Материалы по тегу: micron
|
26.10.2025 [14:15], Сергей Карасёв
Micron представила 192-Гбайт модули памяти SOCAMM2 для ИИ-серверовКомпания Micron Technology анонсировала компактные модули оперативной памяти SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Modules), предназначенные для использования в серверах для задачи ИИ. Изделия, выполненные на энергоэффективных чипах LPDDR5X, имеют ёмкость 192 Гбайт. Модули SOCAMM первого поколения были анонсированы в марте нынешнего года. Их размеры составляют 14 × 90 мм. При изготовлении применяется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм класса), а объём равен 128 Гбайт. Решения SOCAMM2 производятся по наиболее передовой технологии Micron — DRAM 1γ (шестое поколение памяти 10-нм класса). По сравнению с оригинальными модулями ёмкость SOCAMM2 увеличилась в полтора раза при сохранении прежних габаритных размеров. Энергетическая эффективность при этом повысилась более чем на 20 %. По сравнению с сопоставимыми по классу решениями DDR5 RDIMM энергоэффективность улучшена более чем на 66 %. Заявленная скорость передачи данных достигает 9,6 Гбит/с на контакт. Таким образом, по заявлениям Micron, технологии, положенные в основу SOCAMM2, превращают маломощную память LPDDR5X, изначально разработанную для смартфонов, в эффективные решения для дата-центров. При этом модульная конструкция SOCAMM2 и инновационная технология стекирования повышают удобство обслуживания и облегчают проектирование серверов с жидкостным охлаждением. Пробные поставки образцов новой памяти уже начались. Micron принимает активное участие в разработке спецификации JEDEC SOCAMM2 и тесно сотрудничает с отраслевыми партнёрами с целью вывода решений на коммерческий рынок. Пока что модули SOCAMM используются в NVIDIA GB300.
19.10.2025 [09:36], Владимир Мироненко
Micron покидает серверный рынок Китая после санкций правительстваКомпания Micron прекратит поставки серверных чипов памяти китайским провайдерам ЦОД, сообщило агентство Reuters со ссылкой на информированные источники. После введения в 2023 году правительством КНР запрета на использование чипов Micron в ключевых инфраструктурных проектах ей так и не удалось восстановить свой бизнес в стране в этом сегменте. Вместе с тем Micron продолжит поставки продукции двум компаниям, имеющим крупные ЦОД за пределами Китая. По словам источников, одна из них — Lenovo. Micron стал первым американским производителем чипов, попавшим под ограничения Пекина, которые были восприняты как ответ на серию ограничений, введённых Вашингтоном с целью сдерживания технологического прогресса китайской полупроводниковой промышленности. За последний финансовый год Micron получила $3,4 млрд — 12 % от общего объёма выручки — от операций на материковом Китае. По данным Reuters, в настоящее время в команде Micron, занимающейся поставками для ЦОД в Китае, работает более 300 человек. И насколько значительным будет её сокращение, пока неизвестно. «Micron будет искать клиентов за пределами Китая в других частях Азии, в Европе и Латинской Америке», — сообщил Reuters Джейкоб Борн (Jacob Bourne), аналитик Emarketer. Он отметил, что Китай является критически важным рынком, однако сейчас наблюдается расширение ЦОД по всему миру, обусловленное спросом на ИИ, и Micron рассчитывает на то, что сможет компенсировать на других рынках потерю бизнеса в Поднебесной. Запрет на использование продукции Micron в критически важной инфраструктуре Китая принёс выгоду её конкурентам — Samsung и SK hynix, а также китайским компаниям YMTC и CXMT, которые активно расширяют деятельность при поддержке китайского правительства. Согласно обзору государственных закупок, проведенному агентством Reuters, в прошлом году инвестиции в ЦОД в Китае выросли в девять раз и достигли ¥24,7 млрд ($3,4 млрд). Тем не менее Micron удалось компенсировать сокращение выручки в Китае поставками в другие страны благодаря огромному спросу на ЦОД и сопутствующие инструменты и добиться рекордной квартальной выручки. Вместе с тем Micron продолжит поставлять чипы китайским компаниям, занятым в автомобильной отрасли и секторе производства мобильных телефонов. Также производитель микросхем памяти продолжил расширять некоторые другие направления в стране, включая завод по упаковке микросхем памяти в Сиане. «У нас сильное производственное и клиентское присутствие в Китае, и Китай остаётся важным рынком для Micron и полупроводниковой промышленности в целом», — сообщила Micron агентству Reuters. Как пишет Data Center Dynamics, в июне Micron заявила о планах инвестировать $200 млрд в расширение производства микросхем памяти в США. Средства будут направлены на строительство второй фабрики по производству чипов памяти в Бойсе (Айдахо), двух дополнительных фабрик в Нью-Йорке и расширение производства в Манассасе (Вирджиния).
25.09.2025 [07:58], Владимир Мироненко
Micron объявила о рекордной выручке за последний квартал и весь 2025 финансовый годКомпания Micron Technology опубликовала финансовые результаты за IV квартал и весь 2025 финансовый год, завершившийся 28 августа, показав рекордную выручку, увеличив валовую прибыль и превысив прогноз по прибыли на акцию. Годовая выручка выросла почти на 50 % до 37,4 млрд, что является новым рекордом для компании. Прибыль на акцию (Non-GAAP) за год достигла $8,29, что на 538 % больше, чем в предыдущем финансовом году. Выручка за IV квартал выросла год к году на 46 % до рекордного значения $11,33 млрд, превысив консенсус-прогноз LSEG в размере $11,22 млрд, согласно данным CNBC. Скорректированная прибыль (Non-GAAP) на разводнённую акцию составила $3,03, что на 59 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 157 % больше, чем годом ранее, а также больше консенсус-прогноза LSEG в размере $2,86. Чистая прибыль (GAAP) составила $3,2 млрд, или $2,83 на разводнённую акцию, против $887 млн, или $0,79 на акцию, годом ранее. Валовая прибыль за квартал выросла до 41 %, что на 17 п.п. больше, чем в предыдущем году. Micron изменила структуру отчётности своих бизнес-подразделений. До прошлого квартала у неё было в отчёте четыре бизнес-подразделения, включая Compute and Networking (CNBU), мобильное подразделение (Mobile, MBU) подразделение встраиваемых решений (Embedded, EBU) и подразделение решений для СХД (SBU). Теперь в отчёте указаны подразделения под названиями «Облачная память» (Cloud Memory, CMBU), «Основные данные» (Core Data, CDBU), «Мобильные устройства и клиентские устройства» (Mobile and Client, MCBU) и «Автомобильные и встраиваемые системы» (Auto and Embedded, AEBU). В связи с этим затрудняется анализ данных о производстве решений для СХД. Продажи подразделения CMBU, поставляющего память, включая HBM, для облачных провайдеров, выросла год к году на 214 % до $4,54 млрд, составив 40 % от общей выручки компании. Валовая прибыль подразделения достигла 59 %, что на 120 п.п. больше, чем в предыдущем квартале. Вместе с тем выручка подразделения CDBU, поставляющего чипы памяти для ЦОД, сократилась на 22 % до $1,58 млрд с $2,05 млрд годом ранее. Выручка от продаж DRAM в IV финансовом квартале достигла $8,98 млрд, что на 69 % больше, чем в предыдущем году, и составляет 79 % от общей выручки. Выручка от продаж NAND за IV квартал составила $2,25 млрд. Выручка от HBM за квартал достигла почти $2 млрд, что означает прогноз годовой доходности (ARR) почти в $8 млрд, благодаря стремительному росту продаж HBM3E. Как сообщает Blocks & Files, компания имеет соглашения практически со всеми клиентами на подавляющее большинство поставок HBM3E в 2026 календарном году. «Мы ведём активные переговоры с клиентами о спецификациях и объёмах поставок HBM4 и рассчитываем заключить соглашения о продаже оставшейся части общего объёма поставок HBM на 2026 календарный год в ближайшие месяцы», — сообщила Micron. Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что компания достигла значительного прогресса в строительстве завода по сборке и тестированию HBM в Сингапуре, что позволит увеличить поставки этой памяти с 2027 календарного года. Он также отметил, что техпроцесс 1γ достиг зрелости в рекордные сроки. «Мы стали первыми в отрасли, кто начал поставлять DRAM 1γ, и будем использовать 1γ во всем нашем портфеле DRAM. В этом квартале мы получили первый доход от клиента-гиперскейлера по нашим продуктам DRAM 1γ для серверов», — добавил он. Капитальные затраты компании за квартал составили $4,9 млрд, в основном из-за инвестиций в производство DRAM. У Micron есть шесть клиентов-покупателей памяти HBM. Компания сообщила, что доля поставок HBM, вероятно, снова вырастет и будет соответствовать общей доле DRAM на рынке в III квартале этого календарного года. Поскольку ожидается, что объём рынка HBM в 2026 году составит $50–60 млрд, ожидаемая доля Micron в 22,5 % составит $12,58 млрд, то есть, по $3,1 млрд в квартал, подсчитал Blocks & Files. Micron заявила, что к 2030 году объём целевого рынка HBM достигнет $100 млрд. «Цена на HBM4 на самом деле значительно выше, чем на HBM3E», — сообщил агентству Reuters директор по развитию бизнеса Сумит Садана (Sumit Sadana). «Из-за очень напряженной ситуации в отрасли… мы ожидаем довольно высокой окупаемости инвестиций в наш бизнес HBM», — добавил он. Micron прогнозирует продажи в I квартале 2026 финансового года в размере $12,50 млрд ± $300 млн, по сравнению со средним прогнозом аналитиков в $11,94 млрд, согласно данным, собранным LSEG. Micron также прогнозирует скорректированную валовую прибыль в размере 51,5 % ± 1,0 %, что значительно выше прогнозируемых аналитиками 45,9 %. Рост валовой прибыли обусловлен «лучшей, чем ожидалось, ценовой конъюнктурой», отметил Киннгай Чан (Kinngai Chan), аналитик Summit Insights. Micron заявила, что ожидает рост продаж решений для серверов в 2025 календарном году примерно на 10 %, что «выше предыдущих ожиданий на уровне нескольких процентов», при этом рост как в ИИ-сегментах, так и в сегментах традиционных серверов будет способствовать увеличению спроса на оперативную память.
30.07.2025 [11:40], Сергей Карасёв
Micron представила новые SSD для дата-центров: PCIe 6.0, до 28 Гбайт/с и до 122,88 ТбайтКомпания Micron Technology анонсировала SSD серий 6600 ION, 7600 и 9650 для дата-центров и систем корпоративного класса. Новинки, подходящие в том числе для ресурсоёмких нагрузок ИИ, предлагаются в различных форм-факторах — U.2, E1.S и E3.S. Изделия Micron 6600 ION оптимизированы для сред, в которых постоянно генерируются и обрабатываются большие массивы данных: это может быть, например, инфраструктура интернета вещей (IoT). Устройства выполнены на основе флеш-чипов G9 QLC NAND, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны исполнения E3.S 1T и U.2. В семейство Micron 6600 ION входят модификации вместимостью 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. В I половине 2026 года появится вариант ёмкостью 245 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении блоков данных по 4 Кбайт составляет до 2 млн, при произвольной записи — до 100 тыс. Показатель надёжности достигает 1 DWPD (полная перезапись в сутки) при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 DWPD при случайном доступе. Накопители серии Micron 7600, в свою очередь, подходят для задач ИИ. Устройства выпускаются в форматах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). Применены чипы флеш-памяти G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательных чтения и записи — до 12 000 и 7000 Мбайт/с соответственно. Покупатели смогут выбирать между модификациями Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. В первом случае вместимость варьируется от 1,92 до 15,36 Тбайт, а надёжность находится на уровне 1 DWPD (на протяжении пяти лет). Величина IOPS — до 2,1 млн при чтении и до 400 тыс. при записи. В случае Micron 7600 Max ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт, показатель DWPD равен 3. Значение IOPS — до 2,1 млн при произвольном чтении и до 675 тыс. при произвольной записи. Micron заявляет о задержке менее 1 мс при 99,9999 % операций. Изделия Micron 9650 специально разработаны для обучения ИИ-моделей, инференса в режиме реального времени и других задач, при которых критическое значение имеют производительность и стабильная пропускная способность. Устройства в форм-факторах E3.S и E1.S оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0). Используются чипы флеш-памяти G9 TLC NAND. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на уровне 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — 14 000 Мбайт/с. Устройства E1.S допускают применение жидкостного охлаждения. Серия включает версии Micron 9650 Pro (1 DWPD) и Micron 9650 Max (3 DWPD) вместимостью 7,68–30,72 и 6,4–25,6 Тбайт соответственно. Показатель IOPS при произвольном чтении достигает 5,5 млн, при произвольной записи — 1,1 млн у Pro и 1,5 млн у Max. Максимальное энергопотребление у всех представленных изделий находится на уровне 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) — 2,5 млн часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки устройств Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а SSD серии Micron 6600 ION выйдут позднее в текущем квартале.
20.03.2025 [13:14], Сергей Карасёв
Micron, Samsung и SK hynix представили компактные модули памяти SOCAMM для ИИ-серверовКомпании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением. Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ. Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s. Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему. На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.
09.03.2025 [13:37], Сергей Карасёв
До 27 Гбайт/с: Micron показала самый быстрый в мире SSD с интерфейсом PCIe 6.0Компании Micron и Astera Labs в ходе мероприятия DesignCon 2025 продемонстрировали самый быстрый в мире SSD — устройство формата E3.S, оснащённое интерфейсом PCIe 6.0. В тестовой системе новинка показала скорость передачи данных свыше 27 Гбайт/с. Работа накопителей продемонстрирована в составе платформы, оборудованной коммутационным чипом Astera Scorpio Smart Fabric Switch P-Series, который поддерживает до 64 линий PCIe 6.0. Это изделие предназначено для обеспечения высокоскоростной передачи данных между CPU, GPU и узлами хранения в кластерах HPC и ИИ. В тестовой системе были задействованы два накопителя Micron SSD PCIe 6.0 неназванной вместимости, а также ускоритель NVIDIA H100. При этом технология NVIDIA Magnum IO GPUDirect (GDS) отвечала за прямой обмен данными между SSD и GPU, минуя остальные компоненты системы. В результате, на каждом из SSD показана скорость чтения информации в 27,14 Гбайт/с. Как отмечает ресурс Tom's Hardware, достигнутый результат практически вдвое превышает показатели одного из самых быстрых на сегодняшний день накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4 — устройства Crucial T705, у которого скорость чтения достигает 14,5 Гбайт/с. В августе прошлого года компания Micron заявляла, что новые SSD с интерфейсом PCIe 6.0 смогут обеспечить пропускную способность при последовательном чтении более 26 Гбайт/с. Но демонстрация в рамках DesignCon 2025 говорит о том, что фактические значения могут оказаться даже выше при использовании определённых аппаратных компонентов. Информации о сроках начала массовых поставок накопителей пока нет.
20.12.2024 [17:25], Владимир Мироненко
Не упустить HBM: из-за слабого прогноза акции Micron упали на 16 % при рекордном росте выручкиНесмотря на рекордный рост выручки в I квартале 2025 финансового года, увеличившейся год к году на 84 %, акции Micron упали после публикации квартального отчёта на 16 % в четверг, ставший худшим днём для компании на бирже с марта 2020 года и начала пандемии COVID-19. Виной тому был слабый прогноз на II финансовый квартал, разочаровавший инвесторов. «Негативная реакция рынка отражает обоснованные опасения по поводу невыполнения прогнозов выручки на $1 млрд и краткосрочной слабости спроса на традиционных рынках, таких как ПК, автомобили и промышленные рынки», — сказал Майкл Эшли Шульман (Michael Ashley Schulman), партнёр и главный инвестиционный директор Running Point Capital Advisors. Генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил в ходе отчёта за I квартал 2025 финансового года, завершившийся 28 ноября, что сейчас наблюдается более медленный рост в части потребительских устройств и «корректировка запасов» у компаний-партнёров. Он также отметил, что выручка от продуктов для ЦОД впервые превысила 50 % всей выручки компании. Выручка Micron составила $8,71 млрд, превысив показатель аналогичного квартала в 2024 финансовом году в размере $4,73 млрд и предыдущего квартала в размере $7,75 млрд, что в целом соответствует оценкам аналитиков, согласно данным, собранным LSEG. Рост был обусловлен 400-процентным ростом выручки продуктов для ЦОД, в основном из-за спроса на ИИ, сообщила Micron. Это была самая высокая выручка Micron в I квартале за последние 10 лет. Скорректированная прибыль (non-GAAP) на акцию равняется $1,79, что выше средней оценки аналитиков, опрошенных LSEG, в размере $1,75. Выручка от DRAM составила $6,4 млрд, увеличившись на 86,8 % в годовом исчислении. Продажи памяти NAND составили $22 млрд, что представляет собой рост на 78,9 % в годовом исчислении, но последовательное падение на 5 %, поскольку общее количество отгруженных битов сократилось вместе со средними продажными ценами. Драйвером выручки были продажи решений для ЦОД, выросшие более чем на 400 % в годовом исчислении и на 40 % последовательно, достигнув рекордного уровня. Выручка от продаж крупнейшему клиенту-провайдеру ЦОД составила примерно 13 % от общего дохода — $1,13 млрд. Был также получен рекордный доход от поставок SSD для ЦОД и установлены новые рекорды по доле рынка SSD для ЦОД и общего объёма SSD. Поставки памяти HBM превысили план, и более чем вдвое — показатель предыдущего квартала. Подразделение Compute and Networking (CNBU) получило выручку в размере $4,4 млрд (рост год к году на 153,3 %), мобильное подразделение (Mobile, MBU) — $1,5 млрд (рост на 16 %). У подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) выручка составила $1,1 млрд (рост — 6,1 %), у подразделения решений для СХД (SBU) — $1,7 млрд (рост — 160,3 %). «Хотя часть бизнеса Micron, связанная с ЦОД ИИ, остается устойчивой, очевидно, что более медленные, чем ожидалось, продажи потребительских ПК, смартфонов и автомобилей влияют на перспективы компании и застали рынок врасплох», — сообщил агентству Reuters Боб О'Доннелл (Bob O'Donnell), президент и главный аналитик TECHnalysis Research. Компания, один из трёх поставщиков чипов HBM наряду с южнокорейскими SK Hynix и Samsung, теперь сосредоточена на увеличении производства чипов HBM — к марту текущего года компания продала всю HBM3E-память, которую собиралась выпустить в 2024 году и начале 2025 года. «Наш ассортимент продукции смещается в сторону большего количества продуктов, которые необходимы на рынке», — заявил Мехротра в ходе телефонной конференции с аналитиками. Micron сообщила, что во II финансовом квартале ожидает выручку в размере $7,90 млрд ± $200 млн, и скорректированную прибыль (non-GAAP) на акцию в размере $1,43 ± $0,10. В свою очередь, аналитики, опрошенные LSEG, ожидают выручку в размере $8,98 млрд и скорректированную прибыль (non-GAAP) на акцию в размере $1,91. «Micron занимает самую сильную конкурентную позицию за всю свою историю, и мы продолжаем наращивать долю во всех высокорентабельных, стратегически важных категориях продуктов в нашей отрасли, сохраняя при этом общую стабильную долю рынка как DRAM, так и NAND», — подчеркнул Мехротра. «Хотя потребительские рынки в краткосрочной перспективе слабее, мы ожидаем возвращения к росту во II половине нашего финансового года», — добавил он.
13.11.2024 [01:45], Владимир Мироненко
Micron 6550 ION — самый быстрый в мире 61,44-Тбайт SSD в форм-факторе E3.SMicron представила SSD 6550 ION, который позиционируется как самый быстрый в мире 61,44-Тбайт накопитель для ЦОД и первый в мире накопитель стандарта PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0b) в форм-факторе E3.S с такой ёмкостью. Новинка подходит для растущих рабочих нагрузок ИИ, обеспечивая при этом лучшую в своем классе производительность и до 20 % более низкое энергопотребление по сравнению с накопителями конкурирующих брендов. Нюанс в том, что самым быстрым Micron 6550 ION является именно при таком сочетании ёмкости, форм-фактора и интерфейса, а сравнение делается с решениями Samsung, Solidigm и Western Digital, но не Kioxia. Типовое энергопотребление у новинок не превышает 20 Вт. Точно такой же показатель есть у одной из моделей Western Digital, но решение Micron быстрее. 6550 ION соответствует стандарту OCP 2.5 и имеет активное управление питание (ASPM). Это позволяет накопителю потреблять в режиме ожидания 4 Вт в состоянии L1 против 5 Вт в состоянии L0, что до 20 % повышает энергоэффективность в простое. 6550 ION подходят для создания озёр данных для ИИ, для приёма, подготовки данных и создания контрольных точек во время обучения, для хранения файлов и объектов, создания публичных облачных хранилищ, обслуживания аналитических баз данных, а также для систем доставки контента. Также сообщается, что 6550 ION обеспечивает ведущую в отрасли плотность хранения, позволяя клиентам сократить площадь ЦОД до 67 %, обеспечивая плотность на уровне 1,2 Пбайт/1U. Скорость последовательного чтения/записи 6550 ION достигает 12,5/5,0 Гбайт/с. Значение IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт — до 1,6 млн при произвольном чтении и до 70 тыс. при произвольной записи. 6550 ION может быть полностью записан за 3,4 часа, в то время как конкурирующие диски заполняются на 150 % дольше, отмечает компания. Кроме того, 6550 ION также превосходит SSD аналогичной ёмкости в критических ИИ-нагрузках, включая работу с NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage (GDS), работу с блоками данных 4 Кбайт при обучении некоторых сетей и создание контрольных точек во время обучения ИИ. При тренировке LLM с с миллиардами параметров контрольные точки создаются довольно часто, а ускорители могут простаивать десятки минут, пока данные сбрасываются на SSD. Micron 6550 ION доступен в форм-факторах E3.S (1T), U.2 и E1.L и имеет ёмкость 30,72 или 61,44 Тбайт. Кроме того, сообщается, что 6550 ION предлагает ведущий в отрасли набор функций безопасности, включая SPDM 1.2 для аттестации и SHA-512 для безопасной генерации подписей. Он соответствует требованиям TAA и сертифицирован по стандарту FIPS 140-3 L2. Накопитель имеет надёжность на уровне 1,0 RDWPD при записи случайных блоков на 16 Кбайт, а для 4-Кбайт блоков — 0,25 RDWPD. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. Показатель MTTF составляет 2,5 млн часов. Гарантия производителя — 5 лет. Также отмечается, что 6550 ION полностью состоит из компонентов, изготовленных самой Micron.
07.09.2024 [11:41], Сергей Карасёв
Micron представила 12-ярусные чипы HBM3E: 36 Гбайт и 1,2 Тбайт/сКомпания Micron Technology сообщила о начале пробных поставок 12-ярусных (12-Hi) чипов памяти HBM3E, предназначенных для высокопроизводительных ИИ-ускорителей. Изделия проходят квалификацию в экосистеме отраслевых партнёров, после чего начнутся их массовые отгрузки. Новые чипы имеют ёмкость 36 Гбайт, что на 50 % больше по сравнению с существующими 8-слойными вариантами HBM3E (24 Гбайт). При этом, как утверждает Micron, достигается значительно более низкое энергопотребление. Благодаря применению 12-ярусных чипов HBM3E крупные модели ИИ, такие как Llama 2 с 70 млрд параметров, могут запускаться на одном ускорителе. Заявленная пропускная способность превышает 9,2 Гбит/с на контакт, что в сумме обеспечивает свыше 1,2 Тбайт/с. Появление новой памяти поможет гиперскейлерам и крупным операторам дата-центров масштабировать растущие рабочие нагрузки ИИ в соответствии с запросами клиентов. Реализована полностью программируемая функция MBIST (Memory Built-In Self Test), которая способна работать на скоростях, соответствующих системному трафику. Это повышает эффективность тестирования, что позволяет сократить время вывода продукции на рынок и повысить надёжность оборудования. При изготовлении памяти HBM3E компания Micron применяет современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via). Нужно отметить, что о разработке 12-слойных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт в начале 2024 года объявила компания Samsung. Эти решения обеспечивают пропускную способность до 1,28 Тбайт/с. По данному показателю, как утверждается, чипы более чем на 50 % превосходят доступные на рынке 8-слойные стеки HBM3. Наконец, старт массового производства 12-Hi модулей HBM3E от SK hynix с ПСП 1,15 Тбайт/с намечен на октябрь.
24.07.2024 [01:11], Владимир Мироненко
Самый быстрый SSD для ИИ: Micron представила серию накопителей 9550 ёмкостью до 30,72 ТбайтКомпания Micron Technology объявила о доступности серии NVMe-накопители Micron 9550, которые позиционируются как самые быстрые в мире PCIe 5.0 SSD для ЦОД с лучшими в отрасли показателями энергоэффективности и производительности для ресурсоёмких рабочих нагрузок, таких как ИИ. Новинки используют 232-слойную флеш-память TLC NAND, предлагаются в форм-факторах U.2 (15 мм), E3.S (1T) и E1.S (15 мм), а их ёмкость составляет от 3,2 до 30,72 Тбайт. Micron 9550 обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,0 Гбайт/с и последовательной записи до 10,0 Гбайт/с, что превышает на 67 % показатели твердотельных накопителей аналогичного класса от конкурентов, говорит компания, подразумевая решения Kioxia и Samsung. Производительность накопителя на операциях случайного чтения и записи составляет 3,3 млн IOPS и 400 тыс. IOPS соответственно, что до 35 % и до 33 % выше, чем у предложений конкурентов. Накопители Micron 9550 поддерживают TCG Opal 2.01, SPDM 1.2, телеметрию по стандарту OCP 2.5, шифрование данных (SED), сквозную поддержку целостности данных, подписанное встроенное ПО, изолированный анклав Micron Secure Execution Environment, защиту от потери питания, а также соответствуют стандартам NVMe v2.0b и OCP 2.0 (r21). Доступны и варианты с сертификацией FIPS 140-3 Level 2 и TAA. Компания предлагает две версии Micron 9550: 9550 PRO для интенсивного чтения с 1 DWPD (допустимое количество перезаписей всего объёма накопителя в день) в течение пятилетнего гарантийного периода и 9550 MAX для смешанных нагрузок с надёжностью 3 DWPD. E1.S-вариант есть только 9550 PRO. Доступная ёмкость 9550 PRO составляет 3,84/7,68/15,36/30,72 Тбайт. Версия накопителя 9550 MAX предлагает меньшую ёмкость — 3,2/6,4/12,8/25,6 Тбайт. Как отметила Micron, ИИ-нагрузки требуют высокопроизводительных решений для хранения данных. Показатели последовательного и случайного чтения и записи SSD 9550 позволяет использовать его именно в таких в сценариях. Накопители поддерживают архитектуры Big Accelerator Memory (BaM) и GPU-Initiated Direct Storage (GIDS). Например, большие языковые модели (LLM) требуют высокой скорости последовательного чтения, а графовые сети (GNN) требуют высокой производительности случайного чтения. Компания заявила, что Micron 9550 превосходит предложения конкурентов в работе с ИИ-нагрузками: время выполнения сокращается до 33 %, агрегация в BaM происходит до 60 % быстрее, обеспечивается до 34 % более высокая пропускная способность при использовании Magnum IO GPUDirect Storage (GDS). Согласно пресс-релизу, Micron 9550 обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность для поддержки различных рабочих ИИ-нагрузок, в том числе:
Micron 9550 имеет вертикально интегрированную архитектуру с использованием технологий, разработанных Micron, обеспечивающую гибкий выбор конструкции и расширенные возможности безопасности, говорит компания. Кроме того, Micron сотрудничает с NVIDIA и разработчиками решений с открытым исходным кодом, чтобы гарантировать соответствие решений потребностям самых требовательных ИИ-нагрузок. |
|
