Поставщик СХД для HPC и ИИ ЦОД — компания VDURA заявила, что ценовая пропасть между SSD и HDD корпоративного уровня расширяется, поскольку цены на твердотельные накопители растут значительно быстрее, чем на жёсткие диски, сообщает Blocks & Files. Новая информация, в частности, должна положить конец рассуждениям о том, что SDD окончательно вытеснят HDD, о чём так мечтает Pure Storage, по крайней мере, до тех пор, пока цены на NAND-память значительно не упадут.

VDURA полагает, что критические изменения рынка особенно отразятся на ИИ, HPC и других средах с интенсивным использованием данных, где требования к производительности памяти не изменятся даже по мере роста цен. Компания ежеквартально публикует т.н. Flash Volatility Index (FVI) и Storage Economics Optimizer Tool для мониторинга изменений цен на SSD и HDD и помогает клиентам хотя бы отчасти компенсировать стремительный рост цен на твердотельные накопители.

По данным VDURA, со II квартала 2025 года по I квартал 2026 цена 30-Тбайт TLC SSD выросла на 257 %, с $3062 до $10 950, а цены на HDD за тот же период выросли на 35 %, что расширило ценовой разрыв. Так, разница в цене TLC SSD и HDD выросла с 6,2 раза во II квартале 2025 года до 16,4 раза в I квартале 2026-го, а в случае QLC SSD — в 14,2 раза. В результате значительно выросли риски для All-Flash архитектур. Утверждаются, что отправленные несколько месяцев назад коммерческие предложения теперь требуют полного пересмотра бюджетов.

The Flash Volatility Index помогает отследить, как изменения в цепочке поставок флеш-накопителей ведут к изменению цен на реальном розничном рынке и как это сравнимо с рынком HDD. Storage Economics Optimizer Tool позволяет клиентам моделировать общую стоимость системы с учётом различных архитектур хранения, целевых показателей производительности и др.

Источник изображения: VDURA

VDURA использовала Storage Economics Optimizer Tool для оценки воздействия волатильности цен флеш-накопителей для распространённых архитектур хранилищ на 25 Пбайт, обеспечивающих скорость передачи данных 1 Тбайт/с. По данным на II квартал 2025 года, хранилище, использовавшее исключительно SSD, предполагало годовые затраты в размере $8,50 млн. К I кварталу 2026 года та же конфигурация подорожала до $24,54 млн, рост составил 189 %, в основном из-за роста цен на SSD.

При этом утверждается, что архитектуры, комбинирующие использование SSD и HDD, позволяют значительно снизить рост цен и эффект от возможного неожиданного скачка цен на рынке твердотельных накопителей, с сохранением необходимых уровней производительности.

В докладе FVI отражается усугубляющееся ценовое давление по всем уровнями инфраструктурного стека. Со II квартала 2025 года по I квартал 2026 года цены на оперативную память (DRAM) взлетели на 205 %, рост обусловлен высоким спросом на системы на основе ИИ-ускорителей, требующие больших объёмов памяти. Высокоскоростные сетевые компоненты столкнулись с похожими ограничениями, что дополнительно сказывается на цене систем. Особенно это затратно для вариантов с большим количеством узлов.

Согласно данным из доклада FVI, многолетние договоры о покупке компонентов гиперскейлерами фактически заблокировали значительную часть мощностей для производства SSD до конца 2026 г. В то же время крупномасштабные инфраструктурные ИИ-проекты продолжают «поглощать» оставшиеся поставки. По оценкам экспертов, ценовое давление может сохраниться и в 2027 году и позже.

Как заявляют в VDURA, после десятилетия относительно стабильного ценообразования на NAND-память, правила изменились. Лидерам рынка инфраструктуры требуются реальные данные о том, что происходит и планировать деятельность в соответствии с существующими трендами.

Компания Dell расширила ассортимент СХД серии PowerStore, анонсировав модель 5200Q типа All-Flash. Новинка позволяет сформировать интеллектуальное хранилище, обеспечивающее ускорение работы с блочными, файловыми и виртуальными томами.

Устройство выполнено на аппаратной платформе Intel. Применены два контроллера, функционирующие в режиме «активный — активный». В общей сложности задействованы четыре неназванных процессора Xeon с 96 вычислительными ядрами, работающими на частоте 2,2 ГГц. Объём оперативной памяти составляет 1152 Гбайт.

СХД имеет типоразмер 2U. Во фронтальной части расположены 25 отсеков для SFF-накопителей NVMe. Могут применяться SSD на основе чипов памяти QLC вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Питание обеспечивают два блока с резервированием. В общей сложности могут быть использованы до 24 сетевых Front-end-портов в следующей конфигурации: 16 × FC16/32, 24 × 10GbE, 24 × 10/25GbE или 8 × 100GbE. Секция Back-end включает порты 100GbE QSFP. Кроме того, предусмотрен выделенный сетевой порт управления 1GbE. Говорится о поддержке протоколов FC, NVMe/FC, iSCSI, NVMe/TCP, NFSv3/4/4.1/4.2; CIFS SMB 2/3.0/3.02/3.1.1, FTP и SFTP.

В связке с СХД могут функционировать до трёх модулей расширения формата 2U, рассчитанных на 24 накопителя SFF (NVMe) каждый. Таким образом, в общей сложности система с учётом устройств расширения может содержать до 93 накопителей SFF и четыре изделия NVRAM. В составе кластера количество SSD может достигать 372 штук при суммарной вместимости 23,6 Пбайт с учётом компрессии. В качестве программной платформы применяется PowerStore OS.

Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, без громких анонсов представила свой первый SSD вместимостью 122,88 Тбайт, предназначенный для использования в системах с иммерсионным (погружным) жидкостным охлаждением. Устройство рассчитано на дата-центры и площадки гиперскейлеров. Накопитель относится к семейству DC25F. В его основу положены чипы флеш-памяти QLC NAND.

Доступны модификации в форм-факторах E3.S и E3.L: в обоих случаях для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 600 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3200 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 3 млн при произвольном чтении данных 4K-блоками и до 35 тыс. при произвольной записи. Накопители способны выдерживать 0,3 полных перезаписи в сутки (0,3 DWPD) на протяжении пяти лет. Это ставит их в один ряд с другими QLC-устройствами корпоративного класса, предназначенными для «теплого» и «холодного» хранения данных.

Источник изображения: Goodram

Goodram отмечает, что накопители прошли всестороннее тестирование с использованием различных диэлектрических жидкостей для иммерсионного охлаждения, включая составы Shell и Chevron. Утверждается, что эти SSD рассчитаны на длительную эксплуатацию без деградации.

Помимо модели вместимостью 122,88 Тбайт, Goodram предлагает широкий выбор других SSD для систем с иммерсионным охлаждением. Это устройства ёмкостью от 1,92 Тбайт и выше на основе чипов TLC NAND и QLC NAND с интерфейсами SATA, PCIe 4.0 и PCIe 5.0. Они доступны в форм-факторах SFF U.2 и U.3, E3.S и E1.S, M.2 2280 и M.2 22110.

Компания DapuStor анонсировала SSD семейства R6060, предназначенные для использования в ЦОД и в инфраструктурах корпоративного класса. Утверждается, что эти накопители подходят для векторных баз данных, крупномасштабных хранилищ и ресурсоёмких ИИ-систем.

Ранее DapuStor представила изделия J5060: эти SSD в форм-факторе SFF U.2 толщиной 15 мм оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов. Вместимость достигает 122 Тбайт.

Решения нового семейства R6060, как и модели J5060, выполнены в SFF-формате на основе чипов флеш-памяти QLC NAND. При этом задействован интерфейс PCIe 5.0. Вместимость может составлять 122 и 245 Тбайт. В основу положен фирменный контроллер DapuStor DP800, который обеспечивает скорость последовательного чтения информации до 28 Гбайт/с и скорость последовательной записи до 22 Гбайт/с (показатели быстродействия собственно устройств R6060 пока не раскрываются). Величина IOPS при произвольном чтении данных может достигать 6 млн. Задержка при случайной записи не превышает 3,5 мкс. Говорится об аппаратной поддержке RAID 5/6, TCG/AES/RSA/SHA/TRNG, Root of Trust и пр.

Источник изображения: DapuStor

Упомянута технология Flexible Data Placement (FDP): она интеллектуально распределяет данные по флеш-памяти QLC, оптимизируя использование доступных ячеек и сводя к минимуму влияние усиления записи (Write Amplification, WA). Благодаря этому наиболее часто используемые данные хранятся в самых быстрых и надёжных областях памяти. В результате, повышаются долговечность, производительность и эффективность накопителей.

В целом, как утверждается, по сравнению с другими доступными на рынке SSD изделия серии R6060 обеспечивают более низкую совокупную стоимость владения (TCO) при использовании на площадках гиперскейлеров. Поставки устройств уже начались.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

Компания SanDisk анонсировала NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, разработанный для удовлетворения растущих потребностей в ИИ-системах и ресурсоёмких вычислениях. Новинка позиционируется как решение для крупномасштабных приложений — таких, как озёра данных ИИ, высокоскоростной приём данных и аналитика в реальном времени, — где требуется масштабный и быстрый доступ к информации. А в скором времени компания обещает создать накопитель ёмкостью 1 Пбайт.

Созданный на недавно анонсированной платформе UltraQLC, твердотельный накопитель SanDisk UltraQLC SN670 будет доступен в вариантах ёмкостью 256 и 128 Тбайт. В нём используется 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллом CBA (CMOS Direct Bonded to Array) объёмом 2 Тбит и контроллер с интерфейсом PCIe 5.0. Аналогичные чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA установлены в 245,76-Тбайт SSD компании Kioxia, производственного партнёра SanDisk.

Источник изображения: SanDisk

Используемая в SanDisk UltraQLC SN670 технология Direct Write QLC, позволяет обходиться без традиционной буферизации SLC, осуществляя безопасную запись непосредственно на слои QLC без потерь при отключении питания. Как отметил ресурс Blocks & Files, обычно это приводит к снижению производительности по сравнению с аналогичными накопителями, использующими кеш SLC, если только не используются дополнительные усовершенствования для ускорения процесса.

Функция динамического масштабирования частоты (Dynamic Frequency Scaling) обеспечивает рост производительности до 10 % при заданном уровне энергопотребления. Для поддержания пропускной способности и долговечности при экстремальных объёмах записи в SN670 используется масштабируемый многоядерный контроллер. Обновлённый профиль Data Retention (DR) позволяет сократить число циклов обновления данных на 33 %, что повышает надёжность накопителя и снижает энергопотребление.

Обе версии накопителя SanDisk UltraQLC SN670 объёмом 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в форм-факторе U.2 в I половине 2026 года. Ожидается, что в течение года появятся и другие форм-факторы. Если SN670 будет готов к апрелю 2026 года, это, по мнению Blocks & Files, означает, что на доработку накопителя потребуется ещё около восьми месяцев. Вероятно, именно поэтому компания пока не раскрывает информацию о производительности и надёжности — накопитель и контроллер, по всей видимости, ещё не прошли финальное тестирование.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серий 6600 ION, 7600 и 9650 для дата-центров и систем корпоративного класса. Новинки, подходящие в том числе для ресурсоёмких нагрузок ИИ, предлагаются в различных форм-факторах — U.2, E1.S и E3.S.

Изделия Micron 6600 ION оптимизированы для сред, в которых постоянно генерируются и обрабатываются большие массивы данных: это может быть, например, инфраструктура интернета вещей (IoT). Устройства выполнены на основе флеш-чипов G9 QLC NAND, а для обмена данными задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Доступны исполнения E3.S 1T и U.2.

В семейство Micron 6600 ION входят модификации вместимостью 30,72, 61,44 и 122,88 Тбайт. В I половине 2026 года появится вариант ёмкостью 245 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении блоков данных по 4 Кбайт составляет до 2 млн, при произвольной записи — до 100 тыс. Показатель надёжности достигает 1 DWPD (полная перезапись в сутки) при последовательном доступе и от 0,075 до 0,3 DWPD при случайном доступе.

Источник изображений: Micron

Накопители серии Micron 7600, в свою очередь, подходят для задач ИИ. Устройства выпускаются в форматах U.2 (15 мм), E1.S (9,5 и 15 мм) и E3.S 1T (15 мм). Применены чипы флеш-памяти G9 TLC NAND и интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0d). Скорость последовательных чтения и записи — до 12 000 и 7000 Мбайт/с соответственно.

Покупатели смогут выбирать между модификациями Micron 7600 Pro и Micron 7600 Max. В первом случае вместимость варьируется от 1,92 до 15,36 Тбайт, а надёжность находится на уровне 1 DWPD (на протяжении пяти лет). Величина IOPS — до 2,1 млн при чтении и до 400 тыс. при записи. В случае Micron 7600 Max ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт, показатель DWPD равен 3. Значение IOPS — до 2,1 млн при произвольном чтении и до 675 тыс. при произвольной записи. Micron заявляет о задержке менее 1 мс при 99,9999 % операций.

Изделия Micron 9650 специально разработаны для обучения ИИ-моделей, инференса в режиме реального времени и других задач, при которых критическое значение имеют производительность и стабильная пропускная способность. Устройства в форм-факторах E3.S и E1.S оснащены интерфейсом PCIe 6.0 х4 (NVMe 2.0). Используются чипы флеш-памяти G9 TLC NAND. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на уровне 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — 14 000 Мбайт/с. Устройства E1.S допускают применение жидкостного охлаждения.

Серия включает версии Micron 9650 Pro (1 DWPD) и Micron 9650 Max (3 DWPD) вместимостью 7,68–30,72 и 6,4–25,6 Тбайт соответственно. Показатель IOPS при произвольном чтении достигает 5,5 млн, при произвольной записи — 1,1 млн у Pro и 1,5 млн у Max.

Максимальное энергопотребление у всех представленных изделий находится на уровне 25 Вт. Средняя наработка на отказ (MTTF) — 2,5 млн часов при температуре до +50 °C. Пробные поставки устройств Micron 7600 и Micron 9650 уже начались, а SSD серии Micron 6600 ION выйдут позднее в текущем квартале. 

Инициатива Open Flash Platform (OFP) призвана полностью пересмотреть работу с флеш-памятью в ИИ ЦОД. Участники OFP — Hammerspace, Linux Foundation, Лос-Аламосская национальная лаборатория (LANL), ScaleFlux, SK hynix и Xsight Systems — намерены отказаться от традиционных All-Flash хранилищ и контроллеров. Вместо них предложено использовать флеш-картриджи с минимумом аппаратной начинки, а доступ к таким массивам предоставлять посредством DPU и pNFS.

Как отмечено в пресс-релизе, OFP отвечает многим фундаментальным требованиям, возникающим в связи со следующим этапом развития СХД для ИИ. Для ИИ требуются поистине огромные массивы данных, но вместе с тем ЦОД сталкиваются с дефицитом энергии, повышением температуры и недостатком свободного места. Именно поэтому в OFP решили, что инфраструктуры хранения для ИИ лучше разработать с чистого листа.

Если 10 лет назад технология NVMe вывела флеш-память на новый уровень производительности благодаря отказу от устаревших шин данных и контроллеров, то теперь OFP обещает раскрыть возможности флеш-памяти, исключив посредников в виде серверов хранения и проприетарных программных стеков. OFP же опирается на открытые стандарты и open source решения, в частности, Parallel NFS (pNFS) и стандартный Linux, для размещения флеш-памяти непосредственно в SAN. А отказ от традиционных СХД обеспечит на порядок большую плотность размещения данных, существенную экономию энергии и значительно более низкую совокупную стоимость владения.

Источник изображения: openflashplatform.org

OFP отметила, что существующие решения изначально привязаны к модели сервера хранения, которая требует чрезмерных ресурсов для повышения производительности и возможностей. Конструкции всех современных поставщиков AFA не оптимизированы для достижения максимальной плотности размещения флеш-памяти и привязаны к сроку службы CPU (обычно пять лет), тогда как срок службы флеш-памяти в среднем составляет восемь лет. Эти серверы хранения также предлагают проприетарные структуры и уровни хранения данных, что приводит к увеличению количества копий данных и добавлению расходов на лицензирование для каждого узла.

Комментируя инициативу, ресурс Blocks & Files отметил, что Pure Storage и другие поставщики AFA уже предлагают оптимизированные схемы лицензирования и подписки, в том числе с обновлением контроллеров и дисковых полок. Та же Pure Storage предлагает более высокую плотность хранения, чем многие другие поставщики, хотя и использует проприетарные решения. Поддержкой DPU тоже удивить нельзя. Например, VAST Data уже поддерживает работу своего ПО на NVIDIA BlueField-3. А большинство поставщиков флеш-массивов и так поддерживают RDMA и GPUDirect.

OFP выступает за открытый, основанный на стандартах подход, включающий несколько основных элементов:

• Флеш-устройства на основе QLC (но не только) для повышения плотности. Закупки не должны быть привязаны к одном поставщику (впрочем, сейчас на рынке именно такая ситуация).
• IPU/DPU, которые стали достаточными зрелыми, чтобы заменить гораздо более требовательные процессоры для обслуживания данных. Более низкая стоимость и энергопотребление означают гораздо более высокую эффективность для сервисов обработки данных.
• Картриджи OFP, которые включают всё необходимое оборудование для хранения и обслуживания данных в форм-факторе, оптимизированном для низкого энергопотребления и повышения плотности размещения флеш-памяти.
• Шасси OFP, которые вмещают несколько картриджей OFP и обеспечивают распределение питания и возможность монтажа в различные типы стоек.
• Linux в качестве основной программной платформы со стандартной реализацией NFS (но это и так индустриальный стандарт).

Благодаря использованию открытых архитектур и компонентов, соответствующих отраслевым стандартам, реализация OFP приведёт к значительному повышению эффективности хранения данных, утверждают основатели инициативы. Так, обещано десятикратное увеличение плотности размещения данных, что позволит «упаковать» в одну стойку 1 Эбайт, попутно снизив энергопотребление на 90 %, увеличив срок службы флеш-памяти на 60 % и уменьшив совокупную стоимость владения (TCO) на 60 % по сравнению со стандартными массивами хранения.

По мнению Blocks & Files, в текущем виде OFP выглядит скорее как маркетинговая инициатива, от которой в первую очеред выиграют её участники. Концепция же «сетевых» SSD сама по себе не нова. Весной Kioxia показала SSD с «оптикой». Да, тут речь идёт скорее о блочном доступе и NVMe-oF, но, например, Nimbus Data в прошлом году представила ExaDrive EN с поддержкой NFS.

Компания Kioxia анонсировала первый в отрасли твердотельный накопитель NVMe, способный вместить 245,76 Тбайт информации. Устройство, вошедшее в семейство LC9, рассчитано прежде всего на рабочие нагрузки, связанные с генеративным ИИ.

SSD серии LC9 дебютировали в марте нынешнего года. Их основой служат чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Задействован неназванный проприетарный контроллер, совместимый с NVMe 2.0. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 x4 (с поддержкой двух портов).

Изначально в семействе LC9 были представлены решения в формате U.2 вместимостью до 122,88 Тбайт. Теперь максимальная ёмкость таких устройств увеличилась в два раза — до 245,76 Тбайт. Кроме того, в серии LC9 появились изделия типоразмера EDSFF E3.L на 245,76 Тбайт, а также EDSFF E3.S на 122,88 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Скорость последовательного чтения достигает 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 3 Гбайт/с. Это не самые высокие показатели для SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 5.0, но в данном случае Kioxia пришлось пойти на компромисс с целью достижения рекордной вместимости. Величина IOPS на операциях произвольного чтения составляет до 1,3 млн IOPS, на операциях произвольной записи — до 50 тыс. Накопители рассчитаны на 0,3 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD).

SSD поддерживают ряд функций для повышения надёжности и обеспечения целостности данных. Это средства защиты от внезапного отключения питания (PLP), технология FDP (Flexible Data Placement) для повышения долговечности, инструмент управления ошибками на основе контроля четности и пр. Реализованы шифрование AES-256 и алгоритмы постквантовой криптографии, устойчивые к атакам будущих квантовых компьютеров.