Компания ScaleFlux анонсировала высокопроизводительные вычислительные SSD семейства CSD5000 на базе фирменного контроллера FX5016, предназначенные для поддержания ресурсоёмких рабочих нагрузок, связанных с ИИ, машинным обучением, аналитикой данных и НРС. Устройства будут доступны в исполнениях U.2/U.3, E3.S, E1.S и E1.L.

Для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0b): один порт x4 или два x2. Заявлена поддержка TCG Opal 2.02 и шифрования AES-256, NVMe Thin Provisioned Namespaces Virtualization (48PF/32VF), ZNS, FDP, а также совместимость со спецификациями OCP, в том числе в части телеметрии и мониторинга задержек.

Реализовано сжатие информации непосредственно на SSD: разработчик подчеркивает, что это позволяет значительно увеличить долговечность накопителей по сравнению с обычными изделиями. В семейство входят модели вместимостью 3,84, 7,68, 15,36, 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. С учётом компрессии эффективная ёмкость может достигать приблизительно 256 Тбайт.

Источник изображения: ScaleFlux

Заявленная скорость последовательного чтения информации составляет до 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — до 11 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольных чтении и записи данных блоками по 4 Кбайт находится на уровне 3,2 млн и 430 тыс. соответственно. При использовании сжатия 2:1, как утверждает разработчик, скорость последовательной записи возрастает до 13 Гбайт/с, а значение IOPS при произвольной записи — до 1,2 млн.

ScaleFlux заявляет, что устройства семейства CSD5000 обеспечивают до 3 раз более высокую производительность в расчёте на ватт затрачиваемой энергии по сравнению с конкурирующими изделиями Samsung и Kioxia, поддерживающими интерфейс PCIe 5.0. Энергопотребление составляет менее 18 Вт в активном режиме и менее 5 Вт в режиме простоя. Средняя наработка на отказ (величина MTBF) — 2 млн часов.

Компания Addlink Technology анонсировала SSD семейств D60 и D20, предназначенные для использования в сетевых хранилищах (NAS). Устройства выполнены в форм-факторах M.2 2280 и SFF соответственно, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4) и SATA-3.

Все решения построены на чипах флеш-памяти 3D TLC NAND. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Средняя наработка на отказ (показатель MTBF) достигает 2 млн часов. Производитель предоставляет на SSD пятилетнюю гарантию.

Накопители Addlink D60 доступны в модификациях вместимостью 480, 960 и 1920 Гбайт. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) — 920, 1900 и 3800 Тбайт соответственно. Скорость последовательного чтения данных составляет до 6000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2000 Мбайт/с. Значение IOPS на операциях произвольного чтения и записи — до 800 тыс. и 60 тыс. Устройства рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (показатель DWPD) на протяжении пяти лет.

Источник изображения: Addlink

В свою очередь, изделия Addlink D20, выполненные в корпусе толщиной 7 мм, представлены в версиях на 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Значение TBW достигает 815, 1631, 3263, 13 061 и 10 725 Тбайт; показатель DWPD равен 1. Скорости последовательного чтения и записи — до 530 и 500 Мбайт/с. Величина IOPS составляет до 98 тыс. при произвольном чтении и до 40 тыс. при произвольной записи.

Отмечается, что накопители Addlink D60 подходят для высокопроизводительных NAS, которые эксплуатируются в круглосуточном режиме. Изделия Addlink D20 могут применяться для формирования систем большой вместимости.

Компания Swissbit анонсировала SSD семейства D2200, ориентированные на дата-центры и системы корпоративного класса. В серию вошли изделия в форматах U.2 и E1.S, выполненные на чипах флеш-памяти 3D NAND eTLC. Задействован интерфейс PCIe 5.0 х4 (NVMe 2.0b).

SFF-решения D2200 U.2 (SFF-8639) имеют размеры 100,2 × 69,85 × 15 мм. Они представлены в вариантах вместимостью 7,68 и 15,36 Тбайт, а позднее появится версия ёмкостью 30,72 Тбайт. Габариты устройства типоразмера D2200 E1.S (SFF-TA-1006) составляют 111,25 × 33,7 × 9,5 мм. Доступен только вариант на 7,68 Тбайт; в дальнейшем выйдет модификация на 15,36 Тбайт.

У всех накопителей скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 10 000 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольных чтении и записи — до 2,6 млн и 500 тыс. соответственно. Среднее заявленное энергопотребление при смешанных нагрузках равно 19,5 Вт.

Источник изображений: Swissbit

Конструкция включает буфер DDR4 DRAM. Устройства могут выдерживать одну полную перезапись в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Средняя наработка на отказ (MTBF) превышает 2 млн часов.

В новинках реализована поддержка TCG Opal 2.0 и AES-XTS 256. Предусмотрены функции Secure Boot и Crypto Erase, а также средства защиты от сбоев электропитания. Поставки SSD начнутся в конце августа.

Компании DapuStor и Marvell объявили о расширении сотрудничества с целью внедрения технологии Flexible Data Placement (FDP) в SSD, построенные на основе чипов памяти QLC и TLC. Применение FDP позволит повысить долговечность, производительность и эффективность накопителей указанных типов.

Отмечается, что устройства QLC SSD обеспечивают значительные преимущества в плане вместимости и совокупной стоимости владения (TCO) по сравнению с другими видами твердотельных накопителей. Однако существуют и проблемы: изделия QLC сталкиваются с меньшим сроком службы и более низкой скоростью записи. Совместное решение DapuStor и Marvell призвано устранить эти недостатки.

Речь идёт об использовании контроллера Marvell Bravera SC5 и специальной прошивки DapuStor FDP. Технология FDP интеллектуально распределяет данные по флеш-памяти QLC, оптимизируя использование доступных ячеек и сводя к минимуму влияние усиления записи (Write Amplification, WA). Особые алгоритмы динамически контролируют размещение информации в зависимости от рабочей нагрузки и моделей использования, гарантируя, что наиболее часто используемые данные хранятся в самых быстрых и надёжных областях памяти. В результате, повышаются производительность и долговечность накопителя.

Источник изображения: DapuStor

Тестирование показало, что алгоритмы FDP вкупе с контроллером Marvell Bravera SC5 и прошивкой DapuStor позволяют получить значение WA, близкое к 1,0. Иными словами, накопитель использует флеш-память NAND максимально эффективно и без потерь. Кроме того, решение DapuStor FDP включают в себя усовершенствованные методы коррекции ошибок и выравнивания износа. Благодаря этому достигается дополнительное увеличение срока службы и улучшение надёжности QLC SSD. Новая технология будет применяться в накопителях DapuStor QLC серии H5000.

Компания Micron Technology объявила о доступности серии NVMe-накопители Micron 9550, которые позиционируются как самые быстрые в мире PCIe 5.0 SSD для ЦОД с лучшими в отрасли показателями энергоэффективности и производительности для ресурсоёмких рабочих нагрузок, таких как ИИ. Новинки используют 232-слойную флеш-память TLC NAND, предлагаются в форм-факторах U.2 (15 мм), E3.S (1T) и E1.S (15 мм), а их ёмкость составляет от 3,2 до 30,72 Тбайт.

Micron 9550 обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,0 Гбайт/с и последовательной записи до 10,0 Гбайт/с, что превышает на 67 % показатели твердотельных накопителей аналогичного класса от конкурентов, говорит компания, подразумевая решения Kioxia и Samsung. Производительность накопителя на операциях случайного чтения и записи составляет 3,3 млн IOPS и 400 тыс. IOPS соответственно, что до 35 % и до 33 % выше, чем у предложений конкурентов.

Источник изображения: Micron

Накопители Micron 9550 поддерживают TCG Opal 2.01, SPDM 1.2, телеметрию по стандарту OCP 2.5, шифрование данных (SED), сквозную поддержку целостности данных, подписанное встроенное ПО, изолированный анклав Micron Secure Execution Environment, защиту от потери питания, а также соответствуют стандартам NVMe v2.0b и OCP 2.0 (r21). Доступны и варианты с сертификацией FIPS 140-3 Level 2 и TAA.

Компания предлагает две версии Micron 9550: 9550 PRO для интенсивного чтения с 1 DWPD (допустимое количество перезаписей всего объёма накопителя в день) в течение пятилетнего гарантийного периода и 9550 MAX для смешанных нагрузок с надёжностью 3 DWPD. E1.S-вариант есть только 9550 PRO. Доступная ёмкость 9550 PRO составляет 3,84/7,68/15,36/30,72 Тбайт. Версия накопителя 9550 MAX предлагает меньшую ёмкость — 3,2/6,4/12,8/25,6 Тбайт.

Как отметила Micron, ИИ-нагрузки требуют высокопроизводительных решений для хранения данных. Показатели последовательного и случайного чтения и записи SSD 9550 позволяет использовать его именно в таких в сценариях. Накопители поддерживают архитектуры Big Accelerator Memory (BaM) и GPU-Initiated Direct Storage (GIDS).

Например, большие языковые модели (LLM) требуют высокой скорости последовательного чтения, а графовые сети (GNN) требуют высокой производительности случайного чтения. Компания заявила, что Micron 9550 превосходит предложения конкурентов в работе с ИИ-нагрузками: время выполнения сокращается до 33 %, агрегация в BaM происходит до 60 % быстрее, обеспечивается до 34 % более высокая пропускная способность при использовании Magnum IO GPUDirect Storage (GDS).

Согласно пресс-релизу, Micron 9550 обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность для поддержки различных рабочих ИИ-нагрузок, в том числе:

• Обучение графовых сетей с помощью BaM: снижение среднего энергопотребления SSD до 43 % и снижение общего энергопотребления сервера до 29 %.
• NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage: до 81 % меньше потребление энергии на каждый переданный 1 Тбайт.
• MLPerf: до 35 % меньше потребление энергии накопителем и до 13 % меньше использование энергии системой.
• Тюнинг Llama LLM с помощью Microsoft DeepSpeed: энергопотребление SSD до 21 % меньше.

Micron 9550 имеет вертикально интегрированную архитектуру с использованием технологий, разработанных Micron, обеспечивающую гибкий выбор конструкции и расширенные возможности безопасности, говорит компания. Кроме того, Micron сотрудничает с NVIDIA и разработчиками решений с открытым исходным кодом, чтобы гарантировать соответствие решений потребностям самых требовательных ИИ-нагрузок.

Южнокорейский стартап Panmnesia сообщил о разработке специализированного CXL-решения, которое позволяет расширять встроенную память ускорителей на базе GPU путём подключения внешних блоков DRAM или даже SSD. Отмечается, что современным приложениям ИИ и НРС требуется значительный объём быстрой памяти, но возможности ускорителей в этом плане ограничены.

Сложность расширения памяти актуальных ускорителей заключается в том, что в таких изделиях отсутствуют логическая структура CXL и компоненты, поддерживающие DRAM и/или SSD. Кроме того, подсистемы кеша и памяти GPU не распознают никаких расширений. В лучшем случае предлагается механизм унифицированной виртуальной памяти (UVM) для совместного доступа к содержимому памяти и CPU, и GPU. Однако этот механизм довольно медленный.

Источник изображений: Panmnesia

Panmnesia обошла существующие ограничения путём создания собственного root-комплекса, совместимого со стандартом CXL 3.1 и предоставляющего несколько root-портов. Он и обеспечивает поддержку внешней памяти через PCIe. При этом задействован особый декодер HDM (Host-managed Device Memory), отвечающий за работу с адресными пространствами. Это сложное решение в каком-то смысле «обманывает» подсистему памяти ускорителя, заставляя ее рассматривать внешнюю PCIe-память как доступную напрямую.

Прототип, основанный на кастомизированном GPU, в ходе тестов продемонстрировало задержки менее 100 нс при передаче данных в обоих направлениях. При этом решение Panmnesia предоставляет более гранулярный доступ к памяти в сравнении с UVM. Быстродействие CXL-системы Panmnesia оказалось в 3,22 раза выше в пересчёте на IPC по сравнению с UVM.

Phison представила собственный бренд SSD корпоративного класса PASCARI, который включает сразу несколько различных серий: X, AI, D, S и B. Новинки представлены в форм-факторах E1.S, E3.S, U.3/U.2, M.2 2280/22110 и SFF 2,5″ и наделены интерфейсами SATA-3 и PCIe 4.0/5.0.

Наиболее интересна серия AI (или aiDAPTIVCache), которая фактически является частью программно-аппаратного комплекса aiDAPTIV+. Пока упоминается только один M.2 SSD — AI100E. Это сверхбыстрые и сверхнадёжные 2-Тбайт NVMe-накопители на базе SLC NAND (вероятно, всё же eSLC) с DWPD, равным 100 на протяжении трёх или пяти лет (в материалах указаны разные сроки). Аналогичные накопители, хотя и в более крупном форм-факторе, предлагают Micron и Solidigm, а Kioxia в прошлом году анонсировала накопители на базе XL-Flash второго поколения с MLC NAND.

Во всех случаях, по сути, речь идёт об SCM (Storage Class Memory). Наиболее ярким представителем данной категории была почившая серия продуктов Intel Optane. Phison переняла общую идею перестройки иерархии памяти, где SCM является ещё одним слоем между DRAM и массивом SSD, приложив её к задачам обучения ИИ. AI100E являются кеширующими накопителями, расширяющими доступную память. Программная прослойка aiDAPTIVLink общается с ускорителями NVIDIA и SSD с одной стороны и с PyTorch (также есть упоминание TensorFlow) — с другой.

Источник изображений: Phison

aiDAPTIVLink позволяет автоматически и прозрачно переносить на SSD неиспользуемые в текущий момент части обучаемой LLM и по необходимости отправлять их сначала в системную RAM, а потом и в память ускорителя, что и позволяет обходиться меньшим числом ускорителей при тренировке действительно больших моделей. Естественно, никакого чуда здесь не происходит, поскольку время обучения от этого нисколько не сокращается, но с другой стороны, обучение становится в принципе возможным на системах с малым количеством ускорителей или просто с относительно слабыми GPU и относительно небольшим же объёмом системной RAM.

Среди уже поддерживаемых моделей упомянуты некоторые LLM семейств Llama, Mistral, ResNet и т.д. Для них, как заявляется, не нужны никакие модификации для работы с aiDAPTIV+. Также упомянута возможность горизонтального масштабирования при использовании данной технологии. Точные характеристики AI100E компания не приводит, но это и не так существенно, поскольку напрямую продавать эти накопители она не собирается. Вместо этого они будут предлагаться в составе готовых и полностью укомплектованных рабочих станций или серверов.

Семейство PASCARI X включает сразу четыре серии накопителей. Так, X200E (DWPD 3) и X200P (DWPD 1) — это двухпортовые накопители на базе TLC NAND с интерфейсом PCIe 5.0 x4, представленные в форм-факторах U.2 и E3.S. Пиковые скорости последовательного чтения и записи составляют 14,8 Гбайт/с и 8,35 Гбайт/с соответственно. На случайных операциях с 4K-блоками производительность чтения достигает 3 млн IOPS, а записи — 900 тыс. IOPS у X200E и 500 тыс. IOPS у X200P. Здесь и далее даны только крайние показатели в рамках серии, а не отдельного накопителя.

Ёмкость X200E составляет 1,6–12,8 Тбайт, но также готовится 25,6-Тбайт U.2-версия. У X200P диапазон ёмкостей простирается от 1,92 Тбайт до 15,36 Тбайт, но опять-таки будет 30,72-Тбайт вариант в U.2-исполнении. Отмечается поддержка MF-QoS (QoS для различных нагрузок), поддержка 64 пространств имён, MTBF на уровне 2,5 млн часов, сквозная защита целостности передаваемых данных, улучшенная защита от потери питания и т.д.

У X100E (DWPD 3) и X200P (DWPD 1) среди возможностей дополнительно упомянуты поддержка TCG Opal 2.0, NVMe-MI, шифрования AES-256, безопасной очистки и т.д. От X200 эти накопители отличаются в первую очередь интерфейсом PCIe 4.0 x4 (возможны два порта x2). Выпускаются они только в форм-факторе U.3/U.2. X100E предлагают ёмкость от 1,6 Тбайт до 25,6 Тбайт, а X100P — от 1,92 Тбайт до 30,72 Тбайт. Пиковые скорости последовательного чтения и записи в обоих случаях достигают 7 Гбайт/с. Произвольное чтение 4K-блоками — до 1,7 млн IOPS, а вот запись у X100E упирается в 480 тыс. IOPS, тогда как у X100P и вовсе не превышает 190 тыс. IOPS.

В семейство PASCARI D входит всего одна серия компактных накопителей D100P на базе TLC NAND с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (один порт, NVMe 1.4), представленная в форм-факторах M.2 2280 (от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт), M.2 22110 (от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт) и E1.S (тоже от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт). Производительность M.2-вариантов составляет до 6 Гбайт/с и 2 Гбайт/с на последовательных операциях чтения и записи, а на случайных — до 800 тыс. IOPS и 60 тыс. IOPS соответственно. E1.S-версия чуть быстрее в чтении — до 6,8 Гбайт/с. Надёжность — 1 DWPD. Среди особенностей вендор выделяет сквозную защиту целостности данных, LPDC-движок четвёртого поколения, поддержку NVMe-MI и т.п.

PASCARI B включает серию загрузочных накопителей B100P: M.2 2280 (будет и 22110), TLC NAND, PCIe 4.0 x4, 1 DWPD и те же функции, что у D100P. Доступны только накопители ёмкостью 480 Гбайт и 960 Гбайт. Скоростные характеристики относительно скромны. Последовательные чтение и запись не превышают 5 Гбайт/с и 700 Мбайт/с, а произвольные — 450 тыс. IOPS и 30 тыс. IOPS. Также к PASCARI B принадлежит серия BA50P: SATA-накопители в форм-факторах M.2 2280 и SFF 2,5″ на базе TLC NAND с DWPD 1 и ёмкостью 240/480/960 Гбайт. Скорости чтения/записи не превышают 530/500 Мбайт/с при последовательном доступе, и 90/20 тыс. IOPS при случайном доступе 4K-блоками.

Наконец, семейство PASCARI S представлено тремя сериями SFF-накопителей (2,5″) с TLC-памятью и интерфейсом SATA-3, отличающихся в первую очередь опять-таки показателем надёжности: SA50E (3 DWPD), SA50P (1 DWPD) и SA50E (>0,4 DWPD). SA50E имеют ёмкость от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт, SA50P — от 480 Гбайт до 7,68 Тбайт, а SA50E — от 1,92 Тбайт до 15,36 Тбайт. Отличаются и максимальные скорости произвольного чтения/записи 4K-блоками: 98/60 тыс., 98/40 тыс. и 97/20 тыс. IOPS соответственно. А вот последовательные чтение и запись естественным образом ограничены самим интерфейсом, т.е. не превышают 530 Мбайт/с и 500 Мбайт/с соответственно. В описании упомянуты сквозная защита целостности данных, LPDC-движок и улучшенная защита от потери питания.

Для вообще всех накопителей заявленный диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. А вот срок гарантии не указан, так что показатели DWPD теряют смысл. Кроме того, Phison практически для каждой серии говорит о возможности кастомизации. Например, для X100 предлагаются услуги IMAGIN+.

Компания Pure Storage, специализирующаяся на All-Flash СХД, считает, что дальнейшее увеличение вместимости SSD будет сопряжено с рядом трудностей, продиктованных необходимостью применения DRAM. Об этом, как сообщает ресурс Blocks & Files, рассказал Шон Роузмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент Pure по исследованиям и разработкам.

По его словам, коммерческим SSD требуется примерно 1 Гбайт DRAM на каждый 1 Тбайт флеш-памяти. Наличие DRAM необходимо для подсистемы Flash Translation Layer (FTL). По словам Роузмарина, для накопителя ёмкостью 30 Тбайт требуется 30 Гбайт DRAM, для 75 Тбайт — 75 Гбайт и т. д. Таким образом, для SSD вместимостью, например, 128 Тбайт нужно 128 Гбайт DRAM, а это уже сопоставимо с объёмом ОЗУ в сервере.

Источник изображения: Pure Storage

Роузмарин отмечает, что увеличение вместимости корпоративных SSD свыше 30 Тбайт будет проблематично. Во-первых, DRAM заметно дороже NAND, что приведёт к значительному росту стоимости SSD. Во-вторых, из-за увеличения объёма DRAM возрастает энергопотребление, что не только поднимет стоимость владения, но и ухудшит надёжность накопителя. В результате по мере роста вместимости SSD заказчики могут столкнуться с серьёзным увеличением затрат.

Роузмарин заявляет, что единственный способ обойти указанные проблемы — найти более экономичную и менее энергозатратную альтернативу DRAM. Необходимые функции, по его словам, могут быть перенесены непосредственно на ПО СХД. Именно такой подход Pure реализует со своими проприетарными накопителями DFM (Direct Flash Module), последняя модификация которых имеет ёмкость 75 Тбайт. В этих устройствах отсутствует зависимость от DRAM на уровне накопителей.

Компания намерена выпустить DFM ёмкостью 150 Тбайт в 2025 году, а на 300 Тбайт — ориентировочно в 2026-м. В дальнейшие планы входит создание изделий вместимостью 600 Тбайт и 1,2 Пбайт. Аналогичного подхода придерживается и IBM в своих накопителях FlashCore Modules (FCM).

Консорциум NVM Express обновил спецификации, добавив возможность работы с вычислительными хранилищами NVMe Computational Storage Feature. Речь идёт о возможности использования устройств хранения, которые могут самостоятельно обрабатывать хранящуюся на них информацию по команде извне. Это позволит снизить совокупную стоимость владения IT-системами и повысить их общую производительность.

Спецификация включает два новых набора команд: Computational Programs и Subsystem Local Memory Command Sets. Первый отвечает за исполнение программ на устройстве хранения, в том числе их загрузку, поиск уже загруженных программ и их запуск. Набор обеспечивает модульный подход к программам, управляемым хостом. Второй предоставляет доступ к памяти в подсистеме NVM и позволяет работать с данными, обрабатываемыми программами на устройстве хранения.

Источник изображения: NVM Express

Вычислительное хранилище сокращает необходимость в перемещении данных между накопителями и процессором/ускорителем. Определённые операции могут производиться непосредственно на устройстве хранения, что повышает время отклика приложений, критичных к задержке. Это могут быть базы данных, модели ИИ и системы доставки контента.

В целом, функция NVMe Computational Storage Feature обеспечивает стандартизированную, не зависящую от поставщика оборудования архитектуру для хранения и обработки данных на накопителях NVMe. Решение ориентировано прежде всего на операторов дата-центров и гиперскейлеров.

Китайская компания Yingren Technology (InnoGrit), по сообщению ресурса Tom's Hardware, организовала массовое производство первого в стране контроллера PCIe 5.0, предназначенного для создания SSD корпоративного класса. Изделие получило обозначение YR S900. Новинка представляет собой четырехканальный контроллер SSD, основанный на архитектуре RISC-V.

Выбор RISC-V объясняется в том числе напряжёнными отношениями между США и КНР: в данном случае на изделие не смогут распространяться экспортные ограничения. О типе применённой технологии производства ничего не сообщается. Известно, что контроллер обеспечивает полную поддержку протокола NVMe 2.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи составляет до 3,5 и 2,5 млн соответственно. Контроллер может применяться в 16- и 18-канальной конфигурации.

Источник изображения: Yingren Technology

YR S900 наделён процессором ECC третьего поколения для оптимизации кодирования и декодирования 4K LDPC. По заявлению компании, использование решения вместе с новой гибридной адаптивной функцией коррекции ошибок ECC позволяет поднять производительность памяти TLC и QLC NAND. А при работе с Kioxia XL-Flash показана задержка произвольного чтения 4K на уровне 10 мкс. Среди прочего упомянута поддержка FDP (Flexible Data Placement), SR-IOV, CMB (Controller Memory Buffer), а также различных алгоритмов шифрования.