Материалы по тегу: kioxia
|
05.11.2026 [21:16], Владимир Мироненко
SanDisk сделала ставку на HBF, но выпускать её пока негде, поскольку Kioxia выбрала иной путь развития памятиЯвляясь партнёрами по совместному предприятию в сфере производства NAND-памяти, компании Kioxia и SanDisk по-разному относятся к архитектуре High-Bandwidth Flash (HBF), сторонником которой является и SK hynix. Однако в отличие от SanDisk, разработавшей эту технологию в 2024 году, Kioxia пока занимает нейтральную позицию, предлагая альтернативный архитектурный подход, пишет Blocks & Files. Проблема в том, что у SanDisk нет собственных производственных мощностей для выпуска пластин, она сможет осуществлять выпуск пластин с памятью HBF NAND через СП с Kioxia. Однако маловероятно, что это СП будет производить пластины HBF NAND исключительно для нужд SanDisk. В 2026 году SanDisk и SK hynix инициировали создание консорциума по стандартизации спецификаций HBF, запустили профильное рабочее направление в рамках OCP и представили первые открытые технические спецификации, охватывающие такие аспекты, как стеки кристаллов NAND (8 или 16 кристаллов в стеке ёмкостью до 512 Гбайт), показатели пропускной способности (примерно 0,4–3,0 Тбайт/с), UCIe-интерфейс, особенности корпусировки, параметры надёжности и рекомендации по ПО.
Источник изображения: SanDisk В октябре SanDisk сообщила, что технология HBF достигла важного рубежа — был осуществлён выпуск (tape-out) первого кристалла памяти HBF. При этом поставки образцов первых продуктов на базе HBF по-прежнему ожидаются в следующем календарном году. Однако сама Kioxia не стала присоединяться к консорциуму HBF. По данным издания Nikkei, она планирует использовать скоростную память NAND в сочетании с CXL в качестве альтернативы DRAM, что позволит сократить задержку при чтении данных более чем в десять раз по сравнению с традиционными решениями на базе NAND. В августе 2025 года Kioxia представила прототип флеш-модуля большой ёмкости (5 Тбайт) с высокой пропускной способностью (64 Гбайт/с), предназначенного для периферийных систем, а не для GPU-серверов в ЦОД. Его архитектура предусматривает последовательное соединение блоков флеш-памяти, а не их многослойную компоновку, с последовательной же передачей сигналов, а не параллельной (как в HBF). То есть Kioxia делает ставку на последовательное соединение без вертикального стекирования слоев, тогда как SanDisk и SK hynix отдают предпочтение стекированию слоёв с использованием параллельных соединений через сквозные кремниевые контакты (TSV). SanDisk рассматривает возможность запуска собственного производства памяти. В апреле этого года TrendForce со ссылкой на ETNews сообщила, что SanDisk начала сотрудничество с поставщиками материалов, компонентов и оборудования с целью создания пилотной линии по выпуску прототипов HBF, а Япония рассматривается как основной кандидат на роль производственной площадки. Ожидается, что пилотная линия будет запущена ближе к концу года, а запуск коммерческого производства намечен на 2027 год.
31.10.2026 [23:22], Владимир Мироненко
Прогноз Kioxia разочаровал инвесторов — компания отметила снижение темпов роста стоимости флеш-памятиКомпания Kioxia Holdings объявила итоги II квартала 2026 финансового года, завершившегося 30 сентября. Благодаря высокому спросу на её продукцию со стороны провайдеров ИИ ЦОД выручка и прибыль компании значительно выросли, однако акции упали из-за слабого прогноза на текущий квартал. Выручка Kioxia достигла ¥2,48 трлн ($15,7 млрд), показав рост год к году на 453,2 % — годом ранее выручка составила ¥448,3 млрд ($2,85 млрд). В предыдущем квартале этот показатель равнялся ¥1,77 трлн ($11,2 млрд, +40,3 % г/г). Совокупная выручка компании за предыдущий, 2025 финансовый год составила ¥2,34 трлн ($14,9 млрд). Тот факт, что Kioxia заработала за один квартал сумму, сопоставимую с своим годовым доходом, наглядно свидетельствует о мощном подъёме индустрии памяти. Ещё более значительный рост показала прибыль Kioxia. По МСФО операционная прибыль компании за отчётный период составила ¥1,9947 трлн ($12,7 млрд), а скорректированная операционная прибыль (без учёта разовых статей) — ¥1,9883 трлн ($12,6 млрд). Это соответствует росту на 2181,1 % в годовом выражении и на 49,9 % по сравнению с предыдущим кварталом, что также превышает ранее озвученный прогноз в ¥1,9 трлн ($12,1 млрд). Скорректированная операционная маржа увеличилась с 75 % в предыдущем квартале до 80,2 %, что подчеркивает дальнейшее укрепление высокодоходного цикла в индустрии флеш-памяти. Выручка сегмента SSD и СХД составила ¥1,616 трлн ($10,3 млрд, +37,6 % к предыдущему кварталу), что соответствует примерно 65 % от общего объёма выручки. При этом 65 % выручки сегмента обеспечили поставки для ЦОД и корпоративного сектора, а остальную часть — сегмент ПК и другие потребительские решения. Выручка в сегменте интеллектуальных устройств достигла ¥788,9 млрд (около $5,0 млрд), показав квартальный рост на 50,1 %. По заявлению компании, рост показателей обусловлен увеличением средних отпускных цен — следствием высокого спроса со стороны клиентов, развивающих технологии генеративного ИИ, — а также ростом объёма поставок продукции (в пересчёте на биты). Вместе с тем в периоде с октября по декабрь Kioxia ожидает выручку на уровне ¥2,5 трлн ($15,9 млрд) и скорректированную операционную прибыль около ¥2 трлн ($12,7 млрд), что означает рост всего лишь на 1 % по сравнению с предыдущим кварталом по обоим показателям. Также ожидаемая операционная прибыль на 15 % ниже консенсус-прогноза аналитиков в размере ¥2,35 трлн ($14,9 млрд), что сразу вызвало на рынке опасения в том, что пик цикла роста цен на рынке памяти уже пройден. Kioxia сообщила, что в период с апреля по июнь средние цены реализации (в долларовом выражении) выросли последовательно примерно на 70 %. Однако в период с июля по сентябрь темпы роста средних цен замедлились до уровня «около 20–25 %», а для сопоставимых продуктов (с идентичными техническими характеристиками) рост составил лишь немногим более 30 %. Столь резкое замедление роста цен вызвало сомнения в устойчивости тренда на повышение стоимости памяти. Финансовый директор Kioxia Акира Маусу (Akira Mausu) заявил: «Учитывая, что цены реализации уже значительно выросли, пока неясно, смогут ли они продолжить рост в 2027 финансовом году — пусть даже медленными темпами». Его заявление резко контрастирует с оценкой самой компании, согласно которой на рынке сохраняется жёсткий баланс спроса и предложения. В Kioxia также сообщили, что производственные мощности на весь 2027 финансовый год уже полностью законтрактованы в рамках долгосрочных соглашений, а на 2028 финансовый год долгосрочными контрактами охвачено более 50 % объёма поставок. Для инвесторов ситуация в Kioxia — сочетание законтрактованных мощностей с осторожным прогнозом относительно дальнейшего повышения цен — вызывает вопросы по поводу того, как долго ещё продлится текущий цикл роста цен на рынке памяти. В масштабах отрасли рынок NAND вступает в период разнонаправленных тенденций. Спрос со стороны корпоративного сектора из-за ИИ остаётся стабильно высоким; долгосрочные контракты охватили большую часть производственных мощностей на ближайшие два года, а фундаментальный баланс спроса и предложения остаётся устойчивым. В то же время замедление темпов роста краткосрочных цен в сочетании с прогнозами, оказавшимися ниже ожиданий рынка, может свидетельствовать о том, что повсеместный и однонаправленный рост цен на чипы памяти подходит к концу. Дальнейшая динамика будет зависеть от темпов закупок оборудования для ИИ ЦОД, а также от того, насколько уверенным окажется восстановление спроса в сегменте потребительской электроники. При этом рост цен, вероятно, сменится структурной дифференциацией. ![]() Между тем компания продолжает расширять производственные мощности. Ожидается, что во II полугодии текущего финансового года её капитальные затраты составят около ¥330 млрд (примерно $2,1 млрд) — это примерно в 2,4 раза больше, чем ¥137 млрд (около $869,7 млн), фактически инвестированных в I полугодии. Таким образом, совокупные капитальные вложения за год достигнут примерно ¥470 млрд (около $3,0 млрд). Основная часть этих средств будет направлена на расширение производственных линий для выпуска флеш-памяти BiCS Flash 8, а также на внедрение и наращивание мощностей по производству 3D-флеш-памяти десятого поколения.
14.10.2026 [13:18], Сергей Карасёв
Чтение до 20 млн IOPS: Kioxia показала SSD GP1 на базе XL-Flash третьего поколенияKioxia показала улучшенные твердотельные накопители серии GP1, построенные на основе памяти XL-Flash третьего поколения. Эти устройства ориентированы на высокопроизводительные ИИ-системы, где выполняют функции сверхбыстрого промежуточного уровня хранения между памятью HBM и стандартными SSD. Оригинальные изделия Kioxia GP1 дебютировали в августе нынешнего года. Они выполнены на флеш-памяти XL-Flash второго поколения и оснащены интерфейсом PCIe 6.0 (NVMe 2.2). Заявленный показатель IOPS (количество операций ввода-вывода в секунду) достигает 10 млн при произвольном чтении данных блоками по 512 байт. Доступны варианты в форм-факторах E3.S и E1.S. У новых SSD семейства GP1 величина IOPS при произвольном чтении увеличилась вдвое — до 20 млн. Кроме того, XL-Flash третьего поколения обеспечивает в три раза более высокую скорость чтения и примерно на 150 % более высокую скорость записи по сравнению с предшественниками. Новая флеш-память отличается укороченными шинами, что позволило снизить RC-задержку. Кроме того, увеличилось количество независимых плоскостей памяти в расчёте на кристалл (XL-Flash второго поколения насчитывает 16 таких плоскостей). Общая эффективность выросла приблизительно на 40 % при чтении и на 80 % при записи, однако энергопотребление на каждую операцию, по оценкам, несколько увеличилось. Прочие технические характеристики улучшенных SSD пока не раскрываются. В оригинальных накопителях GP1 применяются ячейки MLC (два бита информации), работающие в режиме pSLC. Устройства способны выдерживать до 50 полных перезаписей в сутки (DWPD).
14.10.2026 [13:10], Сергей Карасёв
E3.S ёмкостью до 30,72 Тбайт: Kioxia представила SSD серии CM9-DLC с поддержкой СЖОKioxia анонсировала SSD семейства CM9-DLC с поддержкой прямого жидкостного охлаждения. Накопители ориентированы на применение прежде всего в ИИ-серверах для кеширования контекста. Изделия выполнены в форм-факторе E3.S с двухпортовой конфигурацией. Задействованы чипы флеш-памяти BiCS FLASH TLC NAND восьмого поколения; для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0, NVMe-MI 1.2). Говорится о поддержке отдельных положений спецификации OCP Datacenter NVMe SSD v2.5. Накопители CM9-DLC будут предлагаться в вариантах для смешанных нагрузок и интенсивного чтения. В первом случае вместимость составляет 6,4, 12,8 и 25,6 Тбайт. Скорость последовательного чтения варьируется от 13 500 до 14 800 Мбайт/с, скорость последовательной записи — от 9750 до 11 000 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет от 3,2 до 3,4 млн, при произвольной записи — 800 тыс. Такие устройства рассчитаны на три полных перезаписи в сутки (величина DWPD) на протяжении пяти лет.
Источник изображения: Kioxia В свою очередь, изделия, оптимизированные для операций чтения, могут иметь ёмкость 7,68, 15,36 и 30,72 Тбайт. Их скоростные показатели аналогичны SSD для смешанных нагрузок. При этом значение IOPS при произвольном чтении находится в диапазоне от 2,75 до 3,4 млн, а при произвольной записи — от 270 до 500 тыс. Устройства выдерживают одну полную перезапись в сутки в течение пяти лет. Все новые накопители могут устанавливаться в серверы как с СЖО, так и с традиционным воздушным охлаждением. Предусмотрены средства защиты данных при внезапном отключении питания Power Loss Protection (PLP), функция мгновенного уничтожения информации (SIE) и инструменты сквозного шифрования. Пробные поставки SSD уже начались.
09.10.2026 [16:59], Сергей Карасёв
E1.L вместимостью до 122,88 Тбайт: Kioxia представила QLC SSD серии LD4Компания Kioxia анонсировала SSD семейства LD4 — свои первые твердотельные накопители типоразмера E1.L. Устройства предназначены для использования в серверах высокой плотности форм-фактора 1U, ориентированных на инфраструктуры гиперскейлеров и крупные дата-центры. В изделиях применены 218-слойные чипы флеш-памяти BiCS 8 QLC NAND. Говорится о соответствии стандарту PCIe 5.0, но фактически накопители работают в режиме PCIe 4.0 x4. На начальном этапе в серию войдут модели вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт, а в перспективе могут появиться модификации ёмкостью до 122,88 Тбайт. Новинки получили однопортовую конфигурацию. Упомянута поддержка спецификации NVMe 2.0e и отдельных положений спецификации OCP Datacenter NVMe SSD 2.6. Скорости чтения/записи, показатели IOPS и надёжности пока не раскрываются. При этом подчёркивается, что накопители оптимизированы для объектных хранилищ, задач ИИ и машинного обучения. Средства Power Loss Protection (PLP) отвечают за сохранность информации при внезапном отключении питания. Кроме того, реализовано сквозное шифрование. Габариты составляют 318,75 × 38,4 × 9,5 мм. Накопители будут демонстрироваться на мероприятии OCP Global Summit 2026. Там же Kioxia покажет улучшенные SSD семейства GP Series на основе памяти XL-Flash третьего поколения. У них величина IOPS на операциях произвольного чтения блоков данных по 512 байт превышает 20 млн. Посетители саммита также смогут увидеть накопители Kioxia NX1 формата E1.S с жидкостным охлаждением. Все эти изделия рассчитаны на применение в современных дата-центрах.
15.08.2026 [14:59], Сергей Карасёв
196 Пбайт на стойку: хранилище Dell ObjectScale первым в мире получило поддержку 245-Тбайт SSDКомпания Dell сообщила о том, что её система ObjectScale стала первым в мире объектным хранилищем, получившим поддержку SSD вместимостью 245,76 Тбайт. Речь идёт о накопителях Kioxia LC9, которые были анонсированы ещё в июле прошлого года. В основу платформы ObjectScale положен 2U-сервер PowerEdge R7725 (более ранний анонс говорил об использовании модели с процессорами AMD). Он допускает установку 40 накопителей Kioxia LC9 типоразмера E3.L на 245,76 Тбайт. В сумме это даёт 9,83 Пбайт «сырой» ёмкости. В одной стойке могут быть смонтированы до 20 серверов, в результате чего совокупный объём СХД достигнет 196,6 Пбайт. Собственно SSD серии Kioxia LC9 построены на чипах флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0); реализована поддержка двух портов. Скорость последовательного чтения составляет до 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — до 3 Гбайт/с. Предусмотрены средства защиты от сбоев питания. Решение ObjectScale предназначено для построения высокоэффективной инфраструктуры для работы с неструктурированными данными. Это могут быть огромные массивы информации для аналитики и машинного обучения, резервные копии и архивы, медиаконтент и пр. Платформа также подходит для определённых ИИ-задач. Нужно отметить, что СХД высокой плотности формата 2U типа All-Flash предлагают и другие компании. В частности, в ассортименте HPE присутствует система Alletra Storage Server 4120 с поддержкой 48 накопителей SFF. Supermicro предлагает решение 2U SBB, рассчитанное на 48 двухпортовых NVMe SSD. А у Lenovo есть сервер ThinkSystem SR650 V2, допускающий установку до 40 SSD.
05.08.2026 [08:25], Сергей Карасёв
Kioxia анонсировала CXL-модули XL1 для ИИ-нагрузокKioxia анонсировала CXL-модули XL1, предназначенные для расширения памяти в ИИ-системах. В основу изделий положена фирменная флеш-память Kioxia XL-Flash (SCM). Она отличается низкой задержкой и высокой производительностью. По заявлениям разработчика, XL-Flash создана, чтобы устранить разрыв в быстродействии между энергозависимой памятью (включая DRAM) и обычной флеш-памятью. Как и любая флеш-память, XL-Flash способна сохранять данные при отключении питания. Полностью характеристики CXL-модулей XL1 пока не раскрываются. Но известно, что память XL-Flash использует технологию BiCS FLASH 3D. В случае SLC применяются кристаллы на 128 Гбит, а в случае MLC — на 256 Гбит. Возможны исполнения с двумя, четырьмя и восемью кристаллами в одном корпусе. Идея XL1 заключается в том, что эти модули берут на себя хранение «холодных» данных, к которым система обращается сравнительно редко. Вместе с тем часто используемые «горячие» данные остаются в более быстрой DRAM. Иными словами, XL-Flash выступает в качестве слоя расширения оперативной памяти. Для обмена информацией служит интерфейс CXL на основе PCIe. Таким образом, изделия XL1 помогут решить проблему нехватки памяти в составе ИИ-платформ и снизить затраты на масштабирование инфраструктуры. Пробные поставки новых модулей отдельным заказчикам начнутся в текущем месяце.
04.08.2026 [12:20], Сергей Карасёв
10 млн IOPS и 50 DWPD: Kioxia представила SSD серии GP1 для ИИ-приложенийКомпания Kioxia анонсировала SSD семейства GP1, спроектированные с прицелом на ИИ-системы. Новинки будут предлагаться в различных вариантах исполнения, включая E3.S и E1.S с толщиной корпуса 9,5 и 15 мм. Устройства используют флеш-память Kioxia XL-Flash второго поколения с низкой задержкой и улучшенной производительностью. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 6.0 (NVMe 2.2). Накопители, как утверждается, выдерживают до 50 полных перезаписей в сутки (значение DWPD). Изделия GP1 стали первыми продуктами серии Super High IOPS SSD. Их особенностью является то, что графический ускоритель в составе системы может получать прямой доступ к SSD. Таким образом, флеш-память используется для расширения встроенной памяти HBM. В результате, улучшается быстродействие на операциях ИИ и повышается эффективность использования имеющихся вычислительных ресурсов. «Устройства Kioxia GP1 — это прорывной продукт, который позволит создать новую, передовую топологию памяти для ИИ-систем», — отмечает Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia), старший вице-президент и генеральный директор подразделения твердотельных накопителей Kioxia America. Решения GP1 обеспечивают показатель IOPS (количество операций ввода-вывода в секунду) до 10 млн при произвольном чтении данных блоками по 512 байт. Более того, применённая в устройствах архитектура предусматривает возможность повышения значения до 100 млн IOPS в будущих поколениях SSD. Новые накопители будут предлагаться в вариантах с воздушным и жидкостным (только у версий толщиной 9,5 мм) охлаждением. Вместимость и прочие технические характеристики пока не раскрываются. Поставки опытных образцов отдельным заказчикам будут организованы к концу текущего года.
31.07.2026 [11:09], Сергей Карасёв
Форматы E3.S, E1.S, SFF и ёмкость до 61,44 Тбайт: Kioxia представила свои первые корпоративные SSD с интерфейсом PCIe 6.0Компания Kioxia анонсировала SSD семейства CM10 — свои первые твердотельные накопители корпоративного класса, оснащённые интерфейсом PCIe 6.0. Устройства, спроектированные для ресурсоёмких нагрузок, включая ИИ-инференс, будут предлагаться в различных вариантах исполнения, в том числе E3.S, E1.S и SFF. Изделия выполнены на основе чипов Kioxia BiCS FLASH 10-го поколения (332 слоя) в соответствии со спецификациями NVMe 2.1, OCP Datacenter NVMe SSD 2.7 и NVMe Flexible Data Placement (FDP). Говорится о поддержке различных средств обеспечения безопасности — SIE, SED, SED FIPS 140-3 и постквантовой криптографии. Вместимость в зависимости от варианта исполнения варьируется от 1,6 до 61,44 Тбайт. Накопители типоразмера E3.S и E1.S толщиной 9,5 мм будут выпускаться в модификациях с жидкостным охлаждением, тогда как все другие решения довольствуются традиционным воздушным охлаждением. Предусмотрены версии для интенсивного чтения с возможностью одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) и смешанного использования с показателем 3 DWPD. По заявлениям Kioxia, устройства серии CM10 по быстродействию значительно превосходят накопители предыдущего поколения CM9, которые дебютировали весной 2025 года. Эти SSD наделены интерфейсом PCIe 5.0, а ёмкость достигает 61,44 Тбайт. Утверждается, что по сравнению с предшественниками решения CM10 обеспечивают на 92 % более высокую производительность в режиме последовательного чтения и примерно на 85 % большую скорость на операциях случайного чтения. Пробные поставки новинок уже начались.
29.07.2026 [10:06], Сергей Карасёв
Kioxia представила SSD серии NX1 с поддержкой СЖОКомпания Kioxia анонсировала SSD корпоративного класса семейства NX1, выполненные в форм-факторе E1.S. Накопители рассчитаны на высокопроизводительные GPU-серверы, которые применяются на площадках гиперскейлеров и в крупных дата-центрах, ориентированных в том числе на задачи ИИ. NX1 — это первые изделия Kioxia, поддерживающие DLC СЖО. Такая опция в дополнение к традиционному воздушному охлаждению доступна для устройств в корпусе толщиной 9,5 мм. В семейство также входят варианты толщиной 15 мм: они оснащаются исключительно воздушным охлаждением. Для подключения к серверу служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0). Говорится о поддержке стандартов OCP Datacenter NVMe SSD 2.6 и NVMe Flexible Data Placement (FDP), а также опционального шифрования данных (SED). В основу накопителей положены чипы флеш-памяти Kioxia BiCS Flash 8-го поколения типа TLC и фирменный контроллер с «уникальными возможностями». Задействована технология CBA (CMOS directly Bonded to Array), которая обеспечивает повышение энергоэффективности, производительности, плотности и стабильности по сравнению с решениями предыдущих поколений. В серию NX1 входят модели вместимостью от 1,92 до 15,36 Тбайт. Устройства способны выдерживать одну полную перезапись в сутки (1 DWPD). По сравнению с SSD серии Kioxia XD8 типоразмера E1.S, которые дебютировали в октябре 2024 года, новинки обеспечивают прирост производительности до 38 % в режиме последовательной записи и до 20 % на операциях произвольной записи. Пробные поставки изделий NX1 уже начались. |
|



