Компания MemVerge на суперкомпьютерной конференции ISC 2023 представила, как утверждается, первую в отрасли технологию общей мультисерверной памяти на основе стандарта Compute Express Link (CXL). Проект, получивший название Gismo (Global IO-Free Shared Memory Objects), призван повысить производительность серверных платформ.

Отмечается, что сетевые операции ввода-вывода и системы хранения являются узкими местами платформ распределённых приложений, интенсивно использующих данные. Решение Gismo как раз и призвано устранить данные проблемы. Речь идёт о концепции «бесконечной памяти».

Применены технология CXL 2.0 (PCIe 5.0), программные компоненты службы MemVerge Elastic Memory и аппаратные решения SK hynix (Niagara Pooled Memory System). Платформа позволяет хост-серверам динамически перераспределять память по мере необходимости, чтобы избежать дефицита DRAM. Иными словами, если приложению требуется больше памяти, нежели доступно физически, сервер может использовать ПО MemVerge для получения доступа к дополнительным объёмам DRAM на других серверах посредством CXL.

Источник: SK hynix

Утверждается, что революционная технология MemVerge призвана изменить ландшафт распределённых вычислений, давая компаниям возможность масштабировать свои операции и максимизировать производительность. Одним из первых участников проекта Gismo стала компания Timeplus — разработчик потоковой базы данных следующего поколения. Применение технологии позволило Timeplus значительно улучшить отказоустойчивость своей системы и повысить скорость обработки запросов.

Компания SK hynix объявила о создании рабочих образцов памяти DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM: это, как утверждается, самые производительные модули DRAM для серверов на сегодняшний день. Изделия имеют эквивалентную производительность DDR5-8000, что значительно больше по сравнению с широко распространёнными продуктами DDR5-4800.

MCR DIMM — двухранговая память, спроектированная совместно со специалистами Intel и Renesas. В модулях обеспечивается одновременное использование двух рангов, для чего служит специальный буфер данных между DRAM и CPU. Данный подход напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.

Источник изображений: SK hynix

Такая архитектура даёт возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону CPU по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без увеличения быстродействия собственно чипов памяти.

Говорится, что достижение стало возможным благодаря сочетанию опыта SK hynix по проектированию модулей DRAM, передовых технологий Intel, используемых в процессорах Xeon, и буферной технологии Renesas. Для стабильной работы модулей MCR DIMM необходимо согласованное взаимодействие между буфером данных и CPU. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, но сроков начала массового производства не называет.

Южнокорейская компания SK hynix, один из крупнейших в мире поставщиков чипов DRAM и NAND, обнародовала неутешительные показатели работы в III квартале 2022 года. По всем ключевым показателям зафиксирована отрицательная динамика, что объясняется сложившейся макроэкономической обстановкой и снижением цен на память.

Выручка за трёхмесячный период составила ₩‎10,98 трлн (приблизительно $7,7 млрд). Это на 7 % меньше результата годичной давности — ₩‎11,81 трлн. Операционная прибыль в годовом исчислении рухнула на 60 % —до ₩‎1,66 трлн ($1,18 млрд), а чистая прибыль сократилась на 67 %, оказавшись на отметке ₩‎1,10 трлн (примерно $780 млн).

Источник изображений: SK hynix

Столь резкое снижение прибыли SK hynix связывает с беспрецедентным ухудшением условий на рынке полупроводниковой продукции и неопределённостями в бизнес-среде. Производители компьютеров и смартфонов, которые являются основными покупателями микросхем памяти, сократили объёмы заказов из-за падения спроса.

SK hynix прогнозирует, что в обозримой перспективе предложение на мировом рынке памяти будет по-прежнему превышать спрос. А поэтому компания вынуждена сократить инвестиции в следующем году более чем на 50 % по сравнению с 2022-м. Ожидается, что в текущем году капиталовложения составят ₩‎10–20 трлн.

Надежды возлагаются лишь на серверную отрасль. Спрос на чипы памяти в сегменте ЦОД в краткосрочной перспективе может снизиться, но в среднесрочной и долгосрочной перспективах ожидается рост. Это объясняется увеличивающейся популярностью облачных платформ, расширением инфраструктур гиперскейлеров и внедрением ИИ.

Кроме того, SK hynix в следующем году расширит производство первой в отрасли 238-слойной памяти 4D NAND, которая была анонсирована в прошлом квартале. За счёт этого компания рассчитывает повысить прибыльность.

«Вычислительные» или «умные» SSD уже не являются новой технологией: один за другим разработчики на рынок новые продукты. А плодом сотрудничества между Лос-Аламосской национальной лабораторией (LANL) и компанией SK hynix стал новый класс подобного рода устройств.

На мероприятии Flash Memory Summit 2022 этот альянс продемонстрировал SSD, в котором доступ к данным основан не на традиционном блочном принципе и даже не на файловом, а на принципе хранилищ «ключ-значение» (key–value store, KV-CSD). Это не первый подобный проект. Более того, в спецификациях NVMe 2.0 уже определён необходимый набор команд.

Прототип KV-CSD. Источник: LANL

Структуры «ключ-значение» широко применяются в индустрии аналитики, так что накопитель, способный работать с таким форматом данных напрямую и на низком уровне может обеспечить огромный выигрыш в производительности в ряде сценариев. Детище LANL и SK hynix, работающее под управлением DeltaFS такой выигрыш и продемонстрировало, превзойдя классические SSD в 1000 раз за счёт эффективной индексации и сокращения объёмов передаваемых при запросе данных (data reduction).

Представитель LANL отметил, что такая эффективность в первичной обработке данных серьезно ускоряет анализ результатов крупномасштабных физических симуляций в сравнении с файловым хранилищем. Прямая работа с данными на столь низком уровне должна помочь учёным справиться с постоянно растущими объёмами информации. Оба участника альянса довольны полученными результатами и намереваются продолжить сотрудничество в деле разработки и выпуска вычислительных накопителей нового типа.

SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года.

Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах.

Изображения: SK Hynix

Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут.

SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.

Solidigm Technology, дочернее предприятие SK hynix, сформированное в декабре прошлого года из бывшего подразделения Intel, занимавшегося разработкой и выпуском твердотельной памяти, а также продуктов на её основе, представило свой первый продукт — серию серверных SSD D5-P5530 (или просто P5530). Впрочем, пресс-релиз, посвящённый новинкам, довольно скуп.

P5530 используют 128-слойную память 4D NAND (TLC) от SK hynix, а контроллер и прошивка для него разработаны Solidigm. Новинки выполнены в форм-факторе U.2 (15 мм) и снабжены интерфейсом PCIe 4.0 x4. Доступные модели ёмкостью 0,96, 1,92 и 3,84 Тбайт (1,7, 3,5 и 6,5 PBW). Пиковая скорость последовательных чтения и записи у старшей модели составляет 6,5 и 3,5 Гбайт/с, а случайной на 4K-блоках — 875 тыс. и 100 тыс. IOPS соответственно.

Энергопотребление не превышает 15 Вт. Поддерживается шифрование данных AES-256. P5530 рассчитаны на работу при температуре от 0° до +70° C. Показатель MTBF составляет 2 млн часов. Гарантия — 5 лет. Все эти сведения пока можно найти на сайте Intel, но вот рекомендуемые цены там не указаны.

P5530 — это первый совместный продукт SK hynix и Solidigm, которые и далее намерены укреплять сотрудничество, чтобы «оптимизировать рабочие процессы обеих компаний и добиться большей синергии» и чтобы ускорить реализацию стратегии SK hynix «Внутри Америки» (Inside America). В целом, как ожидается, сделка между Intel и SK hynix позволит последней стать вторым по величине производителем твердотельной памяти в мире.

Южнокорейская телекоммуникационная компания SK Telecom на этой неделе объявила о планах разделить свои активы на две части, выделив большинство дочерних предприятий в холдинговую компанию. Прямая наследница SK Telecom сохранит существующие телекоммуникационные активы, в то время как вторая компания возьмёт под своё крыло производителя микросхем SK Hynix, компанию в сфере электронной коммерции 11StreetCo, приложение для совместных поездок T Map Mobility и т. д.

В настоящее время SK Telecom имеет абонентскую базу в 6,35 млн клиентов 5G, что составляет 46,5 % рынка Южной Кореи. Компания-правопреемник сосредоточится на традиционном телекоммуникационном бизнесе оператора мобильной связи и добавит новые направления деятельности, такие как искусственный интеллект и центры обработки данных.

В прошлом году SK Telecom объявила о планах построить крупный кампус дата-центров в Южной Корее. Компания сообщила, что планирует построить четыре здания центра обработки данных к 2024 году и добавить ещё 12 новых зданий ЦОД к 2029 году, причём SK E&S будет использовать в рамках проекта плавучую солнечную ферму мощностью 200 МВт.

Вторая компания сосредоточит свои усилия на «разнообразных инвестициях». Причём инвестиции будут направляться как в отечественные, так и в зарубежные полупроводниковые компании, чтобы ускорить рост полупроводникового направления. Также сообщается, что она может провести IPO дочерних предприятий, таких как ADT Caps, 11StreetCo и T Map Mobility.

Hynix, ранее известная Hyundai Electronics, вошла в состав SK Group в 2012 году, когда её основным акционером стала SK Telecom. До принятия решения о разделении SK Telecom на две компании, SK Hynix активно занималась скупкой активов на полупроводниковом рынке. Она приобрела за последние пару лет бизнес Intel по производству флеш-памяти NAND и долю в японской полупроводниковой компании Kioxia Holdings.

Компания SK hynix, производитель флеш-памяти и продуктов на её основе, призвала внести свой вклад в борьбу с изменением климата, заменив жёсткие диски на твердотельные: «Примечательно, что обычные SSD и SSD с низким энергопотреблением потребляют на 50 и 94 % меньше энергии, чем HDD. Следовательно, если все жёсткие диски в глобальных ЦОД будут заменены твердотельными накопителями с низким энергопотреблением, мы сможем избавиться от 41 млн тонн выбросов CO₂».

Такое заявление сделал в ходе вчерашней телеконференции, посвящённой итогам третьего квартала 2020 финансового года, генеральный директор SK hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee, на фото ниже). Он отметил, что это принесет более 4,2 трлн вон (примерно $3,7 млрд) выгоды для общества, добавив, что его компания попытается реализовать это, продвигая переход на твердотельные накопители на рынке систем хранения данных.

По словам главы SK hynix, ёмкость хранилищ центров обработки данных (ЦОД) будет стремительно расти, достигнув 5,1 млрд Тбайт в 2030 году и увеличившись за 10 лет более чем в 5,7 раза. Использование SSD вырастет примерно до 40 %, а большинство твердотельных накопителей перейдут от использования TLC к флеш-памяти типа QLC или PLC.

SK hynix присоединилась к глобальной инициативе RE100, объединяющей предприятия, приверженные 100-процентному использованию возобновляемых источников электроэнергии, и «направленной ​​на то, чтобы к 2050 году вся потребляемая энергия была получена из возобновляемых источников». RE100 была основана в 2014 году Climate Group, и на данный момент к ней присоединилось 263 компании.

Ли Сок Хи также отметил, что SK hynix с опозданием стартовала на рынке флеш-памяти NAND. Она покупает у Intel бизнес по разработке и выпуску 3D NAND и SSD за $9 млрд, чтобы набрать обороты, получить портфель продуктов и технологий и увеличить масштабы производства. Благодаря этому приобретению компания планирует за пять лет утроить выручку от выпуска флеш-памяти NAND.

Ли подчеркнул, что Intel «особенно конкурентоспособна на рынке SSD для центров обработки данных. Она является лидером в области стандартизации интерфейса PCIe [и] обладает мощными технологиями прошивок и контроллеров, а также передовой технологией QLC». Эти качества должны дополнить преимущества SK hynix в области создания многослойной памяти, собственных контроллеров и использования NAND в мобильных устройствах. С помощью подразделения Intel компания планирует расширить бизнес-возможности во всех областях применения флеш-памяти NAND.

Компания SK Hynix анонсировала устройства хранения данных PE8000 — свои флагманские твердотельные накопители корпоративного класса (eSSD). Дебютировали изделия PE8010 и PE8030 формата U.2/U.3, а также решения PE8111 типоразмера EDSFF 1U Long (E1.L).

Накопители PE8010 и PE8030 стали первыми продуктами SK Hynix стандарта NVMe, использующими интерфейс PCI Express 4.0.

Эти устройства выполнены с применением 96-слойных микрочипов флеш-памяти TLC 4D NAND (три бита информации в одной ячейке). Используется фирменный контроллер. Вместимость достигает 8 Тбайт.

Изделия PE8010 и PE8030 обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 6500 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 3700 Мбайт/с. При этом показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) у PE8010 достигает 1100 тыс. при чтении и записи, а у PE8030 — 320 тыс.

Что касается решения PE8111, то его компания SK Hynix называет первым в мире накопителем на основе 128-слойных 1-терабитных чипов памяти TLC 4D NAND. Сейчас разрабатывается версия PE8111 ёмкостью 16 Тбайт, а позднее планируется выпуск модели на 32 Тбайт.

Изделие PE8111 оптимизировано для платформ Open Compute Project (OCP). Скорость чтения и записи достигает соответственно 3400 Мбайт/с и 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 700 тыс., при записи — до 100 тыс.

Компания SK hynix представила новые твердотельные накопители (SSD) корпоративного класса, рассчитанные на использование в центрах обработки данных, в составе облачных платформ и пр.

Изделия выполнены на основе 72-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Напомним, что технология TLC предполагает хранение трёх бит информации в одной ячейке. Применён контроллер собственной разработки SK hynix.

Новинки будут доступны в виде решений M.2 и U.2. В первом случае вместимость может достигать 4 Тбайт, во втором — 8 Тбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3,2 Гбайт/с. Накопители способны выполнять до 160 тысяч операций ввода/вывода в секунду (IOPS) в режиме произвольной записи.

Массовое производство новых изделий планируется начать во второй половине текущего года. О цене не сообщается.

Кроме того, компания SK hynix наметила на конец 2019 года анонс твердотельных накопителей на базе 96-слойной памяти 4D NAND. Ёмкость таких изделий будет достигать 16 Тбайт.