Компания Micron Technology объявила о доступности серии NVMe-накопители Micron 9550, которые позиционируются как самые быстрые в мире PCIe 5.0 SSD для ЦОД с лучшими в отрасли показателями энергоэффективности и производительности для ресурсоёмких рабочих нагрузок, таких как ИИ. Новинки используют 232-слойную флеш-память TLC NAND, предлагаются в форм-факторах U.2 (15 мм), E3.S (1T) и E1.S (15 мм), а их ёмкость составляет от 3,2 до 30,72 Тбайт.

Micron 9550 обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,0 Гбайт/с и последовательной записи до 10,0 Гбайт/с, что превышает на 67 % показатели твердотельных накопителей аналогичного класса от конкурентов, говорит компания, подразумевая решения Kioxia и Samsung. Производительность накопителя на операциях случайного чтения и записи составляет 3,3 млн IOPS и 400 тыс. IOPS соответственно, что до 35 % и до 33 % выше, чем у предложений конкурентов.

Источник изображения: Micron

Накопители Micron 9550 поддерживают TCG Opal 2.01, SPDM 1.2, телеметрию по стандарту OCP 2.5, шифрование данных (SED), сквозную поддержку целостности данных, подписанное встроенное ПО, изолированный анклав Micron Secure Execution Environment, защиту от потери питания, а также соответствуют стандартам NVMe v2.0b и OCP 2.0 (r21). Доступны и варианты с сертификацией FIPS 140-3 Level 2 и TAA.

Компания предлагает две версии Micron 9550: 9550 PRO для интенсивного чтения с 1 DWPD (допустимое количество перезаписей всего объёма накопителя в день) в течение пятилетнего гарантийного периода и 9550 MAX для смешанных нагрузок с надёжностью 3 DWPD. E1.S-вариант есть только 9550 PRO. Доступная ёмкость 9550 PRO составляет 3,84/7,68/15,36/30,72 Тбайт. Версия накопителя 9550 MAX предлагает меньшую ёмкость — 3,2/6,4/12,8/25,6 Тбайт.

Как отметила Micron, ИИ-нагрузки требуют высокопроизводительных решений для хранения данных. Показатели последовательного и случайного чтения и записи SSD 9550 позволяет использовать его именно в таких в сценариях. Накопители поддерживают архитектуры Big Accelerator Memory (BaM) и GPU-Initiated Direct Storage (GIDS).

Например, большие языковые модели (LLM) требуют высокой скорости последовательного чтения, а графовые сети (GNN) требуют высокой производительности случайного чтения. Компания заявила, что Micron 9550 превосходит предложения конкурентов в работе с ИИ-нагрузками: время выполнения сокращается до 33 %, агрегация в BaM происходит до 60 % быстрее, обеспечивается до 34 % более высокая пропускная способность при использовании Magnum IO GPUDirect Storage (GDS).

Согласно пресс-релизу, Micron 9550 обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность для поддержки различных рабочих ИИ-нагрузок, в том числе:

• Обучение графовых сетей с помощью BaM: снижение среднего энергопотребления SSD до 43 % и снижение общего энергопотребления сервера до 29 %.
• NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage: до 81 % меньше потребление энергии на каждый переданный 1 Тбайт.
• MLPerf: до 35 % меньше потребление энергии накопителем и до 13 % меньше использование энергии системой.
• Тюнинг Llama LLM с помощью Microsoft DeepSpeed: энергопотребление SSD до 21 % меньше.

Micron 9550 имеет вертикально интегрированную архитектуру с использованием технологий, разработанных Micron, обеспечивающую гибкий выбор конструкции и расширенные возможности безопасности, говорит компания. Кроме того, Micron сотрудничает с NVIDIA и разработчиками решений с открытым исходным кодом, чтобы гарантировать соответствие решений потребностям самых требовательных ИИ-нагрузок.

Южнокорейский стартап Panmnesia сообщил о разработке специализированного CXL-решения, которое позволяет расширять встроенную память ускорителей на базе GPU путём подключения внешних блоков DRAM или даже SSD. Отмечается, что современным приложениям ИИ и НРС требуется значительный объём быстрой памяти, но возможности ускорителей в этом плане ограничены.

Сложность расширения памяти актуальных ускорителей заключается в том, что в таких изделиях отсутствуют логическая структура CXL и компоненты, поддерживающие DRAM и/или SSD. Кроме того, подсистемы кеша и памяти GPU не распознают никаких расширений. В лучшем случае предлагается механизм унифицированной виртуальной памяти (UVM) для совместного доступа к содержимому памяти и CPU, и GPU. Однако этот механизм довольно медленный.

Источник изображений: Panmnesia

Panmnesia обошла существующие ограничения путём создания собственного root-комплекса, совместимого со стандартом CXL 3.1 и предоставляющего несколько root-портов. Он и обеспечивает поддержку внешней памяти через PCIe. При этом задействован особый декодер HDM (Host-managed Device Memory), отвечающий за работу с адресными пространствами. Это сложное решение в каком-то смысле «обманывает» подсистему памяти ускорителя, заставляя ее рассматривать внешнюю PCIe-память как доступную напрямую.

Прототип, основанный на кастомизированном GPU, в ходе тестов продемонстрировало задержки менее 100 нс при передаче данных в обоих направлениях. При этом решение Panmnesia предоставляет более гранулярный доступ к памяти в сравнении с UVM. Быстродействие CXL-системы Panmnesia оказалось в 3,22 раза выше в пересчёте на IPC по сравнению с UVM.

Компания Samsung анонсировала SSD корпоративного уровня BM1743. Накопитель, выполненный по технологии v7 QLC V-NAND, имеет вместимость 61,44 Тбайт. Новинка призвана составить конкуренцию изделию Solidigm D5-P5336 аналогичной ёмкости, которое дебютировало приблизительно год назад.

Устройство Samsung BM1743 является преемником модели BM1733a, которая изготавливается по технологии v5 QLC V-NAND. Оба решения выполнены в SFF-стандарте U.2. Основной сферой применения названы дата-центры и облачные сервисы, в том числе связанные с ИИ-нагрузками.

Источник изображения: Samsung

Благодаря использованию интерфейса PCIe 4.0 производительность новинки увеличена примерно в два раза по сравнению с предшественником. Скорость последовательного чтения информации достигает 7200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2000 Мбайт/с. Показатель IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 1,6 млн при произвольном чтении и до 110 тыс. при произвольной записи.

В SSD применяются 176-слойные флеш-чипы NAND. Устройство рассчитано на 0,26 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD) на протяжении срока службы. Срок гарантированной сохранности данных при выключении питания увеличился с одного месяца до трёх в сравнении с решением предыдущего поколения. Говорится о подготовке варианта в формате E3.S с поддержкой PCIe 5.0. Кроме того, в перспективе свет увидит модификация вместимостью 122,88 Тбайт.

По итогам I квартала 2024 года на мировом рынке было реализовано приблизительно 82,79 млн SSD разных типов, что на 6,2 % меньше по сравнению с последней четвертью 2023-го. Уточненные данные, как сообщает ресурс StorageNewsletter, обнародовала аналитическая компания TrendFocus. Отмечается, что, несмотря на сокращение продаж в штучном выражении, суммарная вместимость отгруженных за три месяца SSD поднялась в квартальном исчислении на 2,0 %, достигнув 86,99 Эбайт.

В рейтинге крупнейших игроков мирового рынка лидирует Samsung с долей 30,4 %. Вторую позицию удерживает Western Digital с 18,7 %, а замыкает тройку SK hynix с 10,4 %. В плане общей ёмкости реализованных накопителей Samsung контролирует 34,0 % мирового рынка SSD. Затем идут Western Digital с 15,8 % и Solidigm с 15,2 %.

Источник изображения: TrendFocus / StorageNewsletter

Поставки корпоративных SSD с интерфейсом PCle поднялись квартал к кварталу на 31,6 % — до 7,09 млн, а их суммарная вместимость выросла на 31,8 %, составив около 30,53 Эбайт. Продажи твердотельных SAS-устройств сократились в I квартале 2024 года на 5,8 % в штуках — до 0,88 млн единиц, но их общая ёмкость увеличилась на 1,7 % — до 3,26 Эбайт. Говорится также, что отгрузки корпоративных SSD с интерфейсом SATA поднялись до 4,03 млн штук, но их общая вместимость снизилась в квартальном исчислении на 6,3 % из-за более высокого спроса на изделия с меньшим объёмом.

В клиентском сегменте поставки SSD сократились квартал к кварталу на 10,5 % в штучном выражении и на 12,1 % в ёмкостном — до 64,87 млн единиц и 43,39 Эбайт.

Компания Western Digital, по сообщению ресурса Tom's Hardware, продемонстрировала флеш-кристалл 3D QLC NAND самой высокой на сегодняшний день ёмкости, составляющей 2 Тбит (256 Гбайт). Такие изделия, как ожидается, приведут к появлению более вместительных и доступных SSD.

Кристалл изготовлен на основе 218-слойной производственной технологии BiCS8. Это значительное достижение по сравнению с «базовым» решением Western Digital 3D TLC ёмкостью 1 Тбит, которое также выпускается по указанной методике. Скорости чтения/записи нового изделия и показатель IOPS на данный момент не раскрываются.

Источник изображений: Western Digital

Кристаллы 3D QLC NAND вместимостью 2 Тбит могут быть оптимизированы по производительности и ёмкости. В первом случае энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением увеличивается до 32 %, во втором заявлено улучшение износостойкости до 60 %.

При объединении четырёх кристаллов нового поколения может быть получен модуль вместимостью 1 Тбайт. А связка из 16 кристаллов даёт возможность создавать SSD объёмом 4 Тбайт. Таким образом, если Western Digital и её партнёр Kioxia смогут организовать массовое производство изделий 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит, это может привести к появлению сравнительно недорогих накопителей большой вместимости. В результате, Western Digital получит возможность укрепить позиции на мировом рынке SSD, в первую очередь в корпоративном сегменте.

Утверждается, что плотность новых кристаллов Western Digital на 15–19 % выше, чем у конкурентов. При этом прирост производительности достигает 50 %, тогда как энергопотребление в расчёте на 1 Гбайт хранимой информации сокращается на 13 %. Официальный анонс изделий ожидается в ближайшее время.

Phison представила собственный бренд SSD корпоративного класса PASCARI, который включает сразу несколько различных серий: X, AI, D, S и B. Новинки представлены в форм-факторах E1.S, E3.S, U.3/U.2, M.2 2280/22110 и SFF 2,5″ и наделены интерфейсами SATA-3 и PCIe 4.0/5.0.

Наиболее интересна серия AI (или aiDAPTIVCache), которая фактически является частью программно-аппаратного комплекса aiDAPTIV+. Пока упоминается только один M.2 SSD — AI100E. Это сверхбыстрые и сверхнадёжные 2-Тбайт NVMe-накопители на базе SLC NAND (вероятно, всё же eSLC) с DWPD, равным 100 на протяжении трёх или пяти лет (в материалах указаны разные сроки). Аналогичные накопители, хотя и в более крупном форм-факторе, предлагают Micron и Solidigm, а Kioxia в прошлом году анонсировала накопители на базе XL-Flash второго поколения с MLC NAND.

Во всех случаях, по сути, речь идёт об SCM (Storage Class Memory). Наиболее ярким представителем данной категории была почившая серия продуктов Intel Optane. Phison переняла общую идею перестройки иерархии памяти, где SCM является ещё одним слоем между DRAM и массивом SSD, приложив её к задачам обучения ИИ. AI100E являются кеширующими накопителями, расширяющими доступную память. Программная прослойка aiDAPTIVLink общается с ускорителями NVIDIA и SSD с одной стороны и с PyTorch (также есть упоминание TensorFlow) — с другой.

Источник изображений: Phison

aiDAPTIVLink позволяет автоматически и прозрачно переносить на SSD неиспользуемые в текущий момент части обучаемой LLM и по необходимости отправлять их сначала в системную RAM, а потом и в память ускорителя, что и позволяет обходиться меньшим числом ускорителей при тренировке действительно больших моделей. Естественно, никакого чуда здесь не происходит, поскольку время обучения от этого нисколько не сокращается, но с другой стороны, обучение становится в принципе возможным на системах с малым количеством ускорителей или просто с относительно слабыми GPU и относительно небольшим же объёмом системной RAM.

Среди уже поддерживаемых моделей упомянуты некоторые LLM семейств Llama, Mistral, ResNet и т.д. Для них, как заявляется, не нужны никакие модификации для работы с aiDAPTIV+. Также упомянута возможность горизонтального масштабирования при использовании данной технологии. Точные характеристики AI100E компания не приводит, но это и не так существенно, поскольку напрямую продавать эти накопители она не собирается. Вместо этого они будут предлагаться в составе готовых и полностью укомплектованных рабочих станций или серверов.

Семейство PASCARI X включает сразу четыре серии накопителей. Так, X200E (DWPD 3) и X200P (DWPD 1) — это двухпортовые накопители на базе TLC NAND с интерфейсом PCIe 5.0 x4, представленные в форм-факторах U.2 и E3.S. Пиковые скорости последовательного чтения и записи составляют 14,8 Гбайт/с и 8,35 Гбайт/с соответственно. На случайных операциях с 4K-блоками производительность чтения достигает 3 млн IOPS, а записи — 900 тыс. IOPS у X200E и 500 тыс. IOPS у X200P. Здесь и далее даны только крайние показатели в рамках серии, а не отдельного накопителя.

Ёмкость X200E составляет 1,6–12,8 Тбайт, но также готовится 25,6-Тбайт U.2-версия. У X200P диапазон ёмкостей простирается от 1,92 Тбайт до 15,36 Тбайт, но опять-таки будет 30,72-Тбайт вариант в U.2-исполнении. Отмечается поддержка MF-QoS (QoS для различных нагрузок), поддержка 64 пространств имён, MTBF на уровне 2,5 млн часов, сквозная защита целостности передаваемых данных, улучшенная защита от потери питания и т.д.

У X100E (DWPD 3) и X200P (DWPD 1) среди возможностей дополнительно упомянуты поддержка TCG Opal 2.0, NVMe-MI, шифрования AES-256, безопасной очистки и т.д. От X200 эти накопители отличаются в первую очередь интерфейсом PCIe 4.0 x4 (возможны два порта x2). Выпускаются они только в форм-факторе U.3/U.2. X100E предлагают ёмкость от 1,6 Тбайт до 25,6 Тбайт, а X100P — от 1,92 Тбайт до 30,72 Тбайт. Пиковые скорости последовательного чтения и записи в обоих случаях достигают 7 Гбайт/с. Произвольное чтение 4K-блоками — до 1,7 млн IOPS, а вот запись у X100E упирается в 480 тыс. IOPS, тогда как у X100P и вовсе не превышает 190 тыс. IOPS.

В семейство PASCARI D входит всего одна серия компактных накопителей D100P на базе TLC NAND с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (один порт, NVMe 1.4), представленная в форм-факторах M.2 2280 (от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт), M.2 22110 (от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт) и E1.S (тоже от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт). Производительность M.2-вариантов составляет до 6 Гбайт/с и 2 Гбайт/с на последовательных операциях чтения и записи, а на случайных — до 800 тыс. IOPS и 60 тыс. IOPS соответственно. E1.S-версия чуть быстрее в чтении — до 6,8 Гбайт/с. Надёжность — 1 DWPD. Среди особенностей вендор выделяет сквозную защиту целостности данных, LPDC-движок четвёртого поколения, поддержку NVMe-MI и т.п.

PASCARI B включает серию загрузочных накопителей B100P: M.2 2280 (будет и 22110), TLC NAND, PCIe 4.0 x4, 1 DWPD и те же функции, что у D100P. Доступны только накопители ёмкостью 480 Гбайт и 960 Гбайт. Скоростные характеристики относительно скромны. Последовательные чтение и запись не превышают 5 Гбайт/с и 700 Мбайт/с, а произвольные — 450 тыс. IOPS и 30 тыс. IOPS. Также к PASCARI B принадлежит серия BA50P: SATA-накопители в форм-факторах M.2 2280 и SFF 2,5″ на базе TLC NAND с DWPD 1 и ёмкостью 240/480/960 Гбайт. Скорости чтения/записи не превышают 530/500 Мбайт/с при последовательном доступе, и 90/20 тыс. IOPS при случайном доступе 4K-блоками.

Наконец, семейство PASCARI S представлено тремя сериями SFF-накопителей (2,5″) с TLC-памятью и интерфейсом SATA-3, отличающихся в первую очередь опять-таки показателем надёжности: SA50E (3 DWPD), SA50P (1 DWPD) и SA50E (>0,4 DWPD). SA50E имеют ёмкость от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт, SA50P — от 480 Гбайт до 7,68 Тбайт, а SA50E — от 1,92 Тбайт до 15,36 Тбайт. Отличаются и максимальные скорости произвольного чтения/записи 4K-блоками: 98/60 тыс., 98/40 тыс. и 97/20 тыс. IOPS соответственно. А вот последовательные чтение и запись естественным образом ограничены самим интерфейсом, т.е. не превышают 530 Мбайт/с и 500 Мбайт/с соответственно. В описании упомянуты сквозная защита целостности данных, LPDC-движок и улучшенная защита от потери питания.

Для вообще всех накопителей заявленный диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. А вот срок гарантии не указан, так что показатели DWPD теряют смысл. Кроме того, Phison практически для каждой серии говорит о возможности кастомизации. Например, для X100 предлагаются услуги IMAGIN+.

Компания Pure Storage, специализирующаяся на All-Flash СХД, считает, что дальнейшее увеличение вместимости SSD будет сопряжено с рядом трудностей, продиктованных необходимостью применения DRAM. Об этом, как сообщает ресурс Blocks & Files, рассказал Шон Роузмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент Pure по исследованиям и разработкам.

По его словам, коммерческим SSD требуется примерно 1 Гбайт DRAM на каждый 1 Тбайт флеш-памяти. Наличие DRAM необходимо для подсистемы Flash Translation Layer (FTL). По словам Роузмарина, для накопителя ёмкостью 30 Тбайт требуется 30 Гбайт DRAM, для 75 Тбайт — 75 Гбайт и т. д. Таким образом, для SSD вместимостью, например, 128 Тбайт нужно 128 Гбайт DRAM, а это уже сопоставимо с объёмом ОЗУ в сервере.

Источник изображения: Pure Storage

Роузмарин отмечает, что увеличение вместимости корпоративных SSD свыше 30 Тбайт будет проблематично. Во-первых, DRAM заметно дороже NAND, что приведёт к значительному росту стоимости SSD. Во-вторых, из-за увеличения объёма DRAM возрастает энергопотребление, что не только поднимет стоимость владения, но и ухудшит надёжность накопителя. В результате по мере роста вместимости SSD заказчики могут столкнуться с серьёзным увеличением затрат.

Роузмарин заявляет, что единственный способ обойти указанные проблемы — найти более экономичную и менее энергозатратную альтернативу DRAM. Необходимые функции, по его словам, могут быть перенесены непосредственно на ПО СХД. Именно такой подход Pure реализует со своими проприетарными накопителями DFM (Direct Flash Module), последняя модификация которых имеет ёмкость 75 Тбайт. В этих устройствах отсутствует зависимость от DRAM на уровне накопителей.

Компания намерена выпустить DFM ёмкостью 150 Тбайт в 2025 году, а на 300 Тбайт — ориентировочно в 2026-м. В дальнейшие планы входит создание изделий вместимостью 600 Тбайт и 1,2 Пбайт. Аналогичного подхода придерживается и IBM в своих накопителях FlashCore Modules (FCM).

Консорциум NVM Express обновил спецификации, добавив возможность работы с вычислительными хранилищами NVMe Computational Storage Feature. Речь идёт о возможности использования устройств хранения, которые могут самостоятельно обрабатывать хранящуюся на них информацию по команде извне. Это позволит снизить совокупную стоимость владения IT-системами и повысить их общую производительность.

Спецификация включает два новых набора команд: Computational Programs и Subsystem Local Memory Command Sets. Первый отвечает за исполнение программ на устройстве хранения, в том числе их загрузку, поиск уже загруженных программ и их запуск. Набор обеспечивает модульный подход к программам, управляемым хостом. Второй предоставляет доступ к памяти в подсистеме NVM и позволяет работать с данными, обрабатываемыми программами на устройстве хранения.

Источник изображения: NVM Express

Вычислительное хранилище сокращает необходимость в перемещении данных между накопителями и процессором/ускорителем. Определённые операции могут производиться непосредственно на устройстве хранения, что повышает время отклика приложений, критичных к задержке. Это могут быть базы данных, модели ИИ и системы доставки контента.

В целом, функция NVMe Computational Storage Feature обеспечивает стандартизированную, не зависящую от поставщика оборудования архитектуру для хранения и обработки данных на накопителях NVMe. Решение ориентировано прежде всего на операторов дата-центров и гиперскейлеров.

Китайская компания Yingren Technology (InnoGrit), по сообщению ресурса Tom's Hardware, организовала массовое производство первого в стране контроллера PCIe 5.0, предназначенного для создания SSD корпоративного класса. Изделие получило обозначение YR S900. Новинка представляет собой четырехканальный контроллер SSD, основанный на архитектуре RISC-V.

Выбор RISC-V объясняется в том числе напряжёнными отношениями между США и КНР: в данном случае на изделие не смогут распространяться экспортные ограничения. О типе применённой технологии производства ничего не сообщается. Известно, что контроллер обеспечивает полную поддержку протокола NVMe 2.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи составляет до 3,5 и 2,5 млн соответственно. Контроллер может применяться в 16- и 18-канальной конфигурации.

Источник изображения: Yingren Technology

YR S900 наделён процессором ECC третьего поколения для оптимизации кодирования и декодирования 4K LDPC. По заявлению компании, использование решения вместе с новой гибридной адаптивной функцией коррекции ошибок ECC позволяет поднять производительность памяти TLC и QLC NAND. А при работе с Kioxia XL-Flash показана задержка произвольного чтения 4K на уровне 10 мкс. Среди прочего упомянута поддержка FDP (Flexible Data Placement), SR-IOV, CMB (Controller Memory Buffer), а также различных алгоритмов шифрования.

Современные твердотельные накопители хороши всем, но сами принципы, на которых строится NAND-память, наделяют их конечным ресурсом перезаписи, что в некоторых сценариях весьма критично. Специально для таких сценариев предназначен новый SSD Solidigm D7-P5810, анонсированный буквально на днях.

Большая часть современных SSD использует многослойную память 3D TLC NAND, а в погоне за ёмкостью и плотностью упаковки данных практическими всеми производителями NAND-устройств и самих SSD активно осваиваются технологии QLC и PLC, с четырьмя и пятью битами на ячейку, соответственно.

Но это означает пониженный ресурс записи и для использования в качестве устройств strorage class memory (SCM) такие SSD подходят не лучшим образом. Новый Solidigm D7-P5810, однако, использует 144-слойную память 3D NAND в режиме SLC, с одним битом на ячейку. За исключением экзотических технологий, вроде MRAM или почившего в бозе Optane это самый надёжный на сегодня вариант энергонезависимой памяти.

Источник изображений здесь и далее: Solidigm

Именно использование SLC-памяти позволяет компании-производителю заявлять для P5810 общий ресурс записи в 73 Пбайт и 50 полных перезаписей в день в течение пятилетнего гарантийного срока. Наработка на отказ заявлена на уровне 2 млн часов, а показатель UBER не превышает 1 сектор на 10¹⁷ бит. Ёмкость при этом не слишком высока, что характерно для всех SLC-устройств: новинка представлена в вариантах 800 Гбайт и 1,6 Тбайт (появится в первой половине 2024 года).

Solidigm D7-P5810 использует форм-фактор U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4), что позволяет ему развивать линейные скорости 6400 и 4000 Мбайт/с при чтении и записи соответственно. На случайных операциях при максимальной глубине запроса накопитель обеспечивает 865 тысяч IOPS при чтении и 495 тысяч IOPS при записи. Латентность при этом находится в пределах 10–15 мкс, при случайном чтении она не превышает 53 мкс.

Solidigm D7-P5810 в сравнении с соперниками. Конкурент A — Micron XTR, конкурент B — Kioxia FL6. Источник: Solidigm

Устройство достаточно экономично: в активном состоянии новый SSD потребляет не более 12 Вт, а в режиме простоя — не более 5 Вт. В качестве сценариев использования Solidigm называет кеширование в системах на базе QLC NAND, также он отлично подойдет для HPC-систем или систем сбора данных и логов.

Правда, новый накопитель не уникален: на рынке ему придётся конкурировать с Kioxia FL6 или Micron XTR, также использующими SLC 3D NAND. Оба конкурента имеют варианты с большей ёмкостью (3,2 Тбайт у Kioxia, 1,92 Тбайт у Micron), но заметно уступают Solidigm D7-P5810 в производительности на случайных операциях записи.