Компания Scality, специализирующаяся на программно-определяемых хранилищах данных (SDS), раскрыла информацию об SSD нового класса, которые проектирует компания Samsung. Речь идёт о твердотельных Nearline-устройствах большой ёмкости, предназначенных для использования в дата-центрах.

Как сообщает ресурс Blocks & Files, о новых изделиях Samsung рассказал главный директор по продуктам Scality Эрван Жирар (Erwan Girard) в рамках сессии, посвящённой автономной инфраструктуре данных Scality ADI (Autonomous Data Infrastructure). Она предусматривает несколько уровней хранения, включая «горячий» (Hot Tier) и «тёплый» слои (Warm Tier) с накопителями класса NL-SSD (Nearline SSD). Такие решения, помимо Samsung, проектирует Solidigm. Причём Scality уже тестирует новые накопители в своих лабораториях.

Более подробно Жирар остановился на продуктах Samsung. По его словам, идея заключается в том, чтобы наладить выпуск NL-SSD большой вместимости, которые смогут стать полноценной альтернативой HDD соответствующего класса. Ожидается, что ёмкость NL-SSD производства Samsung составит от 250 Тбайт до 1 Пбайт. Рассматриваются варианты в форм-факторе E3.L и E2. В шасси стандарта 4U можно будет разместить около 50 таких накопителей, что в сумме даст почти 50 Пбайт пространства для хранения данных. Таким образом, серверная стойка с подобными СХД сможет вмещать 0,5 Эбайт.

Источник изображения: Scality

Samsung намерена применять в составе NL-SSD флеш-чипы нового типа. Подробности о них не раскрываются, но известно, что показатель DWPD (полных перезаписей в сутки) окажется примерно в пять раз меньше по сравнению с QLC — 0,1 против 0,5 на протяжении пяти лет. То есть в случае NL-SSD ежедневно можно будет перезаписывать около 10 % ёмкости для сохранения ресурса. Таким образом, накопители NL-SSD будут оптимизированы прежде всего для чтения (WORM). Что касается производительности, то значения у NL-SSD и QLC SSD находятся на сопоставимом уровне.

«Первоначальные цифры, предоставленные нам разработчиками, говорили о сравнительно низкой скорости передачи данных. Однако в ходе лабораторных испытаний выяснилось, что на самом деле показатели довольно высоки. В плане скорости мы не видим разницы между с QLC», — говорит Жирар. Отмечается, что Scality заключила соглашение о совместной разработке новых SSD с исследовательским центром Samsung в области технологий памяти. Договором не предусмотрены какие-либо эксклюзивные условия.

Предполагается, что NL-SSD появятся на рынке не ранее следующего года. Сверхъёмкие накопители также готовят SK hynix/Solidigm, SanDisk и Kioxia. При этом ситуация на рынке остаётся тяжёлой — сейчас SSD на порядок с лишним дороже HDD аналогичной ёмкости, так что надежды Everpure на создание дешёвых 300-Тбайт накопителей и вытеснение жёстких дисков из дата-центров вряд ли оправдаются в ближайшее время.

Micron объявила о начале поставок SSD Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, который позиционируется компанией как самый ёмкий из доступных на рынке SSD в мире. Он предназначен для поддержки рабочих ИИ-нагрузок, облачных вычислений, корпоративных задач, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ и облачные файловые и объектные хранилища.

Новый SSD основан на фирменной 276-слойной памяти G9 QLC NAND. Он доступен в форматах U.2 и E3.L с ёмкостью 30,72/61,44/22,88/245,76 Тбайт, причём самый ёмкий вариант выпускается именно в формате E3.L. 245-Тбайт модель обеспечивает скорость последовательного чтения и записи до 13,7 Гбайт/с и 3,0 Гбайт/с соответственно, а также до 1,78 млн 48 тыс. IOPS при случайном чтении и записи соответственно. Накопитель использует однопортовый интерфейс PCIe 5.0 x4 и соответствует стандартам OCP 2.6, NVMe 2.0d, NVMe-MI 1.2d. Максимальное энергопотребление не превышает 30 Вт.

Новинка в большей степени рассчитана на сценарии чтения, поскольку при последовательной записи заявленный уровень надёжности составляет 1 DPWD, а при случайной 4K-блоками — 0,075 DWPD. Впрочем, её сильная сторона — это как раз высокая ёмкость. Так, для достижения эквивалентной ёмкости хранения с использованием E3.L-версии на 245 Тбайт потребуется на 82 % меньше стоек, чем при использовании HDD. В 1U-шасси в этом случае можно получить более 3,9 Пбайт, а в 36U-стойке — 176,9 Пбайт.

Источник изображений: Micron Technology

Как отметил ресурс Servethehome, преимущество нового SSD заключается не только в высокой ёмкости, но и в форм-факторе EDSFF, который делает практичными гораздо более плотные полки для хранения данных. В рекламных материалах Micron сообщается, что при развёртывании 1 Эбайт ёмкости с использованием 245,76-Тбайт E3.L-накопителей потребуется в 5,6 раза меньше места, чем для 44-Тбайт HDD. В итоге для одного и того же набора данных потребуется меньше шасси, меньше стоек и меньше вспомогательной инфраструктуры.

По словам Micron, в сравнении с жёсткими дисками для ИИ-нагрузок Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт обеспечил до 84 раз лучшую энергоэффективность, в 8,6 раза более быструю предварительную обработку ИИ и в 3,4 раза большую пропускную способность при приёме данных, а также до 29 раз меньшую задержку. Для объектного хранения те же накопители продемонстрировали до 435 раз большую пропускную способность на Ватт, в 96 раз более быстрое время до первого байта и в 58 раз большую суммарную пропускную способность. А для развёртывания 1 Эбайт в случае HDD потребуется в 1,9 раза больше энергии по сравнению с накопителями 245-Тбайт SSD Micron.

Хотя Micron утверждает, что Micron 6600 ION является самым ёмким коммерчески доступным SSD в мире, конкурентам есть что предложить. Так, Kioxia анонсировала SSD LC9 ёмкостью 245,76 Тбайт с интерфейсом PCIe 5.0, а Sandisk в августе прошлого года анонсировала UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, поставки которого начнутся в I половине этого года. Как отметил ресурс Blocks & Files, ожидается, что Samsung и SK hynix/Solidigm представят сопоставимые по ёмкости накопители позже в этом году.

Китайская компания PetaIO, по сообщениям сетевых источников, разработала высокопроизводительные SSD нового поколения с интерфейсом PCIe 6.0, предназначенные для использования в дата-центрах, ориентированных на ресурсоёмкие ИИ-нагрузки.

Полностью характеристики устройств не раскрываются. Известно, что в их основу положен передовой контроллер Titanium Himalaya, при изготовлении которого применяется 6-нм техпроцесс. Говорится о поддержке CXL 3.0, а также о возможности формирования пулов памяти объёмом до 256 Тбайт.

Заявленная скорость передачи данных при последовательном чтении превышает 28 Гбайт/с. Накопители специально оптимизированы для выполнения задач в области ИИ. Показатель IOPS при произвольном чтении информации блоками по 512 байт составляет до 50 млн. При этом обеспечивается задержка на уровне 2,7 мкс.

Источник изображения: PetaIO

Предполагается, что новые SSD помогут решить проблему «стены памяти» в масштабных инфраструктурах ИИ. О ёмкости накопителей и их форм-факторе пока ничего не сообщается. При этом подчёркивается, что устройства совместимы с современными высокопроизводительными сетевыми экосистемами.

Нужно отметить, что в настоящее время на сайте PetaIO упомянуты SSD нескольких семейств. Это, в частности, решения PETA8118 формата U.2 (PCIe 4.0 x4) вместимостью до 8 Тбайт, PETA8118 типоразмера M.2 2280 (PCIe 4.0 x4) ёмкостью до 4 Тбайт, PETA8118 стандарта E1.S (PCIe 4.0 x4) на 2–8 Тбайт и изделия PETA8118 в виде карт расширения PCIe 4.0 x4 ёмкостью до 4 Тбайт.

Team Group готовит новые SSD в различных форм-факторах, а также модули оперативной памяти для индустриальных и встраиваемых систем.

В частности, готовятся накопители Team Group Industrial R252 стандарта U.2 (NVMe), предназначенные для серверов. Эти устройства оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x4. Они обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 10 000 Мбайт/с.

Кроме того, выйдут SSD серии Team Group Industrial R253, ориентированные на решение разнообразных задач в современных дата-центрах и на периферии. Такие устройства, получившие формат EDSFF E3.S, позиционируются в качестве накопителей большой ёмкости с улучшенной защитой данных. Они подходят для обработки ИИ-нагрузок, аналитики в реальном времени и пр. Дебютируют также SSD семейства Team Group Industrial R251 стандарта EDSFF E1.S, оптимизированные для серверов форм-фактора 1U. Эти накопители имеют сертификацию по стандартам виброустойчивости MIL-STD, что означает надёжность при эксплуатации в системах с высокой плотностью размещения оборудования.

Источник изображений: Team Group

В сегменте оперативной памяти Team Group представит новые модули Industrial DDR4 U-DIMM и SO-DIMM, специально разработанные для промышленного применения и IoT-устройств. Помимо этого, готовятся изделия Industrial DDR5 CU-DIMM и CSO-DIMM с частотой до 7200 МГц, рассчитанные на ИИ-платформы. На системы со значительной интенсивностью вычислений ориентированы решения Team Group Industrial LPDDR5X CAMM2: они обеспечивают высокую пропускную способность и низкую задержку.

Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, без громких анонсов представила свой первый SSD вместимостью 122,88 Тбайт, предназначенный для использования в системах с иммерсионным (погружным) жидкостным охлаждением. Устройство рассчитано на дата-центры и площадки гиперскейлеров. Накопитель относится к семейству DC25F. В его основу положены чипы флеш-памяти QLC NAND.

Доступны модификации в форм-факторах E3.S и E3.L: в обоих случаях для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 600 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3200 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 3 млн при произвольном чтении данных 4K-блоками и до 35 тыс. при произвольной записи. Накопители способны выдерживать 0,3 полных перезаписи в сутки (0,3 DWPD) на протяжении пяти лет. Это ставит их в один ряд с другими QLC-устройствами корпоративного класса, предназначенными для «теплого» и «холодного» хранения данных.

Источник изображения: Goodram

Goodram отмечает, что накопители прошли всестороннее тестирование с использованием различных диэлектрических жидкостей для иммерсионного охлаждения, включая составы Shell и Chevron. Утверждается, что эти SSD рассчитаны на длительную эксплуатацию без деградации.

Помимо модели вместимостью 122,88 Тбайт, Goodram предлагает широкий выбор других SSD для систем с иммерсионным охлаждением. Это устройства ёмкостью от 1,92 Тбайт и выше на основе чипов TLC NAND и QLC NAND с интерфейсами SATA, PCIe 4.0 и PCIe 5.0. Они доступны в форм-факторах SFF U.2 и U.3, E3.S и E1.S, M.2 2280 и M.2 22110.

Компания Phison Electronics анонсировала SSD корпоративного класса серий Pascari X201 и Pascari D201. Первые предназначены для рабочих нагрузок, которым требуется высокая производительность: обучение ИИ, масштабная аналитика, высокочастотный трейдинг и НРС-задачи. В свою очередь, изделия Pascari D201 ориентированы на гиперскейлеров и облачных провайдеров, которые оперируют средами с высокой плотностью хранения данных.

Все устройства выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC; для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Заявленная величина MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2,5 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Накопители Pascari X201 представлены в форм-факторах U.2 толщиной 15 мм и E3.S 1T. При этом доступны варианты X201E и X201P. В первом случае вместимость составляет 12,8 и 25,6 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у обеих моделей достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Величина IOPS составляет до 3,3 млн при произвольном чтении и до 1,05 млн при произвольной записи у варианта на 12,8 Тбайт и до 2,8 млн и 920 тыс. у устройства ёмкостью 25,6 Тбайт. Накопители X201E способны выдерживать до трёх полных перезаписей в сутки (3 DWPD).

Источник изображений: Phison

Решения X201P обладают вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS при произвольном чтении равно 3,3 млн и 2,8 млн, при произвольной записи — 600 тыс. и 480 тыс. Эти SSD рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (1 DWPD).

В семейство Pascari D201 также вошли варианты D201E и D201P, у которых показатель DWPD равен 3 и 1. Вместимость составляет соответственно 12,8 и 15,36 Тбайт. У всех устройств скорость последовательного чтения достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 Мбайт/с, величина IOPS при произвольном чтении — 3,3 млн. Вместе с тем IOPS при произвольной записи — 1,05 млн у версии на 12,8 Тбайт и 600 тыс. у накопителя на 15,36 Тбайт. Изделия выполнены в формате E1.S толщиной 15 мм. На все анонсированные новинки предоставляется пятилетняя гарантия.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания QNAP Systems анонсировала сетевое хранилище NASbook TBS-h574TX в компактном «настольном» форм-факторе, ориентированное на профессиональных пользователей, которые занимаются видеомонтажом, созданием визуальных эффектов и анимации.

Устройство выполнено на аппаратной платформе Intel Alder Lake. Применён процессор Core i5-1235U с десятью ядрами (2P+8E), функционирующими на тактовой частоте до 4,4 ГГц. В состав чипа входит графический ускоритель Intel Iris Xe. Объём оперативной памяти составляет 16 Гбайт (без возможности расширения), интегрированной флеш-памяти — 5 Гбайт. Кроме того, доступны модификации с 12-ядерным чипом Core i5-1340PE (4P+8E) с тактовой частотой до 4,5 ГГц и 8-ядерным процессором Core i3-1320PE (4P+4E) с такой же максимальной частотой. Объём ОЗУ у этих версий составляет соответственно 16 и 12 Гбайт.

Новинка располагает пятью отсеками для накопителей. Могут устанавливаться SSD типоразмера E1.S толщиной до 15 мм с интерфейсом PCIe 3.0 x2 или M.2 2280 (NVMe) с радиатором охлаждения толщиной до 4,5 мм. Покупателям, в частности, предлагаются варианты с пятью предустановленными SSD стандарта E1.S вместимостью 1,92 или 3,84 Тбайт каждый с суммарной ёмкостью соответственно 9,6 и 19,2 Тбайт.

Источник изображений: QNAP

Хранилище оснащено сетевыми портами 2.5GbE и 10GbE, интерфейсом HDMI 1.4b, разъёмом USB 2.0, двумя портами USB 3.2 Gen2, а также двумя портами Thunderbolt 4, которые можно использовать для прямого подключения к рабочим станциям под управлением Windows и macOS.

Для охлаждения применяются два вентилятора диаметром 40 мм. Диапазон рабочих температур — от 0 до +40 °C. Габариты составляют 60 × 215 × 199 мм, масса — 2,24 кг (без установленных накопителей). Питание устройство получает от сетевого адаптера мощностью 120 Вт; заявленное типовое энергопотребление — 46 Вт. Производитель предоставляет трёхлетнюю гарантию.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

На мероприятии Global Memory Innovation Forum (GMIF) 2025 в Шэньчжэне (Китай) сразу несколько крупных компаний поделились планами по разработке SSD с интерфейсом PCIe 6.0, предназначенных для дата-центров и корпоративных инфраструктур.

В частности, Samsung работает над продуктами CMM-D с CXL 3.1 и PCIe 6.0, выпуск которых запланирован на следующий год. Дебютируют SSD семейства PM1763 с интерфейсом PCIe 6.0, которые, по утверждениям южнокорейского производителя, обеспечат вдвое большую производительность и значительно более высокую энергоэффективность по сравнению с нынешними накопителями. Энергопотребление заявлено на уровне 25 Вт.

Ориентировочно в 2027 году Samsung планирует выпустить SSD с интерфейсом PCIe 6.0 вместимостью до 512 Тбайт. Такие устройства будут предлагаться в форм-факторе EDSFF 1T. Кроме того, компания готовит флеш-память Z-NAND седьмого поколения с технологией GIDS (GPU-Initiated Direct Storage Access), которая позволит ИИ-ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM.

Источник изображения: Samsung

В свою очередь, Silicon Motion раскрыла дополнительную информацию о контроллере SM8466 с поддержкой PCIe 6.0, о разработке которого стало известно в январе нынешнего года. Это изделие обеспечит скорость последовательной передачи данных до 28 Гбайт/с и величину IOPS до 7 млн. Новый контроллер позволит создавать SSD ёмкостью до 512 Тбайт. Производиться решение будет на предприятии TSMC по 4-нм технологии. Выпуск первых SSD корпоративного класса на основе SM8466 намечен на 2026 год.

Источник изображения: Silicon Motion via Wccftech

Накопители PCIe 6.0 также проектирует InnoGrit. Эта компания в 2026-м намерена представить устройства, у которых показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) будет достигать 25 млн.