Micron представила SSD 6550 ION, который позиционируется как самый быстрый в мире 61,44-Тбайт накопитель для ЦОД и первый в мире накопитель стандарта PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0b) в форм-факторе E3.S с такой ёмкостью. Новинка подходит для растущих рабочих нагрузок ИИ, обеспечивая при этом лучшую в своем классе производительность и до 20 % более низкое энергопотребление по сравнению с накопителями конкурирующих брендов.

Нюанс в том, что самым быстрым Micron 6550 ION является именно при таком сочетании ёмкости, форм-фактора и интерфейса, а сравнение делается с решениями Samsung, Solidigm и Western Digital, но не Kioxia. Типовое энергопотребление у новинок не превышает 20 Вт. Точно такой же показатель есть у одной из моделей Western Digital, но решение Micron быстрее. 6550 ION соответствует стандарту OCP 2.5 и имеет активное управление питание (ASPM). Это позволяет накопителю потреблять в режиме ожидания 4 Вт в состоянии L1 против 5 Вт в состоянии L0, что до 20 % повышает энергоэффективность в простое.

Источник изображений: Micron

6550 ION подходят для создания озёр данных для ИИ, для приёма, подготовки данных и создания контрольных точек во время обучения, для хранения файлов и объектов, создания публичных облачных хранилищ, обслуживания аналитических баз данных, а также для систем доставки контента. Также сообщается, что 6550 ION обеспечивает ведущую в отрасли плотность хранения, позволяя клиентам сократить площадь ЦОД до 67 %, обеспечивая плотность на уровне 1,2 Пбайт/1U.

Скорость последовательного чтения/записи 6550 ION достигает 12,5/5,0 Гбайт/с. Значение IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт — до 1,6 млн при произвольном чтении и до 70 тыс. при произвольной записи. 6550 ION может быть полностью записан за 3,4 часа, в то время как конкурирующие диски заполняются на 150 % дольше, отмечает компания.

Источник: ServeTheHome

Кроме того, 6550 ION также превосходит SSD аналогичной ёмкости в критических ИИ-нагрузках, включая работу с NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage (GDS), работу с блоками данных 4 Кбайт при обучении некоторых сетей и создание контрольных точек во время обучения ИИ. При тренировке LLM с с миллиардами параметров контрольные точки создаются довольно часто, а ускорители могут простаивать десятки минут, пока данные сбрасываются на SSD.

Источник: ServeTheHome

Micron 6550 ION доступен в форм-факторах E3.S (1T), U.2 и E1.L и имеет ёмкость 30,72 или 61,44 Тбайт. Кроме того, сообщается, что 6550 ION предлагает ведущий в отрасли набор функций безопасности, включая SPDM 1.2 для аттестации и SHA-512 для безопасной генерации подписей. Он соответствует требованиям TAA и сертифицирован по стандарту FIPS 140-3 L2.

Накопитель имеет надёжность на уровне 1,0 RDWPD при записи случайных блоков на 16 Кбайт, а для 4-Кбайт блоков — 0,25 RDWPD. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. Показатель MTTF составляет 2,5 млн часов. Гарантия производителя — 5 лет. Также отмечается, что 6550 ION полностью состоит из компонентов, изготовленных самой Micron.

Компания Micron Technology сообщила о начале пробных поставок 12-ярусных (12-Hi) чипов памяти HBM3E, предназначенных для высокопроизводительных ИИ-ускорителей. Изделия проходят квалификацию в экосистеме отраслевых партнёров, после чего начнутся их массовые отгрузки.

Новые чипы имеют ёмкость 36 Гбайт, что на 50 % больше по сравнению с существующими 8-слойными вариантами HBM3E (24 Гбайт). При этом, как утверждает Micron, достигается значительно более низкое энергопотребление. Благодаря применению 12-ярусных чипов HBM3E крупные модели ИИ, такие как Llama 2 с 70 млрд параметров, могут запускаться на одном ускорителе.

Источник изображений: Micron

Заявленная пропускная способность превышает 9,2 Гбит/с на контакт, что в сумме обеспечивает свыше 1,2 Тбайт/с. Появление новой памяти поможет гиперскейлерам и крупным операторам дата-центров масштабировать растущие рабочие нагрузки ИИ в соответствии с запросами клиентов.

Реализована полностью программируемая функция MBIST (Memory Built-In Self Test), которая способна работать на скоростях, соответствующих системному трафику. Это повышает эффективность тестирования, что позволяет сократить время вывода продукции на рынок и повысить надёжность оборудования. При изготовлении памяти HBM3E компания Micron применяет современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Нужно отметить, что о разработке 12-слойных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт в начале 2024 года объявила компания Samsung. Эти решения обеспечивают пропускную способность до 1,28 Тбайт/с. По данному показателю, как утверждается, чипы более чем на 50 % превосходят доступные на рынке 8-слойные стеки HBM3. Наконец, старт массового производства 12-Hi модулей HBM3E от SK hynix с ПСП 1,15 Тбайт/с намечен на октябрь.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.