Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 9400 NVMe для дата-центров, на базе которых решаются задачи, связанные с ИИ, машинным обучением и высокопроизводительными вычислениями. Дебютировали изделия семейств 9400 PRO и 9400 MAX. Все новинки выполнены в SFF-формате U.3 толщиной 15 мм. Применены 176-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

Семейство 9400 PRO включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 1 600 000, при записи — до 300 000 (значения для конкретных моделей приведены в таблице ниже). Накопители рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (DWPD).

Источник изображений: Micron Technology

Изделия 9400 MAX, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. У них скорость последовательного чтения и записи также составляет до 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении достигает 1 600 000, при записи — 600 000. Значение DWPD равно трём. У всех новинок средняя наработка на отказ (MTTF) заявлена на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление варьируется от 14 до 25 Вт.

Нажмите для увеличения

Гарантия производителя составляет пять лет. Более подробно с характеристиками накопителей можно ознакомиться здесь.

Компания Swissbit анонсировала карты памяти серии S-600 форматов SD и microSD, предназначенные для использования в экстремальных условиях. Изделия подходят для устройств Интернета вещей, периферийного оборудования, медицинских приборов, транспортных систем и других приборов, к которым предъявляются повышенные требования в плане надёжности.

Новинки выполнены на чипах флеш-памяти SLC NAND (один бит информации в ячейке). Это обеспечивает высокую долговечность и целостность данных. Количество циклов записи/стирания (P/E) достигает 100 тыс. Доступны версии с расширенным и индустриальным диапазонами рабочих температур: от -25 до +85 °C и от -40 до +85 °C соответственно.

Источник изображения: Swissbit

Флеш-карты S-600 формата SD выполнены по стандартам SD 5.0 и Speed Class 10/U3/V30. Скорость последовательного чтения достигает 95 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 55 Мбайт/с. Представлены варианты вместимостью 512 Мбайт, а также 1, 2, 4, 8, 16 и 32 Гбайт. Размеры — 32 × 24 × 2,1 мм.

Карты S-600u формата microSD, в свою очередь, соответствуют стандартам SD 3.0 и Speed Class 10/U1. Скорость последовательного чтения составляет до 35 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 21 Мбайт/с. Ёмкость — 512 Мбайт, а также 1 и 2 Гбайт. Изделия имеют размеры 15 × 11 × 0,7 мм.

Показатель MTBF у всех новинок составляет не менее 3 млн часов; количество установок/извлечений из разъёма — до 20 тыс. Применён контроллер Hyperstone S9. Напряжение питания может варьироваться от 2,7 до 3,6 В. Упомянута поддержка SPI-режима.

Компания Exascend анонсировала SSD семейств SI3 и SE3 на основе чипов флеш-памяти 3D TLC. Изделия используют интерфейс SATA-3, а вместимость варьируется от 120 Гбайт до 7,68 Тбайт. Новинки доступны в разных форм-факторах — М.2 и SFF.

Накопители серии SI3 отличаются расширенным диапазоном рабочих температур — от -40 до +85 °C. Они подходят для таких областей, как телекоммуникации, периферийные вычисления, аэрокосмические и транспортные системы. Устройства предлагаются в вариантах исполнения M.2 2280, 2260, 2242, а также mSATA и SFF. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 535 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 85 000, при произвольной записи — до 70 000.

Источник изображений: Exascend

Решения семейства SE3 (М.2 2280 и SFF), в свою очередь, оптимизированы под корпоративные нагрузки. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Скорость последовательного чтения и записи — до 550 и 535 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS в зависимости от модификации варьируется от 80 000 до 95 000 при чтении и от 16 000 до 50 000 при записи.

Для устройств заявлена поддержка TCG Opal, шифрования AES-256, средств управления питанием Power Tuning и технологии оптимизации производительности SuperCruise. Величина MTBF достигает 2 млн часов. На накопители серий SI3 и SE3 предоставляется гарантия сроком три и пять лет соответственно.

Компания SMART Modular Technologies анонсировала накопители семейства DC4800, предназначенные для дата-центров, систем периферийных вычислений, гиперконвергентных инфраструктур и оборудования корпоративного класса. Новинки будут доступны в вариантах исполнения U.2 и E1.S.

В основу изделий, как утверждается, положены инновационный контроллер и ПО с улучшенной архитектурой. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC; обмен данными осуществляется через интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

В серию вошли модели вместимостью 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4600 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении и записи данных по 4 Кбайт — до 1 490 000 и 180 000 соответственно. Задержка при произвольном чтении равна 80 мкс, при произвольной записи — 15 мкс.

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Говорится о соответствии стандарту Open Compute Project (OCP) 1.0, поддержке TCG Opal 2.0 и о возможности шифрования данных по алгоритму AES с 256-битным ключом. Значение MTBF превышает 2 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Энергопотребление в активном режиме составляет менее 13 Вт. Более подробную информацию о накопителях можно найти на этой странице.

Компания Qsan Technology анонсировала твердотельные накопители серии SD4: эти двухпортовые SFF-устройства NVMe 1.4 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 выполнены в форм-факторе U.3 с толщиной корпуса 15 мм. Они подходят для применения в All-Flash СХД, например, XCubeFAS 3126. В накопителях задействована память SK Hynix V6 3D eTLC.

В семейство вошли модели вместимостью 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Все они могут выдерживать одну полную перезапись в сутки (величина DWPD). Заявленная скорость последовательного чтения информации у новинок достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6800 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет 1 600 000, при произвольной записи — 170 000 у младшей модели и 180 000 у двух других.

Изображение: QSAN

Средняя заявленная наработка на отказ — 2,5 млн часов. Устройства имеют размеры 69,85 × 100,1 × 14,65 мм и весят около 200 г. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Максимальное энергопотребление при последовательной записи варьируется от 17,9 до 20,1 Вт.

Изображение: QSAN

Упомянутое двухконтроллерное (Active-Active) хранилище XCubeFAS 3126 наделено процессором Intel Xeon с шестью ядрами, 16 Гбайт оперативной памяти DDR4 (расширяется до 384 Гбайт) и 26 отсеками для SFF-накопителей с фронтальным доступом. Система выполнена в формате 3U и снабжена двумя блоками питания. СХД подходит для ИИ-приложений, задач HPC и пр.

Европейская компания Swissbit AG анонсировала твердотельные накопители N4200, специально разработанные для центров обработки данных (ЦОД). Утверждается, что по сравнению с обычными SSD новинки обеспечивают увеличение постоянной скорости записи в 2–5 раз и повышение долговечности в два раза. Пока что в серии есть только 7,68-Тбайт модель, но готовится и вариант ёмкостью 15,36 Тбайт.

Решения выполнены в форм-факторе U.3 (100,4 × 69,9 × 14,8 мм) с интерфейсом PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Используется флеш-память 3D NAND eTLC, дополненная буфером DDR4 DRAM. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 4000 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт — до 800 000, при произвольной записи — до 130 000.

Источник изображения: Swissbit

Показатель MTBF превышает 2 млн часов. Устройства могут выдерживать от одной до трёх (в зависимости от конфигурации) полных перезаписей в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление составляет 16,3 Вт. Среди прочего упомянуты механизмы QoS, оптимизированная под высокие нагрузки архитектура, средства защиты от перегрева и потери питания, функция безопасного уничтожения данных Crypto Erase и т.д.

На ежегодной конференции Samsung Tech Day 2022 компания раскрыла свои планы относительно новинок в сфере памяти NAND и DRAM. Новые чипы по классификации Samsung относятся к поколению 1b — пятому поколению DRAM-устройств, использующих технологические процессы класса 10 нм. Корпорация намеревается развернуть массовое производство таких микросхем уже в 2023 году. Одновременно ведётся разработка новых технологий и материалов (в частности, диэлектриков класса High-K), позволяющих выйти за рамки 10-нм техпроцессов для чипов DRAM.

Глава подразделения Memory Business в Samsung Electronics Чжун Бэй Ли. Источник изображения: news.samsung.com

В будущий спектр решений памяти нового поколения войдут кристаллы DDR5 ёмкостью 32 Гбит, экономичные чипы LPDDR5X с производительностью 8,5 Гбит/с на контакт и сверхскоростные микросхемы GDDR7 с невиданной ранее для этого типа памяти скоростью 36 Гбит/с на контакт. Для сравнения, GDDR6X на борту новейших ускорителей NVIDIA GeForce GTX 4090 работают на скорости всего 21 Гбит/с.

Столь быстрая память будет востребована в ЦОД нового поколения, суперкомпьютерах и кластерных системах, а также в игровой индустрии как видеопамять графических ускорителей и консолей следующих поколений. Экономичные и вместе с тем ёмкие решения, созданные с использованием новых техпроцессов, найдут своё место в мобильных устройствах и на рынке автономных транспортных средств.

Модули Samsung AXDIMM. Источник изображения: news.samsung.com

Но Samsung уделяет пристальное внимание и другим, более специализированным типам памяти, в частности, вычислительной памяти HBM-PIM (Processing-in-Memory) и AXDIMM с ускорителями на борту, а также продвижению стандарта CXL, который позволит достичь нового уровня дезагрегации инфраструктуры. За прошедшие 40 лет работы в области выпуска микросхем памяти общий их объём, произведенный компанией, достиг 1 трлн Гбайт, причем половина этого объёма выпущена за последние 3 года.

Также Samsung рассказала о восьмом и девятом поколении флеш-памяти V-NAND. В текущем восьмом поколении компания достигла наивысшей плотности упаковки ячеек среди всех TLC-устройств с ёмкостью чипа 512 Гбит, а к концу года будут доступны и микросхемы ёмкостью 1 Тбит. Девятое поколение запланировано на 2024 год, а к 2030 году компания надеется выпустить флеш-память с более чем тысячью слоёв. В связи с ростом популярности машинного обучения и возрастанием объёма ИИ-моделей Samsung ускорит процесс перехода от TLC к более ёмкой QLC NAND.

Компания Kioxia анонсировала чипы флеш-памяти BiCS Flash 3D, рассчитанные на использование в промышленной сфере. Изделия подходят для применения в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, встраиваемых компьютерах и других устройствах, которые эксплуатируются в жёстких условиях.

Чипы используют TLC-память, но поддерживают и режим SLC для приложений, которым необходимы высокие скорости чтения/записи данных. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °С, что позволяет эксплуатировать изделия в устройствах, монтируемых на открытых пространствах, в транспорте и пр.

Источник изображения: Kioxia

Представлены чипы вместимостью от 64 до 512 Гбайт. Они выполнены в корпусе 132-BGA. Пробные поставки изделий уже начались, а массовое производство планируется организовать ближе к концу текущего года. «Выпуск флеш-памяти следующего поколения BiCS Flash 3D промышленного класса подтверждает нашу приверженность поддержке индустриального сегмента рынка», — заявляет Kioxia.

Компания Advantech анонсировала твердотельные накопители SQFlash SQF 930 и SQF ER-1 с повышенной надёжностью. Изделия рассчитаны на применение в устройствах периферийных вычислений, оборудовании, которое эксплуатируется на открытом воздухе, и различных индустриальных системах.

Все новинки выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC. Задействован интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Говорится о поддержке шифрования AES-256, стандарта TCG-OPAL, а также LDPC с RAID ECC.

В серию SQF 930 вошли решения в формате M.2 2280 (SQF-C8M 930-D) вместимостью от 480 Гбайт до 3,8 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 7200 Мбайт/с, скорость записи — 6300 Мбайт/с. Применён крупный радиатор охлаждения. Габариты — 80,4 × 23,3 × 20,5 мм. Энергопотребление — до 11 Вт.

Источник изображений: Advantech

Накопители SQF ER-1 представлены в виде модулей M.2 2280 (SQF-C8M ER-1) с радиатором охлаждения и в формате U.2 (SQF-CU2 ER-1). В первом случае ёмкость составляет от 0,4 до 3,2 Тбайт, во втором — от 0,4 до 6,4 Тбайт. Скорости чтения/записи — 6500/5000 Мбайт/с и 7100/6700 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS при чтении/записи у этих устройств достигает 779/753 тыс. и 750/700 тыс. Энергопотребление U.2-варианта не превышает 8 Вт, а M.2 — 7,3 Вт.

Все новинки доступны в коммерческой и индустриальной версиях. У первой диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, у второй — от -40 до +85 °C. Кроме того, новинки предлагают два уровня DWPD (1 или 3) в зависимости от типа нагрузок.

Компания SP Industrial (Silicon Power Computer & Communications Inc.) анонсировала индустриальные флеш-карты SDT3R0, а также Cinema EX и Cinema EX Plus, выполненные на основе 112-слойной флеш-памяти BiCS5 3D TLC NAND. Изделия ориентированы на применение в корпоративном секторе и профессиональных областях. Диапазон рабочих температур новинок простирается от -10 до +70 °C. Производитель предоставляет трёхлетнюю гарантию.

Карты SDT3R0 стандарта microSD предназначены прежде всего для систем видеонаблюдения. Они могут эксплуатироваться в круглосуточном режиме 24/7. Изделия соответствуют стандартам SD 3.0 / UHS-I. В серию входят модели вместимостью от 32 до 512 Гбайт. Скорость последовательного чтения достигает 93 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 80 Мбайт/с. Показатель MTBF — 2 млн часов. Размеры составляют 15,0 × 11,0 × 1,0 мм.

Изображение: Silicon Power

Решения Cinema EX и Cinema EX Plus формата CFexpress 2.0 Type B могут использоваться в киноиндустрии, а также для записи фотоматериалов высокого качества. Ёмкость этих решений может составлять 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации — до 1700 Мбайт/с, скорость записи — до 1500 Мбайт/с. Карты рассчитаны на 3000 циклов записи/стирания. Физические размеры составляют 38,5 × 29,6 × 3,8 мм.