Материалы по тегу: sk hynix
24.05.2023 [21:41], Сергей Карасёв
MemVerge представила первую в мире «бесконечную память» на базе CXLКомпания MemVerge на суперкомпьютерной конференции ISC 2023 представила, как утверждается, первую в отрасли технологию общей мультисерверной памяти на основе стандарта Compute Express Link (CXL). Проект, получивший название Gismo (Global IO-Free Shared Memory Objects), призван повысить производительность серверных платформ. Отмечается, что сетевые операции ввода-вывода и системы хранения являются узкими местами платформ распределённых приложений, интенсивно использующих данные. Решение Gismo как раз и призвано устранить данные проблемы. Речь идёт о концепции «бесконечной памяти». Применены технология CXL 2.0 (PCIe 5.0), программные компоненты службы MemVerge Elastic Memory и аппаратные решения SK hynix (Niagara Pooled Memory System). Платформа позволяет хост-серверам динамически перераспределять память по мере необходимости, чтобы избежать дефицита DRAM. Иными словами, если приложению требуется больше памяти, нежели доступно физически, сервер может использовать ПО MemVerge для получения доступа к дополнительным объёмам DRAM на других серверах посредством CXL. Утверждается, что революционная технология MemVerge призвана изменить ландшафт распределённых вычислений, давая компаниям возможность масштабировать свои операции и максимизировать производительность. Одним из первых участников проекта Gismo стала компания Timeplus — разработчик потоковой базы данных следующего поколения. Применение технологии позволило Timeplus значительно улучшить отказоустойчивость своей системы и повысить скорость обработки запросов.
08.12.2022 [16:07], Сергей Карасёв
SK hynix представила DDR5 MCR DIMM — самую быструю в мире серверную памятьКомпания SK hynix объявила о создании рабочих образцов памяти DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM: это, как утверждается, самые производительные модули DRAM для серверов на сегодняшний день. Изделия имеют эквивалентную производительность DDR5-8000, что значительно больше по сравнению с широко распространёнными продуктами DDR5-4800. MCR DIMM — двухранговая память, спроектированная совместно со специалистами Intel и Renesas. В модулях обеспечивается одновременное использование двух рангов, для чего служит специальный буфер данных между DRAM и CPU. Данный подход напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM. ![]() Источник изображений: SK hynix Такая архитектура даёт возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону CPU по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без увеличения быстродействия собственно чипов памяти. ![]() Говорится, что достижение стало возможным благодаря сочетанию опыта SK hynix по проектированию модулей DRAM, передовых технологий Intel, используемых в процессорах Xeon, и буферной технологии Renesas. Для стабильной работы модулей MCR DIMM необходимо согласованное взаимодействие между буфером данных и CPU. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, но сроков начала массового производства не называет.
26.10.2022 [23:57], Сергей Карасёв
Прибыль SK hynix резко сократилась, но рост продаж ожидается в сегменте ЦОДЮжнокорейская компания SK hynix, один из крупнейших в мире поставщиков чипов DRAM и NAND, обнародовала неутешительные показатели работы в III квартале 2022 года. По всем ключевым показателям зафиксирована отрицательная динамика, что объясняется сложившейся макроэкономической обстановкой и снижением цен на память. Выручка за трёхмесячный период составила ₩10,98 трлн (приблизительно $7,7 млрд). Это на 7 % меньше результата годичной давности — ₩11,81 трлн. Операционная прибыль в годовом исчислении рухнула на 60 % —до ₩1,66 трлн ($1,18 млрд), а чистая прибыль сократилась на 67 %, оказавшись на отметке ₩1,10 трлн (примерно $780 млн). ![]() Источник изображений: SK hynix Столь резкое снижение прибыли SK hynix связывает с беспрецедентным ухудшением условий на рынке полупроводниковой продукции и неопределённостями в бизнес-среде. Производители компьютеров и смартфонов, которые являются основными покупателями микросхем памяти, сократили объёмы заказов из-за падения спроса. SK hynix прогнозирует, что в обозримой перспективе предложение на мировом рынке памяти будет по-прежнему превышать спрос. А поэтому компания вынуждена сократить инвестиции в следующем году более чем на 50 % по сравнению с 2022-м. Ожидается, что в текущем году капиталовложения составят ₩10–20 трлн. ![]() Надежды возлагаются лишь на серверную отрасль. Спрос на чипы памяти в сегменте ЦОД в краткосрочной перспективе может снизиться, но в среднесрочной и долгосрочной перспективах ожидается рост. Это объясняется увеличивающейся популярностью облачных платформ, расширением инфраструктур гиперскейлеров и внедрением ИИ. Кроме того, SK hynix в следующем году расширит производство первой в отрасли 238-слойной памяти 4D NAND, которая была анонсирована в прошлом квартале. За счёт этого компания рассчитывает повысить прибыльность.
09.08.2022 [23:19], Алексей Степин
Лос-Аламосская национальная лаборатория и SK hynix создали новый класс вычислительных накопителей«Вычислительные» или «умные» SSD уже не являются новой технологией: один за другим разработчики на рынок новые продукты. А плодом сотрудничества между Лос-Аламосской национальной лабораторией (LANL) и компанией SK hynix стал новый класс подобного рода устройств. На мероприятии Flash Memory Summit 2022 этот альянс продемонстрировал SSD, в котором доступ к данным основан не на традиционном блочном принципе и даже не на файловом, а на принципе хранилищ «ключ-значение» (key–value store, KV-CSD). Это не первый подобный проект. Более того, в спецификациях NVMe 2.0 уже определён необходимый набор команд. Структуры «ключ-значение» широко применяются в индустрии аналитики, так что накопитель, способный работать с таким форматом данных напрямую и на низком уровне может обеспечить огромный выигрыш в производительности в ряде сценариев. Детище LANL и SK hynix, работающее под управлением DeltaFS такой выигрыш и продемонстрировало, превзойдя классические SSD в 1000 раз за счёт эффективной индексации и сокращения объёмов передаваемых при запросе данных (data reduction). Представитель LANL отметил, что такая эффективность в первичной обработке данных серьезно ускоряет анализ результатов крупномасштабных физических симуляций в сравнении с файловым хранилищем. Прямая работа с данными на столь низком уровне должна помочь учёным справиться с постоянно растущими объёмами информации. Оба участника альянса довольны полученными результатами и намереваются продолжить сотрудничество в деле разработки и выпуска вычислительных накопителей нового типа.
01.08.2022 [18:41], Игорь Осколков
SK hynix вслед за Samsung представила CXL-модули DDR5SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года. Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах. Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут. SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.
05.04.2022 [22:03], Игорь Осколков
SK hynix и Solidigm представили свой первый совместный продукт — SSD D5-P5530Solidigm Technology, дочернее предприятие SK hynix, сформированное в декабре прошлого года из бывшего подразделения Intel, занимавшегося разработкой и выпуском твердотельной памяти, а также продуктов на её основе, представило свой первый продукт — серию серверных SSD D5-P5530 (или просто P5530). Впрочем, пресс-релиз, посвящённый новинкам, довольно скуп. P5530 используют 128-слойную память 4D NAND (TLC) от SK hynix, а контроллер и прошивка для него разработаны Solidigm. Новинки выполнены в форм-факторе U.2 (15 мм) и снабжены интерфейсом PCIe 4.0 x4. Доступные модели ёмкостью 0,96, 1,92 и 3,84 Тбайт (1,7, 3,5 и 6,5 PBW). Пиковая скорость последовательных чтения и записи у старшей модели составляет 6,5 и 3,5 Гбайт/с, а случайной на 4K-блоках — 875 тыс. и 100 тыс. IOPS соответственно. ![]() Энергопотребление не превышает 15 Вт. Поддерживается шифрование данных AES-256. P5530 рассчитаны на работу при температуре от 0° до +70° C. Показатель MTBF составляет 2 млн часов. Гарантия — 5 лет. Все эти сведения пока можно найти на сайте Intel, но вот рекомендуемые цены там не указаны. P5530 — это первый совместный продукт SK hynix и Solidigm, которые и далее намерены укреплять сотрудничество, чтобы «оптимизировать рабочие процессы обеих компаний и добиться большей синергии» и чтобы ускорить реализацию стратегии SK hynix «Внутри Америки» (Inside America). В целом, как ожидается, сделка между Intel и SK hynix позволит последней стать вторым по величине производителем твердотельной памяти в мире.
17.04.2021 [00:14], Владимир Мироненко
SK Telecom выделит SK Hynix и другие активы в новую компанию, а сама сосредоточится на облаках и ИИЮжнокорейская телекоммуникационная компания SK Telecom на этой неделе объявила о планах разделить свои активы на две части, выделив большинство дочерних предприятий в холдинговую компанию. Прямая наследница SK Telecom сохранит существующие телекоммуникационные активы, в то время как вторая компания возьмёт под своё крыло производителя микросхем SK Hynix, компанию в сфере электронной коммерции 11StreetCo, приложение для совместных поездок T Map Mobility и т. д. В настоящее время SK Telecom имеет абонентскую базу в 6,35 млн клиентов 5G, что составляет 46,5 % рынка Южной Кореи. Компания-правопреемник сосредоточится на традиционном телекоммуникационном бизнесе оператора мобильной связи и добавит новые направления деятельности, такие как искусственный интеллект и центры обработки данных. ![]() В прошлом году SK Telecom объявила о планах построить крупный кампус дата-центров в Южной Корее. Компания сообщила, что планирует построить четыре здания центра обработки данных к 2024 году и добавить ещё 12 новых зданий ЦОД к 2029 году, причём SK E&S будет использовать в рамках проекта плавучую солнечную ферму мощностью 200 МВт. Вторая компания сосредоточит свои усилия на «разнообразных инвестициях». Причём инвестиции будут направляться как в отечественные, так и в зарубежные полупроводниковые компании, чтобы ускорить рост полупроводникового направления. Также сообщается, что она может провести IPO дочерних предприятий, таких как ADT Caps, 11StreetCo и T Map Mobility. Hynix, ранее известная Hyundai Electronics, вошла в состав SK Group в 2012 году, когда её основным акционером стала SK Telecom. До принятия решения о разделении SK Telecom на две компании, SK Hynix активно занималась скупкой активов на полупроводниковом рынке. Она приобрела за последние пару лет бизнес Intel по производству флеш-памяти NAND и долю в японской полупроводниковой компании Kioxia Holdings.
04.11.2020 [22:04], Владимир Мироненко
SK hynix предложила сделать дата-центры экологичнее, заменив HDD на SSDКомпания SK hynix, производитель флеш-памяти и продуктов на её основе, призвала внести свой вклад в борьбу с изменением климата, заменив жёсткие диски на твердотельные: «Примечательно, что обычные SSD и SSD с низким энергопотреблением потребляют на 50 и 94 % меньше энергии, чем HDD. Следовательно, если все жёсткие диски в глобальных ЦОД будут заменены твердотельными накопителями с низким энергопотреблением, мы сможем избавиться от 41 млн тонн выбросов CO2». Такое заявление сделал в ходе вчерашней телеконференции, посвящённой итогам третьего квартала 2020 финансового года, генеральный директор SK hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee, на фото ниже). Он отметил, что это принесет более 4,2 трлн вон (примерно $3,7 млрд) выгоды для общества, добавив, что его компания попытается реализовать это, продвигая переход на твердотельные накопители на рынке систем хранения данных. ![]() По словам главы SK hynix, ёмкость хранилищ центров обработки данных (ЦОД) будет стремительно расти, достигнув 5,1 млрд Тбайт в 2030 году и увеличившись за 10 лет более чем в 5,7 раза. Использование SSD вырастет примерно до 40 %, а большинство твердотельных накопителей перейдут от использования TLC к флеш-памяти типа QLC или PLC. SK hynix присоединилась к глобальной инициативе RE100, объединяющей предприятия, приверженные 100-процентному использованию возобновляемых источников электроэнергии, и «направленной на то, чтобы к 2050 году вся потребляемая энергия была получена из возобновляемых источников». RE100 была основана в 2014 году Climate Group, и на данный момент к ней присоединилось 263 компании. ![]() Ли Сок Хи также отметил, что SK hynix с опозданием стартовала на рынке флеш-памяти NAND. Она покупает у Intel бизнес по разработке и выпуску 3D NAND и SSD за $9 млрд, чтобы набрать обороты, получить портфель продуктов и технологий и увеличить масштабы производства. Благодаря этому приобретению компания планирует за пять лет утроить выручку от выпуска флеш-памяти NAND. Ли подчеркнул, что Intel «особенно конкурентоспособна на рынке SSD для центров обработки данных. Она является лидером в области стандартизации интерфейса PCIe [и] обладает мощными технологиями прошивок и контроллеров, а также передовой технологией QLC». Эти качества должны дополнить преимущества SK hynix в области создания многослойной памяти, собственных контроллеров и использования NAND в мобильных устройствах. С помощью подразделения Intel компания планирует расширить бизнес-возможности во всех областях применения флеш-памяти NAND.
07.04.2020 [14:54], Сергей Карасёв
SK Hynix PE8000: SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 4.0Компания SK Hynix анонсировала устройства хранения данных PE8000 — свои флагманские твердотельные накопители корпоративного класса (eSSD). Дебютировали изделия PE8010 и PE8030 формата U.2/U.3, а также решения PE8111 типоразмера EDSFF 1U Long (E1.L). Накопители PE8010 и PE8030 стали первыми продуктами SK Hynix стандарта NVMe, использующими интерфейс PCI Express 4.0. ![]() Эти устройства выполнены с применением 96-слойных микрочипов флеш-памяти TLC 4D NAND (три бита информации в одной ячейке). Используется фирменный контроллер. Вместимость достигает 8 Тбайт. Изделия PE8010 и PE8030 обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 6500 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 3700 Мбайт/с. При этом показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) у PE8010 достигает 1100 тыс. при чтении и записи, а у PE8030 — 320 тыс. Что касается решения PE8111, то его компания SK Hynix называет первым в мире накопителем на основе 128-слойных 1-терабитных чипов памяти TLC 4D NAND. Сейчас разрабатывается версия PE8111 ёмкостью 16 Тбайт, а позднее планируется выпуск модели на 32 Тбайт. Изделие PE8111 оптимизировано для платформ Open Compute Project (OCP). Скорость чтения и записи достигает соответственно 3400 Мбайт/с и 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 700 тыс., при записи — до 100 тыс.
20.06.2019 [11:19], Сергей Карасёв
SK hynix анонсировала новые SSD-накопители для корпоративного рынкаКомпания SK hynix представила новые твердотельные накопители (SSD) корпоративного класса, рассчитанные на использование в центрах обработки данных, в составе облачных платформ и пр. ![]() Изделия выполнены на основе 72-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Напомним, что технология TLC предполагает хранение трёх бит информации в одной ячейке. Применён контроллер собственной разработки SK hynix. Новинки будут доступны в виде решений M.2 и U.2. В первом случае вместимость может достигать 4 Тбайт, во втором — 8 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3,2 Гбайт/с. Накопители способны выполнять до 160 тысяч операций ввода/вывода в секунду (IOPS) в режиме произвольной записи. ![]() Массовое производство новых изделий планируется начать во второй половине текущего года. О цене не сообщается. Кроме того, компания SK hynix наметила на конец 2019 года анонс твердотельных накопителей на базе 96-слойной памяти 4D NAND. Ёмкость таких изделий будет достигать 16 Тбайт. |
|