Компания Dell сообщила о том, что её система ObjectScale стала первым в мире объектным хранилищем, получившим поддержку SSD вместимостью 245,76 Тбайт. Речь идёт о накопителях Kioxia LC9, которые были анонсированы ещё в июле прошлого года.

В основу платформы ObjectScale положен 2U-сервер PowerEdge R7725 (более ранний анонс говорил об использовании модели с процессорами AMD). Он допускает установку 40 накопителей Kioxia LC9 типоразмера E3.L на 245,76 Тбайт. В сумме это даёт 9,83 Пбайт «сырой» ёмкости. В одной стойке могут быть смонтированы до 20 серверов, в результате чего совокупный объём СХД достигнет 196,6 Пбайт.

Собственно SSD серии Kioxia LC9 построены на чипах флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0); реализована поддержка двух портов. Скорость последовательного чтения составляет до 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — до 3 Гбайт/с. Предусмотрены средства защиты от сбоев питания.

Решение ObjectScale предназначено для построения высокоэффективной инфраструктуры для работы с неструктурированными данными. Это могут быть огромные массивы информации для аналитики и машинного обучения, резервные копии и архивы, медиаконтент и пр. Платформа также подходит для определённых ИИ-задач.

Источник изображения: Dell

Нужно отметить, что СХД высокой плотности формата 2U типа All-Flash предлагают и другие компании. В частности, в ассортименте HPE присутствует система Alletra Storage Server 4120 с поддержкой 48 накопителей SFF. Supermicro предлагает решение 2U SBB, рассчитанное на 48 двухпортовых NVMe SSD. А у Lenovo есть сервер ThinkSystem SR650 V2, допускающий установку до 40 SSD.

DapuStor анонсировала передовые твердотельные накопители корпоративного класса, предназначенные для работы с ИИ. Представлены решения разных типов с воздушным и жидкостным охлаждением. В частности, дебютировали первые, по словам компании, в отрасли SSD вместимостью 512 Тбайт — изделия серии R6060.

Они выполнены на основе чипов флеш-памяти QLC и оснащены интерфейсом PCIe 5.0. Заказчикам будут предлагаться модификации в форм-факторах EDSFF нового поколения, включая E3.L и E2. Большая ёмкость упрощает масштабирование, снижает энергопотребление и общую стоимость владения высоконагруженных систем хранения, рассчитанных на работу с огромными массивами информации.

В число новинок DapuStor вошёл накопитель R6 типоразмера E1.S ёмкостью 8 Тбайт. Особенностью этого изделия является жидкостное охлаждение. В устройстве применяются чипы флеш-памяти TLC, а для подключения к серверу служит интерфейс PCIe 5.0. Решение ориентировано на ИИ-системы высокой плотности с большим количеством GPU.

Источник изображения: DapuStor

Кроме того, представлены SSD серии J5060 на базе чипов QLC. Они ориентированы на применение в составе платформ с несколькими уровнями флеш-хранения, включая SLC. Это даёт улучшенную гибкость для ИИ-нагрузок, которым требуются одновременно быстрый доступ к данным и значительная вместимость. При таких конфигурациях SLC-накопители обеспечат высокую скорость и существенный ресурс, а QLC — большую вместимость.

DapuStor также демонстрирует двухпортовые SSD семейства R6 в форм-факторе E3.S. Изделия будут выпускаться в конфигурациях TLC и QLC. В первом случае вместимость достигает 30,72 Тбайт, во втором — 61,44 Тбайт. При этом наличие двух портов повышает отказоустойчивость корпоративных ИИ-систем.

Dell Technologies анонсировала высокопроизводительные СХД нового поколения PowerStore Elite, относящиеся к классу All-Flash. Устройства выполнены на аппаратной платформе Intel, а в составе программной части используется PowerStoreOS 5.0.

Дебютировали модели PowerStore 1500, 5500 и 9500. Все они выполнены в форм-факторе 3U с двумя контроллерами. Модель PowerStore 1500 комплектуется одним 24-ядерным Xeon (1,9 ГГц) и 512 Гбайт DDR5 (в расчёте на контроллер). Поддерживается до 24 NVMe-накопителей EDSFF E3.S (в перспективе — E3.L). В случае PowerStore 5500 задействованы два чипа Xeon с 24 ядрами (1,8 ГГц) и 1 Гбайт RAM на контроллер, а количество поддерживаемых E3.S достигает 40. Модификация PowerStore 9500 наделена двумя процессорами Xeon с 32 ядрами (2,2 ГГц) и 2 Гбайт RAM на контроллер; поддерживаются 40 накопителей.

Все новинки допускают использование SSD типа TLC вместимостью до 15,36 Тбайт и QLC ёмкостью до 30,72 Тбайт. Могут подключаться полки расширения, поддерживающие до 44 EDSFF-накопителей. Максимальная общая вместимость достигает 5,8 Пбайт. Младшая версия использует межузловой интерконнект 100GbE RDMA, две другие — 200GbE RDMA. Могут быть использованы до пяти разъёмов OCP 3.0 (PCIe 4.0/5.0 x16).

Источник изображения: Dell

Независимо от модели, система охлаждения включает шесть вентиляторов на каждый контроллер (в сумме 12 вентиляторов на шасси). В зависимости от модификации будут доступны варианты с сетевыми портами в следующих конфигурациях: 4 × FC32/64, 4 × 1/10GbE, 4 × 10/25GbE, 2 × 100GbE. В дальнейшем появится поддержка 200/400GbE и 128Gb FC. Реализованы средства дедупликации и сжатия 6:1. Компания Dell заявляет, что новые системы можно объединять в кластеры с существующими массивами PowerStore. Продажи представленных устройств начнутся в июле.

Компания Huawei выпустила 122-Тбайт SSD-накопители, не имея доступа к новейшей 100-слойной 3D NAND от основных поставщиков NAND, задействовав собственную технологию упаковки Die-on-Board (DoB), сообщил ресурс Blocks & Files. DoB предполагает размещение кристаллов NAND непосредственно на печатной плате (PCB).

В свою очередь, ведущие поставщики SSD, такие как Samsung с V-NAND, Kioxia и Sandisk с BiCS, а также Micron, используют многоярусную компоновку кристаллов внутри корпусов TSOP, BGA и т.д. Это распространённая практика при изготовлении SSD-накопителей большой ёмкости, в которых используется многослойная 3D NAND внутри кристалла. Не имея доступа к новейшим чипам 3D NAND с использованием американских технологий из-за санкций США, Huawei будет вынуждена, как только её запасы исчерпаются, использовать NAND китайского производства от YMTC и др.

А это означает, что в корпусах TSOP или BGA SSD-накопители Huawei получат меньшую ёмкость по сравнению с изделиями конкурентов. Поэтому Huawei использовала собственную разработку DoB, что обеспечивает более высокую плотность хранения, чем при традиционном корпусировании NAND-чипов. Сообщается, что недостатком такого подхода являются необходимость управления тепловым режимом и возможные проблемы с целостностью сигнала.

DoB обеспечивает повышение плотности ёмкости на треть. Фирменная технология используется в масштабируемом хранилище OceanStor Pacific 9926 AFA с SSD OceanDisk QLC PCIe 4.0 ёмкостью 61,44 и 122 Тбайт. Количество ярусов не разглашается. На мероприятии Huawei ID Forum 2026 в Париже компания сообщила о трёх новых моделях SSD-накопителей ёмкостью 61,44, 122,88 и 245 Тбайт. Первые две уже находятся в производстве.

Источник изображения: Huawei/Blocks & Files

Как пишет Blocks & Files, в публикации на сайте inf.news приводятся сведения о трёх новых накопителях для использования с ИИ-нагрузками:

• EX 560: экстремальная производительность — 1,5 млн IOPS случайной записи, задержка менее 7 мс, ресурс — 60 DWPD;
• SP 560: высокая производительность — 600 тыс. IOPS случайной записи, задержка менее 7 мс, ресурс — 1 DWPD;
• LC 560: высокая ёмкость — 245 Тбайт благодаря 36-слойной упаковке. Пропускная способность — 14,7 Гбайт/с.

В публикации говорится, что 36-слойная упаковка Huawei (36-layer stacking process) «преодолевает ограничения традиционного 16-слойного процесса». Архитектура Huawei AI SSD «интегрирует блок ускорения ИИ в основной управляющий чип SSD, обеспечивая одновременное хранение и вычисления, снижая энергопотребление при передаче данных на 80 %».

СХД Huawei OceanStor Pacific 9926 с 36 NVMe SSD ёмкостью 122,88 Тбайт каждый с поддержкой PCIe 5.0 обеспечивает 4,42 Пбайт «сырой» ёмкости в 2U-шасси; эффективная ёмкость составляет 11 Пбайт при сжатии 2,5:1. Как отметил Blocks & Files, это контрастирует с 10 Пбайт «сырой» ёмкости СХД Dell в 2U-шасси, использующей 40 NVMe SSD Kioxia LC9 (QLC) ёмкостью 245,88 Тбайт каждый. Накопители LC9 имеют форм-фактор E3.L, в то время как твердотельные накопители Huawei OceanDisk выполнены в проприетарном компактном корпусе размером с ладонь.

Компания Kaytus, базирующаяся в Сингапуре, анонсировала системы хранения KR1180 (1U10), KR2280 (2U24) и KR4266 (4U60) типа All-Flash, рассчитанные на применение в инфраструктурах ИИ. Утверждается, что при построении платформ экзабайтного масштаба суммарная пропускная способность достигает 10 Тбайт/с, а показатель IOPS при чтении — 100 млн.

Для новинок предусмотрено применение SSD с интерфейсом PCIe 5.0 на основе чипов флеш-памяти QLC NAND. Kaytus подчёркивает, что такие накопители по сравнению с традиционными продуктами на основе TLC NAND позволяют снизить общую стоимость владения на 70 % в течение пяти лет. Могут устанавливаться SSD вместимостью до 122,88 Тбайт.

Модель KR1180 выполнена в форм-факторе 1U: она оснащена десятью отсеками для SFF-накопителей SAS/SATA/NVMe. Общая ёмкость может составлять до 1 Пбайт; пропускная способность — 140 Гбайт/с. В зависимости от модификации устанавливается один процессор Intel Xeon 6 (Sierra Forest-SP/Granite Rapids-SP) или AMD EPYC 9005 Turin. Доступны соответственно 16 и 24 слота для модулей DDR5. Есть два внутренних коннектора для SSD типоразмера M.2, три слота PCIe 5.0 x8 для карт расширения HHHL, а также разъём PCIe 5.0 x8/x16 OCP 3.0 NIC. Питание обеспечивают два блока мощностью до 2000 Вт с сертификатом 80 Plus Platinum/Titanium. Применено воздушное охлаждение.

Версия KR2280 стандарта 2U рассчитана на 24 накопителя SFF SAS/SATA/NVMe. Могут быть задействованы один или два процессора Intel Xeon 6 или AMD EPYC 9005. Упомянуты соответственно 32 и 24 слота DDR5. В зависимости от конфигурации доступны до семи слотов PCIe 5.0. Используются два блока питания мощностью до 3200 Вт с сертификатом 80 Plus Platinum/Titanium. Предлагаются опции воздушного и жидкостного охлаждения.

Источник изображения: Kaytus

Вариант KR4266 формата 4U позволяет установить в общей сложности 60 накопителей QLC SSD, а суммарная вместимость достигает 7 Пбайт. Пропускная способность — до 260 Гбайт/с, величина IOPS — до 20 млн. Поддерживаются один или два процессора Intel Xeon 6 и до 32 модулей DDR5-6400. Могут быть задействованы до 12 слотов PCIe 5.0, включая два разъёма для карт OCP 3.0 NIC. Применены блоки питания мощностью до 2700 Вт с сертификатом 80 Plus Platinum/Titanium.

Micron объявила о начале поставок SSD Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, который позиционируется компанией как самый ёмкий из доступных на рынке SSD в мире. Он предназначен для поддержки рабочих ИИ-нагрузок, облачных вычислений, корпоративных задач, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ и облачные файловые и объектные хранилища.

Новый SSD основан на фирменной 276-слойной памяти G9 QLC NAND. Он доступен в форматах U.2 и E3.L с ёмкостью 30,72/61,44/22,88/245,76 Тбайт, причём самый ёмкий вариант выпускается именно в формате E3.L. 245-Тбайт модель обеспечивает скорость последовательного чтения и записи до 13,7 Гбайт/с и 3,0 Гбайт/с соответственно, а также до 1,78 млн 48 тыс. IOPS при случайном чтении и записи соответственно. Накопитель использует однопортовый интерфейс PCIe 5.0 x4 и соответствует стандартам OCP 2.6, NVMe 2.0d, NVMe-MI 1.2d. Максимальное энергопотребление не превышает 30 Вт.

Новинка в большей степени рассчитана на сценарии чтения, поскольку при последовательной записи заявленный уровень надёжности составляет 1 DPWD, а при случайной 4K-блоками — 0,075 DWPD. Впрочем, её сильная сторона — это как раз высокая ёмкость. Так, для достижения эквивалентной ёмкости хранения с использованием E3.L-версии на 245 Тбайт потребуется на 82 % меньше стоек, чем при использовании HDD. В 1U-шасси в этом случае можно получить более 3,9 Пбайт, а в 36U-стойке — 176,9 Пбайт.

Источник изображений: Micron Technology

Как отметил ресурс Servethehome, преимущество нового SSD заключается не только в высокой ёмкости, но и в форм-факторе EDSFF, который делает практичными гораздо более плотные полки для хранения данных. В рекламных материалах Micron сообщается, что при развёртывании 1 Эбайт ёмкости с использованием 245,76-Тбайт E3.L-накопителей потребуется в 5,6 раза меньше места, чем для 44-Тбайт HDD. В итоге для одного и того же набора данных потребуется меньше шасси, меньше стоек и меньше вспомогательной инфраструктуры.

По словам Micron, в сравнении с жёсткими дисками для ИИ-нагрузок Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт обеспечил до 84 раз лучшую энергоэффективность, в 8,6 раза более быструю предварительную обработку ИИ и в 3,4 раза большую пропускную способность при приёме данных, а также до 29 раз меньшую задержку. Для объектного хранения те же накопители продемонстрировали до 435 раз большую пропускную способность на Ватт, в 96 раз более быстрое время до первого байта и в 58 раз большую суммарную пропускную способность. А для развёртывания 1 Эбайт в случае HDD потребуется в 1,9 раза больше энергии по сравнению с накопителями 245-Тбайт SSD Micron.

Хотя Micron утверждает, что Micron 6600 ION является самым ёмким коммерчески доступным SSD в мире, конкурентам есть что предложить. Так, Kioxia анонсировала SSD LC9 ёмкостью 245,76 Тбайт с интерфейсом PCIe 5.0, а Sandisk в августе прошлого года анонсировала UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, поставки которого начнутся в I половине этого года. Как отметил ресурс Blocks & Files, ожидается, что Samsung и SK hynix/Solidigm представят сопоставимые по ёмкости накопители позже в этом году.

По словам главы Sandisk Дэвида Геклера (David Goeckeler), компания стремится к заключению долгосрочных соглашений о поставке NAND-памяти клиентам, представляющим индустрию дата-центров. Рынок памяти находится на этапе структурных изменений, вызванных спросом со стороны ИИ-проектов.

Многолетние контракты обеспечат баланс предсказуемого спроса и привлекательных экономических условий — это позволит отойти от традиционно применявшейся в отрасли поквартальной модели ценообразования. Sandisk подчёркивает, что в новой реальности соглашения превратились из инструментов переговоров о ценах в критически важные механизмы обеспечения поставок, поскольку индустрия ЦОД нуждается в крупных и долгосрочных поставках NAND-памяти.

Sandisk рассчитывает, что на ЦОД будет приходиться крупнейшая доля рынка NAND-памяти в календарном 2026 году, рост составит 20–60 % в течение двух циклов прогнозирования. В минувшем квартале производитель сообщал о последовательном увеличении продаж в сегменте дата-центров на 64 %, после роста в 20 % в предыдущем отчётном периоде.

Источник изображения: Sandisk

Изменения свидетельствуют о фундаментальной трансформации рынка, поскольку гиперскейлерам требуется прогнозируемое предложение для удовлетворения растущих потребностей в оборудовании. Клиенты Sandisk уже передают компании прогнозы спроса до 2028 года включительно, теперь речь идёт об обсуждении соглашений сроком на 1–5 лет.

Sandisk стремится добиться привлекательных и стабильных финансовых результатов своей деятельности. Кроме того, компания рассчитывает сформировать портфолио механизмов фиксированного и гибкого ценообразования, чтобы обеспечить оптимальные результаты в разных рыночных условиях. Подчёркивается, что клиенты, готовые к долгосрочным обязательствам, получат приоритетные поставки в условиях дефицита предложения. Те, кто предпочитает договариваться ежеквартально, могут оказаться в менее выгодной ситуации, столкнувшись с нехваткой компонентов.

Sandisk намерена и дальше ежегодго наращивать производство памяти на уровне 15–19 %, к концу 2026 года основными станут чипы BiCS8. Слухи о возможном переходе к BiCS10 для удовлетворения спроса опровергаются — для закрытия текущих потребностей рынка достаточно имеющихся производственных мощностей.

Источник изображения: Sandisk

На SanDisk приходится приблизительно 25 % рынка периферийных вычислений. Сейчас она расширяет портфолио SSD для корпоративных клиентов. Проводятся квалификационные испытания продуктов гиперскейлерами, в т.ч. QLC SSD ёмкостью 128 Тбайт под кодовым названием Stargate, в финансовых отчётах поставки которых ещё не отмечены. Также совместно с южнокорейской SK Hynix разрабатывается память HBF. Ожидается, что прототипы соответствующих кристаллов появятся уже к концу 2026 года, а готовые для тестирования клиентами варианты — годом позже.

Работу совместного предприятия Sandisk и Kioxia продлили ещё на пять лет, т.е. Sandisk обеспечила себе производственные мощности до 2034 года. Благодаря этому компания сможет инвестировать в исследования и разработки на уровне, сопоставимом с лидерами рынка, сохраняя лидерство по минимизации издержек.

Поставщик СХД для HPC и ИИ ЦОД — компания VDURA заявила, что ценовая пропасть между SSD и HDD корпоративного уровня расширяется, поскольку цены на твердотельные накопители растут значительно быстрее, чем на жёсткие диски, сообщает Blocks & Files. Новая информация, в частности, должна положить конец рассуждениям о том, что SDD окончательно вытеснят HDD, о чём так мечтает Pure Storage, по крайней мере, до тех пор, пока цены на NAND-память значительно не упадут.

VDURA полагает, что критические изменения рынка особенно отразятся на ИИ, HPC и других средах с интенсивным использованием данных, где требования к производительности памяти не изменятся даже по мере роста цен. Компания ежеквартально публикует т.н. Flash Volatility Index (FVI) и Storage Economics Optimizer Tool для мониторинга изменений цен на SSD и HDD и помогает клиентам хотя бы отчасти компенсировать стремительный рост цен на твердотельные накопители.

По данным VDURA, со II квартала 2025 года по I квартал 2026 цена 30-Тбайт TLC SSD выросла на 257 %, с $3062 до $10 950, а цены на HDD за тот же период выросли на 35 %, что расширило ценовой разрыв. Так, разница в цене TLC SSD и HDD выросла с 6,2 раза во II квартале 2025 года до 16,4 раза в I квартале 2026-го, а в случае QLC SSD — в 14,2 раза. В результате значительно выросли риски для All-Flash архитектур. Утверждаются, что отправленные несколько месяцев назад коммерческие предложения теперь требуют полного пересмотра бюджетов.

The Flash Volatility Index помогает отследить, как изменения в цепочке поставок флеш-накопителей ведут к изменению цен на реальном розничном рынке и как это сравнимо с рынком HDD. Storage Economics Optimizer Tool позволяет клиентам моделировать общую стоимость системы с учётом различных архитектур хранения, целевых показателей производительности и др.

Источник изображения: VDURA

VDURA использовала Storage Economics Optimizer Tool для оценки воздействия волатильности цен флеш-накопителей для распространённых архитектур хранилищ на 25 Пбайт, обеспечивающих скорость передачи данных 1 Тбайт/с. По данным на II квартал 2025 года, хранилище, использовавшее исключительно SSD, предполагало годовые затраты в размере $8,50 млн. К I кварталу 2026 года та же конфигурация подорожала до $24,54 млн, рост составил 189 %, в основном из-за роста цен на SSD.

При этом утверждается, что архитектуры, комбинирующие использование SSD и HDD, позволяют значительно снизить рост цен и эффект от возможного неожиданного скачка цен на рынке твердотельных накопителей, с сохранением необходимых уровней производительности.

В докладе FVI отражается усугубляющееся ценовое давление по всем уровнями инфраструктурного стека. Со II квартала 2025 года по I квартал 2026 года цены на оперативную память (DRAM) взлетели на 205 %, рост обусловлен высоким спросом на системы на основе ИИ-ускорителей, требующие больших объёмов памяти. Высокоскоростные сетевые компоненты столкнулись с похожими ограничениями, что дополнительно сказывается на цене систем. Особенно это затратно для вариантов с большим количеством узлов.

Согласно данным из доклада FVI, многолетние договоры о покупке компонентов гиперскейлерами фактически заблокировали значительную часть мощностей для производства SSD до конца 2026 г. В то же время крупномасштабные инфраструктурные ИИ-проекты продолжают «поглощать» оставшиеся поставки. По оценкам экспертов, ценовое давление может сохраниться и в 2027 году и позже.

Как заявляют в VDURA, после десятилетия относительно стабильного ценообразования на NAND-память, правила изменились. Лидерам рынка инфраструктуры требуются реальные данные о том, что происходит и планировать деятельность в соответствии с существующими трендами.

Компания Dell расширила ассортимент СХД серии PowerStore, анонсировав модель 5200Q типа All-Flash. Новинка позволяет сформировать интеллектуальное хранилище, обеспечивающее ускорение работы с блочными, файловыми и виртуальными томами.

Устройство выполнено на аппаратной платформе Intel. Применены два контроллера, функционирующие в режиме «активный — активный». В общей сложности задействованы четыре неназванных процессора Xeon с 96 вычислительными ядрами, работающими на частоте 2,2 ГГц. Объём оперативной памяти составляет 1152 Гбайт.

СХД имеет типоразмер 2U. Во фронтальной части расположены 25 отсеков для SFF-накопителей NVMe. Могут применяться SSD на основе чипов памяти QLC вместимостью 15,36 и 30,72 Тбайт. Питание обеспечивают два блока с резервированием. В общей сложности могут быть использованы до 24 сетевых Front-end-портов в следующей конфигурации: 16 × FC16/32, 24 × 10GbE, 24 × 10/25GbE или 8 × 100GbE. Секция Back-end включает порты 100GbE QSFP. Кроме того, предусмотрен выделенный сетевой порт управления 1GbE. Говорится о поддержке протоколов FC, NVMe/FC, iSCSI, NVMe/TCP, NFSv3/4/4.1/4.2; CIFS SMB 2/3.0/3.02/3.1.1, FTP и SFTP.

В связке с СХД могут функционировать до трёх модулей расширения формата 2U, рассчитанных на 24 накопителя SFF (NVMe) каждый. Таким образом, в общей сложности система с учётом устройств расширения может содержать до 93 накопителей SFF и четыре изделия NVRAM. В составе кластера количество SSD может достигать 372 штук при суммарной вместимости 23,6 Пбайт с учётом компрессии. В качестве программной платформы применяется PowerStore OS.

Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, без громких анонсов представила свой первый SSD вместимостью 122,88 Тбайт, предназначенный для использования в системах с иммерсионным (погружным) жидкостным охлаждением. Устройство рассчитано на дата-центры и площадки гиперскейлеров. Накопитель относится к семейству DC25F. В его основу положены чипы флеш-памяти QLC NAND.

Доступны модификации в форм-факторах E3.S и E3.L: в обоих случаях для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 600 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3200 Мбайт/с. Показатель IOPS составляет до 3 млн при произвольном чтении данных 4K-блоками и до 35 тыс. при произвольной записи. Накопители способны выдерживать 0,3 полных перезаписи в сутки (0,3 DWPD) на протяжении пяти лет. Это ставит их в один ряд с другими QLC-устройствами корпоративного класса, предназначенными для «теплого» и «холодного» хранения данных.

Источник изображения: Goodram

Goodram отмечает, что накопители прошли всестороннее тестирование с использованием различных диэлектрических жидкостей для иммерсионного охлаждения, включая составы Shell и Chevron. Утверждается, что эти SSD рассчитаны на длительную эксплуатацию без деградации.

Помимо модели вместимостью 122,88 Тбайт, Goodram предлагает широкий выбор других SSD для систем с иммерсионным охлаждением. Это устройства ёмкостью от 1,92 Тбайт и выше на основе чипов TLC NAND и QLC NAND с интерфейсами SATA, PCIe 4.0 и PCIe 5.0. Они доступны в форм-факторах SFF U.2 и U.3, E3.S и E1.S, M.2 2280 и M.2 22110.