Компания Kioxia анонсировала семейство SSD корпоративного класса CM9 с интерфейсом PCIe 5.0 (NVMe 2.0, NVMe-MI 1.2c). Изделия доступны в форм-факторах SFF и E3.S в двухпортовом исполнении: в первом случае вместимость достигает 61,44 Тбайт, во втором — 30,72 Тбайт.

Утверждается, что устройства серии CM9 — это первые твердотельные накопители, построенные на чипах 3D-флеш-памяти BiCS FLASH TLC 8-го поколения. Используется технология CBA (CMOS directly Bonded to Array), которая обеспечивает повышение энергоэффективности, производительности, плотности и стабильности по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 11 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных составляет до 3 400 000 (4 КиБ / QD512), при произвольной записи — до 800 000 (4 КиБ / QD32). Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) при интенсивном чтении и до трёх перезаписей при смешанном использовании (3 DWPD).

Источник изображения: Kioxia

Kioxia отмечает, что SSD серии CM9 демонстрируют прирост производительности примерно на 65 % при произвольной записи, на 55 % при произвольном чтении и на 95 % при последовательной записи по сравнению с устройствами семейства CM7. Кроме того, достигается увеличение быстродействия на 1 Вт затрачиваемой энергии примерно на 55 % при последовательном чтении и на 75 % при последовательной записи.

Новые накопители рассчитаны на использование в дата-центрах, поддерживающих ресурсоёмкие рабочие нагрузки машинного обучения, ИИ и НРС. Пробные поставки устройств уже начались.

Компании Kioxia, AIO Core и Kyocera объявили о разработке прототипа SSD с оптическим интерфейсом, совместимого с PCIe 5.0. Изделие ориентировано на дата-центры следующего поколения, рассчитанные на ресурсоёмкие нагрузки, включая приложения ИИ с высокой интенсивностью обмена данными.

О разработке «оптических» твердотельных накопителей Kioxia сообщала в августе прошлого года. Речь идёт об использовании оптического интерфейса подключения вместо традиционного электрического. Новый подход позволяет устранить влияние посторонних электромагнитных помех. При этом длина соединения может достигать 40 м с последующим увеличением до 100 м.

В представленном прототипе SSD задействованы оптический трансивер IOCore разработки AIO Core и технология оптоэлектронной интеграции Optinity компании Kyocera. Реализованная оптическая система, как утверждается, позволяет устройству функционировать на скоростях интерфейса PCIe 5.0.

Источник изображения: Kioxia

Разработка «оптического» SSD осуществляется в рамках японского проекта JPNP21029 «Развитие технологий зелёных центров обработки данных следующего поколения». Он субсидируется Организацией по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO). Цель инициативы заключается в сокращении энергопотребления ЦОД более чем на 40 % по сравнению с нынешними площадками. В рамках проекта Kioxia отвечает за SSD нового типа, тогда как AIO Core и Kyocera создают оптоэлектронные компоненты.

Предполагается, что появление «оптических» SSD откроет новые возможности в плане проектирования дата-центров. Представленная технология позволит значительно увеличить физическое расстояние между вычислительными и запоминающими устройствами, обеспечивая при этом энергоэффективность и высокое качество сигнала.

Компания Kioxia анонсировала SSD семейства LC9, ориентированные на использование в дата-центрах и системах корпоративного класса. Накопители предназначены прежде всего для поддержания нагрузок, связанных с генеративным ИИ и большими языковыми моделями (LLM).

В основу изделий положены чипы флеш-памяти Kioxia QLC BiCS Flash 3D восьмого поколения плотностью 2 Тбит с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Kioxia смогла добиться вертикального и горизонтального масштабирования кристалла памяти с помощью запатентованных процессов и инновационных архитектур. Вместимость SSD достигает 122,88 Тбайт.

Устройства выполнены в формате SFF U.2, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0): возможны конфигурации PCIe х4 (один порт) или x2/х2 (два порта). Накопитель может выдерживать 0,3 перезаписи в сутки (DWPD), что составляет немногим менее 37 Тбайт в день или 1,5 Тбайт в час на протяжении всего срока службы.

Источник изображения: Kioxia

Утверждается, что изделия LC9 могут использоваться совместно с технологией AiSAQ — All-in-Storage ANNS with Product Quantization, где ANNS — это новый алгоритм «приблизительного поиска ближайшего соседа», оптимизированный для твердотельных накопителей. Технология AiSAQ обеспечивает масштабируемую производительность для RAG, выполняя поиск непосредственно на SSD без размещения индексных данных в DRAM. Благодаря этому обеспечивается работа крупномасштабных баз данных без зависимости от ограниченных ресурсов оперативной памяти. Кроме того, возможен быстрый запуск векторных баз данных — без необходимости загрузки индексных сведений в DRAM.

Нужно отметить, что SSD вместимостью более 120 Тбайт ранее уже анонсировали другие производители, в частности, Solidigm, Phison и Western Digital. При этом устройства Solidigm D5-P5336 оснащены интерфейсом PCIe 4.0, а Phison Pascari D200V — PCIe 5.0.

Компания Kioxia сообщила результаты III квартала 2024 финансового года, закончившегося 31 декабря 2024 года. Это первый квартальный отчёт японского производителя SSD после проведения IPO и листинга на Токийской фондовой бирже в декабре прошлого года.

Выручка компании за отчётный квартал составила ¥450 млрд (около $3 млрд), что на 31​% меньше в годовом исчислении и на 6,4​% меньше результата предыдущего квартала. Компания получила прибыль по МСФО в размере ¥76,1 млрд ($506,8 млн), тогда как годом ранее у нее были убытки. Эти результаты находятся примерно в середине прогнозного диапазона Kioxia.

Источник изображений: Kioxia

Операционная прибыль Kioxia за III квартал по МСФО равняется ¥122,7 млрд ($817,4 млн) при убытках годом ранее в размере ¥65,0 млрд ($433,0 млн).

Операционная прибыль по МСФО за девятимесячный период составила ¥414,6 млрд (около $2,7 млрд) при выручке в размере ¥1,3594 трлн ($9,1 млрд) по сравнению с убытком в ¥296,6 млрд ($1,98 млн) годом ранее. Чистая прибыль — ¥252,0 млрд ($1,96 млн), годом ранее были убытки.

Компания прогнозирует годовую операционную прибыль по МСФО в диапазоне от ¥431,61 млрд до ¥453,61 млрд ($2,9–$3,0 млн). Как отметил Bloomberg, после того как Kioxia объявила об операционной прибыли за 9 месяцев на фоне убытков в предыдущем финансовом году, её акции выросли на 19​%, что является самым высоким показателем ценных бумаг компании с момента листинга на Токийской фондовой бирже. В понедельник акции Kioxia торговались по цене ¥2172, что почти на 50​% выше первоначальной цены публичного размещения в ¥1455.

Kioxia делит свои источники дохода на три части: «SSD и хранилища», «интеллектуальные устройства» и «прочее», пояснил ресурс Blocks​&​Files. Категория «прочее» включает розничные продукты, такие как SD-карты и USB-накопители, а также доход от продаж чипов Western Digital. В категорию «интеллектуальные устройства» входит память для смартфонов, планшетов, телевизоров, других потребительских устройств и автомобильного рынка. К «SSD и хранилища» относятся NAND и SSD для ПК, ЦОД и предприятий.

Компания сообщила, что ожидает высокий спрос на SSD в связи с продолжающимися инвестициями в ИИ-инфраструктуру большинством ИТ-компаний. Также она ожидает рост рынка NAND-памяти в 2025 календарном году на 10​%. Доходы в категории «SSD и хранилища» растут с прошлого года, примерно удвоившись из-за спроса на ИИ-серверы и традиционной замены серверов. Продажи SSD для ЦОД и предприятий составили примерно половину доходов этого сегмента. По оценкам Kioxia, её доля рынка SSD для ЦОД и предприятий (PCIe) в 2023 календарном году составляла 10​%.

Финансовый директор Хидеки Ханадзава (Hideki Hanazawa) сообщил, что квалификация клиентами флеш-памяти BiCS 8-го поколения от Kioxia в трёх сегментах идет по графику, и он ожидает восстановления спроса во II половине 2025 календарного года. Kioxia заявила, что в ближайшем будущем сосредоточится на SSD с поддержкой PCIe 5.0. Память BiCS Gen 9 NAND с более чем 300 слоями будет анонсирована компанией в конце этого месяца

Kioxia имеет партнёрство по производству NAND-памяти с Western Digital (WD), а выручка WD от продажи SSD за последний квартал составила $1,88 млрд, что на 12​% больше, чем в предыдущем году. Kioxia заявила, что выделение флеш-бизнеса WD в SanDisk, «не окажет никакого влияния на бизнес-операции или рост нашей компании и наших совместных предприятий».

Компания прогнозирует выручку на 2024 финансовый год в размере ¥1,69 трлн ± ¥30 млрд ($11,3 млрд) — на 57​% больше, чем в предыдущем году в середине диапазона, что делает её «самой большой годовой выручкой Kioxia за всю историю».

По мере внедрения новых версий PCI Express растут и линейные скорости SSD. Не столь давно 3-4 Гбайт/с было рекордно высоким показателем, но разработчики уже штурмуют вершины за пределами 10 Гбайт/с. Компания Kioxia, крупный производитель флеш-памяти и устройств на её основе, объявила на конференции 2023 China Flash Market о новом поколении серверных накопителей, способных читать данные со скоростью 13,5 Гбайт/с.

Новые высокоскоростные SSD будут построены на базе технологии XL-FLASH второго поколения. Первое поколение этих чипов компания (тогда Toshiba) представила ещё в 2019 году. В основе лежат наработки по BiCS 3D в однобитовом варианте, что позволяет устройствам на базе этой памяти занимать нишу Storage Class Memory (SCM) и служить заменой ушедшей с рынка технологии Intel Optane.

Источник здесь и далее: Twitter@9550pro

Как уже сообщалось ранее, XL-FLASH второго поколения использует двухбитовый режим MLC, но в любом случае новые SSD Kioxia в полной мере раскроют потенциал PCI Express 5.0. Они не только смогут читать данные на скорости 13,5 Гбайт/с и записывать их на скорости 9,7 Гбайт/с, но и обеспечат высокую производительность на случайных операциях: до 3 млн IOPS при чтении и 1,06 млн IOPS при записи. Время отклика для операций чтения заявлено на уровне 27 мкс, против 29 мкс у XL-FLASH первого поколения.

Kioxia полагает, что PCI Express 5.0 и CXL 1.x станут стандартами для серверных флеш-платформ класса SCM надолго — господство этих интерфейсов продлится минимум до конца 2025 года, лишь в 2026 году следует ожидать появления первых решений с поддержкой PCI Express 6.0. Активный переход на более новую версию CXL ожидается в течение 2025 года. Пока неизвестно, как планирует ответить на активность Kioxia другой крупный производитель флеш-памяти, Samsung Electronics, которая также располагает высокопроизводительной разновидностью NAND под названием Z-NAND.

Компания Kioxia анонсировала твердотельные накопители CM7 корпоративного класса, оптимизированные для использования в высокопроизводительных и высокоэффективных серверах, а также системах хранения данных. Уже начаты отгрузки устройств некоторым заказчикам.

Изделия серии CM7 доступны в двух вариантах исполнения: EDSFF E3.S и SFF толщиной 15 мм. Задействован интерфейс PCIe 5.0 (спецификация NVMe 2.0): утверждается, что по сравнению с накопителями предыдущего поколения производительность увеличилась в два раза.

Заявленная скорость чтения информации достигает 14 Гбайт/с; скорость записи не уточняется. Заказчики смогут выбирать между устройствами с разным уровнем надёжности: 1 DWPD (полных перезаписей в сутки) и 3 DWPD. В первом случае вместимость достигает 30,72 Тбайт, во втором — 12,80 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Накопители CM7 имеют двухпортовую конструкцию. Среди поддерживаемых функций названы SR-IOV, CMB, Multistream writes, SGL. Говорится о поддержке TCG-Opal в соответствии со стандартом FIPS 140-3. Наконец, упомянуты средства обеспечения безопасности Flash Die Failure Protection.

Компания Kioxia сообщила о доступности твердотельных накопителей семейства EM6, относящихся к корпоративному классу. Решения предназначены для использования в составе платформ высокопроизводительных вычислений, систем машинного обучения и искусственного интеллекта.

Источник изображения: Kioxia

Устройства серии EM6 выполнены на основе контроллера Marvell 88SN2400 NVMe-oF. Реализована спецификация NVMe 1.4. Доступны один или два интерфейса Ethernet с пропускной способностью 25 Гбит/с. Накопители заключены в корпус формата 2,5" толщиной 15 мм. Предлагаются два варианта вместимости — 3,84 и 7,68 Тбайт, оба с 1 DWPD.

Источник изображения: Ingrasys

Устройства доступны в составе платформы ES2000 EBOF (Ethernet Bunch of Flash) производства Ingrasys (подразделение Foxconn). Данный продукт представляет собой систему хранения данных в 2U-шасси с возможностью установки 24 накопителей NVMe-oF типоразмера 2,5"/U2/E3.S или 48 E1.S. СХД имеет коммутатор Marvell 98EX5630 и предоставляет 12 200GbE-портов QSFP28/56.