В августе нынешнего года корпорация IBM анонсировала фирменные SSD пятого поколения — устройства FCM5 (FlashCore Module 5). Как сообщает ресурс Blocks & Files, в этих накопителях задействованы чипы магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM) производства Everspin.

MRAM в конструкции SSD применяется вместо суперконденсаторов для защиты от потери данных в результате сбоев питания. В традиционных накопителях корпоративного класса при потере энергоснабжения суперконденсаторы выполняют функцию встроенного мини-ИБП, позволяя контроллеру переместить информацию из DRAM-кеша во флеш-память и корректного завершить работу.

Источник изображения: Blocks & Files

В устройствах FCM5 чипы MRAM служат в качестве буфера. Они обеспечивают быстрый доступ, на уровне DRAM (десятки наносекунд), могут адресоваться побайтно и обладают колоссальной износостойкостью. Причём данные в MRAM сохраняются даже при отключении питания, что избавляет от необходимости установки суперконденсаторов. Благодаря такому подходу высвобождается дополнительное пространство в корпусе накопителя, что позволяет установить больше микросхем NAND для повышения вместимости.

Изделия семейства FCM5 построены на чипах флеш-памяти QLC NAND с pSLC-кешированием. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 (NVMe). Доступны варианты с «сырой» ёмкостью 6,6, 12,2, 26,4, 52,8 и 105,6 Тбайт, тогда как вместимость со сжатием достигает соответственно 19,8, 36,6, 79,2, 158,4 и 316,8 Тбайт. Устройства выполнены в форм-факторе EDSFF с усовершенствованным корпусом High-Performance Flash Enclosure (HPFE) Gen 3 E3.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM), объявила об успешной демонстрации первого в мире расширения памяти x86-сервера с помощью MRAM PERSYST, подключённой к серверу Supermicro посредством CXL.

Для демонстрации использовался сервер Supermicro AS-1116CS-TN с 32-ядерным процессором AMD EPYC 9355, FPGA-платформа AMD Alveo U250 с контроллером Wolley CXL (по данным ресурса Blocks & Files — CXL 3.2, но c PCIe 3.0), подключённым к Everspin PERSYST DDR4 MRAM UDIMM ёмкостью 1 Гбайт (четыре модуля MRAM DDR4 в встроенных разъёмах DIMM на плате FPGA).

Конфигурация предоставляет платформу, основанную на открытых стандартах, для демонстрации согласованного доступа к персистентной памяти MRAM через CXL. Она также позволяет объединять ресурсы памяти в пул и распределять их между хостами. Для ИИ-систем это создаёт возможности для использования таких решений, как контрольные точки и персистентный KV-кеш. В рамках демонстрации разработчики показали работу быстрого персистентного буфера и кеш-памяти с построчными доступом с задержкой на уровне наносекунд и записью данных в 100 раз быстрее, чем в SSD на базе NAND.

Источник изображения: Everpure

Everspin планирует внедрить технологию MRAM в новые архитектуры памяти, включая персистентное кеширование, буферизацию записи и приложения для работы с метаданными. До сих пор, как и Optane, MRAM не удавалось из-за высокой цены добиться значительного прогресса за пределами специализированных рынков с малым объёмом продаж.

Глава Everspin Санджив Аггарвал (Sanjeev Aggarwal) отметил, что CXL предоставляет стандартный способ использования памяти MRAM на гораздо более широком спектре вычислительных платформ: «Теперь у нас есть рабочая система, позволяющая заказчикам выполнять свои собственные рабочие нагрузки и оценивать преимущества для своих конкретных приложений». Генеральный директор Wolley сообщил, что их контроллер обеспечивает подключение к памяти и хранилищам данных через CXL, а демонстрация с Everspin наглядно показала, как MRAM может быть внедрена с использованием стандартной семантики.

Как полагает Blocks & Files, основная идея в том, чтобы задействовать MRAM в периферийных x86-серверах или небольших ЦОД для хранения рабочих данных ИИ, таких как блоки KV-кеша, с возможностью считывания их быстрее, чем с внешних SSD (даже с RDMA), и без потери данных при отключении питания или сбое в работе.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM), объявила о заключении соглашения о стратегическом сотрудничестве с Microchip Technology. Партнёрство направлено на расширение производственных мощностей и обеспечение долгосрочных поставок MRAM-изделий.

В настоящее время Everspin изготавливает MRAM-чипы и туннельные магниторезистивные (TMR) датчики на линии в Чандлере (Аризона, США), которая располагается на площадке NXP. В рамках нового соглашения Everspin создаст точную копию такого производства на объекте Microchip в американском штате Орегон.

Партнёрство с Microchip, как ожидается, обеспечит ряд стратегических преимуществ. В частности, Everspin сможет нарастить объёмы выпуска продукции и обеспечить стабильность поставок. Кроме того, Everspin получит дополнительные возможности для реализации научно-исследовательских программ, направленных на улучшение характеристик MRAM и развитие соответствующей технологии. Речь идёт о новых сценариях использования такой памяти и о поддержке рабочих нагрузок следующего поколения.

Источник изображения: Everspin

«Сотрудничество с Microchip позволит увеличить масштабы производства продукции для удовлетворения спроса, одновременно способствуя дальнейшей реализации наших планов в области MRAM», — заявил глава Everspin. Соглашение между Everspin и Microchip Technology заключено на 10 лет с возможностью последующего расширения каждые два года. Первые продукты, изготовленные на предприятии в Орегоне, поступят на рынок во II половине 2027 года. Everspin продолжит производить чипы MRAM и TMR-датчики на линии в Чандлере.

Everspin Technologies анонсировала новое семейство чипов магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM) — изделия Unisyst, ориентированные на применение во встраиваемых системах.

Отмечается, что решения Unisyst используют унифицированную архитектуру MRAM, объединяющую традиционную память и постоянное хранилище высокой плотности. На первом этапе чипы новой серии будут предлагаться в вариантах ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Задействован последовательный интерфейс xSPI (8 линий, работающих на частоте 200 МГц).

Источник изображения: Everspin Technologies

Устройства на базе Unisyst будут соответствовать стандарту AEC-Q100 Grade 1. Гарантирована сохранность записанной информации в течение как минимум 10 лет. При этом чипы могут эксплуатироваться при экстремальных температурах. Заявленная скорость чтения данных достигает 400 Мбайт/с, скорость записи — приблизительно 90 Мбайт/с: это, как подчёркивает Everspin, более чем в 400 раз превосходит показатели памяти NOR.

Изделия Unisyst предназначены для приложений, которым требуется энергонезависимая память, сочетающая высокую пропускную способность, износостойкость и предсказуемое поведение при изменении температуры. В качестве ключевых сфер использования названы автомобильная, аэрокосмическая и промышленная отрасли, а также периферийные системы с ИИ-функциями.

Инженерные образцы MRAM-чипов Unisyst станут доступны в IV квартале 2026 года. Впоследствии Everspin намерена расширять данное семейство.