Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания QNAP Systems анонсировала сетевое хранилище NASbook TBS-h574TX в компактном «настольном» форм-факторе, ориентированное на профессиональных пользователей, которые занимаются видеомонтажом, созданием визуальных эффектов и анимации.

Устройство выполнено на аппаратной платформе Intel Alder Lake. Применён процессор Core i5-1235U с десятью ядрами (2P+8E), функционирующими на тактовой частоте до 4,4 ГГц. В состав чипа входит графический ускоритель Intel Iris Xe. Объём оперативной памяти составляет 16 Гбайт (без возможности расширения), интегрированной флеш-памяти — 5 Гбайт. Кроме того, доступны модификации с 12-ядерным чипом Core i5-1340PE (4P+8E) с тактовой частотой до 4,5 ГГц и 8-ядерным процессором Core i3-1320PE (4P+4E) с такой же максимальной частотой. Объём ОЗУ у этих версий составляет соответственно 16 и 12 Гбайт.

Новинка располагает пятью отсеками для накопителей. Могут устанавливаться SSD типоразмера E1.S толщиной до 15 мм с интерфейсом PCIe 3.0 x2 или M.2 2280 (NVMe) с радиатором охлаждения толщиной до 4,5 мм. Покупателям, в частности, предлагаются варианты с пятью предустановленными SSD стандарта E1.S вместимостью 1,92 или 3,84 Тбайт каждый с суммарной ёмкостью соответственно 9,6 и 19,2 Тбайт.

Источник изображений: QNAP

Хранилище оснащено сетевыми портами 2.5GbE и 10GbE, интерфейсом HDMI 1.4b, разъёмом USB 2.0, двумя портами USB 3.2 Gen2, а также двумя портами Thunderbolt 4, которые можно использовать для прямого подключения к рабочим станциям под управлением Windows и macOS.

Для охлаждения применяются два вентилятора диаметром 40 мм. Диапазон рабочих температур — от 0 до +40 °C. Габариты составляют 60 × 215 × 199 мм, масса — 2,24 кг (без установленных накопителей). Питание устройство получает от сетевого адаптера мощностью 120 Вт; заявленное типовое энергопотребление — 46 Вт. Производитель предоставляет трёхлетнюю гарантию.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

На мероприятии Global Memory Innovation Forum (GMIF) 2025 в Шэньчжэне (Китай) сразу несколько крупных компаний поделились планами по разработке SSD с интерфейсом PCIe 6.0, предназначенных для дата-центров и корпоративных инфраструктур.

В частности, Samsung работает над продуктами CMM-D с CXL 3.1 и PCIe 6.0, выпуск которых запланирован на следующий год. Дебютируют SSD семейства PM1763 с интерфейсом PCIe 6.0, которые, по утверждениям южнокорейского производителя, обеспечат вдвое большую производительность и значительно более высокую энергоэффективность по сравнению с нынешними накопителями. Энергопотребление заявлено на уровне 25 Вт.

Ориентировочно в 2027 году Samsung планирует выпустить SSD с интерфейсом PCIe 6.0 вместимостью до 512 Тбайт. Такие устройства будут предлагаться в форм-факторе EDSFF 1T. Кроме того, компания готовит флеш-память Z-NAND седьмого поколения с технологией GIDS (GPU-Initiated Direct Storage Access), которая позволит ИИ-ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM.

Источник изображения: Samsung

В свою очередь, Silicon Motion раскрыла дополнительную информацию о контроллере SM8466 с поддержкой PCIe 6.0, о разработке которого стало известно в январе нынешнего года. Это изделие обеспечит скорость последовательной передачи данных до 28 Гбайт/с и величину IOPS до 7 млн. Новый контроллер позволит создавать SSD ёмкостью до 512 Тбайт. Производиться решение будет на предприятии TSMC по 4-нм технологии. Выпуск первых SSD корпоративного класса на основе SM8466 намечен на 2026 год.

Источник изображения: Silicon Motion via Wccftech

Накопители PCIe 6.0 также проектирует InnoGrit. Эта компания в 2026-м намерена представить устройства, у которых показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) будет достигать 25 млн.

Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серий 6600 ION, 7600 и 9650 для дата-центров и систем корпоративного класса. Новинки, подходящие в том числе для ресурсоёмких нагрузок ИИ, предлагаются в различных форм-факторах — U.2, E1.S и E3.S.

Изделия Micron 6600 ION оптимизированы для сред, в которых постоянно генерируются и обрабатываются большие массивы данных: это может быть, например, инфраструктура интернета вещей (IoT). Устройства выполнены на основе флеш-чипов G9 QLC NAND, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны исполнения E3.S 1T и U.2.

В семейство Micron 6600 ION входят модификации вместимостью 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. В I половине 2026 года появится вариант ёмкостью 245 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении блоков данных по 4 Кбайт составляет до 2 млн, при произвольной записи — до 100 тыс. Показатель надёжности достигает 1 DWPD (полная перезапись в сутки) при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 DWPD при случайном доступе.

Источник изображений: Micron

Накопители серии Micron 7600, в свою очередь, подходят для задач ИИ. Устройства выпускаются в форматах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). Применены чипы флеш-памяти G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательных чтения и записи — до 12 000 и 7000 Мбайт/с соответственно.

Покупатели смогут выбирать между модификациями Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. В первом случае вместимость варьируется от 1,92 до 15,36 Тбайт, а надёжность находится на уровне 1 DWPD (на протяжении пяти лет). Величина IOPS — до 2,1 млн при чтении и до 400 тыс. при записи. В случае Micron 7600 Max ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт, показатель DWPD равен 3. Значение IOPS — до 2,1 млн при произвольном чтении и до 675 тыс. при произвольной записи. Micron заявляет о задержке менее 1 мс при 99,9999 % операций.

Изделия Micron 9650 специально разработаны для обучения ИИ-моделей, инференса в режиме реального времени и других задач, при которых критическое значение имеют производительность и стабильная пропускная способность. Устройства в форм-факторах E3.S и E1.S оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0). Используются чипы флеш-памяти G9 TLC NAND. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на уровне 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — 14 000 Мбайт/с. Устройства E1.S допускают применение жидкостного охлаждения.

Серия включает версии Micron 9650 Pro (1 DWPD) и Micron 9650 Max (3 DWPD) вместимостью 7,68–30,72 и 6,4–25,6 Тбайт соответственно. Показатель IOPS при произвольном чтении достигает 5,5 млн, при произвольной записи — 1,1 млн у Pro и 1,5 млн у Max.

Максимальное энергопотребление у всех представленных изделий находится на уровне 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) — 2,5 млн часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки устройств Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а SSD серии Micron 6600 ION выйдут позднее в текущем квартале. 

Компания Kioxia анонсировала первый в отрасли твердотельный накопитель NVMe, способный вместить 245,76 Тбайт информации. Устройство, вошедшее в семейство LC9, рассчитано прежде всего на рабочие нагрузки, связанные с генеративным ИИ.

SSD серии LC9 дебютировали в марте нынешнего года. Их основой служат чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Задействован неназванный проприетарный контроллер, совместимый с NVMe 2.0. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 x4 (с поддержкой двух портов).

Изначально в семействе LC9 были представлены решения в формате U.2 вместимостью до 122,88 Тбайт. Теперь максимальная ёмкость таких устройств увеличилась в два раза — до 245,76 Тбайт. Кроме того, в серии LC9 появились изделия типоразмера EDSFF E3.L на 245,76 Тбайт, а также EDSFF E3.S на 122,88 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Скорость последовательного чтения достигает 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 3 Гбайт/с. Это не самые высокие показатели для SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 5.0, но в данном случае Kioxia пришлось пойти на компромисс с целью достижения рекордной вместимости. Величина IOPS на операциях произвольного чтения составляет до 1,3 млн IOPS, на операциях произвольной записи — до 50 тыс. Накопители рассчитаны на 0,3 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD).

SSD поддерживают ряд функций для повышения надёжности и обеспечения целостности данных. Это средства защиты от внезапного отключения питания (PLP), технология FDP (Flexible Data Placement) для повышения долговечности, инструмент управления ошибками на основе контроля четности и пр. Реализованы шифрование AES-256 и алгоритмы постквантовой криптографии, устойчивые к атакам будущих квантовых компьютеров.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N651Si/N651Sc с увеличенной надёжностью. Устройства, выполненные на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND, предназначены для использования в индустриальной сфере.

Новинки, как утверждается, выдерживают до 11 тыс. циклов записи/стирания. Это на 120 % превышает соответствующий показатель для оригинальных накопителей N651Si/N651Sc, которые были доступны ранее: они рассчитаны на 5 тыс. циклов перезаписи. Изделия проходят комплексное тестирование на выносливость и стабильность работы, эффективность исправления ошибок и пр.

В SSD реализована фирменная технология AcuCurrent, обеспечивающая целостность сигнала при всех операциях. Эта система минимизирует ошибки и излишние повторные попытки чтения, что повышает срок службы и надёжность. Кроме того, обеспечивается стабильная производительность в широком диапазоне рабочих температур, который простирается от -40 до +85 °C.

Источник изображений: ATP

Вместе с тем средства PLP Diag предотвращают отказ механизма защиты от потери питания (PLP) путём упреждающей проверки функциональности и состояния полимерных танталовых конденсаторов: если они выходят из строя, накопитель переключается в режим Direct TLC, минуя DRAM-кеширование на операциях записи.

Новинки доступны в различных вариантах исполнения. В частности, изделия N651Si/N651Sc в формате M.2 2280 имеют вместимость от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6050 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении — до 1 091 000, при произвольной записи — до 1 245 000. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 76 400 Тбайт.

Кроме того, SSD серии N651Si предлагаются в форматах U.2 и E1.S. В обоих случаях ёмкость составляет от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Величина TBW — до 76 000 и 79 000 соответственно. Накопители U.2 обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 6000 Мбайт/с, тогда как значение IOPS при произвольных чтении и записи — до 870 000 и 1 230 000. У устройств E1.S скорости чтения и записи достигают 6400 Мбайт/с и 6100 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 1 000 000 и 1 200 000.

У всех новинок значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн ч. Реализована поддержка шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Модели формата M.2 2280 могут комплектоваться опциональным радиатором охлаждения толщиной 8 мм. Производитель предоставляет на SSD трёхлетнюю гарантию (пять лет в случае изделий E1.S). Все устройства оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4.

Компания Kioxia анонсировала SSD семейства CD9P, предназначенные для использования в дата-центрах. Накопители будут предлагаться в двух вариантах исполнения — U.2 толщиной 15 мм и EDSFF E3.S. В первом случае вместимость достигает 61,44 Тбайт, во втором — 30,72 Тбайт.

В основу новинок положены чипы флеш-памяти 3D BiCS FLASH TLC 8-го поколения. Применена технология CBA (CMOS direct Bonded to Array), которая, как утверждает Kioxia, значительно повышает энергоэффективность, производительность и плотность хранения данных по сравнению с решениями предыдущего поколения, одновременно удваивая максимально возможную ёмкость SSD.

Для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0, NVMe-MI 1.2c). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 7 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении (4 КиБ / QD512) составляет до 2,6 млн, при произвольной записи (4 КиБ / QD32) — до 750 тыс. Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) в варианте для интенсивного чтении и до трёх перезаписей в исполнении для смешанных нагрузок (3 DWPD).

Источник изображения: Kioxia

SSD, как отмечается, поддерживают стандарт CNSA 2.0 (Commercial National Security Algorithm Suite) — это набор криптографических алгоритмов, обнародованный Агентством национальной безопасности США (NSA) в качестве замены алгоритмам криптографии NSA Suite B. Таким образом, накопители поддерживают постквантовую криптографию, устойчивую к атакам будущих квантовых компьютеров.

Организации Storage Networking Industry Association (SNIA) и Open Compute Project (OCP), по сообщению ресурса StorageReview, разработали новый форм-фактор твердотельных накопителей, получивший обозначение E2. Устройства данного типа будут обладать большой вместимостью, достигающей 1 Пбайт. Для сравнения, Seagate поставила себе цель довести ёмкость HDD до 100 Тбайт к 2030 году, тогда как Pure Storage уже подготовила 150-Тбайт SSD.

Стандарт E2 создаётся для «тёплого» хранения данных. Устройства нового формата займут промежуточное положение между HDD большой ёмкости и традиционными корпоративными SSD. Предполагается, что изделия E2 обеспечат оптимальный баланс производительности, плотности и стоимости при развёртывании крупномасштабных озёр данных для приложений ИИ, аналитики и других задач, которым требуются огромные массивы информации. Добиться этого планируется путём использования большого количества чипов QLC NAND в одном накопителе.

Источник изображения: OCP / Micron

Физические размеры накопителей E2 составляют 200 мм в длину, 76 мм в высоту и 9,5 мм в толщину. Применяется коннектор EDSFF, который также используется в устройствах E1 и E3. Отмечается, что по высоте SSD и расположению разъёма (27,7 мм от нижней части) формат E2 соответствуют стандарту E3, тогда как размещение светодиодного индикатора идентично E1.

Источник изображения: OCP / Meta✴

Изделия нового типа предназначены прежде всего для установки в серверы с высокой плотностью компоновки. В этом случае система типоразмера 2U сможет нести на борту до 40 устройств E2, что в сумме даст до 40 Пбайт пространства для хранения данных. Новый стандарт предусматривает подключение посредством интерфейса PCIe 6.0 или выше с четырьмя линиями.

Источник изображения: OCP / Pure Storage

Заявленная скорость передачи информации может достигать 10 000 Мбайт/с в расчёте на один накопитель. Энергопотребление — до 80 Вт: это означает, что в сервере с 40 такими накопителями только для подсистемы хранения данных потребуется мощность до 3,2 кВт. Таким образом, понадобится эффективное охлаждение — по всей видимости, на основе жидкостных систем.

Первая версия спецификации E2 будет готова летом нынешнего года. Значительный вклад в разработку стандарта вносит Micron, которая будет использовать его в своих будущих SSD. Pure Storage и Micron представили прототипы E2 в ходе мероприятия OCP Storage Tech Talk. Проприетарные SSD-модули, отчасти напоминающие E2, уже начали медленно и выборочно вытеснять HDD из дата-центров Meta✴. На подходе и другие гиперскейлеры.