Компания Sandisk анонсировала SSD семейств NAS 600 и NAS 800, разработанные специально для сетевых хранилищ. Изделия, построенные на основе чипов флеш-памяти TLC 3D NAND, обеспечиваются пятилетней гарантией. Продажи начнутся в следующем месяце.

Решения NAS 600 выполнены в SFF-стандарте с толщиной корпуса 7 мм; применен интерфейс SATA-3. В серию вошли модели вместимостью 500 Гбайт, а также 1, 2 и 4 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения данных у всех версий достигает 560 Мбайт/с, а скорость последовательной записи варьируется от 505 до 520 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении — от 74 тыс. до 87 тыс., при произвольной записи — от 74 тыс. до 77 тыс. Величина DWPD (полных перезаписей в сутки) составляет от 0,33 до 0,38 на протяжении пяти лет. Значение MTTF (средняя наработка на отказ) достигает 2,25 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Источник изображений: Sandisk

В свою очередь, накопители NAS 800 выполнены в формате M.2 2280 и снабжены интерфейсом PCIe 5.0 (NVMe). В эту серию входят варианты ёмкостью 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Скорость чтения составляет до 14 900 Мбайт/с, скорость записи — до 13 200 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении — до 2,3 млн, при произвольной записи — до 2 млн. Устройства рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (1 DWPD) в течение пяти лет. Показатель MTTF — до 1,75 млн часов. Такие SSD могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +85 °C.

Все новинки рассчитаны на работу в составе NAS в круглосуточном режиме 24/7. Цена накопителей NAS 600 в зависимости от вместимости составляет от $180 до $1000, устройств NAS 800 — от $310 до $2200.

Спустя всего несколько дней после презентации совместно с SK hynix первых спецификаций стандарта High Bandwidth Flash (HBF), компания SanDisk объявила о завершении финального этапа проектирования (стадии tape-out) первого кристалла HBF, продемонстрировав его образец на слайде. Заодно компания сообщила подробности о своей стратегии роста и долговременной экономической модели.

В HBF используется многослойная архитектура NAND вместо DRAM с размещением её рядом с ускорителем, подобно HBM. HBF использует запатентованную технологию, которая помогает уменьшить напряжение и деформацию кристалла и улучшить теплопроводность, позволяя использовать многослойную структуру из 16 кристаллов для достижения целевой ёмкости и пропускной способности.

Источник изображений: SanDisk

Как сообщила SanDisk, первое поколение HBF нацелено на 512 Гбайт на один стек — 16 кристаллов по 256 Гбайт с общей пропускной способностью 1,6 Тбайт/с при чтении. SanDisk утверждает, что HBF обеспечивает в 8–16 раз большую ёмкость, чем HBM, при аналогичной стоимости и в упаковке, по размерам, высоте стека и энергопотреблению практически не уступающем HBM4. А поскольку это NAND-память, она энергонезависима.

Ожидается, что второе и третье поколение HBF обеспечат скорость чтения, превышающую 2 и 3,2 Тбайт/с соответственно, а ёмкость многослойной структуры достигнет 1 и 1,5 Тбайт на стек. При этом они будут потреблять соответственно в 0,8 и 0,64 раза меньше энергии, чем память первого поколения. Как сообщает StorageReview.com, в презентации SanDisk были чётко обозначены целевые рабочие нагрузки HBF: LLM с MoE-архитектурой, длинные контекстные окна и большие KV-кеши — всё с учётом предложений крупных клиентов в области облачных вычислений и ИИ.

В представленной презентации также указаны три варианта развёртывания памяти HBF в рамках одного XPU. Она может дополнять HBM, заполняя некоторые позиции в стеке вокруг xPU, или полностью заменять её, занимая аналогичную площадь. Либо же она будет хранить веса декодирования и KV-кеши, тогда как HBM (меньшего объёма) будет работать как кеш. Эта гибкость важнее, чем кажется на первый взгляд, поскольку позволяет использовать HBF, не требуя от производителя ускорителя отказа от HBM.

SanDisk показала результаты внутренних тестов генерации токенов для одного GPU c HBF, четырёх GPU с HBF и восемью GPU с HBM. На основе тестов компания сделала два заявления. Первое — о восьмикратном увеличении эффективности капитальных затрат исходя из минимальной конфигурации, необходимой для запуска модели: один GPU с HBF против восьми GPU с HBM. Второе — о двукратном увеличении эффективности GPU: четыре GPU с HBF выдают тот же объём токенов, что и восемь GPU с HBM.

HBF показывает результат, отличающийся от HBM с высокой пропускной способностью всего на 2,2 % при чтении весов для Llama 3.1 405B. Следует учесть, что речь идёт о предварительных данных самой SanDisk, где, например, не даны точные значения по скорости генерации токенов. Но в целом компания говорит о том, что увеличение объёма набортной памяти ускорителя в 8–16 раз при той же пропускной способности и примерно той же мощности, что у HBM, потребует меньшего количества ускорителей для хранения одной и той же модели, а сами ускорители будут тратить меньше времени на ожидание данных.

Как сообщает TrendForce со ссылкой на Mizuho Securities и Goldman Sachs, компания планирует выпустить первые образцы HBF в 2027 году, а массовое производство, как ожидается, начнётся в 2028 году. В Mizuho Securities полагают, что HBF вряд ли полностью заменит HBM, но позволит создавать дезагрегированные архитектуры для ИИ-инференса — консорциум HBF, куда входят Google, Meta✴, SK hynix и Tenstorrent, работает над развитием этого подхода.

TrendForce полагает, что в долгосрочной перспективе выиграет гибридная архитектура, где HBM будет использоваться для высокоскоростных вычислений, а HBF — для повышения плотности хранения. Такая иерархия памяти может стать ключевым фактором крупномасштабной коммерциализации ИИ.

SK Hynix и Sandisk представили первые спецификации высокоскоростной флеш-памяти (HBF), технологии хранения данных следующего поколения, разработкой которых они занимались с прошлого года. В феврале SK Hynix и Sandisk запустили проект по стандартизации HBF в рамках Open Compute Project (OCP). Google и Tensorrent уже присоединились к нему, и ожидается, что к ним подключатся и другие компании.

Теперь спецификации находятся в открытом доступе для любой компании, разрабатывающей системы ИИ-инференса или ускорители. Они охватывают до 512 Гбайт ёмкости на основе двух конфигураций стека с 8 и 16 слоями NAND с тремя уровнями пропускной способности (Класс 1–3) в пределах от 0,4 до 3,0 Тбайт/с. SK hynix отметила, что ключевым моментом является использование UCIe, это закладывает основу для гибкой интеграции технологии HBF в различные типы процессоров, включая GPU и CPU.

В документе определены интерфейс хоста xPU-HBF, электрические спецификации, базовые ожидания по производительности, рекомендации по надёжности и упаковке стека кристаллов HBF, а также руководство пользователя по ПО для операций чтения и записи. Компании разработали спецификацию таким образом, чтобы HBF мог сосуществовать с HBM в одной системе, а не заменять его, отметил ресурс StorageReview.com. Расчёт ёмкости такой же, что и при переносе KV-кеша на флеш-память: хранение контекста на более дешевом и плотном уровне увеличивает количество токенов и пользователей, которые может обслуживать каждый ускоритель.

Источник изображения: SK hynix

Sandisk и SK Hynix объявили свою стратегию: ранняя и открытая публикация в рамках OCP, чтобы позиционировать HBF как де-факто стандарт для рынка хранения данных для ИИ до того, как конкуренты создадут альтернативу. «Вычисления в ИИ создают новый набор требований к памяти, и технология HBF разработана для удовлетворения этих требований, — сообщила Sandisk, назвав спецификации важной вехой «для следующего поколения ИИ-систем, созданных для улучшения экономики токенов в масштабе».

«С быстрым распространением ИИ-приложений мы достигли точки, когда необходимо перепроектировать общие структуры обработки данных, — сказала SK hynix, — С помощью HBF SK hynix расширит границы между памятью и хранилищем и внесёт свой вклад в создание новых архитектур, повышающих общую эффективность системы».

Выросший спрос на память, обусловленный стремительным развитием ИИ-технологий, привёл к более чем 20-кратному росту цен на NAND-память, пишет Digitimes. Как утверждает компания SanDisk, увеличившийся разрыв в ценах между NAND-памятью и жёсткими дисками (HDD) поставил под сомнение экономическую целесообразность замены HDD на твердотельные накопители (SSD) в ИИ ЦОД.

Роберт Содербери (Robert Soderbery), глава подразделения флеш-памяти SanDisk, заявил на семинаре Bernstein Research, что разница в стоимости 1 Гбайт ёмкости NAND и HDD увеличилась примерно до 20–25 раз, что значительно превышает порог разницы в 2–3 раза, достаточный для перехода крупных поставщиков облачных услуг (CSP) на NAND-память исходя из показателя общей стоимости владения (TCO). Это делает замену HDD на NAND экономически непривлекательной и приводит к переоценке операторами ИИ ЦОД архитектуры памяти. При этом часть спроса с высокой вероятностью сместится с NAND на HDD.

В ходе квартальных отчётов SanDisk, Seagate и Western Digital сообщили, что уже заключили долгосрочные контракты сроком от трёх до пяти лет на поставку своей продукции. Как отметил Digitimes, производители NAND остаются консервативными в вопросе объёмов поставок после многих лет убытков, и нет никаких признаков расширения дуополии производителей жёстких дисков Seagate и Western Digital.

Источник изображения: Barez Omer / Unsplash

В то время как традиционные ЦОД используют малоёмкие корпоративные SSD для вычислительных нагрузок и Nearline HDD для хранения данных, расширение инфраструктуры ИИ ЦОД изменило эту тенденцию. Для задач ИИ предварительная обработка данных требует чрезвычайно высокой производительности подсистем хранения — чего не могут обеспечить традиционные Nearline HDD, — что создаёт взрывной спрос на корпоративные SSD большой ёмкости.

Спрос на NAND-память распределён неравномерно по техпроцессам. Высокопроизводительная NAND-память большой ёмкости, необходимая для ИИ-задач, должна производиться на новейших узлах седьмого–девятого поколений. В связи с недостаточными инвестициями производителей NAND-памяти в капитальные затраты на мощности новейших производств приходится лишь около 30–35 % от общего объёма выпуска памяти в отрасли. Несмотря на резкий рост цен, производители NAND не спешат расширять производство, поскольку, по словам Содербери, окупаемость инвестиций всё ещё недостаточно привлекательна.

В течение последних 10 лет в индустрии жёстких дисков наблюдался избыток производственных мощностей, и компании не хотят повторения этой ошибки в планировании. Содербери также отметил, что индустрия NAND-памяти в течение пяти–девяти лет работала с убытками, и в целом у участников рынка нет уверенности в том, что нынешний высокий спрос сохранится и в дальнейшем. По его словам, от вложения средств до наращивания производства обычно проходит около 15 мес. Это означает, что цены должны продолжать расти и оставаться высокими в течение нескольких кварталов, прежде чем производители обретут достаточную уверенность, чтобы взять на себя обязательства по расширению производственных мощностей.

Источник изображения: Sandisk

По словам Содербери, производители NAND-памяти в настоящее время сосредоточены на переходе на более совершенные техпроцессы, а не просто на увеличении общего объёма производства. В свою очередь, Western Digital и Seagate, оставаясь основными поставщиками HDD, предпочитают не расширять производство до тех пор, пока не достигнут целевой рентабельности.

Он также отметил, что темпы снижения себестоимости NAND замедляются. По мере перехода NAND от планарного масштабирования к использованию 3D-архитектуры предельные выгоды от добавления большего количества слоёв уменьшаются, что замедляет темпы снижения стоимости. Тем временем технология HAMR позволяет производителям HDD ускорить снижение стоимости, и две кривые стоимости сходятся.

В итоге Содербери пришёл к выводу, что до момента, когда NAND-память станет реальной угрозой жёстким дискам, ещё далеко. Похожего мнения придерживаются и в VDURA. Вместе с тем в 2023 году исполнительный директор Everpure (тогда ещё Pure Storage) предсказал, что после 2028 года HDD больше будут использоваться в ЦОД. Однако менее чем за год ситуация резко изменилась.

Акции тайваньского производителя памяти Nanya Technology подорожали на 10 % после того, как в среду компания в частном порядке продала свои акции на сумму $2,5 млрд компаниям SanDisk, Solidigm (SK hynix), Cisco и Kioxia для расширения производства передовых чипов, сообщает Reuters.

Новый раунд финансирования был организован на фоне желания компании и её клиентов нарастить производственные мощности, поскольку покупателям очень нужен доступ к передовым чипам на фоне глобального дефицита, вызванного бумом ИИ. При этом пострадал не только рынок ИИ-решений, но и другие отрасли, требующие электронных компонентов, включая производство смартфонов, компьютеров и автомобилей. Быстрое развитие ИИ-инфраструктуры требует гигантских объёмов DRAM, NAND и HDD.

В компании подчеркнули, что привлечённые средства будут потрачены на инвестиции в производственные мощности для выпуска передовой памяти. Ключевым инвестором является компания SanDisk, в среду заявившая о намерении купить приблизительно 139 млн акций. По данным The Wall Street Journal, это около 3,9 % с учётом всех «разводнений». Всего компания вложила в покупку около NT$31 млрд ($969,69 млн), остальные компании — по NT$16 млрд.

Источник изображения: Nanya

Помимо инвестиций в ценные бумаги, SanDisk заключила с Nanya и многолетнее стратегическое соглашение, в рамках которого тайваньский производитель будет поставлять американской компании DRAM-модули памяти. Также долгосрочное соглашение о поставке DRAM заключила и Kioxia, сославшись на рост бизнеса, связанного с ростом спроса ИИ-проектов на SSD и необходимость обеспечить себе стабильные поставки DRAM-модулей, играющих в твердотельных накопителях вспомогательное значение.

Раунд финансирования состоялся вскоре после объявления SK Hynix, в среду заявившей о намерении выйти на IPO в США позже в 2026 году. Компания потенциально поможет привлечь $14 млрд. В марте Sandisk порекомендовала клиентам заключать долгосрочные контракты с предсказуемыми поставками памяти и, похоже, сама следует своим рекомендациям в делах с поставщиками.

По словам главы Sandisk Дэвида Геклера (David Goeckeler), компания стремится к заключению долгосрочных соглашений о поставке NAND-памяти клиентам, представляющим индустрию дата-центров. Рынок памяти находится на этапе структурных изменений, вызванных спросом со стороны ИИ-проектов.

Многолетние контракты обеспечат баланс предсказуемого спроса и привлекательных экономических условий — это позволит отойти от традиционно применявшейся в отрасли поквартальной модели ценообразования. Sandisk подчёркивает, что в новой реальности соглашения превратились из инструментов переговоров о ценах в критически важные механизмы обеспечения поставок, поскольку индустрия ЦОД нуждается в крупных и долгосрочных поставках NAND-памяти.

Sandisk рассчитывает, что на ЦОД будет приходиться крупнейшая доля рынка NAND-памяти в календарном 2026 году, рост составит 20–60 % в течение двух циклов прогнозирования. В минувшем квартале производитель сообщал о последовательном увеличении продаж в сегменте дата-центров на 64 %, после роста в 20 % в предыдущем отчётном периоде.

Источник изображения: Sandisk

Изменения свидетельствуют о фундаментальной трансформации рынка, поскольку гиперскейлерам требуется прогнозируемое предложение для удовлетворения растущих потребностей в оборудовании. Клиенты Sandisk уже передают компании прогнозы спроса до 2028 года включительно, теперь речь идёт об обсуждении соглашений сроком на 1–5 лет.

Sandisk стремится добиться привлекательных и стабильных финансовых результатов своей деятельности. Кроме того, компания рассчитывает сформировать портфолио механизмов фиксированного и гибкого ценообразования, чтобы обеспечить оптимальные результаты в разных рыночных условиях. Подчёркивается, что клиенты, готовые к долгосрочным обязательствам, получат приоритетные поставки в условиях дефицита предложения. Те, кто предпочитает договариваться ежеквартально, могут оказаться в менее выгодной ситуации, столкнувшись с нехваткой компонентов.

Sandisk намерена и дальше ежегодго наращивать производство памяти на уровне 15–19 %, к концу 2026 года основными станут чипы BiCS8. Слухи о возможном переходе к BiCS10 для удовлетворения спроса опровергаются — для закрытия текущих потребностей рынка достаточно имеющихся производственных мощностей.

Источник изображения: Sandisk

На SanDisk приходится приблизительно 25 % рынка периферийных вычислений. Сейчас она расширяет портфолио SSD для корпоративных клиентов. Проводятся квалификационные испытания продуктов гиперскейлерами, в т.ч. QLC SSD ёмкостью 128 Тбайт под кодовым названием Stargate, в финансовых отчётах поставки которых ещё не отмечены. Также совместно с южнокорейской SK Hynix разрабатывается память HBF. Ожидается, что прототипы соответствующих кристаллов появятся уже к концу 2026 года, а готовые для тестирования клиентами варианты — годом позже.

Работу совместного предприятия Sandisk и Kioxia продлили ещё на пять лет, т.е. Sandisk обеспечила себе производственные мощности до 2034 года. Благодаря этому компания сможет инвестировать в исследования и разработки на уровне, сопоставимом с лидерами рынка, сохраняя лидерство по минимизации издержек.

Sandisk объявила о подписании Меморандума о взаимопонимании (МОВ) с SK hynix, предусматривающего совместную разработку спецификации высокоскоростной флеш-памяти (HBF). В рамках сотрудничества компании планируют стандартизировать спецификацию, определить технологические требования и изучить возможность создания технологической экосистемы для высокоскоростной флеш-памяти.

Технология HBF, анонсированная Sandisk в феврале этого года, обеспечит ускорители быстрым доступом к большим объёмам памяти NAND, что позволит ускорить обучение и инференс ИИ без длительных обращений к PCIe SSD. Как и HBM, чип HBF состоит из слоёв, в данном случае NAND, с TSV-каналами, соединяющими каждый слой с базовым интерпозером, что обеспечивает быстрый доступ к памяти — на порядки быстрее, чем в SSD.

При сопоставимой с HBM пропускной способности и аналогичной цене HBF обеспечит в 8–16 раз большую, чем у HBM, ёмкость на стек. Вместе с тем HBF имеет более высокую задержку, чем DRAM, что ограничивает её применение определёнными рабочими нагрузками. На этой неделе Sandisk представила прототип памяти HBF, созданный с использованием фирменных технологий BiCS NAND и CBA (CMOS directly Bonded to Array).

Источник изображения: Sandisk

Меморандум о взаимопонимании подразумевает, что SK hynix может производить и поставлять собственные модули памяти HBF. Как отметил ресурс Blocks & Files, это подтверждает тот факт, что Sandisk осознаёт необходимость наличия рынка памяти HBF с несколькими поставщиками. Такой подход позволит гарантировать клиентам, что они не будут привязаны к одному поставщику. Также это обеспечит конкуренцию, которая ускорит разработку HBF.

Sandisk планирует выпустить первые образцы памяти HBF во II половине 2026 года и ожидает, что образцы первых устройств с HBF для инференса появятся в продаже в начале 2027 года. Это могут быть как портативные устройства, так и ноутбуки, десктопы и серверы.

Компания SanDisk анонсировала NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, разработанный для удовлетворения растущих потребностей в ИИ-системах и ресурсоёмких вычислениях. Новинка позиционируется как решение для крупномасштабных приложений — таких, как озёра данных ИИ, высокоскоростной приём данных и аналитика в реальном времени, — где требуется масштабный и быстрый доступ к информации. А в скором времени компания обещает создать накопитель ёмкостью 1 Пбайт.

Созданный на недавно анонсированной платформе UltraQLC, твердотельный накопитель SanDisk UltraQLC SN670 будет доступен в вариантах ёмкостью 256 и 128 Тбайт. В нём используется 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллом CBA (CMOS Direct Bonded to Array) объёмом 2 Тбит и контроллер с интерфейсом PCIe 5.0. Аналогичные чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA установлены в 245,76-Тбайт SSD компании Kioxia, производственного партнёра SanDisk.

Источник изображения: SanDisk

Используемая в SanDisk UltraQLC SN670 технология Direct Write QLC, позволяет обходиться без традиционной буферизации SLC, осуществляя безопасную запись непосредственно на слои QLC без потерь при отключении питания. Как отметил ресурс Blocks & Files, обычно это приводит к снижению производительности по сравнению с аналогичными накопителями, использующими кеш SLC, если только не используются дополнительные усовершенствования для ускорения процесса.

Функция динамического масштабирования частоты (Dynamic Frequency Scaling) обеспечивает рост производительности до 10 % при заданном уровне энергопотребления. Для поддержания пропускной способности и долговечности при экстремальных объёмах записи в SN670 используется масштабируемый многоядерный контроллер. Обновлённый профиль Data Retention (DR) позволяет сократить число циклов обновления данных на 33 %, что повышает надёжность накопителя и снижает энергопотребление.

Обе версии накопителя SanDisk UltraQLC SN670 объёмом 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в форм-факторе U.2 в I половине 2026 года. Ожидается, что в течение года появятся и другие форм-факторы. Если SN670 будет готов к апрелю 2026 года, это, по мнению Blocks & Files, означает, что на доработку накопителя потребуется ещё около восьми месяцев. Вероятно, именно поэтому компания пока не раскрывает информацию о производительности и надёжности — накопитель и контроллер, по всей видимости, ещё не прошли финальное тестирование.

Sandisk объявила итоги III квартала 2025 финансового года, завершившегося 28 марта. Выручка компании составила $1,7 млрд, что меньше на 0,6 % в годовом исчислении и на 10 % меньше, чем в предыдущем квартале, но выше прогнозного диапазона.

С учётом обесценивания гудвилла в размере $1,83 млрд был зафиксирован убыток (GAAP) в размере $1,93 млрд или $13,33 на разводнённую акцию, тогда как годом ранее была прибыль в размере $27 млн или $,19 на разводнённую акцию. Скорректированные убытки (Non-GAAP) на разводнённую акцию составили $0,30, в то время как год назад у компании была скорректированная прибыль в размере $0,57 на разводнённую акцию.

Выручка сегмента облачных вычислений (ЦОД) снизилась на 21 % последовательно, но выросла на 103 % год к году до $197 млн. Sandisk заявила, что расширила свою долю на рынке гиперскейлеров, при этом им было отправлено 12 % всего объёма её поставок в битах по сравнению с 8 % годом ранее.

Источник изображений: Sandisk

Выручка в сегменте клиентских решений снизилась на 10 % последовательно и год к году до $927 млн, а в сегменте решений для потребителей составила $571 млн, почти не изменившись год к году и снизившись на 5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Как сообщает Blocks & Files, финансовый директор Луис Висосо (Luis Visoso) говоря об обесценении гудвилла, пояснил: «В этом квартале мы оценили наш гудвилл на предмет потенциального обесценения после количественного теста в соответствии со стандартами бухгалтерского учёта с привлечением специалистов. Мы пришли к выводу, что баланс гудвилла был обесценен, и зафиксировали неденежное обесценение в размере $1,83 млрд. В результате наш остаток гудвилла на конец квартала сократился до $5 млрд».

Как отметил гендиректор Sandisk Дэвид Геккелер (David Goeckeler), средние цены на NAND-память снизились на высокие однозначные числа в процентах, отражая сохраняющийся избыток предложения на рынке, в то время как компания ожидала снижение цен в пределах средних однозначных чисел. В связи с этим было принято решение работать с недогруженными производственными мощностями до тех пор, пока спрос и предложение не будут сбалансированы, и не будет зафиксировано устойчивое восстановление цен.

Геккелер сообщил, что образцы 218-слойной памяти 3D QLC NAND на 2-Тбит кристаллах BiCS 8-го поколения «находятся в квалификации у ведущих поставщиков облачных услуг для использования в SSD ёмкостью 128 и 256 Тбайт». Он упомянул использование PCIe 5.0 и 6.0 для QLC-накопителей, добавив, что продукт ёмкостью 256 Тбайт может появиться в 2026 году.

Также компания планирует начать выпуск нового контроллера. «В ближайшие пару кварталов у нас выйдет новая архитектура, которую мы называем Stargate, новая ASIC, спроектированная с “чистого листа”, а затем, с BiCS 8 QLC… мы просто думаем, что это будет проект-динамит», — сказал Гёккелер.

Согласно оценкам Sandisk, отрасль NAND готова к устойчивому долгосрочному росту, при этом ожидается, что спрос к концу десятилетия приблизится к $100 млрд. «Мы ожидаем, что рост будет обусловлен экспоненциальным расширением объёмов данных, отчасти подпитываемым внедрением ИИ в облачные и периферийные приложения, а также циклами обновления ПК и мобильных устройств. В ЦОД мы продолжаем видеть значительные капиталовложения в появление новых рабочих нагрузок, управляемых ИИ, которые подпитывают использования корпоративных SSD и расширяют целевой рынок NAND», — подчеркнул Гёккелер. Он также отметил, что компания потратила значительные средства на НИОКР и производство памяти с большим количеством слоёв.

Коснувшись тарифной политики администрации США, Луис Висосо сообщил, что в компании исходят из того, что текущие пошлины останутся неизменными в течение квартала. «В настоящее время на нашу продукцию нет пошлин, за исключением поставок из Китая в США, которые облагаются пошлиной в 27,5 %. Для оценки перспективы, скажем что примерно 20 % нашей продукции, отправляемой в США, и более 95 % этого дохода поступает не из Китая», — указал финдиректор Sandisk.

Sandisk прогнозирует дальнейшее укрепление спроса на её продукцию в течение года. Прогноз компании по выручке на следующий квартал составляет $1,8 млрд ± $5 млн, что на 2,2 % больше в годовом исчислении в середине диапазона. По скорректированной прибыли (Non-GAAP) на акцию компания ожидает от –$0,10 до +$0,15.

Компания Sandisk, по сообщению TechRadar, обнародовала информацию о памяти нового типа 3D Matrix Memory, которая, как ожидается, в перспективе станет более доступной альтернативой DRAM. Работы над 3D Matrix Memory ведутся с 2017 года в сотрудничестве со специалистами международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра IMEC в Лёвене (Бельгия).

3D Matrix Memory использует архитектуру плотного массива с ячейками памяти нового типа. Говорится о совместимости с открытыми отраслевыми стандартами, такими как CXL. По утверждениям Sandisk, разрабатываемая технология позволит преодолеть ограничения в плане ёмкости и пропускной способности, с которыми столкнулись другие типы памяти на фоне стремительного развития ИИ.

Источник изображений: Sandisk

Для 3D Matrix Memory заявлен высокий уровень масштабируемости. Предполагается, что в перспективе такая память обеспечит в четыре раза большую ёмкость по сравнению с DRAM при сопоставимой производительности и двукратном снижении стоимости. Sandisk утверждает, что характеристики памяти 3D Matrix Memory с течением времени будут улучшаться, повышая её экономическую эффективность.

Изделия 3D Matrix Memory первого поколения будут обладать ёмкостью 32–64 Гбит. Одним из первых покупателей памяти станет Министерство обороны США, которое намерено использовать её в аэрокосмическом секторе. О сроках начала массового производства пока ничего не сообщается.

Нужно отметить, что ранее Sandisk предложила технологию флеш-памяти с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash), которая может стать альтернативой HBM (High Bandwidth Memory) в ИИ-ускорителях при решении определённых задач, таких как инференс. По сравнению с HBM использование HBF позволит увеличить объём памяти ИИ-карт в 8 или даже 16 раз при сопоставимой цене. Кроме того, Sandisk проектирует SSD сверхвысокой вместимости для дата-центров: накопители на фирменной платформе UltraQLC смогут вмещать до 1 Пбайт информации.