Компания SP Industrial (Silicon Power Computer & Communications Inc.) анонсировала индустриальные флеш-карты SDT3R0, а также Cinema EX и Cinema EX Plus, выполненные на основе 112-слойной флеш-памяти BiCS5 3D TLC NAND. Изделия ориентированы на применение в корпоративном секторе и профессиональных областях. Диапазон рабочих температур новинок простирается от -10 до +70 °C. Производитель предоставляет трёхлетнюю гарантию.

Карты SDT3R0 стандарта microSD предназначены прежде всего для систем видеонаблюдения. Они могут эксплуатироваться в круглосуточном режиме 24/7. Изделия соответствуют стандартам SD 3.0 / UHS-I. В серию входят модели вместимостью от 32 до 512 Гбайт. Скорость последовательного чтения достигает 93 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 80 Мбайт/с. Показатель MTBF — 2 млн часов. Размеры составляют 15,0 × 11,0 × 1,0 мм.

Изображение: Silicon Power

Решения Cinema EX и Cinema EX Plus формата CFexpress 2.0 Type B могут использоваться в киноиндустрии, а также для записи фотоматериалов высокого качества. Ёмкость этих решений может составлять 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации — до 1700 Мбайт/с, скорость записи — до 1500 Мбайт/с. Карты рассчитаны на 3000 циклов записи/стирания. Физические размеры составляют 38,5 × 29,6 × 3,8 мм.

Сокращение дистанции между вычислительными ресурсами и ресурсами памяти породило ряд технологий, включая различные варианты «умной» DRAM, однако компания Macronix, поставщик NOR- и NAND-устройств, видит проблему иначе и предлагает перенести ряд вычислений непосредственно в специальную разновидность флеш-памяти.

С растущими объёмами данных в ряде современных сценариев, включая машинное обучение, системы не всегда могут «прокормить» вычислительные ядра, так что Macronix предлагает производить первичную обработку данных прямо во флеш-памяти. И такую память под названием FortiX Macronix представила на мероприятии Flash Memory Summit 2022.

Источник: Blocks & Files

В данном случае речь не о классическом «вычислительном накопителе», в котором используется достаточно мощный контроллер с процессорными ядрами общего назначения или сразу FPGA. Сама структура NAND-чипов Fortix включает в себя специализированные структуры nvTCAM (non-volatile ternary content-addressable memory).

Она может выполнять достаточно узкоспециализированные вычисления, в частности, поиск по ключевым словам, и определение расстояния Хэмминга. Она работает не так быстро, как аналогичные запросы к классической DRAM, но это без учёта накладных расходов на транспортировку данных с флеш-накопителя в память и выполнение соответствующих функций с участием центрального процессора.

Источник: Blocks & Files

В случае с FortiX флеш-память выполняет эти задачи сама, чем экономит пропускную способность и электроэнергию. В сравнении с DRAM накопитель на базе памяти FortiX может выигрывать в некоторых аспектах, предлагая плотность упаковки от 64 Гбит на чип против 8–16 у DRAM, а также потребляя около 330 мВт против примерно 1 Вт. Правда, скорость поиска на порядок ниже, зато число запросов на порядок больше, утверждает Macronix.

Компания называет областью применения FortiX различные задачи машинного интеллекта — распознавание паттернов и голоса, поиск в крупных (Big Data) массивах данных, поиск совпадения в ДНК. Подробностей о строении вычислительной части FortiX компания не приводит и некоторые зарубежные источники считают, что речь может идти о разных комбинациях NAND и специфических, настроенных под определенную задачу, обработчиках запросов.

Технология X-NAND, впервые представленная компанией NEO Semiconductor летом прошлого года, вызвала немалый интерес, поскольку она обещает нивелировать основные недостатки, свойственные флеш-памяти с тремя и более битами на ячейку: пониженный ресурс и низкую скорость записи.

Благодаря использованию унифицированного буфера, способного одновременно обслуживать 16 столбцов (Y-Plane) и ряда других хитростей, разработчикам удалось добиться превосходства QLC X-NAND даже над классической SLC. По крайней мере, в теории. На практике компания использовала четыре слоя по 16 Y-столбцов, что позволяло писать в трёх плоскостях в SLC-режиме, четвёртая же использовалась для параллельного перевода записываемых данных в TLC-режим. Это позволило добиться постоянной скорости записи 1600 Мбайт/с — в 10 раз выше, нежели у обычного чипа TLC.

Структура кристалла X-NAND. Источник: NEO Semiconductor

А совсем недавно было анонсировано новое, второе поколение X-NAND. Для него заявлен двукратный прирост производительности и устроены новые чипы NEO Semiconductor несколько иначе в плане параллелизма: теперь SLC-запись и TLC-уплотнение производятся в каждой паре плоскостей из четырёх имеющихся. Это и позволило поднять скорость записи вдвое, до 3200 Мбайт/с. Разработчики также сообщают о примерно трёхкратном приросте скоростей чтения/записи на случайных операциях и о некотором снижении латентности; при этом размер кристалла X-NAND второго поколения не изменился.

Параллелизация SLC-записи и QLC-уплотнения решает проблему скорости. Источник: NEO Semiconductor

Архитектура поддерживает реализацию вариантов флеш-памяти с практически любым разумным количеством бит на ячейку, от SLC до PLC, технология же позволяет развернуть производство X-NAND на базе техпроцессов любого крупного поставщика NAND-устройств. Если верить NEO Semiconductor, речь идёт о практически нулевых затратах на модернизацию производства под выпуск X-NAND. Увы, компания официально не сообщала, готов ли кто-то из крупных игроков развернуть массовый выпуск новой памяти.

Китайский производитель памяти YMTC (Yangtze Memory Technologies Corp) представил серию SSD PE310. Это первые NVMe SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и флеш-памятью YMTC Xtacking 2.0 третьего поколения (TLC 3D NAND), выпущенные под собственным брендом. Ранее компания предлагала под своей маркой только потребительские и встраиваемы решения.

Изображения: YMTC

В серию входят 15-мм U.2-накопители для смешанных нагрузок (1,6/3,2/6,4 Тбайт) и для нагрузок, связанных с преимущественно чтением (1,92/3,84/7,68 Тбайт). В первом случае показатель DWPD равен 3, во втором — 1. Максимальная скорость последовательного чтения и записи составляет 6,2 и 4,5 Гбайт/с. Для случайных операций с 4K-блоками они составляют 1 млн и 380 тыс. IOPS соответственно. Заявленный показатель MTBF составляет 2 млн часов, а UBER — 10^-17.

Диапазон рабочих температур: от 0 до +70 °C. Пиковое энергопотребление не превышает 14 Вт, но можно настроить подходящее соотношение производительности и потребления энергии. Все прочие возможности довольно стандартны для SSD такого класса: поддержка NVMe 1.4, AES-шифрование, сквозная защита целостности данных, защита от сбоев по питанию, расширенные функции самодиагностики и телеметрии, безопасная очистка накопителя и т.д.

Компания ATP Electronics анонсировала твердотельные накопители серий N700 и N600, предназначенные для использования в промышленном и корпоративном секторах. Изделия могут применяться, в частности, в устройствах Интернета вещей, серверном оборудовании (в качестве загрузочных модулей), мобильных компьютерах и пр.

Все новинки выполнены в форм-факторе M.2 2230 с габаритами 22,0 × 30,0 × 2,5 мм. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 x4. Заявленный показатель MTBF превышает 1,5 млн часов. Решения будут предлагаться в вариантах с диапазоном рабочих температур от 0 до +70 °C и от -40 до +85 °C.

Источник изображений: ATP

Накопители серии N700 выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND. При этом задействована PSLC-технология (Pseudo Single Level Cell). Вместимость составляет 40, 80 и 160 Гбайт. Возможно шифрование данных по алгоритму AES с 256-битным ключом. Изделия N600 используют TLC-память в обычном режиме. Ёмкость может составлять 120, 240 и 480 Гбайт. Средства шифрования не предусмотрены.

У всех накопителей скорость последовательного чтения информации достигает 2000 Мбайт/с. Скорость последовательной записи — до 1600 Мбайт/с у версий N700 и до 1570 Мбайт/с у N600. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении достигает 135 600, при произвольной записи — 112 000. Гарантия производителя — два года.

Компания Seagate Technology анонсировала твердотельные накопители серий Nytro 5350 и Nytro 5550 в форм-факторе U.3, ориентированные на корпоративный сектор. Изделия, как утверждается, обеспечивают высокие показатели производительности и эффективности, что позволяет снизить общую стоимость владения IT-инфраструктурой. Поставки начнутся в текущем месяце. Цена пока не уточняется.

Источник изображений: Seagate

Новинки выполнены на платформе Phison. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D eTLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 ×4. Заказчики смогут выбирать между модификациями Nytro 5350 и Nytro 5550 в корпусах толщиной 15 и 7 мм. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на отметке 7100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6900 Мбайт/с. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Все накопители обеспечиваются пятилетней гарантией.

Решения серии Nytro 5350 оптимизированы для систем с интенсивным чтением. Вместимость составляет до 15,36 Тбайт. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении достигает 1,7 млн, при произвольной записи — 195 тыс. Надёжность — 1 DWPD (полных перезаписей в сутки). Изделия Nytro 5550, в свою очередь, рассчитаны на смешанные нагрузки (3 DWPD). Они имеют ёмкость до 12,8 Тбайт. Значение IOPS при произвольном чтении и записи — 1,7 млн и 470 тыс. соответственно.

Компания Phison анонсировала аппаратную платформу X1 для создания кастомизируемых SSD корпоративного класса. Такие SSD могут применяться в дата-центрах (в том числе гиперскейлеров), системах высокопроизводительных вычислений, ИИ-комплексах и пр. Платформа X1 создана в сотрудничестве с Seagate и, по словам компаний, является лучшей в своём классе.

Платформа рассчитана на создание двухпортовых устройств U.3 PCIe 4.0 x4 NVMe с толщиной корпуса 15 или 7 мм. Основу составляют контроллер Phison E20, который пока остаётся эксклюзивом для Seagate, и 128-слойные микрочипы флеш-памяти 3D eTLC NAND (enterprise TLC) от SK hynix. Говорится об обратной совместимости с U.2-слотами.

Источник изображений: Phison

Анонсированы две разновидности накопителей с разным уровнем надёжности: 1 DWPD (полных перезаписей в сутки) и 3 DWPD. В первом случае вместимость может составлять 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт, во втором — 1,6, 3,2, 6,4 и 12,8 Тбайт. Заявленное энергопотребление при произвольном чтении и произвольной записи — 13,5 Вт и 17,9 Вт соответственно. В режиме простоя энергопотребление равно 6,5 Вт. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Приводятся показатели производительности для модификации ёмкостью 3,84 Тбайт (1 DWPD). Скорость последовательного чтения достигает 7400 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 7200 Мбайт/с. Количество операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 1,75 млн, при произвольной записи — до 470 тыс. По ряду показателей новинка быстрее уже имеющихся на рынке PCIe 4.0 SSD.

Phison заявляет, что её решение лидирует по производительности, энергоэффективности и совокупной стоимости владения (TCO). Новинка снабжена различными функциями для сквозной защиты целостности данных (от DRAM до чипов NAND), для защиты от сбоев по питанию, а также поддерживает SR-IOV, TCG Opal 2.0, NVMe-MI и другие привычные для подобного класса устройств стандарты.

Компания DapuStor анонсировала твердотельные накопители семейства Haishen5 для систем корпоративного класса и центров обработки данных, передаёт StorageReview. Изделия используют интерфейс PCle 5.0 x4 (спецификация NVMe 2.0). Пробные поставки накопителей компания организует в IV квартале нынешнего года. Информации об ориентировочной цене пока нет.

Источник изображения: Storage Review

Покупателям будут предлагаться модификации в различных исполнениях: E3.S, E1.S и U.2. Говорится о подготовке устройств на основе чипов флеш-памяти TLC и QLC NAND. В первом случае вместимость варьируется от 1,6 до 15,36 Тбайт, а во втором достигает 32 Тбайт. Задействован контроллер Marvell Bravera SC5.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 8000 Мбайт/с. Величина IOPS при чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 2 800 000, при записи — до 600 000. Задержки при последовательном чтении/записи заявлены на уровне 8/9 мкс.

Компания Innodisk анонсировала твердотельные накопители серий 3TS6-P и 4TS2-P, оптимизированные для использования в устройствах периферийных вычислений (edge). Это могут быть сетевых хранилища данных, системы для умного города, коммерческие системы и пр.

Источник изображений: Innodisk

Новинки выполнены на основе флеш-памяти 3D NAND TLC. Опционально поддерживается шифрование информации по алгоритму AES. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Заказчики смогут выбирать между двумя вариантами исполнения — стандартным и промышленным. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C.

Накопители серии 3TS6-P имеют типоразмер SFF, а для обмена данными служит интерфейс SATA 3.0. Вместимость варьируется от 200 Гбайт до 3,2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 510 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 460 Мбайт/с. Изделия 4TS2-P стандарта М.2 2280 наделены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Ёмкость составляет от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт. Скорость чтения — до 7100 Мбайт/с, скорость записи — до 5200 Мбайт/с.

Компания TeamGroup анонсировала твердотельные накопители промышленного класса N74V-M80, подходящие для применения в системах с высокими нагрузками, сопряжёнными с большим тепловыделением. Утверждается, что это первые в отрасли SSD, оборудованные кулером на основе испарительной камеры (VC).

TeamGroup отмечает, что в случае N74V-M80 применена проприетарная конструкция (тайваньский патент M626519), учитывающая особенности работы SSD. Кулер содержит термопрокладку, собственно испарительную камеру и алюминиевый радиатор. Эффективно отводя тепло от SSD-контроллера, это решение позволяет использовать накопитель в широком диапазоне рабочих температур — от -40 до +85 °C.

Источник изображений: TeamGroup

Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC. Для обмена данными задействован интерфейс PCIe 3.0 x4 (спецификация NVMe 1.3). Скорость последовательного чтения информации составляет до 3445 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2520 Мбайт/с. Величина MTBF — более 3 млн часов.

В семейство N74V-M80 вошли модели на 128, 256 и 512 Гбайт. Габариты устройств — 80,0 × 23,1 × 14,5 мм. Производитель обеспечивает новинки трёхлетней гарантией.