Материалы по тегу: память

22.02.2023 [15:07], Владимир Мироненко

Trendforce прогнозирует рост спроса на серверную память DRAM благодаря развитию рынка ИИ и HPC

Аналитическая компания Trendforce сообщила прогноз развития рынка DRAM в 2023 году, согласно которому память для серверов обгонит чипы памяти для мобильных устройств по доле в общем выпуске DRAM. По данным Trendforce, во второй половине 2022 года рынок памяти находился в состоянии свободного падения: в III квартале средние цены на DRAM снизились на 31 %, в IV квартале — ещё на 34 %.

В этом году Trendforce даёт консервативный прогноз относительно роста поставок смартфонов и увеличения объёма DRAM в них. Рост среднего установленного объёма памяти DRAM в смартфонах, который начал заметно замедляться ещё в 2022 году, станет более ограниченным, а мобильная DRAM будет виновником сокращения доли всего рынка DRAM, отметили аналитики. Причиной аналитики называют образовавшиеся складские запасы, что повлияло на аппаратные спецификации разрабатываемых смартфонов. TrendForce ожидает, что в ближайшие годы прирост среднего объёма DRAM в смартфонах будет ниже 10 % год к году.

 Источник: Trendforce

Источник: Trendforce

А вот на серверном рынке ситуация иная. Появление новых приложений, связанных с ИИ и высокопроизводительными вычислениями (HPC), влечёт за собой потребность в большем объёме памяти. Поэтому TrendForce полагает, что серверная память будет составлять наибольшую часть общего объёма производства на рынке DRAM в течение следующих нескольких лет. TrendForce также отметила, что память DRAM для серверов обладает определённой степенью эластичности по цене, которая меняется в соответствии со спросом, а контрактные цены на неё значительно снизились с III квартала 2022 года.

TrendForce прогнозирует, что средний установленный объём DRAM в серверах увеличится в этом году на 12,1 % в годовом исчислении. По оценкам TrendForce, серверная память в этом году займёт около 37,6 % рынка, тогда как мобильная DRAM— около 36,8 %. То есть серверная DRAM обгонит мобильную DRAM.

TrendForce также считает, что к 2025 году SSD корпоративного класса будут представлять самый большой сегмент рынка флеш-памяти NAND. Снижение цен стимулировало спрос на неё со стороны производителей смартфонов и серверов, утверждает компания. В связи с этим рост установленного объёма флеш-памяти NAND на одно устройство должен превысить 20 % как для смартфонов, так и для корпоративных твердотельных накопителей.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1082362
12.08.2022 [22:48], Алексей Степин

Macronix представила «вычислительную» флеш-память FortiX

Сокращение дистанции между вычислительными ресурсами и ресурсами памяти породило ряд технологий, включая различные варианты «умной» DRAM, однако компания Macronix, поставщик NOR- и NAND-устройств, видит проблему иначе и предлагает перенести ряд вычислений непосредственно в специальную разновидность флеш-памяти.

С растущими объёмами данных в ряде современных сценариев, включая машинное обучение, системы не всегда могут «прокормить» вычислительные ядра, так что Macronix предлагает производить первичную обработку данных прямо во флеш-памяти. И такую память под названием FortiX Macronix представила на мероприятии Flash Memory Summit 2022.

 Источник: Blocks & Files

Источник: Blocks & Files

В данном случае речь не о классическом «вычислительном накопителе», в котором используется достаточно мощный контроллер с процессорными ядрами общего назначения или сразу FPGA. Сама структура NAND-чипов Fortix включает в себя специализированные структуры nvTCAM (non-volatile ternary content-addressable memory).

Она может выполнять достаточно узкоспециализированные вычисления, в частности, поиск по ключевым словам, и определение расстояния Хэмминга. Она работает не так быстро, как аналогичные запросы к классической DRAM, но это без учёта накладных расходов на транспортировку данных с флеш-накопителя в память и выполнение соответствующих функций с участием центрального процессора.

 Источник: Blocks & Files

Источник: Blocks & Files

В случае с FortiX флеш-память выполняет эти задачи сама, чем экономит пропускную способность и электроэнергию. В сравнении с DRAM накопитель на базе памяти FortiX может выигрывать в некоторых аспектах, предлагая плотность упаковки от 64 Гбит на чип против 8–16 у DRAM, а также потребляя около 330 мВт против примерно 1 Вт. Правда, скорость поиска на порядок ниже, зато число запросов на порядок больше, утверждает Macronix.

Компания называет областью применения FortiX различные задачи машинного интеллекта — распознавание паттернов и голоса, поиск в крупных (Big Data) массивах данных, поиск совпадения в ДНК. Подробностей о строении вычислительной части FortiX компания не приводит и некоторые зарубежные источники считают, что речь может идти о разных комбинациях NAND и специфических, настроенных под определенную задачу, обработчиках запросов.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1072076
11.08.2022 [21:05], Алексей Степин

NEO Semiconductor представила второе поколение уникальной памяти X-NAND

Технология X-NAND, впервые представленная компанией NEO Semiconductor летом прошлого года, вызвала немалый интерес, поскольку она обещает нивелировать основные недостатки, свойственные флеш-памяти с тремя и более битами на ячейку: пониженный ресурс и низкую скорость записи.

Благодаря использованию унифицированного буфера, способного одновременно обслуживать 16 столбцов (Y-Plane) и ряда других хитростей, разработчикам удалось добиться превосходства QLC X-NAND даже над классической SLC. По крайней мере, в теории. На практике компания использовала четыре слоя по 16 Y-столбцов, что позволяло писать в трёх плоскостях в SLC-режиме, четвёртая же использовалась для параллельного перевода записываемых данных в TLC-режим. Это позволило добиться постоянной скорости записи 1600 Мбайт/с — в 10 раз выше, нежели у обычного чипа TLC.

 Структура кристалла X-NAND. Источник: NEO Semiconductor

Структура кристалла X-NAND. Источник: NEO Semiconductor

А совсем недавно было анонсировано новое, второе поколение X-NAND. Для него заявлен двукратный прирост производительности и устроены новые чипы NEO Semiconductor несколько иначе в плане параллелизма: теперь SLC-запись и TLC-уплотнение производятся в каждой паре плоскостей из четырёх имеющихся. Это и позволило поднять скорость записи вдвое, до 3200 Мбайт/с. Разработчики также сообщают о примерно трёхкратном приросте скоростей чтения/записи на случайных операциях и о некотором снижении латентности; при этом размер кристалла X-NAND второго поколения не изменился.

 Параллелизация SLC-записи и QLC-уплотнения решает проблему скорости. Источник: NEO Semiconductor

Параллелизация SLC-записи и QLC-уплотнения решает проблему скорости. Источник: NEO Semiconductor

Архитектура поддерживает реализацию вариантов флеш-памяти с практически любым разумным количеством бит на ячейку, от SLC до PLC, технология же позволяет развернуть производство X-NAND на базе техпроцессов любого крупного поставщика NAND-устройств. Если верить NEO Semiconductor, речь идёт о практически нулевых затратах на модернизацию производства под выпуск X-NAND. Увы, компания официально не сообщала, готов ли кто-то из крупных игроков развернуть массовый выпуск новой памяти.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1072007
Система Orphus