Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Компания SanDisk анонсировала NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, разработанный для удовлетворения растущих потребностей в ИИ-системах и ресурсоёмких вычислениях. Новинка позиционируется как решение для крупномасштабных приложений — таких, как озёра данных ИИ, высокоскоростной приём данных и аналитика в реальном времени, — где требуется масштабный и быстрый доступ к информации. А в скором времени компания обещает создать накопитель ёмкостью 1 Пбайт.

Созданный на недавно анонсированной платформе UltraQLC, твердотельный накопитель SanDisk UltraQLC SN670 будет доступен в вариантах ёмкостью 256 и 128 Тбайт. В нём используется 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллом CBA (CMOS Direct Bonded to Array) объёмом 2 Тбит и контроллер с интерфейсом PCIe 5.0. Аналогичные чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA установлены в 245,76-Тбайт SSD компании Kioxia, производственного партнёра SanDisk.

Источник изображения: SanDisk

Используемая в SanDisk UltraQLC SN670 технология Direct Write QLC, позволяет обходиться без традиционной буферизации SLC, осуществляя безопасную запись непосредственно на слои QLC без потерь при отключении питания. Как отметил ресурс Blocks & Files, обычно это приводит к снижению производительности по сравнению с аналогичными накопителями, использующими кеш SLC, если только не используются дополнительные усовершенствования для ускорения процесса.

Функция динамического масштабирования частоты (Dynamic Frequency Scaling) обеспечивает рост производительности до 10 % при заданном уровне энергопотребления. Для поддержания пропускной способности и долговечности при экстремальных объёмах записи в SN670 используется масштабируемый многоядерный контроллер. Обновлённый профиль Data Retention (DR) позволяет сократить число циклов обновления данных на 33 %, что повышает надёжность накопителя и снижает энергопотребление.

Обе версии накопителя SanDisk UltraQLC SN670 объёмом 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в форм-факторе U.2 в I половине 2026 года. Ожидается, что в течение года появятся и другие форм-факторы. Если SN670 будет готов к апрелю 2026 года, это, по мнению Blocks & Files, означает, что на доработку накопителя потребуется ещё около восьми месяцев. Вероятно, именно поэтому компания пока не раскрывает информацию о производительности и надёжности — накопитель и контроллер, по всей видимости, ещё не прошли финальное тестирование.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серий 6600 ION, 7600 и 9650 для дата-центров и систем корпоративного класса. Новинки, подходящие в том числе для ресурсоёмких нагрузок ИИ, предлагаются в различных форм-факторах — U.2, E1.S и E3.S.

Изделия Micron 6600 ION оптимизированы для сред, в которых постоянно генерируются и обрабатываются большие массивы данных: это может быть, например, инфраструктура интернета вещей (IoT). Устройства выполнены на основе флеш-чипов G9 QLC NAND, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны исполнения E3.S 1T и U.2.

В семейство Micron 6600 ION входят модификации вместимостью 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. В I половине 2026 года появится вариант ёмкостью 245 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении блоков данных по 4 Кбайт составляет до 2 млн, при произвольной записи — до 100 тыс. Показатель надёжности достигает 1 DWPD (полная перезапись в сутки) при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 DWPD при случайном доступе.

Источник изображений: Micron

Накопители серии Micron 7600, в свою очередь, подходят для задач ИИ. Устройства выпускаются в форматах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). Применены чипы флеш-памяти G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательных чтения и записи — до 12 000 и 7000 Мбайт/с соответственно.

Покупатели смогут выбирать между модификациями Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. В первом случае вместимость варьируется от 1,92 до 15,36 Тбайт, а надёжность находится на уровне 1 DWPD (на протяжении пяти лет). Величина IOPS — до 2,1 млн при чтении и до 400 тыс. при записи. В случае Micron 7600 Max ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт, показатель DWPD равен 3. Значение IOPS — до 2,1 млн при произвольном чтении и до 675 тыс. при произвольной записи. Micron заявляет о задержке менее 1 мс при 99,9999 % операций.

Изделия Micron 9650 специально разработаны для обучения ИИ-моделей, инференса в режиме реального времени и других задач, при которых критическое значение имеют производительность и стабильная пропускная способность. Устройства в форм-факторах E3.S и E1.S оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0). Используются чипы флеш-памяти G9 TLC NAND. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на уровне 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — 14 000 Мбайт/с. Устройства E1.S допускают применение жидкостного охлаждения.

Серия включает версии Micron 9650 Pro (1 DWPD) и Micron 9650 Max (3 DWPD) вместимостью 7,68–30,72 и 6,4–25,6 Тбайт соответственно. Показатель IOPS при произвольном чтении достигает 5,5 млн, при произвольной записи — 1,1 млн у Pro и 1,5 млн у Max.

Максимальное энергопотребление у всех представленных изделий находится на уровне 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) — 2,5 млн часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки устройств Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а SSD серии Micron 6600 ION выйдут позднее в текущем квартале. 

Компания Kioxia анонсировала первый в отрасли твердотельный накопитель NVMe, способный вместить 245,76 Тбайт информации. Устройство, вошедшее в семейство LC9, рассчитано прежде всего на рабочие нагрузки, связанные с генеративным ИИ.

SSD серии LC9 дебютировали в марте нынешнего года. Их основой служат чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Задействован неназванный проприетарный контроллер, совместимый с NVMe 2.0. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 x4 (с поддержкой двух портов).

Изначально в семействе LC9 были представлены решения в формате U.2 вместимостью до 122,88 Тбайт. Теперь максимальная ёмкость таких устройств увеличилась в два раза — до 245,76 Тбайт. Кроме того, в серии LC9 появились изделия типоразмера EDSFF E3.L на 245,76 Тбайт, а также EDSFF E3.S на 122,88 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Скорость последовательного чтения достигает 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 3 Гбайт/с. Это не самые высокие показатели для SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 5.0, но в данном случае Kioxia пришлось пойти на компромисс с целью достижения рекордной вместимости. Величина IOPS на операциях произвольного чтения составляет до 1,3 млн IOPS, на операциях произвольной записи — до 50 тыс. Накопители рассчитаны на 0,3 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD).

SSD поддерживают ряд функций для повышения надёжности и обеспечения целостности данных. Это средства защиты от внезапного отключения питания (PLP), технология FDP (Flexible Data Placement) для повышения долговечности, инструмент управления ошибками на основе контроля четности и пр. Реализованы шифрование AES-256 и алгоритмы постквантовой криптографии, устойчивые к атакам будущих квантовых компьютеров.

Компания Exascend анонсировала новый SSD серии PE4 для периферийных систем хранения данных — устройство вместимостью 30,72 Тбайт. Утверждается, что это первый в отрасли накопитель такой ёмкости, выполненный в формате U.2 с толщиной корпуса 7 мм. Кроме того, дебютировала модель на 23,04 Тбайт.

Новинки выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3395 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3355 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 375 000, при произвольной записи — до 61 000.

По заявлениям Exascend, новые SSD снижают требования к пространству в стойке на 50 % по сравнению с накопителями толщиной 15 мм. При этом система типоразмера 1U может обеспечить до 737 Тбайт пространства в конфигурации 24 × 30,72 Тбайт. Отмечается также, что устройства позволяют снизить энергопотребление на 50–70 % по сравнению с альтернативными продуктами. В активном режиме показатель составляет менее 9,1 Вт, в режиме ожидания — менее 1,9 Вт.

Источник изображения: Exascend

Накопители могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +70 °C. Они способны выдерживать до 0,6 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD) на протяжении пяти лет. Значение TBW достигает 33 280 Тбайт, величина MTBF (средняя наработка на отказ) — 2 млн часов. Реализована поддержка TCG Opal 2.01 и AES-256. Аппаратные и программные средства Power Loss Protection (PLP) отвечают за сохранность данных при внезапном отключении питания. Стабильность производительности достигается благодаря интеллектуальной системе терморегулирования, оптимизированному размещению контроллера и специальной конструкции корпуса, обеспечивающей эффективное рассеивание тепла.

Компания DapuStor пополнила семейство SSD для дата-центров J5060 моделью вместимостью 122,88 Тбайт. Устройство выполнено в форм-факторе U.2 толщиной 15 мм, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов.

Как и другие представители серии J5060, новинка построена на флеш-чипах 3D QLC NAND корпоративного класса. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 7,3 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 2,8 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 1,5 млн, при произвольной записи блоками по 32 Кбайт — до 15 тыс.

Накопитель рассчитан на 0,5 полных перезаписи в сутки (0,5 DWPD), а величина MTBF (средняя наработка на отказ) указана на уровне 2 млн часов. Максимальное энергопотребление составляет менее 25 Вт под нагрузкой и 5 Вт в режиме ожидания. Производитель предоставляет на накопители пятилетнюю гарантию.

Источник изображения: DapuStor

Компания DapuStor отмечает, что при формировании хранилищ общей ёмкостью 10 Пбайт применение SSD на 122,88 Тбайт обеспечит снижение совокупной стоимости владения (TCO) до 35 % на протяжении пяти лет по сравнению с HDD вместимостью 24 Тбайт.

Нужно отметить, что SSD объёмом 122,88 Тбайт, выполненные на основе флеш-памяти QLC NAND, уже есть в ассортименте других компаний. В частности, Solidigm в ноябре прошлого года анонсировала устройства D5-P5336 (PCIe 4.0) с такой ёмкостью, которые доступны в вариантах U.2 (15 мм) и E1.L. Кроме того, аналогичные изделия представила Phison: устройства вошли в семейство Pascari D205V (PCIe 5.0). А Kioxia в марте текущего года выпустила SSD серии LC9 ёмкостью до 122,88 Тбайт в формате U.2 (PCIe 5.0).

Компания MiPhi Semiconductors, совместное предприятие между индийской Micromax Informatics и тайваньской Phison Technology, по сообщениям сетевых источников, организовала в Индии производство первых в стране SSD корпоративного класса.

Отмечается, что накопители ориентированы на дата-центры, платформы HPC, облачную инфраструктуру и критически важные корпоративные системы. Начало выпуска таких SSD знаменует собой значительный шаг на пути Индии к технологической самодостаточности.

Какие именно накопители MiPhi Semiconductors изготавливает на индийском предприятии, не уточняется. На сайте компании приводятся технические характеристики семи семейств SSD корпоративного класса: MP-SA50V, MP-SA50P, MP-SA50E и MP-BA50P с интерфейсом SATA-3, а также изделия MP-D100P, MP-X100P и MP-X100E с интерфейсом PCIe 4.0 x4. Все устройства построены на чипах флеш-памяти 3D TLC. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Изделия MP-SA50V, MP-SA50P и MP-SA50E выполнены в SFF-формате, MP-BA50P — М.2 2280. Скорость последовательного чтения информации у всех этих моделей достигает 530 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 500 Мбайт/с. Вместимость в зависимости от варианта исполнения варьируется от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт (см. таблицу ниже).

Источник изображения: MiPhi Semiconductors

Решения MP-D100P доступны в вариантах M.2 2280/22110 ёмкостью от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорости чтения и записи — до 6000 и 1800 Мбайт/с. Наконец, накопители MP-X100P и MP-X100E стандарта U.2/U.3 обладают вместимостью соответственно до 30,72 Тбайт и 25,6 Тбайт. У них скорость чтения составляет до 7000 Мбайт/с, скорость записи — до 6800 Мбайт/с.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N651Si/N651Sc с увеличенной надёжностью. Устройства, выполненные на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND, предназначены для использования в индустриальной сфере.

Новинки, как утверждается, выдерживают до 11 тыс. циклов записи/стирания. Это на 120 % превышает соответствующий показатель для оригинальных накопителей N651Si/N651Sc, которые были доступны ранее: они рассчитаны на 5 тыс. циклов перезаписи. Изделия проходят комплексное тестирование на выносливость и стабильность работы, эффективность исправления ошибок и пр.

В SSD реализована фирменная технология AcuCurrent, обеспечивающая целостность сигнала при всех операциях. Эта система минимизирует ошибки и излишние повторные попытки чтения, что повышает срок службы и надёжность. Кроме того, обеспечивается стабильная производительность в широком диапазоне рабочих температур, который простирается от -40 до +85 °C.

Источник изображений: ATP

Вместе с тем средства PLP Diag предотвращают отказ механизма защиты от потери питания (PLP) путём упреждающей проверки функциональности и состояния полимерных танталовых конденсаторов: если они выходят из строя, накопитель переключается в режим Direct TLC, минуя DRAM-кеширование на операциях записи.

Новинки доступны в различных вариантах исполнения. В частности, изделия N651Si/N651Sc в формате M.2 2280 имеют вместимость от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6050 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении — до 1 091 000, при произвольной записи — до 1 245 000. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 76 400 Тбайт.

Кроме того, SSD серии N651Si предлагаются в форматах U.2 и E1.S. В обоих случаях ёмкость составляет от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Величина TBW — до 76 000 и 79 000 соответственно. Накопители U.2 обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 6000 Мбайт/с, тогда как значение IOPS при произвольных чтении и записи — до 870 000 и 1 230 000. У устройств E1.S скорости чтения и записи достигают 6400 Мбайт/с и 6100 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 1 000 000 и 1 200 000.

У всех новинок значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн ч. Реализована поддержка шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Модели формата M.2 2280 могут комплектоваться опциональным радиатором охлаждения толщиной 8 мм. Производитель предоставляет на SSD трёхлетнюю гарантию (пять лет в случае изделий E1.S). Все устройства оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4.

Компания Kioxia анонсировала SSD семейства CD9P, предназначенные для использования в дата-центрах. Накопители будут предлагаться в двух вариантах исполнения — U.2 толщиной 15 мм и EDSFF E3.S. В первом случае вместимость достигает 61,44 Тбайт, во втором — 30,72 Тбайт.

В основу новинок положены чипы флеш-памяти 3D BiCS FLASH TLC 8-го поколения. Применена технология CBA (CMOS direct Bonded to Array), которая, как утверждает Kioxia, значительно повышает энергоэффективность, производительность и плотность хранения данных по сравнению с решениями предыдущего поколения, одновременно удваивая максимально возможную ёмкость SSD.

Для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0, NVMe-MI 1.2c). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 7 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении (4 КиБ / QD512) составляет до 2,6 млн, при произвольной записи (4 КиБ / QD32) — до 750 тыс. Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) в варианте для интенсивного чтении и до трёх перезаписей в исполнении для смешанных нагрузок (3 DWPD).

Источник изображения: Kioxia

SSD, как отмечается, поддерживают стандарт CNSA 2.0 (Commercial National Security Algorithm Suite) — это набор криптографических алгоритмов, обнародованный Агентством национальной безопасности США (NSA) в качестве замены алгоритмам криптографии NSA Suite B. Таким образом, накопители поддерживают постквантовую криптографию, устойчивую к атакам будущих квантовых компьютеров.

Российская компания YADRO представила высокопроизводительную систему хранения данных Tatlin.AFA, предназначенную для решения задач крупных корпоративных клиентов. Утверждается, что это первое в России решение типа All-NVMe с возможностью установки SSD с интерфейсом PCIe 4.0/5.0 и поддержкой End-to-end NVMe.

Устройство выполнено в форм-факторе 2U и оснащено двумя контроллерами в режиме Symmetric Active–Active. Каждый из контроллеров оборудован двумя процессорами Intel Xeon поколения Emerald Rapids. Объём памяти DDR5 ECC составляет 1,5 Тбайт. Предусмотрены дублированные батареи для обеспечения сохранности данных в кеше.

СХД располагает 24 отсеками для NVMe SSD стандарта U.2 / U.3 вместимостью до 30 Тбайт каждый, что в сумме даёт до 720 Тбайт «сырой» ёмкости. Кроме того, могут быть подключены два модуля расширения S24N, каждый из которых также содержит два двухпроцессорных контроллера, 24 слота для накопителей и два 200GbE-порта с RocE. Таким образом, общая вместимость в конфигурации с двумя модулями S24N превышает 2 Пбайт.

Заявленное быстродействие на операциях ввода/вывода в секунду (IOPS) составляет более 2 млн, а пропускная способность достигает 50 Гбайт/с. Поддерживаются протоколы FC, iSCSI, NVMe/TCP, NVMe/RoCE. Заявлена совместимость с VMWare Sphere 7.x / 8.x, «РЕД ОС Виртуализация», «Альт Сервер Виртуализация», ECP Veil / SE, zVirt 3.x / 4.x, «Горизонт ВС», BASIS (DE), ОС Windows Server 2016/2019/2022, Oracle Linux 7.x/8.x/9.x, Rocky Linux 9.x, SUSE Linux 12/15, Ubuntu Server, IBM AIX 7.2 / 7.3 (VIOS), Astra Linux 1.x, «РЕД ОС» 7.3/7.3.1/8.0, «Альт Сервер».

Источник изображения: YADRO

В зависимости от конфигурации доступны до 16/32 портов 10/25GbE, до 16 портов 100GbE или до 20 портов FC16/32/64. Предусмотрены пять слотов PCIe 5.0 x16 для сетевых адаптеров. Установлены два блока питания мощностью 3200 Вт с резервированием 1+1, поддержкой горячей замены и аккумуляторным модулем. Диапазон рабочих температур простирается от +10 до +30 °C.

Упомянута собственная технология T-RAID с поддержкой различных схем защиты, резервирования компонентов и моментальных снимков. Реализованы следующие уровни защиты T-RAID: 8 + 1, 8 + 2, 8 + 3, 8 + 4, 8 + 5, 8 + 6, 8 + 7, 8 + 8, 10 + 1, 10 + 2, 10 + 3, а также 14 + 1 и 14 + 2. Использует программная платформа Tatlin.OS.