Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Консорциум NVM Express обнародовал ряд новых спецификаций, призванных ускорить и упростить разработку изделий с архитектурой NVMe. Реализованы функции, которые помогают в решении эксплуатационных задач, предоставляя администраторам улучшенную прозрачность и контроль над хранилищами для критически важных бизнес-приложений и нагрузок в дата-центрах.

В частности, обновлены базовая спецификация NVMe 2.3, спецификация набора команд (NVM Command Set 1.2, ZNS Command Set 1.4, Key Value Command Set 1.3, Subsystem Local Memory Command Set 1.2, Computational Programs Command Set 1.2), транспортная спецификация (NVMe over PCIe Transport 1.3, NVMe over RDMA Transport 1.2, NVMe over TCP Transport 1.2), а также спецификации NVM Express Management Interface (NVMe-MI) 2.1 и NVMe Boot 1.3.

Источник изображения: NVM Express

Одной из новых функций является восстановление после сбоев Rapid Path Failure Recovery. Этот инструмент обеспечивает связь с подсистемой NVM через альтернативные каналы, что позволяет быстро восстанавливать подключение в случае потери связи с контроллером, избегая повреждения данных и дублирования невыполненных команд.

Кроме того, появилась возможность ограничения мощности (Power Limit Config): эта функция обеспечивает полный контроль над максимальной мощностью устройств NVMe, что особенно важно для старых платформ с ограниченным потенциалом в плане питания. В свою очередь, режим Self-reported Drive Power позволяет хосту измерять и контролировать мощность устройства NVMe, а также энергопотребление в течение всего срока его службы. Это помогает в решении вопросов, связанных с обслуживанием хранилищ и устойчивым развитием.

Инструмент Sanitize Per Namespace обеспечивает криптографическую очистку отдельных пространств имен, не затрагивая всю подсистему NVM. Кроме того, упомянут механизм индивидуальной настройки устройств Configurable Device Personality.

Компания Silicon Motion показала ряд продуктов, оснащённых высокопроизводительными SSD на базе контроллера MonTitan SM8366.

Решение MonTitan SM8366 ориентировано на накопители для дата-центров и инфраструктур гиперскейлеров. Обеспечивается поддержка PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0a и OCP 2.0. Доступны 16 независимых каналов NAND Flash, а заявленная производительность достигает 2400 MT/s. Скорость последовательной передачи данных может превышать 14,2 Гбайт/с, величина IOPS — 3,5 млн при работе с блоками данных по 4 Кбайт. Возможно создание накопителей в форматах E1.S, E1.L, U.2/3. Поддерживается память DDR4-3200 и DDR5-4800 в одно- и двухканальном режимах. Контроллер выполнен в корпусе FCBGA с размерами 21 × 21 мм.

В рамках FMS 2025 продемонстрирована система VAST Data Ceres V2 Dbox, оснащённая накопителями Unigen семейства Cheetah с контроллером MonTitan SM8366. Это, в частности, SSD формата E1.L вместимостью 128 Тбайт на чипах QLC NAND, а также изделия стандарта U.2 ёмкостью 3,2 Тбайт с чипами SLC NAND. Система VAST Data Ceres V2 Dbox выполнена в форм-факторе 1U и наделена DPU NVIDIA BlueField-3.

Источник изображения: Silicon Motion

Кроме того, показан сервер небольшой глубины Aetina AEX-2UA1 для периферийных вычислений, в состав которого включены накопители Innodisk 5TS-P на основе MonTitan SM8366. Система построена на модульной платформе NVIDIA MGX. Отмечается, что сервер Aetina AEX-2UA1 предоставляет ИИ-возможности в средах с ограниченным пространством для установки оборудования.

Компания Graid Technology объявила о глобальной доступности платформы SupremeRAID HE (HPC Edition), предназначенной для создания программно-определяемых массивов NVMe RAID с ускорением на базе GPU.

SupremeRAID HE переносит операции RAID с CPU на GPU, что, как утверждается, позволяет полностью раскрыть потенциал производительности NVMe SSD. Заявлена совместимость с такими параллельными файловыми системами, как Ceph, Lustre, MinIO и IBM SpectrumScale. Возможно развёртывание JBOF в системах с коммутаторами Broadcom. Благодаря GPU-ускорению заявленная пропускная способность достигает 132 Гбайт/с при чтении данных и 83 Гбайт/с при записи (после выполнения RAID-операций).

Заявлена поддержка RAID 0/1/5/6/10, NVMe-oF, конфигураций с двумя контроллерами и функции миграции массива. Допускается использование до 32 накопителей. SupremeRAID HE предлагается в виде комплекта из GPU-ускорителя и лицензии на ПО. В качестве аппаратной составляющей могут использоваться карты NVIDIA RTX A1000 (8 Гбайт GDDR6) или NVIDIA RTX 2000 Ada (16 Гбайт GDDR6).

Источник изображения: Graid Technology

«Перенося операции RAID на GPU, мы предоставляем клиентам возможность масштабировать производительность накопителей NVMe, сохраняя при этом высокую доступность узлов — без сложностей репликации и компромиссов», — говорит Леандер Ю (Leander Yu), президент и генеральный директор Graid Technology.

Отмечается, что SupremeRAID HE допускает развёртывание в широком спектре инфраструктур, включая платформу Supermicro High Availability Dual Node All-Flash петафлопсного класса. Новое RAID-решение ориентировано на среды с высокими нагрузками, включая НРС. Говорится о совместимости с Ubuntu 20.04–24.04 и RHEL 8.x–9.x.

Компания Microchip Technology анонсировала ускорители Adaptec SmartRAID 4300 для дата-центров, поддерживающих ресурсоёмкие нагрузки, в том числе связанные с ИИ. Решения предназначены для работы с массивами NVMe RAID в составе программно-определяемых хранилищ (SDS).

Концепция Adaptec SmartRAID 4300 предполагает разделение платформы Microchip Smart Storage на программные и аппаратные компоненты. В данном случае CPU отвечает за непосредственную запись данных на твердотельные накопители, полноценно используя скоростные возможности интерфейса PCIe. Вместе с тем дополнительные расчёты (в том числе XOR-операции) переносятся с хост-процессора на RAID-ускоритель.

Такой подход, как утверждается, устраняет узкие места, присущие традиционным решениям с последовательным подключением. В результате, достигается высокий уровень гибкости и масштабируемости. Возможно подключение до 32 устройств NVMe SSD с интерфейсом PCIe 4.0 х4 или PCIe 5.0 х4. По оценкам Microchip, изделия Adaptec SmartRAID 4300 обеспечивают семикратное увеличение производительности ввода-вывода (I/O) по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Источник изображений: Microchip

В частности, в средах Windows показатель IOPS в режимах RAID 0 и RAID 5 достигает 5 млн при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт и соответственно 4,8 млн и 2,3 млн при произвольной записи. Скорость последовательного чтения составляет до 317 Гбайт/с (RAID 0) и 291 Гбайт/с (RAID 5), скорость последовательной записи — до 120 Гбайт/с (RAID 0) и 26 Гбайт/с (RAID 5).

При работе с Linux скорости значительно выше. Так, величина IOPS в режимах RAID 0 и RAID 5 при произвольном чтении достигает 27,2 млн и 27,3 млн соответственно, при произвольной записи — 22,4 млн и 5,1 млн. Скорость последовательного чтения — до 300 и 291 Гбайт/с, последовательной записи — до 196 и 155 Гбайт/с.

Ускорители выполнены в виде низкопрофильной (HHHL) карты расширения с интерфейсом PCIe 4.0 х16. Поддерживаются массивы RAID 0/1/5/10/50. Габариты составляют 68,9 × 167,65 мм. Значение MTBF (средняя наработка на отказ) — до 3 млн часов при температуре до +40 °C. Гарантирована совместимость с  Windows Server, Red Hat Enterprise Linux, SuSE Linux Enterprise Server, Oracle Linux.

Компания SanDisk анонсировала NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом до 256 Тбайт, разработанный для удовлетворения растущих потребностей в ИИ-системах и ресурсоёмких вычислениях. Новинка позиционируется как решение для крупномасштабных приложений — таких, как озёра данных ИИ, высокоскоростной приём данных и аналитика в реальном времени, — где требуется масштабный и быстрый доступ к информации. А в скором времени компания обещает создать накопитель ёмкостью 1 Пбайт.

Созданный на недавно анонсированной платформе UltraQLC, твердотельный накопитель SanDisk UltraQLC SN670 будет доступен в вариантах ёмкостью 256 и 128 Тбайт. В нём используется 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллом CBA (CMOS Direct Bonded to Array) объёмом 2 Тбит и контроллер с интерфейсом PCIe 5.0. Аналогичные чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA установлены в 245,76-Тбайт SSD компании Kioxia, производственного партнёра SanDisk.

Источник изображения: SanDisk

Используемая в SanDisk UltraQLC SN670 технология Direct Write QLC, позволяет обходиться без традиционной буферизации SLC, осуществляя безопасную запись непосредственно на слои QLC без потерь при отключении питания. Как отметил ресурс Blocks & Files, обычно это приводит к снижению производительности по сравнению с аналогичными накопителями, использующими кеш SLC, если только не используются дополнительные усовершенствования для ускорения процесса.

Функция динамического масштабирования частоты (Dynamic Frequency Scaling) обеспечивает рост производительности до 10 % при заданном уровне энергопотребления. Для поддержания пропускной способности и долговечности при экстремальных объёмах записи в SN670 используется масштабируемый многоядерный контроллер. Обновлённый профиль Data Retention (DR) позволяет сократить число циклов обновления данных на 33 %, что повышает надёжность накопителя и снижает энергопотребление.

Обе версии накопителя SanDisk UltraQLC SN670 объёмом 128 и 256 Тбайт поступят в продажу в форм-факторе U.2 в I половине 2026 года. Ожидается, что в течение года появятся и другие форм-факторы. Если SN670 будет готов к апрелю 2026 года, это, по мнению Blocks & Files, означает, что на доработку накопителя потребуется ещё около восьми месяцев. Вероятно, именно поэтому компания пока не раскрывает информацию о производительности и надёжности — накопитель и контроллер, по всей видимости, ещё не прошли финальное тестирование.

Компания Kioxia анонсировала первый в отрасли твердотельный накопитель NVMe, способный вместить 245,76 Тбайт информации. Устройство, вошедшее в семейство LC9, рассчитано прежде всего на рабочие нагрузки, связанные с генеративным ИИ.

SSD серии LC9 дебютировали в марте нынешнего года. Их основой служат чипы флеш-памяти BiCS FLASH QLC 3D с технологией CBA (CMOS directly Bonded to Array). Задействован неназванный проприетарный контроллер, совместимый с NVMe 2.0. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 x4 (с поддержкой двух портов).

Изначально в семействе LC9 были представлены решения в формате U.2 вместимостью до 122,88 Тбайт. Теперь максимальная ёмкость таких устройств увеличилась в два раза — до 245,76 Тбайт. Кроме того, в серии LC9 появились изделия типоразмера EDSFF E3.L на 245,76 Тбайт, а также EDSFF E3.S на 122,88 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Скорость последовательного чтения достигает 12 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 3 Гбайт/с. Это не самые высокие показатели для SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 5.0, но в данном случае Kioxia пришлось пойти на компромисс с целью достижения рекордной вместимости. Величина IOPS на операциях произвольного чтения составляет до 1,3 млн IOPS, на операциях произвольной записи — до 50 тыс. Накопители рассчитаны на 0,3 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD).

SSD поддерживают ряд функций для повышения надёжности и обеспечения целостности данных. Это средства защиты от внезапного отключения питания (PLP), технология FDP (Flexible Data Placement) для повышения долговечности, инструмент управления ошибками на основе контроля четности и пр. Реализованы шифрование AES-256 и алгоритмы постквантовой криптографии, устойчивые к атакам будущих квантовых компьютеров.

Компания Exascend анонсировала новый SSD серии PE4 для периферийных систем хранения данных — устройство вместимостью 30,72 Тбайт. Утверждается, что это первый в отрасли накопитель такой ёмкости, выполненный в формате U.2 с толщиной корпуса 7 мм. Кроме того, дебютировала модель на 23,04 Тбайт.

Новинки выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND. Для обмена данными используется интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3395 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3355 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 375 000, при произвольной записи — до 61 000.

По заявлениям Exascend, новые SSD снижают требования к пространству в стойке на 50 % по сравнению с накопителями толщиной 15 мм. При этом система типоразмера 1U может обеспечить до 737 Тбайт пространства в конфигурации 24 × 30,72 Тбайт. Отмечается также, что устройства позволяют снизить энергопотребление на 50–70 % по сравнению с альтернативными продуктами. В активном режиме показатель составляет менее 9,1 Вт, в режиме ожидания — менее 1,9 Вт.

Источник изображения: Exascend

Накопители могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +70 °C. Они способны выдерживать до 0,6 полных перезаписи в сутки (показатель DWPD) на протяжении пяти лет. Значение TBW достигает 33 280 Тбайт, величина MTBF (средняя наработка на отказ) — 2 млн часов. Реализована поддержка TCG Opal 2.01 и AES-256. Аппаратные и программные средства Power Loss Protection (PLP) отвечают за сохранность данных при внезапном отключении питания. Стабильность производительности достигается благодаря интеллектуальной системе терморегулирования, оптимизированному размещению контроллера и специальной конструкции корпуса, обеспечивающей эффективное рассеивание тепла.

Компания DapuStor пополнила семейство SSD для дата-центров J5060 моделью вместимостью 122,88 Тбайт. Устройство выполнено в форм-факторе U.2 толщиной 15 мм, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe 1.4a) с поддержкой двух портов.

Как и другие представители серии J5060, новинка построена на флеш-чипах 3D QLC NAND корпоративного класса. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 7,3 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 2,8 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 1,5 млн, при произвольной записи блоками по 32 Кбайт — до 15 тыс.

Накопитель рассчитан на 0,5 полных перезаписи в сутки (0,5 DWPD), а величина MTBF (средняя наработка на отказ) указана на уровне 2 млн часов. Максимальное энергопотребление составляет менее 25 Вт под нагрузкой и 5 Вт в режиме ожидания. Производитель предоставляет на накопители пятилетнюю гарантию.

Источник изображения: DapuStor

Компания DapuStor отмечает, что при формировании хранилищ общей ёмкостью 10 Пбайт применение SSD на 122,88 Тбайт обеспечит снижение совокупной стоимости владения (TCO) до 35 % на протяжении пяти лет по сравнению с HDD вместимостью 24 Тбайт.

Нужно отметить, что SSD объёмом 122,88 Тбайт, выполненные на основе флеш-памяти QLC NAND, уже есть в ассортименте других компаний. В частности, Solidigm в ноябре прошлого года анонсировала устройства D5-P5336 (PCIe 4.0) с такой ёмкостью, которые доступны в вариантах U.2 (15 мм) и E1.L. Кроме того, аналогичные изделия представила Phison: устройства вошли в семейство Pascari D205V (PCIe 5.0). А Kioxia в марте текущего года выпустила SSD серии LC9 ёмкостью до 122,88 Тбайт в формате U.2 (PCIe 5.0).

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N651Si/N651Sc с увеличенной надёжностью. Устройства, выполненные на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND, предназначены для использования в индустриальной сфере.

Новинки, как утверждается, выдерживают до 11 тыс. циклов записи/стирания. Это на 120 % превышает соответствующий показатель для оригинальных накопителей N651Si/N651Sc, которые были доступны ранее: они рассчитаны на 5 тыс. циклов перезаписи. Изделия проходят комплексное тестирование на выносливость и стабильность работы, эффективность исправления ошибок и пр.

В SSD реализована фирменная технология AcuCurrent, обеспечивающая целостность сигнала при всех операциях. Эта система минимизирует ошибки и излишние повторные попытки чтения, что повышает срок службы и надёжность. Кроме того, обеспечивается стабильная производительность в широком диапазоне рабочих температур, который простирается от -40 до +85 °C.

Источник изображений: ATP

Вместе с тем средства PLP Diag предотвращают отказ механизма защиты от потери питания (PLP) путём упреждающей проверки функциональности и состояния полимерных танталовых конденсаторов: если они выходят из строя, накопитель переключается в режим Direct TLC, минуя DRAM-кеширование на операциях записи.

Новинки доступны в различных вариантах исполнения. В частности, изделия N651Si/N651Sc в формате M.2 2280 имеют вместимость от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6050 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении — до 1 091 000, при произвольной записи — до 1 245 000. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 76 400 Тбайт.

Кроме того, SSD серии N651Si предлагаются в форматах U.2 и E1.S. В обоих случаях ёмкость составляет от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Величина TBW — до 76 000 и 79 000 соответственно. Накопители U.2 обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 6000 Мбайт/с, тогда как значение IOPS при произвольных чтении и записи — до 870 000 и 1 230 000. У устройств E1.S скорости чтения и записи достигают 6400 Мбайт/с и 6100 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 1 000 000 и 1 200 000.

У всех новинок значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн ч. Реализована поддержка шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Модели формата M.2 2280 могут комплектоваться опциональным радиатором охлаждения толщиной 8 мм. Производитель предоставляет на SSD трёхлетнюю гарантию (пять лет в случае изделий E1.S). Все устройства оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4.