт применение в таких сферах, как интернет вещей, периферийные ИИ-вычисления, анализ больших данных и пр.

Компания Solid State Storage Technology Corporation (SSSTC) анонсировала SSD семейства CA8, предназначенные для применения в интеллектуальных устройствах интернета вещей, платформах промышленной автоматизации, периферийных компьютерах, автомобильных системах и пр.

По заявлениям SSSTC, изделия CA8 — это первые на рынке индустриальные устройства M.2 2280 с памятью Kioxia BiCS Flash восьмого поколения. Применены 218-слойные флеш-чипы 3D TLC NAND с технологией CBA (CMOS direct Bonded to Array), которая, как утверждается, существенно повышает энергоэффективность, производительность и плотность хранения данных по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Источник изображения: SSSTC

В серию CA8 вошли модели вместимостью 512 Гбайт, а также 1, 2 и 4 Тбайт. Для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4 (NVMe 2.0). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 Мбайт/с. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 2 млн при произвольном чтении и 1,6 млн при произвольной записи: это, как подчеркивается, одни из самых высоких значений для индустриальных SSD, доступных на рынке.

Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C. Значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Упомянута поддержка AES-256 и TCG Opal. Функция Power Loss Notification (PLN) предотвращает повреждение данных при неожиданных отключениях питания. Накопители способны выдерживать более одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет.

Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Компания Silicon Motion показала ряд продуктов, оснащённых высокопроизводительными SSD на базе контроллера MonTitan SM8366.

Решение MonTitan SM8366 ориентировано на накопители для дата-центров и инфраструктур гиперскейлеров. Обеспечивается поддержка PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0a и OCP 2.0. Доступны 16 независимых каналов NAND Flash, а заявленная производительность достигает 2400 MT/s. Скорость последовательной передачи данных может превышать 14,2 Гбайт/с, величина IOPS — 3,5 млн при работе с блоками данных по 4 Кбайт. Возможно создание накопителей в форматах E1.S, E1.L, U.2/3. Поддерживается память DDR4-3200 и DDR5-4800 в одно- и двухканальном режимах. Контроллер выполнен в корпусе FCBGA с размерами 21 × 21 мм.

В рамках FMS 2025 продемонстрирована система VAST Data Ceres V2 Dbox, оснащённая накопителями Unigen семейства Cheetah с контроллером MonTitan SM8366. Это, в частности, SSD формата E1.L вместимостью 128 Тбайт на чипах QLC NAND, а также изделия стандарта U.2 ёмкостью 3,2 Тбайт с чипами SLC NAND. Система VAST Data Ceres V2 Dbox выполнена в форм-факторе 1U и наделена DPU NVIDIA BlueField-3.

Источник изображения: Silicon Motion

Кроме того, показан сервер небольшой глубины Aetina AEX-2UA1 для периферийных вычислений, в состав которого включены накопители Innodisk 5TS-P на основе MonTitan SM8366. Система построена на модульной платформе NVIDIA MGX. Отмечается, что сервер Aetina AEX-2UA1 предоставляет ИИ-возможности в средах с ограниченным пространством для установки оборудования.

Компания Samsung Electronics возрождает технологию памяти Z-NAND после семилетнего перерыва, позиционируя её как высокопроизводительное решение для ИИ-нагрузок. По данным DigiTimes, следующее поколение памяти Z-NAND получит 15-кратное увеличение производительности по сравнению с современными NVMe SSD и даст ускорителю возможность напрямую обращаться к накопителю Z-NAND с минимальными задержками.

Как пишет Tom's Hardware, исполнительный вице-президент Samsung по производству памяти сообщил, что при значительном росте производительности с помощью технологии Z-NAND энергопотребление накопителей будет на 80 % ниже по сравнению с традиционной флеш-памятью NAND. Кроме того, в новом поколении упор сделан на минимизацию задержек. Для этого Samsung внедряет новую технологию GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), которая позволит ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM, тем самым значительно сокращая время доступа.

Samsung представила технологию Z-NAND в 2016 году в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint (Optane). Вышедший в 2018 году твердотельный накопитель Samsung 983 ZET на базе 64-слойной SLC 3D V-NAND предлагал значительно более низкую задержку и высокие скорости в сравнении с обычными NVMe SSD. По производительности он вплотную приблизился к Intel Optane SSD 900P. Обе технологии фактически относятся к SCM (Storage Class Memory), хотя только Intel предлагала PMem-модули в виде DIMM. Однако в итоге разработку 3D XPoint последняя (вместе с Micron) забросила, да и Samsung, ответив выпуском Z-SSD на появление Optane, решила свою технологию не развивать.

Примерно в то же время Kioxia (тогда ещё Toshiba) представила свой вариант сверхбыстрой SLC NAND — XL-Flash. Её она тоже довольно долго особенно не развивала, но планирует уже в следующем году представить XL-Flash SSD с переработанным контроллером, который обеспечит более 10 млн IOPS, особенно на небольших транзакциях. Для точной настройки SSD с целью повышения производительности при запуске ресурсоёмких ИИ-приложений компания сотрудничает с ведущими производителями ускорителей. Phison также предлагает eSLC-накопители PASCARI с технологией aiDAPTIV+. SLC-накопители также есть у Solidigm и Micron.

Впрочем, широкая востребованность Z-SSD может оказаться под вопросом. Уже анонсированы быстрые SSD с интерфейсом PCIe 6.0. CXL же позволяет относительно недорого наращивать объём памяти, хотя и в ущерб задержкам. Так что Samsung придётся сделать новые Z-SSD не только быстрыми, но и экономически эффективными.

Компания SanDisk анонсировала NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, разработанный для удовлетворения растущих потребностей в ИИ-системах и ресурсоёмких вычислениях. Новинка позиционируется как решение для крупномасштабных приложений — таких, как озёра данных ИИ, высокоскоростной приём данных и аналитика в реальном времени, — где требуется масштабный и быстрый доступ к информации. А в скором времени компания обещает создать накопитель ёмкостью 1 Пбайт.

Созданный на недавно анонсированной платформе UltraQLC, твердотельный накопитель SanDisk UltraQLC SN670 будет доступен в вариантах ёмкостью 256 и 128 Тбайт. В нём используется 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллом CBA (CMOS Direct Bonded to Array) объёмом 2 Тбит и контроллер с интерфейсом PCIe 5.0. Аналогичные чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA установлены в 245,76-Тбайт SSD компании Kioxia, производственного партнёра SanDisk.

Источник изображения: SanDisk

Используемая в SanDisk UltraQLC SN670 технология Direct Write QLC, позволяет обходиться без традиционной буферизации SLC, осуществляя безопасную запись непосредственно на слои QLC без потерь при отключении питания. Как отметил ресурс Blocks & Files, обычно это приводит к снижению производительности по сравнению с аналогичными накопителями, использующими кеш SLC, если только не используются дополнительные усовершенствования для ускорения процесса.

Функция динамического масштабирования частоты (Dynamic Frequency Scaling) обеспечивает рост производительности до 10 % при заданном уровне энергопотребления. Для поддержания пропускной способности и долговечности при экстремальных объёмах записи в SN670 используется масштабируемый многоядерный контроллер. Обновлённый профиль Data Retention (DR) позволяет сократить число циклов обновления данных на 33 %, что повышает надёжность накопителя и снижает энергопотребление.

Обе версии накопителя SanDisk UltraQLC SN670 объёмом 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в форм-факторе U.2 в I половине 2026 года. Ожидается, что в течение года появятся и другие форм-факторы. Если SN670 будет готов к апрелю 2026 года, это, по мнению Blocks & Files, означает, что на доработку накопителя потребуется ещё около восьми месяцев. Вероятно, именно поэтому компания пока не раскрывает информацию о производительности и надёжности — накопитель и контроллер, по всей видимости, ещё не прошли финальное тестирование.