Компания IBM представила свой новый мейнфрейм z15, а вместе с ним и СХД серии DS8900F. Новинки обладают большим объёмом, а также способны обеспечить более высокую скорость доступа к данным по сравнению со своими предшественниками — гибридными хранилищами серии DS8880.

Новые хранилища серии DS8900F построены на процессорах IBM POWER9 и обладают ёмкостью до 5,9 Пбайт. Объём твердотельных накопителей — от 800 Гбайт до 15,36 Тбайт.

Для сравнения: хранилища DS8880 предлагали до 4,6 Пбайт памяти, из которых лишь 614 Тбайт приходилось на SSD.

Для подключения DS8900F используется интерфейс Fibre Channel с пропускной способностью 16 или 32 Гбит/с. А вот современный интерфейс NVMe-over-Fabrics (NVMe-oF), к сожалению, не поддерживается. Также отмечается, что задержка при обращении к новым хранилищам DS8900F составляет всего 18 мс при использовании фирменной технологии zHyperLink, тогда как без неё этот показатель составляет 90 мс.

Также IBM отмечает, что в новинке на 50 % уменьшено время исполнения транзакций в нагрузках DB2, на 60 % увеличен показатель IOPS и на 150 % увеличена пропускная способность при последовательном доступе к данным. Правда, с чем именно компания IBM сравнивает свои новые системы DS8900F, не уточняется.

IBM отмечает повышенную безопасность и надёжность своих новых хранилищ DS8900F. Так, технология IBM Safeguarded Copy обеспечивает создание скрытых от основной системы копий данных для возможности их восстановления в случае случайного удаления, вирусных атак и т.п. Также новинку можно подключить к какому-либо облачному сервису для резервного копирования.

Наконец, IBM отмечает применение в DS8900F технологии интеллектуального облачного мониторинга Storage Insights. Данная технология следит за состоянием, ёмкостью и производительностью системы, а ИИ способен определять и предсказывать потенциальные проблемы.

Oracle закрывает подразделение по выпуску систем хранения данных на основе флеш-памяти и в связи с этим сокращает не менее 300 рабочих мест. Об этом стало известно изданию Blocks & File от различных источников, в том числе от попавшего под сокращение сотрудника американской компании. Тот рассказал следующее:

«Сегодня группа Ларри [Эллисона — основателя Oracle], которая неэффективно использовалась для разработки технологий хранения данных, также известная как Pillar Data, была тихо распущена, а продукт снят с производства... Уволено примерно 300 человек».

Oracle объявила о приобретении Pillar Data в июне 2011 года, но стоимость покупки не назвала. Компания была основана Ларри Эллисоном вместе с Майком Уоркманом (Mike Workman). Последний возглавил подразделение Oracle Flash Storage, в которое вошла Pillar Data. В прошлом году в Oracle Flash Storage работало 2000 человек.

Об увольнениях в Pillar Data на конференции объявил старший вице-президент по системам на основе флеш-памяти в Oracle Майк Уоркман.

Двое пользователей портала thelayoff.com анонимно подтвердили кадровую чистку. Один из них написал, что уволены все сотрудники подразделения Уоркмана, кроме 12 человек. Речь идёт о 400 работниках, сообщил он.

Производитель систем хранения данных NetApp зарегистрировал падение доходов. Сказывается слабеющий спрос на оборудование компании с твердотельными накопителями в корпоративном секторе.

За отчётный трёхмесячный период, закрытый 26 июля 2019 года, выручка NetApp составила $1,2 млрд против $1,5 млрд годом ранее. Чистая прибыль компании в сравнении этих отрезков времени сократилась с 283 до 103 млн долларов.

На скорректированной основе (без учёта разовых расходов и доходов) прибыль NetApp оказалась равной 65 центам на акцию, что на 4 цента превосходит средний прогноз от аналитиков с Уолл-стрит. Эксперты ожидали продажи на уровне $1,24 млрд.

Поскольку финансовые результаты оказались выше ожиданий рынка, котировки NetApp поднялись на 4% на электронных торгах после закрытия биржи. Однако с начала 2019 года акции компании подешевели более чем на 30%.

После обнародования квартальных итогов генеральный директор NetApp Джордж Куриан (George Kurian) отметил, что в сегменте систем хранения данных, создаваемых на основе только флеш-памяти, клиенты предпочитают покупать устройства среднего уровня и запасаться ёмкостями, которые им потребуются на следующий год. Раньше компании совершали закупки на 3 года вперёд.

Продажи оборудования на флеш-памяти у NetApp вышли на годовой уровень в $1,7 млрд, что на 24 % меньше, чем годом ранее.

Компания Smart IOPS анонсировала накопители корпоративного класса Unobtanium FN, предназначенные для использования в составе систем с высокими требованиями к задержкам и производительности.

Основа решений — память XL-FLASH, представленная корпорацией Toshiba на этой неделе. По сравнению с обычной флеш-памятью NAND изделия XL-FLASH обладают значительно меньшими задержками (менее 5 мкс на операциях чтения) и более высокой скоростью передачи данных.

Утверждается, что накопители Unobtanium FN способны выполнять до 1 700 000 операций в секунду при произвольном чтении информации и до 800 000 операций в секунду при произвольной записи. Производитель также заявляет, что типичная задержка для случайного чтения составляет 30 мкс, а для случайного чтения с глубиной очереди 16 она равна 75 мкс (99,999% QoS). 

Устройства обладают достаточно высокой надёжностью. Они рассчитаны на 15 полных перезаписей в течение суток на протяжении пятилетнего срока.

Накопители Unobtanium FN будут предлагаться в виде карт расширения и в 2,5-дюймовом форм-факторе. Поначалу Smart IOPS предложит версии вместимостью 800 Гбайт, 1,6 Тбайт и 3,2 Тбайт. В дальнейшем может быть выпущена модель ёмкостью 6,4 Тбайт. 

Компания Toshiba Memory America анонсировала память XL-FLASH, которая будет применяться в устройствах хранения для дата-центров и накопителях корпоративного класса.

Об особенностях памяти XL-FLASH можно узнать в нашем материале. В её основе — технология BiCS FLASH 3D, при этом предусматривается хранение только одного бита информации в ячейке (SLC).

По сути, XL-FLASH предстоит занять промежуточное положение между DRAM и NAND. По сравнению с обычной флеш-памятью NAND новые изделия обладают значительно меньшими задержками (менее 5 мкс на операциях чтения), более высокой скоростью передачи данных и возросшей вместимостью. Если же сравнивать с DRAM, то цена XL-FLASH в расчёте на единицу данных окажется существенно ниже. XL-FLASH может составить конкуренцию памяти 3D XPoint и продуктам Intel Optane Memory на её основе. 

Поначалу Toshiba наладит выпуск 128-гигабитных кристаллов XL-FLASH в массиве из двух, четырех и восьми штук в одном корпусе. Таким образом, ёмкость составит 32 Гбайт, 64 Гбайт и 128 Гбайт.

Пробные поставки изделий будут организованы в сентябре, а начало массового производства намечено на 2020 год. Цена пока не раскрывается. 

Исследование, проведённое компанией NGD Systems, говорит о том, что одним из факторов, препятствующих внедрению современных информационных технологий, являются устаревающие системы хранения данных.

Речь идёт о решении задач в области искусственного интеллекта (ИИ), машинного обучения, Интернета вещей и пр. Компании, которые внедряют данные технологии, зачастую используют существующие платформы хранения информации, попросту не способные справляться с возрастающей интенсивностью обмена данными.

Опрос более чем 300 профессионалов в области хранения данных показал, что более половины из них (54 %) считают необходимым внедрение более современных платформ хранения и обработки информации.

В текущих условиях наиболее перспективным решением является применение массивов на основе быстрых твердотельных накопителей NVMe SSD. Подавляющее большинство респондентов — 86 % — называют именно эту технологию будущим платформ хранения данных.

Около 60 % опрошенных заявили, что их компании уже применяют решения NVMe SSD в составе своих инфраструктур. При этом главными препятствиями на пути внедрения накопителей данного типа являются их высокая стоимость и ограниченный бюджет — об этом заявили 67 % респондентов. 

Компания Synology офциально анонсировала сервер хранения данных FlashStation FS6400, предназначенный для чувствительных к задержкам задач с высокой интенсивностью операций ввода-вывода.

Устройство имеет форм-фактор 2U — оно рассчитано на монтаж в стойку. В составе новинки задействованы два процессора Intel Xeon Silver 4110 с восемью ядрами и возможностью одновременной обработки до шестнадцати потоков инструкций (2,1–3,0 ГГц). Объём оперативной памяти DDR4 в базовой конфигурации составляет 32 Гбайт, в максимальной — 512 Гбайт.

Предусмотрены 24 отсека для установки 2,5-дюймовых накопителей с интерфейсом SAS или SATA. Максимальная внутренняя ёмкость может составлять 184,32 Тбайт в конфигурации 7,68 Тбайт × 24.

Таким образом, на основе сервера можно сформировать высокопроизводительное хранилище типа All-Flash (только твердотельные накопители), подходящее для постобработки мультимедийных файлов, развёртывания виртуальных машин, обработки транзакций в реальном времени и приложений баз данных.

Заявленная производительность превышает 240 000 операций ввода-вывода в секунду при произвольной записи блоками по 4 Кбайт. Поддерживаются такие решения по виртуализации, как VMware vSphere, Microsoft Hyper-V, Citrix Xen Server и OpenStack Cinder.

Среди прочего стоит упомянуть два порта 1GbE LAN, два разъёма 10GbE LAN и два порта USB 3.0. Есть также пара слотов расширения PCIe Gen3 x8. 

Компания Western Digital анонсировала массив хранения данных IntelliFlash N5100, ориентированный на использование в корпоративном секторе.

Решение предназначено для монтажа в стойку. Оно имеет типоразмер 2U; габариты составляют 437 × 89 × 628 мм.

Массив рассчитан на работу исключительно с производительными твердотельными накопителями NVMe. Для их установки доступны 24 отсека. При использовании изделий Ultrastar DC SN200 NVMe SSD вместимостью 3,84 Тбайт суммарный объём хранилища может достигать 92 Тбайт.

Утверждается, что показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольных чтении и записи составляет до 400 000.  Применяется программная платформа IntelliFlash OS 3.10.

Доступны интерфейсы 40 GbE, 10 GbE и Gigabit Ethernet, а также 16/8 Gbps Fibre Channel. С установленными накопителями хранилище весит приблизительно 30 килограммов.

Что касается стоимости массива Western Digital IntelliFlash N5100, то она определяется выбранной конфигурацией. 

Компания ADATA Technology объявила о выпуске флеш-карт памяти ICFS314 повышенной надёжности, которые рассчитаны на использование в промышленном и корпоративном секторах.

Изделия соответствуют стандарту CFast 2.0. Применены микрочипы флеш-памяти 3D MLC NAND (два бита информации в одной ячейке). Габариты решений составляют 36,4 × 42,8 × 3,3 мм.

Карты памяти ADATA ICFS314 представлены в вариантах вместимостью 32, 64, 128, 256 и 512 Гбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость записи — 520 Мбайт/с.

Изделия для коммерческого применения рассчитаны на работу при температурах от минус 10 до плюс 80 градусов Цельсия. Решения промышленного класса могут эксплуатироваться при температурах от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Карты функционируют при напряжении питания 3,3 В; энергопотребление незначительно превышает 2 Вт.

В качестве областей применения ADATA ICFS314 называются системы автоматизации, медицинское оборудование, различные терминалы и пр. О цене, к сожалению, не сообщается. 

Сегодня компания Samsung Electronics уверенно занимает лидирующее положение на рынке твердотельных накопителей. Стремясь развить успех, южнокорейский гигант представил на выставке-конференции ISC 2016 в немецком Франкфурте серию SSD для серверов различного уровня производительности, а также референсный стоечный сервер All-Flash Array с 28-ю отсеками для накопителей.

Продемонстрированные в рамках ISC 2016 SSD-устройства объединяет применение технологии Samsung V-NAND. «Вертикальная» или «3D» NAND флеш-память позволяет увеличивать объём накопителей без необходимости использования актуального (то есть самого «тонкого») техпроцесса, за счёт чего достигается оптимальное соотношение общей ёмкости чипов и износостойкости ячеек.

Семейство SATA SSD Samsung для корпоративных клиентов включает 2,5-дюймовые накопители SM863a и PM863a. Они отличаются друг от друга типом флеш-памяти (MLC V-NAND и TLC V-NAND соответственно), объёмом младшего представителя семейства (120 и 240 Гбайт) и скоростными показателями.

• SM863a: до 520/485 Мбайт/с (чтение/запись), до 97 тыс./29 тыс. IOPS (чтение/запись);
• PM863a: до 520/475 Мбайт/с (чтение/запись), до 97 тыс./18 тыс. IOPS (чтение/запись).

Объём вышеназванных накопителей может достигать 3,84 Тбайт.

Новинки с интерфейсом подключения SAS 12 Гбит/с также разнятся типом микросхем NAND Flash. Устройства Samsung SM1635 используют чипы MLC V-NAND, проприетарный контроллер REX и будут доступны в вариантах 400 Гбайт, 800 Гбайт и 1,6 Тбайт. В свою очередь, накопители PM1633a базируются на «вертикальной» TLC-памяти, имеют ту же управляющую микросхему REX, и будут представлены в версиях от 480 Гбайт до 15,36 Тбайт.

Быстродействие данных SSD значительно выше, чем у моделей с разъёмом SATA:

• SM1635: до 1450/1200 Мбайт/с (чтение/запись), до 189 тыс./54 тыс. IOPS (чтение/запись);
• PM1633a: до 1350/1300 Мбайт/с (чтение/запись), до 200 тыс./37 тыс. IOPS (чтение/запись).

Наиболее производительные решения Samsung с протоколом передачи данных NVMe представлены на стенде компании в двух форм-факторах — HHHL (компактные PCI-E устройства) и 2,5 дюйма. Накопители PM1725 характеризуются впечатляющей производительностью (скорость чтения может достигать 6 Гбайт/с, число IOPS при чтении — 1 млн), SM1725 выделяются применением MLC-памяти, а PM963 — контроллером Polaris и максимальной ёмкостью в 7,68 Тбайт.

Прототип стоечного сервера All-Flash Array в форм-факторе 19 дюймов/2U является примером того, как в условиях дефицита свободного пространства можно разместить почти три десятка SSD-устройств, включая 24 NVMe-накопителя с опцией горячей замены.

Система допускает использование двух процессоров линейки Intel Xeon E5-2600 v3 с тепловым пакетом до 145 Вт, а также 16-ти модулей оперативной памяти RDIMM/LRDIMM DDR4-2133 общим объёмом до 1 Тбайт. Платформа имеет четыре сетевых контроллера с пропускной способностью 40 Гбит/с и комплектуется блоком питания номиналом 1,2 кВт.

Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) в подсистеме хранения данных сервера Samsung All-Flash Array может достигать 5 млн.