Компания DapuStor анонсировала твердотельные накопители семейства Haishen5 для систем корпоративного класса и центров обработки данных, передаёт StorageReview. Изделия используют интерфейс PCle 5.0 x4 (спецификация NVMe 2.0). Пробные поставки накопителей компания организует в IV квартале нынешнего года. Информации об ориентировочной цене пока нет.

Источник изображения: Storage Review

Покупателям будут предлагаться модификации в различных исполнениях: E3.S, E1.S и U.2. Говорится о подготовке устройств на основе чипов флеш-памяти TLC и QLC NAND. В первом случае вместимость варьируется от 1,6 до 15,36 Тбайт, а во втором достигает 32 Тбайт. Задействован контроллер Marvell Bravera SC5.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 8000 Мбайт/с. Величина IOPS при чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 2 800 000, при записи — до 600 000. Задержки при последовательном чтении/записи заявлены на уровне 8/9 мкс.

SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года.

Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах.

Изображения: SK Hynix

Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут.

SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.

Компания Innodisk анонсировала твердотельные накопители серий 3TS6-P и 4TS2-P, оптимизированные для использования в устройствах периферийных вычислений (edge). Это могут быть сетевых хранилища данных, системы для умного города, коммерческие системы и пр.

Источник изображений: Innodisk

Новинки выполнены на основе флеш-памяти 3D NAND TLC. Опционально поддерживается шифрование информации по алгоритму AES. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Заказчики смогут выбирать между двумя вариантами исполнения — стандартным и промышленным. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C.

Накопители серии 3TS6-P имеют типоразмер SFF, а для обмена данными служит интерфейс SATA 3.0. Вместимость варьируется от 200 Гбайт до 3,2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 510 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 460 Мбайт/с. Изделия 4TS2-P стандарта М.2 2280 наделены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Ёмкость составляет от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт. Скорость чтения — до 7100 Мбайт/с, скорость записи — до 5200 Мбайт/с.

Компания Silicon Motion представила SM8366, свой первый 16-канальный SSD-контроллер для NVMe-накопителей с интерфейсом PCIe 5.0, а также референсную платформу MonTitan на его основе. Одновременно был анонсирован и более простой, 8-канальный контроллер SM8308. Новинки способны обеспечить скорость передачи данных более 14 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Производительность произвольных операций чтения и записи 4K-блоками составляет 3 и 2,8 млн IOPS соответственно.

Изображения: Silicon Motion

Контроллеры соответствует стандарту NVMe 2.0a, используют архитектуру Arm и выпускаются с использованием 12-нм техпроцесса. Поддерживаются чипы флеш-памяти (ONFI/Toggle) 3D NAND TLC/QLC, XL-Flash и др. со скоростью 2400 МТ/с и общим объёмом до 128 Тбайт. Возможно использование двухканальной 40-бит памяти DDR4-3200 и DDR5-4800 в качестве буфера. Интерфейс PCIe 5.0 доступен в конфигурациях x4, x2/x2 и x1/x1. Контроллеры имеют FCBGA-упаковку (21 × 21 мм) и могут использоваться в накопителях E1.S/L, E3, U.2 и U.3.

Новинки поддерживают спецификации OCP Datacenter NVMe SSD и ZNS, до 128 пространств имён и до 1024 пар запросов, шифрование AES-256, аппаратные RoT и изоляцию, аттестацию, Secure Boot и т.д. Также есть проприетарные функции PerformaShape и NANDCommand. Первая отвечает за приоритизацию, а вторая — за эффективность алгоритмов LDPC для коррекции ошибок и повышение надёжности чипов QLC и, в будущем, PLC.

Начало поставок эталонных платформ MonTitan и SDK ожидается в IV квартале 2022 года. Отличительная черта нового решения — возможность глубокой кастомизации, что актуально для гиперскейлеров, корпоративных заказчиков и производителей SSD. Например, можно настроить не только уровень производительности для отдельных операций, но и выбрать набор NVMe-функций или вынести FTL на уровень хоста. Интерес к новинке выразили Alibaba Cloud, Micron, KIOXIA, YMTC и др.

Компания Kioxia анонсировала твердотельные накопители CM7 корпоративного класса, оптимизированные для использования в высокопроизводительных и высокоэффективных серверах, а также системах хранения данных. Уже начаты отгрузки устройств некоторым заказчикам.

Изделия серии CM7 доступны в двух вариантах исполнения: EDSFF E3.S и SFF толщиной 15 мм. Задействован интерфейс PCIe 5.0 (спецификация NVMe 2.0): утверждается, что по сравнению с накопителями предыдущего поколения производительность увеличилась в два раза.

Заявленная скорость чтения информации достигает 14 Гбайт/с; скорость записи не уточняется. Заказчики смогут выбирать между устройствами с разным уровнем надёжности: 1 DWPD (полных перезаписей в сутки) и 3 DWPD. В первом случае вместимость достигает 30,72 Тбайт, во втором — 12,80 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Накопители CM7 имеют двухпортовую конструкцию. Среди поддерживаемых функций названы SR-IOV, CMB, Multistream writes, SGL. Говорится о поддержке TCG-Opal в соответствии со стандартом FIPS 140-3. Наконец, упомянуты средства обеспечения безопасности Flash Die Failure Protection.

Компания Micron Technology объявила о начале поставок устройств серии Micron 5400 — первых в мире твердотельных накопителей для центров обработки данных (ЦОД), выполненных с применением 176-слойных чипов памяти 3D TLC NAND и оснащённых интерфейсом SATA-3.

Новинки доступны в двух вариантах исполнения — SFF и М.2 2280. Величина MTTF достигает 3 млн часов. Есть поддержка шифрования SED (AES-256), совместимость с TCG Enterprise и Opal 2.0. Энергопотребление не превышает 3,9 Вт, а диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

SFF-накопители представлены в вариантах 5400 Pro и 5400 Max, которые оптимизированы для интенсивного чтения и смешанного использования соответственно. В первом случае вместимостью варьируется от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт, во втором — от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт.

Источник изображений: Micron Technology

Скорость чтения у всех устройств достигает 540 Мбайт/с, скорость записи — 350 Мбайт/с у младшей модели и 520 Мбайт/с у всех остальных. Значение IOPS на операциях чтения варьируется от 75 тыс. до 95 тыс., на операциях записи — от 10,5 тыс. до 65 тыс. Показатель DWPD (полных перезаписей в сутки) — от 0,6 до 5,0.

Накопители М.2 2280, в свою очередь, предлагаются в модификациях Boot (загрузочный диск) и Pro (интенсивное чтение). Ёмкость составляет 240 Гбайт в первом случае и от 240 до 960 Гбайт во втором. У этих решений скорость чтения достигает 540 Мбайт/с, скорость записи — от 290 до 520 Мбайт/с. Значение IOPS на операциях чтения и записи — от 62 тыс. до 95 тыс. и от 12 тыс. до 37 тыс. Величина DWPD — не более 1,5.

Компания ADATA Technology анонсировала твердотельные накопители семейства 31C для коммерческого и промышленного секторов. Новинки подходят для применения во встраиваемых системах, сетевом оборудовании, платформах автоматизации, компьютерах повышенной надёжности и пр.

В сери представлены модификации ISSS31C, IM2S31C8 и IM2S31C4, выполненные в форм-факторах SFF (2,5"), М.2 2280 и M.2 2242 соответственно. Во всех случаях применяются 112-слойные микрочипы флеш-памяти 3D TLC (BiCS5), разработанные WDC и Kioxia.

Источник изображений: ADATA Technology

Для обмена данными служит интерфейс SATA 3.0. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 560 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 500 Мбайт/с. Предусмотрен DRAM-буфер для повышения производительности. Количество циклов стирания/записи достигает 3 тыс.

Накопители могут эксплуатироваться в широком температурном диапазоне — от -40 до  +85 °C. Реализованы средства исправления ошибок LDPC ECC и технология защиты End-to-End Data Path Protection. Инструмент Thermal Throttling отвечает за увеличение срока службы.

Габариты изделий ISSS31C, IM2S31C8 и IM2S31C4 составляют 100 × 70 × 7 мм, 80 × 22 × 3,6 мм и 42 × 22 × 3,6 мм. Информации об ориентировочной цене на данный момент нет.

Компания Samsung Electronics сообщила о создании DDR5-модуля Compute Express Link (CXL) вместимостью 512 Гбайт — это первое в отрасли решение столь высокой ёмкости, имеющее интерфейс PCIe 5.0 и выполненное в форм-факторе E3.S. Модуль даёт возможность значительно повысить объём памяти серверных систем и увеличить её пропускную способность.

Это, в свою очередь, позволяет ускорить выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ) и высокопроизводительными вычислениями (HPC) в центрах обработки данных. На текущий момент Samsung уже подписала с Lenovo соглашение о развитии CXL-решений. Ожидается, что тестирование новых модулей памяти начнётся в III квартале этого года, а массовыми они станут после появления на рынке новых платформ AMD EPYC Genoa и Intel Xeon Sapphire Rapids.

Источник изображений: Samsung

«Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объёмов данных. Открытый, обладающий широкой отраслевой поддержкой протокол CXL, основанный на интерфейсе PCI Express (PCIe) 5.0, обеспечивает высокоскоростную передачу с малой задержкой между хост-процессором и такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные устройства ввода-вывода», — заявляет Samsung.

Свой первый CXL-модуль памяти Samsung представила год назад. Чуть позже появилась и платформа для разработки. В конце прошлого года компания показала первую гибридную СХД Poseidon V2 с поддержкой CXL, которая позволяет объединить в одной платформе (Smart)SSD, DRAM и ускорители, а буквально на днях было продемонстрировано совместное с Liqid и Tanzanite решение для работы с пулами CXL-памяти.

Western Digital объявила в ходе мероприятия What’s Next Western Digital о начале рассылки образцов новых твердотельных накопителей UltraStar отдельным клиентам-гиперскейлерам. NVMe SSD Ultrastar DC SN650 ёмкостью до 15,36 Тбайт на базе памяти BiCS5 3D TLC NAND оснащены интерфейсом PCIe 4.0 и представлены в форм-факторах E1.L и SFF. Новинки позволят снизить TCO и добиться стабильности QoS.

Растущий спрос на *aaS-решения подталкивает облачные инфраструктуры к всё большей дезагрегации для обеспечения эластичности, масштабируемости и предсказуемости. Для этого требуются ёмкие и высокопроизводительные серверные NVMe SDD, которые повышают эффективность хранилища и увеличивают плотность размещения данных, что важно для виртуализированных и многопользовательских сред.

Изображение: Western Digital

По словам компании, Ultrastar DC SN650 позволят улучшить использование ресурсов хранения благодаря увеличению количества виртуализированных хостов на один SSD и консолидации больших наборов данных, в том числе для задач ИИ, Big Data и аналитики. Вместе с тем новинки обеспечивают низкую задержку и высокую пропускную способность, что важно для работы с данными в реальном времени.

Также компания отмечает, что современный форм-фактор E1.L значительно увеличивает плотность хранения в стойке, снижая совокупную стоимость владения и улучшая управляемость, удобство обслуживания и эффективность хранения. Накопитель DC SN650 в E1.L-формате соответствует спецификации OCP Cloud 1.0a. Как ожидается, поставки новинок начнутся во второй половине 2022 года.