В связи с продолжающимся усовершенствованием ИИ-серверов и коммутаторов объём NOR-памяти на одну единицу такой продукции, как ожидают аналитики DigiTimes, вырастет в несколько раз на фоне прогнозируемого дефицита высокопроизводительных компонентов.

Согласно прогнозу DigiTimes, во II квартале 2026 года цены на NOR Flash вырастут последовательно на 40–50 %, причем по некоторым позициям клиенты будут готовы платить надбавки, чтобы гарантировать поставки в рамках контрактов. Что касается памяти SLC NAND и MLC NAND, то здесь ожидается ещё более значительный рост цен — на 400–500 % во II квартале в годовом исчислении, что побудит тайваньского производителя Winbond Electronics ускорить расширение мощностей по производству SLC NAND. Winbond выпускает NOR-память для ИИ-серверов и сетевых приложений с использованием 58-нм техпроцесса, в то время как память для носимых устройств, таких как Bluetooth-гарнитуры, производится по 45-нм техпроцессу.

DigiTimes отметил, что более сложный дизайн NVIDIA GB300 по сравнению с GB200 с большим объёмом памяти и более высокими требованиями к её спецификациям обусловил рост спроса на модули NOR ёмкостью 512 Мбайт и 1 Гбайт. Но запасы модули NOR-памяти большой ёмкости остаются относительно ограниченными. По данным источников, цены на NOR-флеш выросли в I квартале 2026 года примерно на 30 %, а на некоторые позиции — на 50 %. Хотя масштабы повышения цен менее значительны, чем в категории DDR4, предложение NOR остаётся ограниченным, и ожидается, что контрактные цены неё во II квартале вырастут ещё на 40–50 %, а сроки поставки специальных вариантов увеличатся до 12–14 недель.

Источник изображения: Winbond

Тайваньский производитель Macronix тоже утверждает, что продолжающийся рост выпуска серверов для ИИ-нагрузок создаёт структурную напряжённость на рынке NOR, которую будет сложно преодолеть в краткосрочной перспективе. Уход крупных производителей NAND-памяти с рынков SLC NAND и MLC NAND ещё больше подстегнул дефицит и позволил Winbond и Macronix выступать на рынке в качестве основных поставщиков. Цены Macronix на MLC eMMC недавно выросли вдвое по сравнению с декабрём 2025 года. Несмотря на авансовые платежи, внесённые ранее в этом году, клиентам не обеспечили поставки до китайского Нового года, что сделало эту продукцию крайне дефицитной на нишевых рынках, пишет DigiTimes.

Доля в выручке Macronix от памяти NAND (включая eMMC) выросла до 21 %, более чем вдвое превысив уровень прошлого года. Контрактные цены Winbond на память SLC NAND во II квартале 2026 года, как ожидается, резко вырастут по сравнению с аналогичным периодом 2025 года — до 400–500 %. Цены Winbond на SLC NAND в I квартале выросли больше всего в её портфолио, превысив рост цен на DDR4.

Компания планирует расширение своих мощностей по производству памяти. В частности, будут запущены производственные линии по выпуску DRAM на заводе в Гаосюне (Gāoxióng). Сообщается, что мощность завода компании в Тайчжуне (Táizhōng) составляет примерно 58 тыс. пластин в месяц, включая приблизительно 25 тыс. пластин для NOR, 15 тыс. пластин для NAND и 10 тыс. пластин для DRAM. Ожидается значительное увеличение общего объёма производства до примерно 50 тыс. пластин памяти NOR и SLC NAND с более высокой рентабельностью.

Источник изображения: Macronix

Согласно данным Winbond, на SLC NAND, производимую по 46-нм и 32-нм техпроцессам, приходится около 15–25 % выручки. Её доля в выручке компании будет расти по мере роста цен, что приведет к сокращению мощностей, выделенных на производство DRAM по устаревшим техпроцессам. Цены на флеш-память, изготовленную по традиционным технологиям, стремительно растут, а спрос на NOR-память большой ёмкости увеличился в несколько раз.

По данным источников DigiTimes, Winbond, увеличившая объёмы поставок, недавно завершила согласование цен по контрактам на I квартал 2026 года. Ожидается, что рост цен на DRAM, начавшийся в IV квартале 2025 года, продолжится и во II квартале 2026 года, что ознаменует собой третий подряд квартал роста и фактически удвоение контрактных цен в годовом исчислении. Также сообщается, что новые производственные мощности Winbond, запланированные к вводу в эксплуатацию в 2027 году, уже полностью забронированы.

Глава Winbond сообщил о резко увеличившемся количестве запросов от клиентов, что создало дефицит предложения и затрудняет удовлетворение всех их потребностей. Помимо прямых клиентов первого уровня, владельцы брендов второго уровня и операторы третьего уровня всё чаще обходят посредников и ведут переговоры напрямую с Winbond, что отражает высокий рыночный спрос, отметил DigiTimes.

Поставщик СХД для HPC и ИИ ЦОД — компания VDURA заявила, что ценовая пропасть между SSD и HDD корпоративного уровня расширяется, поскольку цены на твердотельные накопители растут значительно быстрее, чем на жёсткие диски, сообщает Blocks & Files. Новая информация, в частности, должна положить конец рассуждениям о том, что SDD окончательно вытеснят HDD, о чём так мечтает Pure Storage, по крайней мере, до тех пор, пока цены на NAND-память значительно не упадут.

VDURA полагает, что критические изменения рынка особенно отразятся на ИИ, HPC и других средах с интенсивным использованием данных, где требования к производительности памяти не изменятся даже по мере роста цен. Компания ежеквартально публикует т.н. Flash Volatility Index (FVI) и Storage Economics Optimizer Tool для мониторинга изменений цен на SSD и HDD и помогает клиентам хотя бы отчасти компенсировать стремительный рост цен на твердотельные накопители.

По данным VDURA, со II квартала 2025 года по I квартал 2026 цена 30-Тбайт TLC SSD выросла на 257 %, с $3062 до $10 950, а цены на HDD за тот же период выросли на 35 %, что расширило ценовой разрыв. Так, разница в цене TLC SSD и HDD выросла с 6,2 раза во II квартале 2025 года до 16,4 раза в I квартале 2026-го, а в случае QLC SSD — в 14,2 раза. В результате значительно выросли риски для All-Flash архитектур. Утверждаются, что отправленные несколько месяцев назад коммерческие предложения теперь требуют полного пересмотра бюджетов.

The Flash Volatility Index помогает отследить, как изменения в цепочке поставок флеш-накопителей ведут к изменению цен на реальном розничном рынке и как это сравнимо с рынком HDD. Storage Economics Optimizer Tool позволяет клиентам моделировать общую стоимость системы с учётом различных архитектур хранения, целевых показателей производительности и др.

Источник изображения: VDURA

VDURA использовала Storage Economics Optimizer Tool для оценки воздействия волатильности цен флеш-накопителей для распространённых архитектур хранилищ на 25 Пбайт, обеспечивающих скорость передачи данных 1 Тбайт/с. По данным на II квартал 2025 года, хранилище, использовавшее исключительно SSD, предполагало годовые затраты в размере $8,50 млн. К I кварталу 2026 года та же конфигурация подорожала до $24,54 млн, рост составил 189 %, в основном из-за роста цен на SSD.

При этом утверждается, что архитектуры, комбинирующие использование SSD и HDD, позволяют значительно снизить рост цен и эффект от возможного неожиданного скачка цен на рынке твердотельных накопителей, с сохранением необходимых уровней производительности.

В докладе FVI отражается усугубляющееся ценовое давление по всем уровнями инфраструктурного стека. Со II квартала 2025 года по I квартал 2026 года цены на оперативную память (DRAM) взлетели на 205 %, рост обусловлен высоким спросом на системы на основе ИИ-ускорителей, требующие больших объёмов памяти. Высокоскоростные сетевые компоненты столкнулись с похожими ограничениями, что дополнительно сказывается на цене систем. Особенно это затратно для вариантов с большим количеством узлов.

Согласно данным из доклада FVI, многолетние договоры о покупке компонентов гиперскейлерами фактически заблокировали значительную часть мощностей для производства SSD до конца 2026 г. В то же время крупномасштабные инфраструктурные ИИ-проекты продолжают «поглощать» оставшиеся поставки. По оценкам экспертов, ценовое давление может сохраниться и в 2027 году и позже.

Как заявляют в VDURA, после десятилетия относительно стабильного ценообразования на NAND-память, правила изменились. Лидерам рынка инфраструктуры требуются реальные данные о том, что происходит и планировать деятельность в соответствии с существующими трендами.

Компания Dell расширила ассортимент СХД серии PowerStore, анонсировав модель 5200Q типа All-Flash. Новинка позволяет сформировать интеллектуальное хранилище, обеспечивающее ускорение работы с блочными, файловыми и виртуальными томами.

Устройство выполнено на аппаратной платформе Intel. Применены два контроллера, функционирующие в режиме «активный — активный». В общей сложности задействованы четыре неназванных процессора Xeon с 96 вычислительными ядрами, работающими на частоте 2,2 ГГц. Объём оперативной памяти составляет 1152 Гбайт.

СХД имеет типоразмер 2U. Во фронтальной части расположены 25 отсеков для SFF-накопителей NVMe. Могут применяться SSD на основе чипов памяти QLC вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Питание обеспечивают два блока с резервированием. В общей сложности могут быть использованы до 24 сетевых Front-end-портов в следующей конфигурации: 16 × FC16/32, 24 × 10GbE, 24 × 10/25GbE или 8 × 100GbE. Секция Back-end включает порты 100GbE QSFP. Кроме того, предусмотрен выделенный сетевой порт управления 1GbE. Говорится о поддержке протоколов FC, NVMe/FC, iSCSI, NVMe/TCP, NFSv3/4/4.1/4.2; CIFS SMB 2/3.0/3.02/3.1.1, FTP и SFTP.

В связке с СХД могут функционировать до трёх модулей расширения формата 2U, рассчитанных на 24 накопителя SFF (NVMe) каждый. Таким образом, в общей сложности система с учётом устройств расширения может содержать до 93 накопителей SFF и четыре изделия NVRAM. В составе кластера количество SSD может достигать 372 штук при суммарной вместимости 23,6 Пбайт с учётом компрессии. В качестве программной платформы применяется PowerStore OS.

Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, без громких анонсов представила свой первый SSD вместимостью 122,88 Тбайт, предназначенный для использования в системах с иммерсионным (погружным) жидкостным охлаждением. Устройство рассчитано на дата-центры и площадки гиперскейлеров. Накопитель относится к семейству DC25F. В его основу положены чипы флеш-памяти QLC NAND.

Доступны модификации в форм-факторах E3.S и E3.L: в обоих случаях для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 600 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3200 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 3 млн при произвольном чтении данных 4K-блоками и до 35 тыс. при произвольной записи. Накопители способны выдерживать 0,3 полных перезаписи в сутки (0,3 DWPD) на протяжении пяти лет. Это ставит их в один ряд с другими QLC-устройствами корпоративного класса, предназначенными для «теплого» и «холодного» хранения данных.

Источник изображения: Goodram

Goodram отмечает, что накопители прошли всестороннее тестирование с использованием различных диэлектрических жидкостей для иммерсионного охлаждения, включая составы Shell и Chevron. Утверждается, что эти SSD рассчитаны на длительную эксплуатацию без деградации.

Помимо модели вместимостью 122,88 Тбайт, Goodram предлагает широкий выбор других SSD для систем с иммерсионным охлаждением. Это устройства ёмкостью от 1,92 Тбайт и выше на основе чипов TLC NAND и QLC NAND с интерфейсами SATA, PCIe 4.0 и PCIe 5.0. Они доступны в форм-факторах SFF U.2 и U.3, E3.S и E1.S, M.2 2280 и M.2 22110.

Компания DapuStor анонсировала SSD семейства R6060, предназначенные для использования в ЦОД и в инфраструктурах корпоративного класса. Утверждается, что эти накопители подходят для векторных баз данных, крупномасштабных хранилищ и ресурсоёмких ИИ-систем.

Ранее DapuStor представила изделия J5060: эти SSD в форм-факторе SFF U.2 толщиной 15 мм оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов. Вместимость достигает 122 Тбайт.

Решения нового семейства R6060, как и модели J5060, выполнены в SFF-формате на основе чипов флеш-памяти QLC NAND. При этом задействован интерфейс PCIe 5.0. Вместимость может составлять 122 и 245 Тбайт. В основу положен фирменный контроллер DapuStor DP800, который обеспечивает скорость последовательного чтения информации до 28 Гбайт/с и скорость последовательной записи до 22 Гбайт/с (показатели быстродействия собственно устройств R6060 пока не раскрываются). Величина IOPS при произвольном чтении данных может достигать 6 млн. Задержка при случайной записи не превышает 3,5 мкс. Говорится об аппаратной поддержке RAID 5/6, TCG/AES/RSA/SHA/TRNG, Root of Trust и пр.

Источник изображения: DapuStor

Упомянута технология Flexible Data Placement (FDP): она интеллектуально распределяет данные по флеш-памяти QLC, оптимизируя использование доступных ячеек и сводя к минимуму влияние усиления записи (Write Amplification, WA). Благодаря этому наиболее часто используемые данные хранятся в самых быстрых и надёжных областях памяти. В результате, повышаются долговечность, производительность и эффективность накопителей.

В целом, как утверждается, по сравнению с другими доступными на рынке SSD изделия серии R6060 обеспечивают более низкую совокупную стоимость владения (TCO) при использовании на площадках гиперскейлеров. Поставки устройств уже начались.

Компания Solid State Storage Technology Corporation (SSSTC), дочерняя структура Kioxia, представила SSD серии ER4 для платформ корпоративного класса и дата-центров. По заявлениям разработчика, накопители подходят для применения в средах, ориентированных на аналитику данных в реальном времени, ИИ-инференс, виртуализацию и другие ресурсоёмкие задачи. Кроме того, изделия могут использоваться в NAS для малого и среднего бизнеса, системах резервного копирования и видеонаблюдения.

SSD выполнены в SFF-формате на основе 112-слойных чипов флеш-памяти Kioxia 3D TLC NAND. Задействован контроллер Innogrit IG5600BAA 575P TFBGA. Для подключения служит интерфейс SATA-3.

Источник изображения: SSSTC

В семейство ER4 вошли модели вместимостью 7,68 и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у обоих накопителей достигает 550 Мбайт/с, последовательной записи — 530 Мбайт/с. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет 98 тыс., при произвольной записи — 55 тыс. у младшей версии и 30 тыс. у старшей.

В накопителях реализован ряд функций обеспечения безопасности корпоративного уровня, включая сквозную защиту данных, безопасное стирание и 256-битное шифрование AES (с опциональной поддержкой TCG Enterprise). Средства Power Loss Protection (PLP) отвечают за сохранность информации при внезапном отключении питания. Показатель MTBF заявлен на уровне 3 млн часов. Устройства рассчитаны на работу в температурном диапазоне от 0 до +70 °C. Максимальное энергопотребление составляет 5 Вт. На накопители предоставляется пятилетняя гарантия.

Компания Phison Electronics анонсировала SSD корпоративного класса серий Pascari X201 и Pascari D201. Первые предназначены для рабочих нагрузок, которым требуется высокая производительность: обучение ИИ, масштабная аналитика, высокочастотный трейдинг и НРС-задачи. В свою очередь, изделия Pascari D201 ориентированы на гиперскейлеров и облачных провайдеров, которые оперируют средами с высокой плотностью хранения данных.

Все устройства выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC; для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Заявленная величина MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2,5 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Накопители Pascari X201 представлены в форм-факторах U.2 толщиной 15 мм и E3.S 1T. При этом доступны варианты X201E и X201P. В первом случае вместимость составляет 12,8 и 25,6 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у обеих моделей достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Величина IOPS составляет до 3,3 млн при произвольном чтении и до 1,05 млн при произвольной записи у варианта на 12,8 Тбайт и до 2,8 млн и 920 тыс. у устройства ёмкостью 25,6 Тбайт. Накопители X201E способны выдерживать до трёх полных перезаписей в сутки (3 DWPD).

Источник изображений: Phison

Решения X201P обладают вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 12 000 и 10 500 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS при произвольном чтении равно 3,3 млн и 2,8 млн, при произвольной записи — 600 тыс. и 480 тыс. Эти SSD рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (1 DWPD).

В семейство Pascari D201 также вошли варианты D201E и D201P, у которых показатель DWPD равен 3 и 1. Вместимость составляет соответственно 12,8 и 15,36 Тбайт. У всех устройств скорость последовательного чтения достигает 14 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 12 000 Мбайт/с, величина IOPS при произвольном чтении — 3,3 млн. Вместе с тем IOPS при произвольной записи — 1,05 млн у версии на 12,8 Тбайт и 600 тыс. у накопителя на 15,36 Тбайт. Изделия выполнены в формате E1.S толщиной 15 мм. На все анонсированные новинки предоставляется пятилетняя гарантия.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N701 и N601, предназначенные для использования в коммерческой и индустриальной сферах. Изделия будут предлагаться в двух вариантах исполнения — M.2 1620 Heat Sink Ball Grid Array (HSBGA) и М.2 2230.

Устройства семейства N701 выполнены по технологии pSLC (pseudo Single Level Cell) с применением чипов флеш-памяти 3D TLC, а их вместимость варьируется от 80 до 320 Гбайт. В свою очередь, накопители N601 представляют собой традиционные решения 3D TLC с вариантами ёмкости от 240 до 960 Гбайт.

Все новинки оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x2. Скорость последовательного чтения информации достигает 3565 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3280 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 630 000 при произвольном чтении и до 755 000 при произвольной записи. Говорится о поддержке шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) — свыше 3 млн часов.

Источник изображения: ATP Electronics

SSD доступны в коммерческой (N701Pc и N601Sc) и индустриальной (N701Pi и N601Si) модификациях. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 29 235 Тбайт у накопителей серии N701 и 2810 Тбайт у N601.

В устройствах реализована фирменная технология Ace Thermal Throttling — интеллектуальный алгоритм теплового регулирования, который использует до 18 ступеней настройки с целью минимизации резких перепадов производительности при повышении температуры. Благодаря использованию двух линий PCIe 4.0 обеспечивается снижение энергопотребления до 20 % при обычной работе и до 40 % в режиме ожидания по сравнению с изделиями, в которых задействованы четыре линии. При этом производительность сохраняется на сопоставимом уровне.