Phison представила собственный бренд SSD корпоративного класса PASCARI, который включает сразу несколько различных серий: X, AI, D, S и B. Новинки представлены в форм-факторах E1.S, E3.S, U.3/U.2, M.2 2280/22110 и SFF 2,5″ и наделены интерфейсами SATA-3 и PCIe 4.0/5.0.

Наиболее интересна серия AI (или aiDAPTIVCache), которая фактически является частью программно-аппаратного комплекса aiDAPTIV+. Пока упоминается только один M.2 SSD — AI100E. Это сверхбыстрые и сверхнадёжные 2-Тбайт NVMe-накопители на базе SLC NAND (вероятно, всё же eSLC) с DWPD, равным 100 на протяжении трёх или пяти лет (в материалах указаны разные сроки). Аналогичные накопители, хотя и в более крупном форм-факторе, предлагают Micron и Solidigm, а Kioxia в прошлом году анонсировала накопители на базе XL-Flash второго поколения с MLC NAND.

Во всех случаях, по сути, речь идёт об SCM (Storage Class Memory). Наиболее ярким представителем данной категории была почившая серия продуктов Intel Optane. Phison переняла общую идею перестройки иерархии памяти, где SCM является ещё одним слоем между DRAM и массивом SSD, приложив её к задачам обучения ИИ. AI100E являются кеширующими накопителями, расширяющими доступную память. Программная прослойка aiDAPTIVLink общается с ускорителями NVIDIA и SSD с одной стороны и с PyTorch (также есть упоминание TensorFlow) — с другой.

Источник изображений: Phison

aiDAPTIVLink позволяет автоматически и прозрачно переносить на SSD неиспользуемые в текущий момент части обучаемой LLM и по необходимости отправлять их сначала в системную RAM, а потом и в память ускорителя, что и позволяет обходиться меньшим числом ускорителей при тренировке действительно больших моделей. Естественно, никакого чуда здесь не происходит, поскольку время обучения от этого нисколько не сокращается, но с другой стороны, обучение становится в принципе возможным на системах с малым количеством ускорителей или просто с относительно слабыми GPU и относительно небольшим же объёмом системной RAM.

Среди уже поддерживаемых моделей упомянуты некоторые LLM семейств Llama, Mistral, ResNet и т.д. Для них, как заявляется, не нужны никакие модификации для работы с aiDAPTIV+. Также упомянута возможность горизонтального масштабирования при использовании данной технологии. Точные характеристики AI100E компания не приводит, но это и не так существенно, поскольку напрямую продавать эти накопители она не собирается. Вместо этого они будут предлагаться в составе готовых и полностью укомплектованных рабочих станций или серверов.

Семейство PASCARI X включает сразу четыре серии накопителей. Так, X200E (DWPD 3) и X200P (DWPD 1) — это двухпортовые накопители на базе TLC NAND с интерфейсом PCIe 5.0 x4, представленные в форм-факторах U.2 и E3.S. Пиковые скорости последовательного чтения и записи составляют 14,8 Гбайт/с и 8,35 Гбайт/с соответственно. На случайных операциях с 4K-блоками производительность чтения достигает 3 млн IOPS, а записи — 900 тыс. IOPS у X200E и 500 тыс. IOPS у X200P. Здесь и далее даны только крайние показатели в рамках серии, а не отдельного накопителя.

Ёмкость X200E составляет 1,6–12,8 Тбайт, но также готовится 25,6-Тбайт U.2-версия. У X200P диапазон ёмкостей простирается от 1,92 Тбайт до 15,36 Тбайт, но опять-таки будет 30,72-Тбайт вариант в U.2-исполнении. Отмечается поддержка MF-QoS (QoS для различных нагрузок), поддержка 64 пространств имён, MTBF на уровне 2,5 млн часов, сквозная защита целостности передаваемых данных, улучшенная защита от потери питания и т.д.

У X100E (DWPD 3) и X200P (DWPD 1) среди возможностей дополнительно упомянуты поддержка TCG Opal 2.0, NVMe-MI, шифрования AES-256, безопасной очистки и т.д. От X200 эти накопители отличаются в первую очередь интерфейсом PCIe 4.0 x4 (возможны два порта x2). Выпускаются они только в форм-факторе U.3/U.2. X100E предлагают ёмкость от 1,6 Тбайт до 25,6 Тбайт, а X100P — от 1,92 Тбайт до 30,72 Тбайт. Пиковые скорости последовательного чтения и записи в обоих случаях достигают 7 Гбайт/с. Произвольное чтение 4K-блоками — до 1,7 млн IOPS, а вот запись у X100E упирается в 480 тыс. IOPS, тогда как у X100P и вовсе не превышает 190 тыс. IOPS.

В семейство PASCARI D входит всего одна серия компактных накопителей D100P на базе TLC NAND с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (один порт, NVMe 1.4), представленная в форм-факторах M.2 2280 (от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт), M.2 22110 (от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт) и E1.S (тоже от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт). Производительность M.2-вариантов составляет до 6 Гбайт/с и 2 Гбайт/с на последовательных операциях чтения и записи, а на случайных — до 800 тыс. IOPS и 60 тыс. IOPS соответственно. E1.S-версия чуть быстрее в чтении — до 6,8 Гбайт/с. Надёжность — 1 DWPD. Среди особенностей вендор выделяет сквозную защиту целостности данных, LPDC-движок четвёртого поколения, поддержку NVMe-MI и т.п.

PASCARI B включает серию загрузочных накопителей B100P: M.2 2280 (будет и 22110), TLC NAND, PCIe 4.0 x4, 1 DWPD и те же функции, что у D100P. Доступны только накопители ёмкостью 480 Гбайт и 960 Гбайт. Скоростные характеристики относительно скромны. Последовательные чтение и запись не превышают 5 Гбайт/с и 700 Мбайт/с, а произвольные — 450 тыс. IOPS и 30 тыс. IOPS. Также к PASCARI B принадлежит серия BA50P: SATA-накопители в форм-факторах M.2 2280 и SFF 2,5″ на базе TLC NAND с DWPD 1 и ёмкостью 240/480/960 Гбайт. Скорости чтения/записи не превышают 530/500 Мбайт/с при последовательном доступе, и 90/20 тыс. IOPS при случайном доступе 4K-блоками.

Наконец, семейство PASCARI S представлено тремя сериями SFF-накопителей (2,5″) с TLC-памятью и интерфейсом SATA-3, отличающихся в первую очередь опять-таки показателем надёжности: SA50E (3 DWPD), SA50P (1 DWPD) и SA50E (>0,4 DWPD). SA50E имеют ёмкость от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт, SA50P — от 480 Гбайт до 7,68 Тбайт, а SA50E — от 1,92 Тбайт до 15,36 Тбайт. Отличаются и максимальные скорости произвольного чтения/записи 4K-блоками: 98/60 тыс., 98/40 тыс. и 97/20 тыс. IOPS соответственно. А вот последовательные чтение и запись естественным образом ограничены самим интерфейсом, т.е. не превышают 530 Мбайт/с и 500 Мбайт/с соответственно. В описании упомянуты сквозная защита целостности данных, LPDC-движок и улучшенная защита от потери питания.

Для вообще всех накопителей заявленный диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. А вот срок гарантии не указан, так что показатели DWPD теряют смысл. Кроме того, Phison практически для каждой серии говорит о возможности кастомизации. Например, для X100 предлагаются услуги IMAGIN+.

Компания Pure Storage, специализирующаяся на All-Flash СХД, считает, что дальнейшее увеличение вместимости SSD будет сопряжено с рядом трудностей, продиктованных необходимостью применения DRAM. Об этом, как сообщает ресурс Blocks & Files, рассказал Шон Роузмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент Pure по исследованиям и разработкам.

По его словам, коммерческим SSD требуется примерно 1 Гбайт DRAM на каждый 1 Тбайт флеш-памяти. Наличие DRAM необходимо для подсистемы Flash Translation Layer (FTL). По словам Роузмарина, для накопителя ёмкостью 30 Тбайт требуется 30 Гбайт DRAM, для 75 Тбайт — 75 Гбайт и т. д. Таким образом, для SSD вместимостью, например, 128 Тбайт нужно 128 Гбайт DRAM, а это уже сопоставимо с объёмом ОЗУ в сервере.

Источник изображения: Pure Storage

Роузмарин отмечает, что увеличение вместимости корпоративных SSD свыше 30 Тбайт будет проблематично. Во-первых, DRAM заметно дороже NAND, что приведёт к значительному росту стоимости SSD. Во-вторых, из-за увеличения объёма DRAM возрастает энергопотребление, что не только поднимет стоимость владения, но и ухудшит надёжность накопителя. В результате по мере роста вместимости SSD заказчики могут столкнуться с серьёзным увеличением затрат.

Роузмарин заявляет, что единственный способ обойти указанные проблемы — найти более экономичную и менее энергозатратную альтернативу DRAM. Необходимые функции, по его словам, могут быть перенесены непосредственно на ПО СХД. Именно такой подход Pure реализует со своими проприетарными накопителями DFM (Direct Flash Module), последняя модификация которых имеет ёмкость 75 Тбайт. В этих устройствах отсутствует зависимость от DRAM на уровне накопителей.

Компания намерена выпустить DFM ёмкостью 150 Тбайт в 2025 году, а на 300 Тбайт — ориентировочно в 2026-м. В дальнейшие планы входит создание изделий вместимостью 600 Тбайт и 1,2 Пбайт. Аналогичного подхода придерживается и IBM в своих накопителях FlashCore Modules (FCM).

Консорциум NVM Express обновил спецификации, добавив возможность работы с вычислительными хранилищами NVMe Computational Storage Feature. Речь идёт о возможности использования устройств хранения, которые могут самостоятельно обрабатывать хранящуюся на них информацию по команде извне. Это позволит снизить совокупную стоимость владения IT-системами и повысить их общую производительность.

Спецификация включает два новых набора команд: Computational Programs и Subsystem Local Memory Command Sets. Первый отвечает за исполнение программ на устройстве хранения, в том числе их загрузку, поиск уже загруженных программ и их запуск. Набор обеспечивает модульный подход к программам, управляемым хостом. Второй предоставляет доступ к памяти в подсистеме NVM и позволяет работать с данными, обрабатываемыми программами на устройстве хранения.

Источник изображения: NVM Express

Вычислительное хранилище сокращает необходимость в перемещении данных между накопителями и процессором/ускорителем. Определённые операции могут производиться непосредственно на устройстве хранения, что повышает время отклика приложений, критичных к задержке. Это могут быть базы данных, модели ИИ и системы доставки контента.

В целом, функция NVMe Computational Storage Feature обеспечивает стандартизированную, не зависящую от поставщика оборудования архитектуру для хранения и обработки данных на накопителях NVMe. Решение ориентировано прежде всего на операторов дата-центров и гиперскейлеров.

Китайская компания Yingren Technology (InnoGrit), по сообщению ресурса Tom's Hardware, организовала массовое производство первого в стране контроллера PCIe 5.0, предназначенного для создания SSD корпоративного класса. Изделие получило обозначение YR S900. Новинка представляет собой четырехканальный контроллер SSD, основанный на архитектуре RISC-V.

Выбор RISC-V объясняется в том числе напряжёнными отношениями между США и КНР: в данном случае на изделие не смогут распространяться экспортные ограничения. О типе применённой технологии производства ничего не сообщается. Известно, что контроллер обеспечивает полную поддержку протокола NVMe 2.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи составляет до 3,5 и 2,5 млн соответственно. Контроллер может применяться в 16- и 18-канальной конфигурации.

Источник изображения: Yingren Technology

YR S900 наделён процессором ECC третьего поколения для оптимизации кодирования и декодирования 4K LDPC. По заявлению компании, использование решения вместе с новой гибридной адаптивной функцией коррекции ошибок ECC позволяет поднять производительность памяти TLC и QLC NAND. А при работе с Kioxia XL-Flash показана задержка произвольного чтения 4K на уровне 10 мкс. Среди прочего упомянута поддержка FDP (Flexible Data Placement), SR-IOV, CMB (Controller Memory Buffer), а также различных алгоритмов шифрования.

Современные твердотельные накопители хороши всем, но сами принципы, на которых строится NAND-память, наделяют их конечным ресурсом перезаписи, что в некоторых сценариях весьма критично. Специально для таких сценариев предназначен новый SSD Solidigm D7-P5810, анонсированный буквально на днях.

Большая часть современных SSD использует многослойную память 3D TLC NAND, а в погоне за ёмкостью и плотностью упаковки данных практическими всеми производителями NAND-устройств и самих SSD активно осваиваются технологии QLC и PLC, с четырьмя и пятью битами на ячейку, соответственно.

Но это означает пониженный ресурс записи и для использования в качестве устройств strorage class memory (SCM) такие SSD подходят не лучшим образом. Новый Solidigm D7-P5810, однако, использует 144-слойную память 3D NAND в режиме SLC, с одним битом на ячейку. За исключением экзотических технологий, вроде MRAM или почившего в бозе Optane это самый надёжный на сегодня вариант энергонезависимой памяти.

Источник изображений здесь и далее: Solidigm

Именно использование SLC-памяти позволяет компании-производителю заявлять для P5810 общий ресурс записи в 73 Пбайт и 50 полных перезаписей в день в течение пятилетнего гарантийного срока. Наработка на отказ заявлена на уровне 2 млн часов, а показатель UBER не превышает 1 сектор на 10¹⁷ бит. Ёмкость при этом не слишком высока, что характерно для всех SLC-устройств: новинка представлена в вариантах 800 Гбайт и 1,6 Тбайт (появится в первой половине 2024 года).

Solidigm D7-P5810 использует форм-фактор U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4), что позволяет ему развивать линейные скорости 6400 и 4000 Мбайт/с при чтении и записи соответственно. На случайных операциях при максимальной глубине запроса накопитель обеспечивает 865 тысяч IOPS при чтении и 495 тысяч IOPS при записи. Латентность при этом находится в пределах 10–15 мкс, при случайном чтении она не превышает 53 мкс.

Solidigm D7-P5810 в сравнении с соперниками. Конкурент A — Micron XTR, конкурент B — Kioxia FL6. Источник: Solidigm

Устройство достаточно экономично: в активном состоянии новый SSD потребляет не более 12 Вт, а в режиме простоя — не более 5 Вт. В качестве сценариев использования Solidigm называет кеширование в системах на базе QLC NAND, также он отлично подойдет для HPC-систем или систем сбора данных и логов.

Правда, новый накопитель не уникален: на рынке ему придётся конкурировать с Kioxia FL6 или Micron XTR, также использующими SLC 3D NAND. Оба конкурента имеют варианты с большей ёмкостью (3,2 Тбайт у Kioxia, 1,92 Тбайт у Micron), но заметно уступают Solidigm D7-P5810 в производительности на случайных операциях записи.

Служба безопасности SAP начала расследование, связанное с появлением на eBay одного из накопителей, пропавших в одном из ЦОД компании. Как сообщает издание The Register, инцидент произошёл ещё в ноябре прошлого года в немецком городе Вальдорф земли Баден-Вюртмеберг. Известно, что из дата-центра компании пропали сразу четыре SSD. Это уже пятый инцидент с исчезновением накопителей из европейских ЦОД SAP за последние два года, передаёт издание.

В результате расследования выяснилось, что охрана была организована очень плохо, поскольку никто не проверял людей, покидавших считавшийся защищённым ЦОД. В результате диски переместили в «небезопасное» здание в комплексе строений штаб-квартиры, откуда они и были украдены без особых проблем. В компании отметили, что на дисках не хранилось какой-либо личной информации, но, как оказалось, эти данные не вполне соответствовали действительности.

В своё время в SAP утверждали, что подходят к безопасности данных очень серьёзно, и, хотя служебная информация не подлежит разглашению, представители разработчика ПО заверили, что свидетельства утраты данных клиентов или сотрудников отсутствуют. Однако один из четырёх SSD, оказавшийся на eBay, приобрёл сотрудник самой SAP, после чего выяснилось, что накопитель содержал персональные записи о сотне сотрудников компании. Местонахождение трёх оставшихся дисков неизвестно до сих пор.

Источник изображения: Samu Lopez / Unsplash

Хотя свою роль сыграла человеческая ошибка и несоблюдение протоколов безопасности, основной причиной утери всё-таки назвали кражу. Инцидент не может не вызывать беспокойства как у самих разработчиков, так и у их клиентов, поскольку в последние годы SAP активно продвигает собственные облачные решения и продажу ПО по модели услуг, предоставляемых как на базе собственных ЦОД, так и дата-центров партнёров.

Инцидент в IT-индустрии не первый и, вероятнее всего, не последний. В 2019 году финская компания Blancco, занимающаяся безопасной очисткой накопителей, обнаружила, что из 159 случайным образом выбранных на eBay накопителях из США и Европы 42 % несли данные, оставшиеся от прежних владельцев. Доступ к ним могли получить даже люди, имеющие базовую компьютерную грамотность. Более того, в 15 % случаев накопители хранили и персональные сведения.

Впрочем, даже неправильный вывод из экплуатации может привести к проблемам. Так, банк Morgan Stanley, сэкономив $100 тыс. на утилизации HDD, в итоге потерял $120 млн. Но это касается и другого оборудования. Недавний анализ, проведённый ESET, показал, что выставляемые на продажу сетевые устройства зачастую содержат массу информации, позволяющей как минимум скомпрометировать сети крупных компаний.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

Некоторые эксперты считают, что жизненный цикл жёстких накопителей подходит к концу. В их числе Шон Розмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент по исследованиям и разработкам в подразделении по работе с клиентами (Customer Engineering) компании Pure Storage, заявивший, что после 2028 года жёсткие диски больше продаваться не будут из-за их плохой энергоэффективности и ограниченности применения, а также снижения стоимости флеш-накопителей.

Розмарин подчеркнул, что главным фактором падения конкурентоспособности жёстких дисков по сравнению с SSD станет высокий расход электроэнергии, а не снижение стоимости SSD или появление DFM ёмкостью 300 Тбайт собственной разработки Pure. Он отметил, что даже новейшие технологии магнитной записи с энергетической поддержкой, позволяющие значительно увеличить плотность записи, не спасут ситуацию.

Фото: Pixabay/FilipFilipovic

Производители HDD придерживаются другого мнения. Ещё в 2021 году Seagate заявила, что SSD не станут убийцами жёстких дисков. Мнения VAST и Infinidat по этому поводу заметно отличаются. Если VAST считает, что низкий уровень IOPS приведёт к ограничению использования ёмких HDD в хранилищах данных петабайтного масштаба, то Infidat отвечает, что это «должно быть шутка». Согласно оценкам Gartner, к 2026 году на долю SSD придётся 35 % от общего объёма поставок накопителей корпоративного класса (в Эбайт), что это делает маловероятным прогноз Розмарина.

«3 % мирового энергопотребления приходится на ЦОД, — приводит слова гендиректора Pure Розмарин. — Примерно треть от этого приходится на хранение. Почти всё это — HDD. Если отказаться от HDD и перейти на флеш-память, мы сможем, по сути, снизить энергопотребление на 80–90 %, увеличив плотность [хранения] на порядок в условиях, когда цены на NAND продолжают падать. Становится очевидным, что HDD уходят в прошлое».

Изображение: Pure Storage

Розмарин также отметил проблемы с поставками электроэнергии, доступность которой придётся учитывать при создании или расширении ЦОД — компаниям придётся выбирать между энергоэффективными SSD или ёмкими HDD. Скачок в развитии ИИ-технологий увеличил потребность в хранилищах, добавил Розмарин, что, по его словам, усугубляет проблему с точки зрения того, сколько данных смогут хранить провайдеры в связи с грядущим повышением спроса на электроэнергию.

Следует отметить, что Pure Storage является конкурентом производителей жёстких дисков, поэтому заявление её топ-менеджера необходимо оценивать с учётом этого факта. На данный момент массового перехода на флеш-память не наблюдается — ни один из гиперскейлеров пока не объявил о таком шаге. «Если же кто-то из них это сделает, то это будет сигналом того, что Pure Storage не одинока в своём убеждении », — пишет Blocks & Files.

По мере внедрения новых версий PCI Express растут и линейные скорости SSD. Не столь давно 3-4 Гбайт/с было рекордно высоким показателем, но разработчики уже штурмуют вершины за пределами 10 Гбайт/с. Компания Kioxia, крупный производитель флеш-памяти и устройств на её основе, объявила на конференции 2023 China Flash Market о новом поколении серверных накопителей, способных читать данные со скоростью 13,5 Гбайт/с.

Новые высокоскоростные SSD будут построены на базе технологии XL-FLASH второго поколения. Первое поколение этих чипов компания (тогда Toshiba) представила ещё в 2019 году. В основе лежат наработки по BiCS 3D в однобитовом варианте, что позволяет устройствам на базе этой памяти занимать нишу Storage Class Memory (SCM) и служить заменой ушедшей с рынка технологии Intel Optane.

Источник здесь и далее: Twitter@9550pro

Как уже сообщалось ранее, XL-FLASH второго поколения использует двухбитовый режим MLC, но в любом случае новые SSD Kioxia в полной мере раскроют потенциал PCI Express 5.0. Они не только смогут читать данные на скорости 13,5 Гбайт/с и записывать их на скорости 9,7 Гбайт/с, но и обеспечат высокую производительность на случайных операциях: до 3 млн IOPS при чтении и 1,06 млн IOPS при записи. Время отклика для операций чтения заявлено на уровне 27 мкс, против 29 мкс у XL-FLASH первого поколения.

Kioxia полагает, что PCI Express 5.0 и CXL 1.x станут стандартами для серверных флеш-платформ класса SCM надолго — господство этих интерфейсов продлится минимум до конца 2025 года, лишь в 2026 году следует ожидать появления первых решений с поддержкой PCI Express 6.0. Активный переход на более новую версию CXL ожидается в течение 2025 года. Пока неизвестно, как планирует ответить на активность Kioxia другой крупный производитель флеш-памяти, Samsung Electronics, которая также располагает высокопроизводительной разновидностью NAND под названием Z-NAND.

Производитель систем хранения данных, компания Pure Storage, объявила о планах выпустить твердотельный накопитель ёмкостью 300 Тбайт к 2026 году. Стоит напомнить, что Pure сама производит для своих СХД твердотельные накопители проприетарного формата DFM (Direct Flash Module), так что речь идёт именно о таком модуле, а не о классическом SSD.

Источник изображений здесь и далее: Blocks & Files

Классические флеш-массивы Pure FlashBlade//S и //E несут на борту 24 или 48 накопителей DFM, в настоящее время компания производит эти модули объёмом 24 или 48 Тбайт. Хотя это уже больше, нежели могут предложить классические HDD, но, как считает Pure Storage, далеко не предел. Технический директор Pure, Алекс МакМуллан (Alex McMullan), опубликовал планы компании по развитию DFM, простирающиеся вплоть до 2026 года и до отметки 300 Тбайт/модуль.

Стоимость владения флеш-массивами Pure (оранжевые столбцы) неуклонно снижается

Даже со всеми технологиями уплотнения записи, включая HAMR и MAS-MAMR, Toshiba говорит лишь о 40 Тбайт к 2026 году для механических жёстких дисков. Seagate хочет достичь 50 Тбайт к 2025 году и 100 — к 2030-му. Тенденции таковы, что стоимость владения All-Flash СХД постоянно снижается, а появление SSD объёмом до 300 Тбайт включительно лишь ускорит этот процесс. Реальностью модули такого объёма делают планы производителей флеш-памяти довести число слоёв в своих продуктах с нынешних 112–160 до 400–500 в течение ближайших пяти лет. Pure также рассматривает возможность применения PLC NAND.