Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 9400 NVMe для дата-центров, на базе которых решаются задачи, связанные с ИИ, машинным обучением и высокопроизводительными вычислениями. Дебютировали изделия семейств 9400 PRO и 9400 MAX. Все новинки выполнены в SFF-формате U.3 толщиной 15 мм. Применены 176-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

Семейство 9400 PRO включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 1 600 000, при записи — до 300 000 (значения для конкретных моделей приведены в таблице ниже). Накопители рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (DWPD).

Источник изображений: Micron Technology

Изделия 9400 MAX, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. У них скорость последовательного чтения и записи также составляет до 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении достигает 1 600 000, при записи — 600 000. Значение DWPD равно трём. У всех новинок средняя наработка на отказ (MTTF) заявлена на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление варьируется от 14 до 25 Вт.

Нажмите для увеличения

Гарантия производителя составляет пять лет. Более подробно с характеристиками накопителей можно ознакомиться здесь.

Компания Swissbit анонсировала карты памяти серии S-600 форматов SD и microSD, предназначенные для использования в экстремальных условиях. Изделия подходят для устройств Интернета вещей, периферийного оборудования, медицинских приборов, транспортных систем и других приборов, к которым предъявляются повышенные требования в плане надёжности.

Новинки выполнены на чипах флеш-памяти SLC NAND (один бит информации в ячейке). Это обеспечивает высокую долговечность и целостность данных. Количество циклов записи/стирания (P/E) достигает 100 тыс. Доступны версии с расширенным и индустриальным диапазонами рабочих температур: от -25 до +85 °C и от -40 до +85 °C соответственно.

Источник изображения: Swissbit

Флеш-карты S-600 формата SD выполнены по стандартам SD 5.0 и Speed Class 10/U3/V30. Скорость последовательного чтения достигает 95 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 55 Мбайт/с. Представлены варианты вместимостью 512 Мбайт, а также 1, 2, 4, 8, 16 и 32 Гбайт. Размеры — 32 × 24 × 2,1 мм.

Карты S-600u формата microSD, в свою очередь, соответствуют стандартам SD 3.0 и Speed Class 10/U1. Скорость последовательного чтения составляет до 35 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 21 Мбайт/с. Ёмкость — 512 Мбайт, а также 1 и 2 Гбайт. Изделия имеют размеры 15 × 11 × 0,7 мм.

Показатель MTBF у всех новинок составляет не менее 3 млн часов; количество установок/извлечений из разъёма — до 20 тыс. Применён контроллер Hyperstone S9. Напряжение питания может варьироваться от 2,7 до 3,6 В. Упомянута поддержка SPI-режима.

Компания Exascend анонсировала SSD семейств SI3 и SE3 на основе чипов флеш-памяти 3D TLC. Изделия используют интерфейс SATA-3, а вместимость варьируется от 120 Гбайт до 7,68 Тбайт. Новинки доступны в разных форм-факторах — М.2 и SFF.

Накопители серии SI3 отличаются расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они подходят для таких областей, как телекоммуникации, периферийные вычисления, аэрокосмические и транспортные системы. Устройства предлагаются в вариантах исполнения M.2 2280, 2260, 2242, а также mSATA и SFF. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 535 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 85 000, при произвольной записи — до 70 000.

Источник изображений: Exascend

Решения семейства SE3 (М.2 2280 и SFF), в свою очередь, оптимизированы под корпоративные нагрузки. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Скорость последовательного чтения и записи — до 550 и 535 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS в зависимости от модификации варьируется от 80 000 до 95 000 при чтении и от 16 000 до 50 000 при записи.

Для устройств заявлена поддержка TCG Opal, шифрования AES-256, средств управления питанием Power Tuning и технологии оптимизации производительности SuperCruise. Величина MTBF достигает 2 млн часов. На накопители серий SI3 и SE3 предоставляется гарантия сроком три и пять лет соответственно.

Компания SMART Modular Technologies анонсировала накопители семейства DC4800, предназначенные для дата-центров, систем периферийных вычислений, гиперконвергентных инфраструктур и оборудования корпоративного класса. Новинки будут доступны в вариантах исполнения U.2 и E1.S.

В основу изделий, как утверждается, положены инновационный контроллер и ПО с улучшенной архитектурой. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC; обмен данными осуществляется через интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

В серию вошли модели вместимостью 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4600 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении и записи данных по 4 Кбайт — до 1 490 000 и 180 000 соответственно. Задержка при произвольном чтении равна 80 мкс, при произвольной записи — 15 мкс.

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Говорится о соответствии стандарту Open Compute Project (OCP) 1.0, поддержке TCG Opal 2.0 и о возможности шифрования данных по алгоритму AES с 256-битным ключом. Значение MTBF превышает 2 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Энергопотребление в активном режиме составляет менее 13 Вт. Более подробную информацию о накопителях можно найти на этой странице.

IBM анонсировала новые All-Flash СХД серии FlashSystem, использующие фирменные программные технологии защиты данных CyberVault, в основе которых лежат разработки, применяемые ранее в мейнфреймах серии Z, а также FlashCore-модули третьего поколения. Новинки станут доступны в начале марта.

Младшая 1U-модель FlashSystem 5200, которая была представлена ранее и пришла на смену моделям 5015 и 5035, в базовом варианте использует всего 12 NVMe-накопителей. Однако новое (уже третье) поколение FlashCore-модулей позволяет получить до 1,1 Пбайт эффективной ёмкости. Хранилище масштабируется до 748 накопителей и поддерживает кластеризацию. Контроллеры используют па паре 8-ядерных Intel Xeon Skylake и кеш ёмкостью до 512 Гбайт.

IBM FlashSystem 5200 (Изображения: IBM)

Более мощная 2U-модель FlashSystem 7300 получила четыре 10-ядерных процессора Cascade Lake и кеш объёмом до 1,5 Тбайт. В базовом варианте она позволяет установить уже до 24 NVMe-модулей, а всего можно задействовать до 392 накопителей. FS7300 отличается поддержкой полок расширения с любыми стандартными вариантами LFF/SFF-накопителей SAS-3, причём допустимы смешанные конфигурации.

IBM FlashSystem 7300

Благодаря поддержке кластеризации комплекс 7300 может обслуживть суммарно 1568 накопителей. Сетевая часть в базовом варианте представлена восемью 10GbE-портами (iSCSI), однако доступны более скоростные варианты в виде 25/100GbE (до 12 шт.) и FC16/32 (до 24 шт.), в том числе с RDMA и FC-NVMe. С помощью FS7300 можно организовать сквозное NVMe-подключение для хостов.

IBM FlashSystem 9500

Наконец, старшая СХД FlashSystem 9500 получила четыре 24-ядерных процессора Intel Xeon Ice Lake и кеш объёмом до 3 Тбайт, а также поддержку SCM-модулей (до 1,6 Тбайт) и PCIe 4.0. Базовое 4U-шасси вмещает 48 NVMe-модулей, а всего хранилище может обслуживать до 232 накопителей (до 928 в кластере), но полки расширения поддерживаются только с FlashCore-модулями, NVMe или SAS-3 SSD. Доступно до 24 портов FC16/32, до 12 портов 100GbE или до 20 портов 10/25GbE — с FC-NVMe, iSCSI и RDMA.

Но самое интересное — третье поколение модулей IBM FlashCore (FCM) на базе QLC-памяти с SLC-кешем. У них вдвое вырос показатель DWPD, а степень сжатия на лету поднялась до 3:1. Модули имеют «сырую» ёмкость 4,8/9,6/18,9/38,4 Тбайт. Две наиболее ёмких модели имеют поддержку PCIe 4.0. Кроме того, FCM теперь поддерживают расширенные возможности общения с IBM Spectrum Virtualize (в новых СХД версии 8.5) для более оптимального управления нагрузкой.

Western Digital анонсировала технологию OptiNAND, которая, по её словам, полностью меняет архитектуру жёстких дисков и вместе с ePMR открывает путь к созданию накопителей ёмкостью более 20 Тбайт (от 2,2 Тбайт на пластину) даже при использовании CMR — вплоть до 50 Тбайт во второй половине этого десятилетия. OptiNAND предполагает интеграцию индустриального UFS-накопителя серии iNAND непосредственно в HDD. Но это не просто ещё один вариант NAND-кеша.

Увеличение ёмкости одной пластины происходит благодаря повышению плотности размещения дорожек, что, правда, на современном этапе развития жёстких дисков требует различных ухищрений: заполнение корпуса гелием, использование продвинутых актуаторов, применение новых материалов, требующих энергетической поддержки записи (MAMR, HAMR и т.д.). Вместе с тем механическая часть накопителей не столь «тонка» и подвержена различным колебаниям, которые могут повлиять на запись и считывание столь плотно упакованных дорожек.

При производстве жёстких дисков делается калибровка и учёт этих ошибок в позиционировании головки (RRO, repeatable run out), а данные (речь идёт о гигабайтах) обычно записываются непосредственно на пластины, откуда и считываются во время работы накопителя. В случае OptiNAND эти мета-данные попадают во флеш-память, позволяя высвободить место. Правда, пока не уточняется, насколько это значимо на фоне общей ёмкости пластины.

Второй важный тип мета-данных, который теперь попадает в iNAND, — это информация о произведённых операциях записи. При повышении плотности размещения риск того, что запись на одну дорожку повлияет на данные в соседней, резко увеличивается. Поэтому, опираясь на данные о прошлых записях, жёсткий диск периодически перезаписывает данные соседних дорожек для повышения сохранности информации.

В старых накопителях одна такая операция приходилась примерно на 10 тыс. записей, в современных — на менее, чем на 10 записей. Причём учёт ведётся именно на уровне дорожек. iNAND же позволяет повысить точность отслеживания записей до секторов, что, в свою очередь, позволяет разнести операции перезаписи в пространстве и времени, снизив общую нагрузку на накопитель и повысив плотность размещения дорожек без ущерба для производительности, поскольку надо тратить меньше времени на «самообслуживание».

Наконец, быстрая и ёмкая UFS (вплоть до 3.1) позволяет сохранить в 50 раз больше данных и мета-данных из DRAM в сравнении с жёсткими дисками без OptiNAND в случае аварийного отключения накопителя и в целом повысить его производительность, причём в независимости от того, включено ли кеширование записи или нет. Кроме того, новый слой памяти позволяет лучше оптимизировать прошивку под конкретные задачи — будут использоваться 162-слойные TLC-чипы от Kioxia, которые можно настроить в том числе на работу в режиме SLC.

Western Digital планирует использовать OptiNAND в большинстве серий своих жёстких дисков, предназначенных для облаков и гиперскейлеров, корпоративных нужд (Gold), систем видеонаблюдения (Purple) и NAS (Red). Первые образцы 20-Тбайт накопителей (CMR + ePMR) с OptiNAND уже тестируются избранными клиентами компании. А вот о потребительских решениях пока ничего сказано не было.