Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N651Si/N651Sc с увеличенной надёжностью. Устройства, выполненные на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND, предназначены для использования в индустриальной сфере.
Новинки, как утверждается, выдерживают до 11 тыс. циклов записи/стирания. Это на 120 % превышает соответствующий показатель для оригинальных накопителей N651Si/N651Sc, которые были доступны ранее: они рассчитаны на 5 тыс. циклов перезаписи. Изделия проходят комплексное тестирование на выносливость и стабильность работы, эффективность исправления ошибок и пр.
В SSD реализована фирменная технология AcuCurrent, обеспечивающая целостность сигнала при всех операциях. Эта система минимизирует ошибки и излишние повторные попытки чтения, что повышает срок службы и надёжность. Кроме того, обеспечивается стабильная производительность в широком диапазоне рабочих температур, который простирается от -40 до +85 °C.
Источник изображений: ATP
Вместе с тем средства PLP Diag предотвращают отказ механизма защиты от потери питания (PLP) путём упреждающей проверки функциональности и состояния полимерных танталовых конденсаторов: если они выходят из строя, накопитель переключается в режим Direct TLC, минуя DRAM-кеширование на операциях записи.
Новинки доступны в различных вариантах исполнения. В частности, изделия N651Si/N651Sc в формате M.2 2280 имеют вместимость от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6050 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении — до 1 091 000, при произвольной записи — до 1 245 000. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 76 400 Тбайт.
Кроме того, SSD серии N651Si предлагаются в форматах U.2 и E1.S. В обоих случаях ёмкость составляет от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Величина TBW — до 76 000 и 79 000 соответственно. Накопители U.2 обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 6000 Мбайт/с, тогда как значение IOPS при произвольных чтении и записи — до 870 000 и 1 230 000. У устройств E1.S скорости чтения и записи достигают 6400 Мбайт/с и 6100 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 1 000 000 и 1 200 000.
У всех новинок значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн ч. Реализована поддержка шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Модели формата M.2 2280 могут комплектоваться опциональным радиатором охлаждения толщиной 8 мм. Производитель предоставляет на SSD трёхлетнюю гарантию (пять лет в случае изделий E1.S). Все устройства оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4.
Источник:
