Everspin Technologies анонсировала новое семейство чипов магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM) — изделия Unisyst, ориентированные на применение во встраиваемых системах.

Отмечается, что решения Unisyst используют унифицированную архитектуру MRAM, объединяющую традиционную память и постоянное хранилище высокой плотности. На первом этапе чипы новой серии будут предлагаться в вариантах ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Задействован последовательный интерфейс xSPI (8 линий, работающих на частоте 200 МГц).

Источник изображения: Everspin Technologies

Устройства на базе Unisyst будут соответствовать стандарту AEC-Q100 Grade 1. Гарантирована сохранность записанной информации в течение как минимум 10 лет. При этом чипы могут эксплуатироваться при экстремальных температурах. Заявленная скорость чтения данных достигает 400 Мбайт/с, скорость записи — приблизительно 90 Мбайт/с: это, как подчёркивает Everspin, более чем в 400 раз превосходит показатели памяти NOR.

Изделия Unisyst предназначены для приложений, которым требуется энергонезависимая память, сочетающая высокую пропускную способность, износостойкость и предсказуемое поведение при изменении температуры. В качестве ключевых сфер использования названы автомобильная, аэрокосмическая и промышленная отрасли, а также периферийные системы с ИИ-функциями.

Инженерные образцы MRAM-чипов Unisyst станут доступны в IV квартале 2026 года. Впоследствии Everspin намерена расширять данное семейство.

Компания Everspin Technologies сообщила о том, что её чипы магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM) войдут в состав вычислительных накопителей IBM FlashCore Modules (FCM) четвёртого поколения. Это обеспечит дополнительный уровень защиты данных при отключении питания.

Речь идёт о применении изделий Everspin Persyst EMD4E001G ёмкостью 1 Гбит. Эти высокопроизводительные энергонезависимые чипы выполнены по технологии STT-MRAM (запись данных с помощью переноса спинового момента).

Источник изображения: Everspin

Изделия Everspin используют интерфейс DDR4. Заявленная скорость передачи информации в режимах чтения и записи достигает 2,7 Гбайт/с. В случае внезапного сбоя питания критически важные данные могут быть быстро перенесены в память STT-MRAM, что обеспечит их сохранность.

Что касается FCM4, то это проприетарные накопители IBM, выполненные на 176-слойных чипах TLC NAND. Вместимость составляет 4,8, 9,6, 19,2 или 38,4 Тбайт. Реализована технология защиты от вредоносного ПО, работающая на уровне прошивки. Накопители анализируют I/O-операции с помощью ИИ-алгоритмов, оперативно выявляя проникновение программ-вымогателей и других зловредов.

Согласно прогнозам Technavio, показатель CAGR (среднегодовой темп роста в сложных процентах) на мировом рынке MRAM составит 37,39 % до 2026 года. Таким образом,  прирост продаж в денежном выражении с 2021-го по 2026 год достигнет $1,43 млрд.