NVIDIA разрабатывает SCADA (Scaled Accelerated Data Access, масштабируемый ускоренный доступ к данным) — новую IO-архитектуру, где GPU инициируют и управляют процессом работы с хранилищами, сообщил Blocks & Files. SCADA отличается от существующего протокола NVIDIA GPUDirect, который, упрощённо говоря, позволяет ускорить обмен данными с накопителями, напрямую связывая посредством RDMA память ускорителей и NVMe SSD. В этой схеме CPU хоть и не отвечает за саму передачу данных, но оркестрация процесса всё равно ложится на его плечи. SCADA же предлагает перенести на GPU и её.

Обучение ИИ-моделей обычно требует передачи больших объёмов данных за сравнительно небольшой промежуток времени. При ИИ-инференсе осуществляется передача небольших IO-блоков (менее 4 Кбайт) во множестве потоков, а время на управление каждой передачей относительно велико. Исследование NVIDIA показало, что инициирование таких передач самим GPU сокращает время и ускоряет инференс. В результате была разработана схема SCADA.

NVIDIA уже сотрудничает с партнёрами по экосистеме хранения данных с целью внедрения SCADA. Так, Marvell отмечает: «Потребность в ИИ-инфраструктуре побуждает компании, занимающиеся СХД, разрабатывать SSD, контроллеры, NAND-накопители и др. технологии, оптимизированные для поддержки GPU, с акцентом на более высокий показатель IOPS для ИИ-инференса. Это будет принципиально отличаться от технологий для накопителей, подключенных к CPU, где главными приоритетами являются задержка и ёмкость».

Источник изображения: NVIDIA

По словам Marvell, в рамках SCADA ускорители используют семантику памяти при работе с накопителями. Однако сами SSD мало подходят для таких задач, поскольку не могут обеспечить необходимый уровень IOPS, когда во время инференса тысячи параллельных потоков запрашивают наборы данных размером менее 4 Кбайт. Это приводит к недоиспользованию шины PCIe, «голоданию» GPU и пустой трате циклов. В CPU-центричной архитектуре, которая подходит для обучения моделей, параллельных потоков данных десятки, а не тысячи, а блоки данных крупные — от SSD требуется высокие ёмкость и пропускная способность, а также малая задержка, поскольку свою задержку в рамках СХД также внесут PCIe и Ethernet.

Внедрение PCIe 6.0 и PCIe 7.0, конечно, само по себе ускорит обмен данными, но контроллеры SSD также нуждаются в обновлении. Они должны уметь использовать возможности SCADA, иметь оптимальные схемы коррекции ошибок для малых блоков данных и быть мультипротокольными (PCIe, CXL, Ethernet). Компания Micron также участвует в разработке SCADA.

Источник изображения: Micron

В рамках SC25 Micron показала прототип SCADA-хранилища на базе платформы H3 Platform Falcon 6048 с PCIe 6.0 (44 × E1.S NVMe SSD + 6 × GPU/DPU/NIC), оснащённой 44 накопителями Micron 9650 (7,68 Тбайт, до 5,4 млн на случайном чтении 4K-блоками с глубиной очереди 512, PCIe 6.0), тремя коммутаторами Broadcom PEX90000 (144 линии PCIe 6.0 в каждом), одним процессором Intel Xeon (PCIe 5.0) и тремя ускорителями NVIDIA H100 (PCIe 5.0). Micron заявила, что система «демонстрирует линейное масштабирование производительности от 1 до 44 SSD», доходя до 230 млн IOPS, что довольно близко к теоретическому максимуму в 237,6 млн IOPS.

«В сочетании с PCIe 6.0 и высокопроизводительными SSD архитектура [SCADA] обеспечивает доступ к данным в режиме реального времени для таких рабочих нагрузок, как векторные базы данных, графовые нейронные сети и крупномасштабные конвейеры инференса», — подытожила Micron.

Компания Micron Technology анонсировала компактные модули оперативной памяти SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Modules), предназначенные для использования в серверах для задачи ИИ. Изделия, выполненные на энергоэффективных чипах LPDDR5X, имеют ёмкость 192 Гбайт.

Модули SOCAMM первого поколения были анонсированы в марте нынешнего года. Их размеры составляют 14 × 90 мм. При изготовлении применяется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм класса), а объём равен 128 Гбайт. Решения SOCAMM2 производятся по наиболее передовой технологии Micron — DRAM 1γ (шестое поколение памяти 10-нм класса). По сравнению с оригинальными модулями ёмкость SOCAMM2 увеличилась в полтора раза при сохранении прежних габаритных размеров. Энергетическая эффективность при этом повысилась более чем на 20 %. По сравнению с сопоставимыми по классу решениями DDR5 RDIMM энергоэффективность улучшена более чем на 66 %. Заявленная скорость передачи данных достигает 9,6 Гбит/с на контакт.

Источник изображения: Micron

Таким образом, по заявлениям Micron, технологии, положенные в основу SOCAMM2, превращают маломощную память LPDDR5X, изначально разработанную для смартфонов, в эффективные решения для дата-центров. При этом модульная конструкция SOCAMM2 и инновационная технология стекирования повышают удобство обслуживания и облегчают проектирование серверов с жидкостным охлаждением.

Пробные поставки образцов новой памяти уже начались. Micron принимает активное участие в разработке спецификации JEDEC SOCAMM2 и тесно сотрудничает с отраслевыми партнёрами с целью вывода решений на коммерческий рынок. Пока что модули SOCAMM используются в NVIDIA GB300.

Компания Micron прекратит поставки серверных чипов памяти китайским провайдерам ЦОД, сообщило агентство Reuters со ссылкой на информированные источники. После введения в 2023 году правительством КНР запрета на использование чипов Micron в ключевых инфраструктурных проектах ей так и не удалось восстановить свой бизнес в стране в этом сегменте. Вместе с тем Micron продолжит поставки продукции двум компаниям, имеющим крупные ЦОД за пределами Китая. По словам источников, одна из них — Lenovo.

Micron стал первым американским производителем чипов, попавшим под ограничения Пекина, которые были восприняты как ответ на серию ограничений, введённых Вашингтоном с целью сдерживания технологического прогресса китайской полупроводниковой промышленности.

За последний финансовый год Micron получила $3,4 млрд — 12 % от общего объёма выручки — от операций на материковом Китае. По данным Reuters, в настоящее время в команде Micron, занимающейся поставками для ЦОД в Китае, работает более 300 человек. И насколько значительным будет её сокращение, пока неизвестно.

Источник изображения: yang ma / Unsplash

«Micron будет искать клиентов за пределами Китая в других частях Азии, в Европе и Латинской Америке», — сообщил Reuters Джейкоб Борн (Jacob Bourne), аналитик Emarketer. Он отметил, что Китай является критически важным рынком, однако сейчас наблюдается расширение ЦОД по всему миру, обусловленное спросом на ИИ, и Micron рассчитывает на то, что сможет компенсировать на других рынках потерю бизнеса в Поднебесной.

Запрет на использование продукции Micron в критически важной инфраструктуре Китая принёс выгоду её конкурентам — Samsung и SK hynix, а также китайским компаниям YMTC и CXMT, которые активно расширяют деятельность при поддержке китайского правительства. Согласно обзору государственных закупок, проведенному агентством Reuters, в прошлом году инвестиции в ЦОД в Китае выросли в девять раз и достигли ¥24,7 млрд ($3,4 млрд). Тем не менее Micron удалось компенсировать сокращение выручки в Китае поставками в другие страны благодаря огромному спросу на ЦОД и сопутствующие инструменты и добиться рекордной квартальной выручки.

Источник изображения: Micron

Вместе с тем Micron продолжит поставлять чипы китайским компаниям, занятым в автомобильной отрасли и секторе производства мобильных телефонов. Также производитель микросхем памяти продолжил расширять некоторые другие направления в стране, включая завод по упаковке микросхем памяти в Сиане. «У нас сильное производственное и клиентское присутствие в Китае, и Китай остаётся важным рынком для Micron и полупроводниковой промышленности в целом», — сообщила Micron агентству Reuters.

Как пишет Data Center Dynamics, в июне Micron заявила о планах инвестировать $200 млрд в расширение производства микросхем памяти в США. Средства будут направлены на строительство второй фабрики по производству чипов памяти в Бойсе (Айдахо), двух дополнительных фабрик в Нью-Йорке и расширение производства в Манассасе (Вирджиния).

Компания Micron Technology опубликовала финансовые результаты за IV квартал и весь 2025 финансовый год, завершившийся 28 августа, показав рекордную выручку, увеличив валовую прибыль и превысив прогноз по прибыли на акцию. Годовая выручка выросла почти на 50 % до 37,4 млрд, что является новым рекордом для компании. Прибыль на акцию (Non-GAAP) за год достигла $8,29, что на 538 % больше, чем в предыдущем финансовом году.

Выручка за IV квартал выросла год к году на 46 % до рекордного значения $11,33 млрд, превысив консенсус-прогноз LSEG в размере $11,22 млрд, согласно данным CNBC. Скорректированная прибыль (Non-GAAP) на разводнённую акцию составила $3,03, что на 59 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 157 % больше, чем годом ранее, а также больше консенсус-прогноза LSEG в размере $2,86. Чистая прибыль (GAAP) составила $3,2 млрд, или $2,83 на разводнённую акцию, против $887 млн, или $0,79 на акцию, годом ранее. Валовая прибыль за квартал выросла до 41 %, что на 17 п.п. больше, чем в предыдущем году.

Источник изображений: Micron

Micron изменила структуру отчётности своих бизнес-подразделений. До прошлого квартала у неё было в отчёте четыре бизнес-подразделения, включая Compute and Networking (CNBU), мобильное подразделение (Mobile, MBU) подразделение встраиваемых решений (Embedded, EBU) и подразделение решений для СХД (SBU). Теперь в отчёте указаны подразделения под названиями «Облачная память» (Cloud Memory, CMBU), «Основные данные» (Core Data, CDBU), «Мобильные устройства и клиентские устройства» (Mobile and Client, MCBU) и «Автомобильные и встраиваемые системы» (Auto and Embedded, AEBU). В связи с этим затрудняется анализ данных о производстве решений для СХД.

Продажи подразделения CMBU, поставляющего память, включая HBM, для облачных провайдеров, выросла год к году на 214 % до $4,54 млрд, составив 40 % от общей выручки компании. Валовая прибыль подразделения достигла 59 %, что на 120 п.п. больше, чем в предыдущем квартале. Вместе с тем выручка подразделения CDBU, поставляющего чипы памяти для ЦОД, сократилась на 22 % до $1,58 млрд с $2,05 млрд годом ранее.

Выручка от продаж DRAM в IV финансовом квартале достигла $8,98 млрд, что на 69 % больше, чем в предыдущем году, и составляет 79 % от общей выручки. Выручка от продаж NAND за IV квартал составила $2,25 млрд. Выручка от HBM за квартал достигла почти $2 млрд, что означает прогноз годовой доходности (ARR) почти в $8 млрд, благодаря стремительному росту продаж HBM3E. Как сообщает Blocks & Files, компания имеет соглашения практически со всеми клиентами на подавляющее большинство поставок HBM3E в 2026 календарном году. «Мы ведём активные переговоры с клиентами о спецификациях и объёмах поставок HBM4 и рассчитываем заключить соглашения о продаже оставшейся части общего объёма поставок HBM на 2026 календарный год в ближайшие месяцы», — сообщила Micron.

Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что компания достигла значительного прогресса в строительстве завода по сборке и тестированию HBM в Сингапуре, что позволит увеличить поставки этой памяти с 2027 календарного года. Он также отметил, что техпроцесс 1γ достиг зрелости в рекордные сроки. «Мы стали первыми в отрасли, кто начал поставлять DRAM 1γ, и будем использовать 1γ во всем нашем портфеле DRAM. В этом квартале мы получили первый доход от клиента-гиперскейлера по нашим продуктам DRAM 1γ для серверов», — добавил он. Капитальные затраты компании за квартал составили $4,9 млрд, в основном из-за инвестиций в производство DRAM.

У Micron есть шесть клиентов-покупателей памяти HBM. Компания сообщила, что доля поставок HBM, вероятно, снова вырастет и будет соответствовать общей доле DRAM на рынке в III квартале этого календарного года. Поскольку ожидается, что объём рынка HBM в 2026 году составит $50–60 млрд, ожидаемая доля Micron в 22,5 % составит $12,58 млрд, то есть, по $3,1 млрд в квартал, подсчитал Blocks & Files. Micron заявила, что к 2030 году объём целевого рынка HBM достигнет $100 млрд. «Цена на HBM4 на самом деле значительно выше, чем на HBM3E», — сообщил агентству Reuters директор по развитию бизнеса Сумит Садана (Sumit Sadana). «Из-за очень напряженной ситуации в отрасли… мы ожидаем довольно высокой окупаемости инвестиций в наш бизнес HBM», — добавил он.

Micron прогнозирует продажи в I квартале 2026 финансового года в размере $12,50 млрд ± $300 млн, по сравнению со средним прогнозом аналитиков в $11,94 млрд, согласно данным, собранным LSEG. Micron также прогнозирует скорректированную валовую прибыль в размере 51,5 % ± 1,0 %, что значительно выше прогнозируемых аналитиками 45,9 %. Рост валовой прибыли обусловлен «лучшей, чем ожидалось, ценовой конъюнктурой», отметил Киннгай Чан (Kinngai Chan), аналитик Summit Insights. Micron заявила, что ожидает рост продаж решений для серверов в 2025 календарном году примерно на 10 %, что «выше предыдущих ожиданий на уровне нескольких процентов», при этом рост как в ИИ-сегментах, так и в сегментах традиционных серверов будет способствовать увеличению спроса на оперативную память.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серий 6600 ION, 7600 и 9650 для дата-центров и систем корпоративного класса. Новинки, подходящие в том числе для ресурсоёмких нагрузок ИИ, предлагаются в различных форм-факторах — U.2, E1.S и E3.S.

Изделия Micron 6600 ION оптимизированы для сред, в которых постоянно генерируются и обрабатываются большие массивы данных: это может быть, например, инфраструктура интернета вещей (IoT). Устройства выполнены на основе флеш-чипов G9 QLC NAND, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны исполнения E3.S 1T и U.2.

В семейство Micron 6600 ION входят модификации вместимостью 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. В I половине 2026 года появится вариант ёмкостью 245 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении блоков данных по 4 Кбайт составляет до 2 млн, при произвольной записи — до 100 тыс. Показатель надёжности достигает 1 DWPD (полная перезапись в сутки) при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 DWPD при случайном доступе.

Источник изображений: Micron

Накопители серии Micron 7600, в свою очередь, подходят для задач ИИ. Устройства выпускаются в форматах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). Применены чипы флеш-памяти G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательных чтения и записи — до 12 000 и 7000 Мбайт/с соответственно.

Покупатели смогут выбирать между модификациями Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. В первом случае вместимость варьируется от 1,92 до 15,36 Тбайт, а надёжность находится на уровне 1 DWPD (на протяжении пяти лет). Величина IOPS — до 2,1 млн при чтении и до 400 тыс. при записи. В случае Micron 7600 Max ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт, показатель DWPD равен 3. Значение IOPS — до 2,1 млн при произвольном чтении и до 675 тыс. при произвольной записи. Micron заявляет о задержке менее 1 мс при 99,9999 % операций.

Изделия Micron 9650 специально разработаны для обучения ИИ-моделей, инференса в режиме реального времени и других задач, при которых критическое значение имеют производительность и стабильная пропускная способность. Устройства в форм-факторах E3.S и E1.S оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0). Используются чипы флеш-памяти G9 TLC NAND. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на уровне 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — 14 000 Мбайт/с. Устройства E1.S допускают применение жидкостного охлаждения.

Серия включает версии Micron 9650 Pro (1 DWPD) и Micron 9650 Max (3 DWPD) вместимостью 7,68–30,72 и 6,4–25,6 Тбайт соответственно. Показатель IOPS при произвольном чтении достигает 5,5 млн, при произвольной записи — 1,1 млн у Pro и 1,5 млн у Max.

Максимальное энергопотребление у всех представленных изделий находится на уровне 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) — 2,5 млн часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки устройств Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а SSD серии Micron 6600 ION выйдут позднее в текущем квартале. 

Компании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Компании Micron и Astera Labs в ходе мероприятия DesignCon 2025 продемонстрировали самый быстрый в мире SSD — устройство формата E3.S, оснащённое интерфейсом PCIe 6.0. В тестовой системе новинка показала скорость передачи данных свыше 27 Гбайт/с.

Работа накопителей продемонстрирована в составе платформы, оборудованной коммутационным чипом Astera Scorpio Smart Fabric Switch P-Series, который поддерживает до 64 линий PCIe 6.0. Это изделие предназначено для обеспечения высокоскоростной передачи данных между CPU, GPU и узлами хранения в кластерах HPC и ИИ.

В тестовой системе были задействованы два накопителя Micron SSD PCIe 6.0 неназванной вместимости, а также ускоритель NVIDIA H100. При этом технология NVIDIA Magnum IO GPUDirect (GDS) отвечала за прямой обмен данными между SSD и GPU, минуя остальные компоненты системы. В результате, на каждом из SSD показана скорость чтения информации в 27,14 Гбайт/с.

Источник изображения: Astera Labs

Как отмечает ресурс Tom's Hardware, достигнутый результат практически вдвое превышает показатели одного из самых быстрых на сегодняшний день накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4 — устройства Crucial T705, у которого скорость чтения достигает 14,5 Гбайт/с.

В августе прошлого года компания Micron заявляла, что новые SSD с интерфейсом PCIe 6.0 смогут обеспечить пропускную способность при последовательном чтении более 26 Гбайт/с. Но демонстрация в рамках DesignCon 2025 говорит о том, что фактические значения могут оказаться даже выше при использовании определённых аппаратных компонентов. Информации о сроках начала массовых поставок накопителей пока нет.

Несмотря на рекордный рост выручки в I квартале 2025 финансового года, увеличившейся год к году на 84 %, акции Micron упали после публикации квартального отчёта на 16 % в четверг, ставший худшим днём для компании на бирже с марта 2020 года и начала пандемии COVID-19. Виной тому был слабый прогноз на II финансовый квартал, разочаровавший инвесторов.

«Негативная реакция рынка отражает обоснованные опасения по поводу невыполнения прогнозов выручки на $1 млрд и краткосрочной слабости спроса на традиционных рынках, таких как ПК, автомобили и промышленные рынки», — сказал Майкл Эшли Шульман (Michael Ashley Schulman), партнёр и главный инвестиционный директор Running Point Capital Advisors.

Генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил в ходе отчёта за I квартал 2025 финансового года, завершившийся 28 ноября, что сейчас наблюдается более медленный рост в части потребительских устройств и «корректировка запасов» у компаний-партнёров. Он также отметил, что выручка от продуктов для ЦОД впервые превысила 50 % всей выручки компании.

Источник изображений: Microsoft

Выручка Micron составила $8,71 млрд, превысив показатель аналогичного квартала в 2024 финансовом году в размере $4,73 млрд и предыдущего квартала в размере $7,75 млрд, что в целом соответствует оценкам аналитиков, согласно данным, собранным LSEG. Рост был обусловлен 400-процентным ростом выручки продуктов для ЦОД, в основном из-за спроса на ИИ, сообщила Micron. Это была самая высокая выручка Micron в I квартале за последние 10 лет. Скорректированная прибыль (non-GAAP) на акцию равняется $1,79, что выше средней оценки аналитиков, опрошенных LSEG, в размере $1,75.

Выручка от DRAM составила $6,4 млрд, увеличившись на 86,8 % в годовом исчислении. Продажи памяти NAND составили $22 млрд, что представляет собой рост на 78,9 % в годовом исчислении, но последовательное падение на 5 %, поскольку общее количество отгруженных битов сократилось вместе со средними продажными ценами. Драйвером выручки были продажи решений для ЦОД, выросшие более чем на 400 % в годовом исчислении и на 40 % последовательно, достигнув рекордного уровня.

Выручка от продаж крупнейшему клиенту-провайдеру ЦОД составила примерно 13 % от общего дохода — $1,13 млрд. Был также получен рекордный доход от поставок SSD для ЦОД и установлены новые рекорды по доле рынка SSD для ЦОД и общего объёма SSD. Поставки памяти HBM превысили план, и более чем вдвое — показатель предыдущего квартала.

Подразделение Compute and Networking (CNBU) получило выручку в размере $4,4 млрд (рост год к году на 153,3 %), мобильное подразделение (Mobile, MBU) — $1,5 млрд (рост на 16 %). У подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) выручка составила $1,1 млрд (рост — 6,1 %), у подразделения решений для СХД (SBU) — $1,7 млрд (рост — 160,3 %).

«Хотя часть бизнеса Micron, связанная с ЦОД ИИ, остается устойчивой, очевидно, что более медленные, чем ожидалось, продажи потребительских ПК, смартфонов и автомобилей влияют на перспективы компании и застали рынок врасплох», — сообщил агентству Reuters Боб О'Доннелл (Bob O'Donnell), президент и главный аналитик TECHnalysis Research.

Компания, один из трёх поставщиков чипов HBM наряду с южнокорейскими SK Hynix и Samsung, теперь сосредоточена на увеличении производства чипов HBM — к марту текущего года компания продала всю HBM3E-память, которую собиралась выпустить в 2024 году и начале 2025 года. «Наш ассортимент продукции смещается в сторону большего количества продуктов, которые необходимы на рынке», — заявил Мехротра в ходе телефонной конференции с аналитиками.

Micron сообщила, что во II финансовом квартале ожидает выручку в размере $7,90 млрд ± $200 млн, и скорректированную прибыль (non-GAAP) на акцию в размере $1,43 ± $0,10. В свою очередь, аналитики, опрошенные LSEG, ожидают выручку в размере $8,98 млрд и скорректированную прибыль (non-GAAP) на акцию в размере $1,91.

«Micron занимает самую сильную конкурентную позицию за всю свою историю, и мы продолжаем наращивать долю во всех высокорентабельных, стратегически важных категориях продуктов в нашей отрасли, сохраняя при этом общую стабильную долю рынка как DRAM, так и NAND», — подчеркнул Мехротра. «Хотя потребительские рынки в краткосрочной перспективе слабее, мы ожидаем возвращения к росту во II половине нашего финансового года», — добавил он.

Micron представила SSD 6550 ION, который позиционируется как самый быстрый в мире 61,44-Тбайт накопитель для ЦОД и первый в мире накопитель стандарта PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0b) в форм-факторе E3.S с такой ёмкостью. Новинка подходит для растущих рабочих нагрузок ИИ, обеспечивая при этом лучшую в своем классе производительность и до 20 % более низкое энергопотребление по сравнению с накопителями конкурирующих брендов.

Нюанс в том, что самым быстрым Micron 6550 ION является именно при таком сочетании ёмкости, форм-фактора и интерфейса, а сравнение делается с решениями Samsung, Solidigm и Western Digital, но не Kioxia. Типовое энергопотребление у новинок не превышает 20 Вт. Точно такой же показатель есть у одной из моделей Western Digital, но решение Micron быстрее. 6550 ION соответствует стандарту OCP 2.5 и имеет активное управление питание (ASPM). Это позволяет накопителю потреблять в режиме ожидания 4 Вт в состоянии L1 против 5 Вт в состоянии L0, что до 20 % повышает энергоэффективность в простое.

Источник изображений: Micron

6550 ION подходят для создания озёр данных для ИИ, для приёма, подготовки данных и создания контрольных точек во время обучения, для хранения файлов и объектов, создания публичных облачных хранилищ, обслуживания аналитических баз данных, а также для систем доставки контента. Также сообщается, что 6550 ION обеспечивает ведущую в отрасли плотность хранения, позволяя клиентам сократить площадь ЦОД до 67 %, обеспечивая плотность на уровне 1,2 Пбайт/1U.

Скорость последовательного чтения/записи 6550 ION достигает 12,5/5,0 Гбайт/с. Значение IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт — до 1,6 млн при произвольном чтении и до 70 тыс. при произвольной записи. 6550 ION может быть полностью записан за 3,4 часа, в то время как конкурирующие диски заполняются на 150 % дольше, отмечает компания.

Источник: ServeTheHome

Кроме того, 6550 ION также превосходит SSD аналогичной ёмкости в критических ИИ-нагрузках, включая работу с NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage (GDS), работу с блоками данных 4 Кбайт при обучении некоторых сетей и создание контрольных точек во время обучения ИИ. При тренировке LLM с с миллиардами параметров контрольные точки создаются довольно часто, а ускорители могут простаивать десятки минут, пока данные сбрасываются на SSD.

Источник: ServeTheHome

Micron 6550 ION доступен в форм-факторах E3.S (1T), U.2 и E1.L и имеет ёмкость 30,72 или 61,44 Тбайт. Кроме того, сообщается, что 6550 ION предлагает ведущий в отрасли набор функций безопасности, включая SPDM 1.2 для аттестации и SHA-512 для безопасной генерации подписей. Он соответствует требованиям TAA и сертифицирован по стандарту FIPS 140-3 L2.

Накопитель имеет надёжность на уровне 1,0 RDWPD при записи случайных блоков на 16 Кбайт, а для 4-Кбайт блоков — 0,25 RDWPD. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. Показатель MTTF составляет 2,5 млн часов. Гарантия производителя — 5 лет. Также отмечается, что 6550 ION полностью состоит из компонентов, изготовленных самой Micron.

Компания Micron Technology сообщила о начале пробных поставок 12-ярусных (12-Hi) чипов памяти HBM3E, предназначенных для высокопроизводительных ИИ-ускорителей. Изделия проходят квалификацию в экосистеме отраслевых партнёров, после чего начнутся их массовые отгрузки.

Новые чипы имеют ёмкость 36 Гбайт, что на 50 % больше по сравнению с существующими 8-слойными вариантами HBM3E (24 Гбайт). При этом, как утверждает Micron, достигается значительно более низкое энергопотребление. Благодаря применению 12-ярусных чипов HBM3E крупные модели ИИ, такие как Llama 2 с 70 млрд параметров, могут запускаться на одном ускорителе.

Источник изображений: Micron

Заявленная пропускная способность превышает 9,2 Гбит/с на контакт, что в сумме обеспечивает свыше 1,2 Тбайт/с. Появление новой памяти поможет гиперскейлерам и крупным операторам дата-центров масштабировать растущие рабочие нагрузки ИИ в соответствии с запросами клиентов.

Реализована полностью программируемая функция MBIST (Memory Built-In Self Test), которая способна работать на скоростях, соответствующих системному трафику. Это повышает эффективность тестирования, что позволяет сократить время вывода продукции на рынок и повысить надёжность оборудования. При изготовлении памяти HBM3E компания Micron применяет современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Нужно отметить, что о разработке 12-слойных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт в начале 2024 года объявила компания Samsung. Эти решения обеспечивают пропускную способность до 1,28 Тбайт/с. По данному показателю, как утверждается, чипы более чем на 50 % превосходят доступные на рынке 8-слойные стеки HBM3. Наконец, старт массового производства 12-Hi модулей HBM3E от SK hynix с ПСП 1,15 Тбайт/с намечен на октябрь.