Компания Everspin Technologies на мероприятии Embedded World 2026, которое проходило с 10 по 12 марта в Нюрнберге (Германия), анонсировала новое семейство чипов магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM) — изделия Unisyst, ориентированные на применение во встраиваемых системах.
Отмечается, что решения Unisyst используют унифицированную архитектуру MRAM, объединяющую традиционную память и постоянное хранилище высокой плотности. На первом этапе чипы новой серии будут предлагаться в вариантах ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Задействован последовательный интерфейс xSPI (8 линий, работающих на частоте 200 МГц).
Источник изображения: Everspin Technologies
Устройства на базе Unisyst будут соответствовать стандарту AEC-Q100 Grade 1. Гарантирована сохранность записанной информации в течение как минимум 10 лет. При этом чипы могут эксплуатироваться при экстремальных температурах. Заявленная скорость чтения данных достигает 400 Мбайт/с, скорость записи — приблизительно 90 Мбайт/с: это, как подчёркивает Everspin Technologies, более чем в 400 раз превосходит показатели памяти NOR Flash.
Изделия Unisyst предназначены для приложений, которым требуется энергонезависимая память, сочетающая высокую пропускную способность, износостойкость и предсказуемое поведение при изменении температуры. В качестве ключевых сфер использования названы автомобильная, аэрокосмическая и промышленная отрасли, а также периферийные системы с ИИ-функциями.
Инженерные образцы MRAM-чипов Unisyst станут доступны в IV квартале 2026 года. Впоследствии компания Everspin Technologies намерена расширять данное семейство.
Источник:
