Компания Samsung анонсировала решение под названием CXL Memory Module — Box (CMM-B): это массив модулей памяти CXL, предназначенный для монтажа в стойку. Новинка совместима с решениями Supermicro Plug and Play.

В состав CMM-B входят восемь пулов CXL-памяти на базе модулей E3.S CMM-D (PCIe 5.0) ёмкостью 2 Тбайт каждый. Таким образом, суммарный объём достигает 16 Тбайт. В составе стойки доступ к этому массиву могут получать три сервера Supermicro. Такая архитектура позволяет выделять необходимый объём памяти в соответствии с текущими нагрузками, устраняя узкие места в вычислительных системах. Через консоль SCMC (Samsung Cognos Management Console) можно отслеживать распределение памяти.

Источник изображений: Samsung

Устройство CMM-B выполнено в формате 4U. Заявлена совместимость со стандартами CXL 1.1/2.0. Пропускная способность достигает 60 Гбайт/с, тогда как задержка находится на уровне 596 нс. С точки зрения «чистой» производительности один модуль CMM-B работает медленнее, чем двухканальная подсистема оперативной памяти DDR5-4800. Тем не менее, устройство значительно быстрее, чем даже наиболее передовые SSD.

Представленная стоечная система разработана в тесном сотрудничестве с Supermicro. В состав решения, помимо CMM-B и трёх серверов, входит PCIe-коммутатор. Система предназначена для приложений, которым требуется большой объём памяти, таких как ИИ, анализ массивов информации и in-memory базы данных. CMM-B позволяет динамически выделять необходимую память системе, когда она необходима ей. Благодаря этому повышается гибкость использования инфраструктуры и снижаются энергетические затраты, говорят создатели.

Компания Micron, по сообщению ресурса Tom's Hardware, продемонстрировала на конференции NVIDIA GTC 2024 модули оперативной памяти MCR DIMM ёмкостью 256 Гбайт для серверов следующего поколения, в том числе для систем, построенных на процессорах Intel Xeon Granite Rapids. Модули имеют увеличенную высоту, но Micron также намерена выпустить варианты стандартной высоты для серверов типоразмера 1U.

Изделия соответствуют стандарту DDR5-8800. С каждой стороны модуля расположены по 40 чипов памяти. Заявленное энергопотребление изделия составляет 20 Вт, тогда как у RDIMM объёмом 128 Гбайт при использовании профиля DDR5-4800 оно равно 10 Вт. Новые изделия Micron позволяют оснащать серверы 3 Тбайт памяти при наличии 12 слотов ОЗУ и 6 Тбайт при наличии 24 слотов.

Источник изображения: Micron

MCR DIMM использует специальный буфер между DRAM и CPU, который позволяет двум физическим рангам функционировать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Это позволяет извлекать из памяти вдвое больше данных за каждый такт, а также увеличить скорость обмена информацией с CPU. Таким образом, можно одновременно поднять и ёмкость, и производительность памяти.

SK hynix также поддерживает MCR DIMM, а вот AMD и JEDEC готовят альтернативный стандарт MRDIMM, который тоже поддерживает создание высокоёмких модулей DDR5-8800. Впрочем, концептуально оба решения восходят к OMI/DDIMM от IBM и даже FB-DIMM.

Компания Micron Technology, приступившая в феврале к массовому производству передовой памяти HBM3E, сообщила, что уже имеет на руках контракты на весь объём поставок до конца 2024 года, а также на большую часть поставок в 2025 году. Память Micron HBM3E (Micron называет её HBM3 Gen2) одной из первых получила сертификацию для использования в ускорителях NVIDIA (G)H200, так что, по всей видимости, Micron станет ключевым поставщиком для NVIDIA, пишет AnandTech.

«Наша HBM распродана на 2024 календарный год и подавляющая часть наших поставок на 2025 год уже распределена, — сообщил глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) в комментариях к отчёту за II квартал 2024 финансового года. Первый продукт HBM3E от Micron представляет собой сборку 8-Hi ёмкостью 24 Гбайт с 1024-бит интерфейсом и общей пропускной способностью 1,2 Тбайт/с. NVIDIA H200 использует шесть таких модулей. Micron также начала поставки образцов сборок 12-Hi ёмкостью 36 Гбайт.

Источник изображения: Micron

В отчёте за II квартал 2024 финансового года Micron похвасталась результатами, которые оказались значительно выше прогнозов. Напомним, что до этого у компании были убытки пять кварталов подряд. В отчётном квартале Micron получила выручку в размере $5,82 млрд, превысив на 58 % на результат II квартала 2023 финансового года, равный $3,69 млрд, и на 23 % — результат предыдущего квартала, равный $4,73 млрд. При этом доля в общей выручке продаж DRAM составила 71 %, NAND — 27 %.

Поставки подразделения сетевых и вычислительных решений (Compute and Networking, CNBU) выросли год к году на 59 % до $2,2 млрд, мобильного подразделения (Mobile, MBU) — на 69 % до $1,6 млрд, у подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) зафиксирован рост на 28 % до $1,11 млрд, у подразделения решений для СХД — рост на 79 % до $905 млн.

Компания сообщила о прибыли в размере $793 млн или $0,71 на акцию, в то время как годом ранее у неё были убытки (GAAP) в $2,31 млрд или $2,12 на акцию. Скорректированная прибыль (non-GAAP) составила $0,42 на акцию по сравнению с убытком в $1,91 на акцию годом ранее. Согласно прогнозу аналитиков, опрошенных FactSet, у Micron должны были быть убытки (non-GAAP) в размере $0,25 на акцию при выручке в $5,35 млрд.

В текущем квартале Micron ожидает получить скорректированную прибыль (non-GAAP) в размере $0,42 на акцию при выручке в $6,6 млрд. Аналитики Уолл-стрит прогнозируют в III финансовом квартале прибыль (non-GAAP) в размере $0,09 на акцию при выручке в $6 млрд.

Компания Pure Storage, специализирующаяся на All-Flash СХД, считает, что дальнейшее увеличение вместимости SSD будет сопряжено с рядом трудностей, продиктованных необходимостью применения DRAM. Об этом, как сообщает ресурс Blocks & Files, рассказал Шон Роузмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент Pure по исследованиям и разработкам.

По его словам, коммерческим SSD требуется примерно 1 Гбайт DRAM на каждый 1 Тбайт флеш-памяти. Наличие DRAM необходимо для подсистемы Flash Translation Layer (FTL). По словам Роузмарина, для накопителя ёмкостью 30 Тбайт требуется 30 Гбайт DRAM, для 75 Тбайт — 75 Гбайт и т. д. Таким образом, для SSD вместимостью, например, 128 Тбайт нужно 128 Гбайт DRAM, а это уже сопоставимо с объёмом ОЗУ в сервере.

Источник изображения: Pure Storage

Роузмарин отмечает, что увеличение вместимости корпоративных SSD свыше 30 Тбайт будет проблематично. Во-первых, DRAM заметно дороже NAND, что приведёт к значительному росту стоимости SSD. Во-вторых, из-за увеличения объёма DRAM возрастает энергопотребление, что не только поднимет стоимость владения, но и ухудшит надёжность накопителя. В результате по мере роста вместимости SSD заказчики могут столкнуться с серьёзным увеличением затрат.

Роузмарин заявляет, что единственный способ обойти указанные проблемы — найти более экономичную и менее энергозатратную альтернативу DRAM. Необходимые функции, по его словам, могут быть перенесены непосредственно на ПО СХД. Именно такой подход Pure реализует со своими проприетарными накопителями DFM (Direct Flash Module), последняя модификация которых имеет ёмкость 75 Тбайт. В этих устройствах отсутствует зависимость от DRAM на уровне накопителей.

Компания намерена выпустить DFM ёмкостью 150 Тбайт в 2025 году, а на 300 Тбайт — ориентировочно в 2026-м. В дальнейшие планы входит создание изделий вместимостью 600 Тбайт и 1,2 Пбайт. Аналогичного подхода придерживается и IBM в своих накопителях FlashCore Modules (FCM).

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первых в отрасли чипов высокопроизводительной памяти HBM3E в виде 12-ярусных стеков общей ёмкостью 36 Гбайт. Изделия ориентированы на применение в системах ИИ с большой вычислительной нагрузкой.

Новые чипы Samsung HBM3E обеспечивают пропускную способность до 1280 Гбайт/с. По этому показателю, как утверждается, решения более чем на 50 % превосходят доступные на рынке 8-слойные стеки HBM3.

Источник изображения: Samsung

При изготовлении чипов Samsung применяет технологию термокомпрессии в комплексе с диэлектрической плёнкой. В результате, суммарная высота полученных 12-слойных изделий эквивалентна высоте 8-слойных. Samsung добилась наименьших в отрасли зазоров в стеке — всего 7 мкм, а также устранила пустоты между слоями. Это позволило поднять плотность вертикальной компоновки более чем на 20 % по сравнению с 8-слойными продуктами HBM3.

Кроме того, при производстве стеков Samsung использует между слоями памяти контактные выступы разного размера. Небольшие выступы служат для передачи сигналов, тогда как более крупные улучшают отвод тепла. Такой подход, по заявлениям Samsung, также способствует снижению доли брака.

В целом, как утверждается, внедрение 12-слойной памяти HBM3E по сравнению с 8-слойными изделиями даёт возможность увеличить скорость обучения ИИ-моделей на 34 %, тогда как количество одновременно обслуживаемых пользователей систем инференса может вырасти в 11,5 раз. Пробные поставки новых чипов уже начались, а массовое производство намечено на I половину 2024 года.

Нужно отметить, что буквально на днях компания Micron объявила о начале массового производства 8-слойной памяти HBM3E на 24 Гбайт с пропускной способностью более 1,2 Тбайт/с. Кроме того, Micron уже в марте начнёт распространять образцы 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.

Компания Micron Technology объявила о начале массового производства передовой памяти HBM3E. Речь идёт об изделиях ёмкостью 24 Гбайт, предназначенных для ИИ-ускорителей NVIDIA H200, которые появятся на коммерческом рынке во II квартале нынешнего года.

Чипы Micron HBM3E выполнены в виде 8-ярусного стека. Заявленная скорость передачи данных превышает 9,2 Гбит/с на контакт, а общая пропускную способность сборки превосходит 1,2 Тбайт/с. Вместе с тем, как утверждается, изделия потребляют примерно на 30 % меньше энергии по сравнению с решениями конкурентов.

Источник изображения: Videocardz / Micron

Micron подчёркивает, что чипы HBM3E объёмом 24 Гбайт позволяют дата-центрам беспрепятственно масштабировать различные ИИ-нагрузки — от обучения сложных нейронных сетей до ускорения инференса. Изделия выполнены по технологии 1β (1-бета) — самому передовому техпроцессу компании. Кроме того, применены другие современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Micron также сообщила, что уже в марте нынешнего года начнёт распространять образцы 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт. Они, как и изделия на 24 Гбайт, обеспечат пропускную способность свыше 1,2 Тбайт/с при высокой энергетической эффективности.

Компания Apacer, сообщила о доступности, как утверждается, первых в мире модулей оперативной памяти стандарта DDR5, компоненты которых полностью не содержат свинца. Изделия превосходят требования действующей директивы защиты окружающей среды RoHS, принятой Европейским союзом.

Отмечается, что обычные модули ОЗУ, представленные на рынке, содержат свинец в своих резисторных элементах. Вместе с тем во всём миру принимаются всё более жёсткие экологические нормы, требующие в том числе отказа от применения этого тяжёлого металла.

Источник изображения: Apacer

Чтобы решить указанную проблему, компания Apacer после длительного периода исследований и разработок успешно создала полностью бессвинцовые модули памяти с резисторными компонентами нового типа. Эти решения в полной мере соответствуют стандартам RoHS без потери производительности.

В семействе представлены модули (ECC) UDIMM, (ECC) SO-DIMM и RDIMM стандарта DDR5-4800/5600. Напряжение питания во всех случаях равно 1,1 В; диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C. Изделия UDIMM и SO-DIMM доступны в вариантах ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт, а ECC UDIMM и ECC SO-DIMM — 16 и 32 Гбайт. В случае RDIMM объём варьируется от 16 до 128 Гбайт. В качестве сфер применения модулей названы оборона, автоматизация производства, здравоохранение, Интернет вещей, серверы, сетевое оборудование и пр.

Компания Samsung Electronics в партнёрстве с Red Hat впервые в отрасли успешно проверила работу памяти Compute Express Link (CXL) в реальной пользовательской среде. Это открывает путь для внедрения CXL в существующих дата-центрах для выполнения ресурсоёмких задач, таких как генеративный ИИ, средства автономного вождения и in-memory базы данных.

Интерконнект CXL, основанный на интерфейсе PCIe, обеспечивает высокоскоростную передачу данных с малой задержкой между хост-процессором и между такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные IO-блоки. Технология позволяет повысить эффективность серверных платформ при одновременном снижении эксплуатационных расходов.

Источник изображения: Samsung

В рамках сотрудничества с Red Hat компания Samsung оптимизировала работу своей памяти CXL на платформе Red Hat Enterprise Linux (RHEL) 9.3. Специалисты проверили распознавание памяти, а также опробовали операции чтения и записи в средах Red Hat KVM и Podman. Полученные результаты говорят о том, что клиенты могут использовать память Samsung CXL в своих ЦОД без необходимости внесения дополнительных изменений в существующее оборудование.

Это, как утверждается, важная веха в интеграции аппаратного и программного обеспечения для создания открытой экосистемы с целью внедрения высокоскоростной памяти следующего поколения. Компании Samsung и Red Hat приступили к разработке руководства RHEL 9.3 CXL Memory Enabling Guide, которое поможет заказчикам в создании вычислительных систем с памятью CXL.

Отмечается, что Samsung сотрудничает с дата-центрами и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в высокоскоростной памяти большой ёмкости. Меморандум о взаимопонимании (MOU) с Red Hat компания Samsung подписала в мае 2022 года. Партнёрство охватывает широкий спектр решений, включая NVMe-накопители и собственно память CXL.

Компания Rambus анонсировала первый в отрасли чип RCD (Registering Clock Driver) четвёртого поколения, предназначенный для создания высокопроизводительных модулей регистровой оперативной памяти DDR5 (RDIMM) для серверов. RCD действует как буфер между компонентами DRAM и контроллером памяти, что позволяет использовать в одном модуле больше компонентов DRAM для достижения более высокой ёмкости. Образцы новинки уже поставляются производителям ОЗУ.

Источник изображения: Rambus

Новый чип Rambus RCD позволяет выпускать серверные модули DDR5 RDIMM со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с. Прирост производительности, как отмечается, составляет 50 % по сравнению с современными изделиями DDR5-4800. Повышение пропускной способности ОЗУ, по заявлениям Rambus, необходимо для эффективного решения задач в области генеративного ИИ, стремительно набирающего популярность. Кроме того, модули DDR5-7200 помогут ускорить выполнение рабочих нагрузок в дата-центрах.

Компания Micron Technology анонсировала модули оперативной памяти DDR5-8000 RDIMM ёмкостью 128 Гбайт для дата-центров и облачных платформ. Изделия рассчитаны на использование в системах с высокими вычислительными нагрузками: это могут быть ресурсоёмкие приложения ИИ, резидентные базы данных и пр.

Модули выполнены на основе монолитных чипов на 32 Гбит по технологии 1β (1-бета) — самому передовому технологическому процессу производителя. Применяется инновационная архитектура кристалла, обеспечивающая максимальную эффективность массива, а также самую высокую плотность DRAM.

Источник изображения: Micron

Задействованная технология, как утверждается, обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей 3DS TSV (through-silicon via). Заявлено повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности обучения ИИ до 28 %.

Реализована функция управления напряжением питания, которая помогает оптимизировать энергопотребление. Номинальное напряжение VDD, VDDQ и VPP равно соответственно 1,1 В, 1,1 В и 1,8 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C.

В 2024 году компания Micron намерена организовать поставки модулей DDR5 RDIMM на 128 Гбайт с частотой 4800, 5600 и 6400 МГц, а позднее появятся изделия с частотой до 8000 МГц.