Компания MiPhi Semiconductors, совместное предприятие между индийской Micromax Informatics и тайваньской Phison Technology, по сообщениям сетевых источников, организовала в Индии производство первых в стране SSD корпоративного класса.

Отмечается, что накопители ориентированы на дата-центры, платформы HPC, облачную инфраструктуру и критически важные корпоративные системы. Начало выпуска таких SSD знаменует собой значительный шаг на пути Индии к технологической самодостаточности.

Какие именно накопители MiPhi Semiconductors изготавливает на индийском предприятии, не уточняется. На сайте компании приводятся технические характеристики семи семейств SSD корпоративного класса: MP-SA50V, MP-SA50P, MP-SA50E и MP-BA50P с интерфейсом SATA-3, а также изделия MP-D100P, MP-X100P и MP-X100E с интерфейсом PCIe 4.0 x4. Все устройства построены на чипах флеш-памяти 3D TLC. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Изделия MP-SA50V, MP-SA50P и MP-SA50E выполнены в SFF-формате, MP-BA50P — М.2 2280. Скорость последовательного чтения информации у всех этих моделей достигает 530 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 500 Мбайт/с. Вместимость в зависимости от варианта исполнения варьируется от 240 Гбайт до 15,36 Тбайт (см. таблицу ниже).

Источник изображения: MiPhi Semiconductors

Решения MP-D100P доступны в вариантах M.2 2280/22110 ёмкостью от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорости чтения и записи — до 6000 и 1800 Мбайт/с. Наконец, накопители MP-X100P и MP-X100E стандарта U.2/U.3 обладают вместимостью соответственно до 30,72 Тбайт и 25,6 Тбайт. У них скорость чтения составляет до 7000 Мбайт/с, скорость записи — до 6800 Мбайт/с.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серий N651Si/N651Sc с увеличенной надёжностью. Устройства, выполненные на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND, предназначены для использования в индустриальной сфере.

Новинки, как утверждается, выдерживают до 11 тыс. циклов записи/стирания. Это на 120 % превышает соответствующий показатель для оригинальных накопителей N651Si/N651Sc, которые были доступны ранее: они рассчитаны на 5 тыс. циклов перезаписи. Изделия проходят комплексное тестирование на выносливость и стабильность работы, эффективность исправления ошибок и пр.

В SSD реализована фирменная технология AcuCurrent, обеспечивающая целостность сигнала при всех операциях. Эта система минимизирует ошибки и излишние повторные попытки чтения, что повышает срок службы и надёжность. Кроме того, обеспечивается стабильная производительность в широком диапазоне рабочих температур, который простирается от -40 до +85 °C.

Источник изображений: ATP

Вместе с тем средства PLP Diag предотвращают отказ механизма защиты от потери питания (PLP) путём упреждающей проверки функциональности и состояния полимерных танталовых конденсаторов: если они выходят из строя, накопитель переключается в режим Direct TLC, минуя DRAM-кеширование на операциях записи.

Новинки доступны в различных вариантах исполнения. В частности, изделия N651Si/N651Sc в формате M.2 2280 имеют вместимость от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6050 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении — до 1 091 000, при произвольной записи — до 1 245 000. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 76 400 Тбайт.

Кроме того, SSD серии N651Si предлагаются в форматах U.2 и E1.S. В обоих случаях ёмкость составляет от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Величина TBW — до 76 000 и 79 000 соответственно. Накопители U.2 обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 6000 Мбайт/с, тогда как значение IOPS при произвольных чтении и записи — до 870 000 и 1 230 000. У устройств E1.S скорости чтения и записи достигают 6400 Мбайт/с и 6100 Мбайт/с, показатель IOPS при произвольных чтении и записи — до 1 000 000 и 1 200 000.

У всех новинок значение MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн ч. Реализована поддержка шифрования AES-256 и TCG Opal 2.0. Модели формата M.2 2280 могут комплектоваться опциональным радиатором охлаждения толщиной 8 мм. Производитель предоставляет на SSD трёхлетнюю гарантию (пять лет в случае изделий E1.S). Все устройства оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4.

Компания Solid State Storage Technology Corporation (SSSTC) анонсировала SSD семейства CVD, оснащённые интерфейсом SATA-3. Накопители оптимизированы для приложений с интенсивной и продолжительной записью информации. Это могут быть системы видеонаблюдения и видеопроизводства, потоковой передачи данных, автомобильные регистраторы и т.п.

Устройства представлены в форм-факторах M.2 2280 и SFF. В обоих случаях вместимость может составлять 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Применены чипы флеш-памяти 3D TLC NAND — изделия Kioxia BiCS FLASH пятого поколения. Скорость последовательного чтения информации достигает 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 260 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольных чтении и записи блоками по 4 Кбайт — до 50 тыс. и 75 тыс. соответственно.

Накопители способны выдерживать свыше одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении трёх лет. Средняя заявленная наработка на отказ (MTBF) превышает 3 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +85 °C.

Источник изображения: SSSTC

В устройствах реализована фирменная технология SSSTC Direct Write, специально разработанная для рабочих нагрузок с интенсивной записью. Система обеспечивает запись данных непосредственно в TLC, устраняя зависимость от кеша SLC. В результате, обеспечиваются стабильная производительность (предотвращается падение скорости) и низкие задержки. По заявлениям разработчика, даже при непрерывной записи видео в высоком разрешении в режиме 24/7 накопители демонстрируют устойчивую производительность.

В новинках реализована поддержка шифрования AES-256 и TCG Opal. Средства Power Loss Protection (PLP) обеспечивают сохранность данных при внезапном отключении питания. Массовое производство накопителей серии CVD уже началось.

Компания Transcend Information анонсировала индустриальные SSD семейства SSD475P с широким диапазоном рабочих температур, который простирается от -40 до +85 °C. Устройства подходят для задач промышленной автоматизации, встраиваемых систем, платформ видеонаблюдения, периферийных вычислений, а также оборудования, применяемого в аэрокосмической и оборонной промышленности.

Накопители выполнены в SFF-формате; для обмена данными применяется интерфейс SATA-3. В основу положены 112-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND. DRAM-кеш помогает поднять производительность, а также улучшает износостойкость. Скорость последовательного чтения информации достигает 560 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 530 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных блоками 4 Кбайт составляет до 96 000, при произвольной записи — до 92 000.

Источник изображения: Transcend

В семейство вошли модели вместимостью 2, 4 и 8 Тбайт. Устройства способны выдерживать до 2,26 перезаписи в сутки (DWPD) на протяжении трёх лет. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 19 830 Тбайт. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) — 3 млн часов. Энергопотребление в рабочем режиме составляет 3,1 Вт, в режиме простоя — 1,6 Вт. Накопители имеют размеры 100,45 × 69,85 × 7 мм и весят 71 г.

Отмечается, что каждый экземпляр SSD475P проходит тестирование в термокамере при рабочих температурах от -40 до +85 °C. Реализована технология Power Loss Protection (PLP), которая обеспечивает сохранность данных при внезапном отключении питания. Опционально доступны аппаратное шифрование по алгоритму AES и режим сохранения энергии DevSleep (Device Sleep). На накопители предоставляется трёхлетняя гарантия.

Компания Kioxia анонсировала SSD семейства CD9P, предназначенные для использования в дата-центрах. Накопители будут предлагаться в двух вариантах исполнения — U.2 толщиной 15 мм и EDSFF E3.S. В первом случае вместимость достигает 61,44 Тбайт, во втором — 30,72 Тбайт.

В основу новинок положены чипы флеш-памяти 3D BiCS FLASH TLC 8-го поколения. Применена технология CBA (CMOS direct Bonded to Array), которая, как утверждает Kioxia, значительно повышает энергоэффективность, производительность и плотность хранения данных по сравнению с решениями предыдущего поколения, одновременно удваивая максимально возможную ёмкость SSD.

Для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 (NVMe 2.0, NVMe-MI 1.2c). Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 7 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении (4 КиБ / QD512) составляет до 2,6 млн, при произвольной записи (4 КиБ / QD32) — до 750 тыс. Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) в варианте для интенсивного чтении и до трёх перезаписей в исполнении для смешанных нагрузок (3 DWPD).

Источник изображения: Kioxia

SSD, как отмечается, поддерживают стандарт CNSA 2.0 (Commercial National Security Algorithm Suite) — это набор криптографических алгоритмов, обнародованный Агентством национальной безопасности США (NSA) в качестве замены алгоритмам криптографии NSA Suite B. Таким образом, накопители поддерживают постквантовую криптографию, устойчивую к атакам будущих квантовых компьютеров.

Kioxia представила стратегию развития SSD в среднесрочной и долгосрочной перспективе с акцентом на инновации, направленные на повышение производительности и ёмкости хранилища. Одним из ключевых проектов Kioxia назвала создание SSD с использованием SLC-памяти XL-FLASH в сочетании с переработанным контроллером. Ожидается, что эта комбинация обеспечит более 10 млн IOPS, особенно для небольших транзакций данных. Образцы продвинутых SSD увидят свет ко II половине 2026 года.

Kioxia сообщила, что тесно сотрудничает с основными производителями GPU для точной настройки SSD с целью повышения производительности в приложениях с интенсивным использованием ИИ и графики. Выпускаемые сейчас компанией SSD построены на чипах 3D NAND BiCS FLASH TLC 8-го поколения с использованием технологии CBA (CMOS directly Bonded to Array), обеспечивающей повышение энергоэффективности, производительности, плотности и стабильности по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Источник изображений: Kioxia

Семейство SSD корпоративного класса CM9 нацелено на ИИ-системы, которым требуется как высокая скорость, так и высочайшая надёжность, чтобы максимально использовать дорогостоящее оборудование с ИИ-ускорителями. В свою очередь, семейство накопителей LC9 предлагает большую ёмкость, достигающую 122 Тбайт, для поддержания нагрузок, связанных с крупномасштабными базами данных для систем ИИ-инференса. Также чипы BiCS FLASH TLC 8-го поколения используются в смартфонах. Kioxia отметила, что в настоящее время увеличивает производство линейки продуктов BiCS FLASH 8-го поколения.

Компания сообщила, что использует два подхода при разработке флеш-памяти. Один из них основан на традиционном методе увеличения количества слоев для создания более высокой ёмкости и производительности в таком продукте, как BiCS FLASH 10-го поколения. А при разработке флеш-памяти BiCS FLASH 9-го поколения компания использует преимущества технологии CBA, объединяя проверенные конструкции ячеек с передовой технологией CMOS.

В целом, стратегия Kioxia направлена как на постепенное усовершенствование SSD, так и на инновации в архитектуре для удовлетворения меняющихся потребностей рынка в сфере ИИ и хранлищ. Так, для QLC-памяти компания ставит целью вытеснение Nearline HDD путём уменьшения стоимости SSD.

Компания Kioxia анонсировала семейство SSD корпоративного класса CM9 с интерфейсом PCIe 5.0 (NVMe 2.0, NVMe-MI 1.2c). Изделия доступны в форм-факторах SFF и E3.S в двухпортовом исполнении: в первом случае вместимость достигает 61,44 Тбайт, во втором — 30,72 Тбайт.

Утверждается, что устройства серии CM9 — это первые твердотельные накопители, построенные на чипах 3D-флеш-памяти BiCS FLASH TLC 8-го поколения. Используется технология CBA (CMOS directly Bonded to Array), которая обеспечивает повышение энергоэффективности, производительности, плотности и стабильности по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 11 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении данных составляет до 3 400 000 (4 КиБ / QD512), при произвольной записи — до 800 000 (4 КиБ / QD32). Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) при интенсивном чтении и до трёх перезаписей при смешанном использовании (3 DWPD).

Источник изображения: Kioxia

Kioxia отмечает, что SSD серии CM9 демонстрируют прирост производительности примерно на 65 % при произвольной записи, на 55 % при произвольном чтении и на 95 % при последовательной записи по сравнению с устройствами семейства CM7. Кроме того, достигается увеличение быстродействия на 1 Вт затрачиваемой энергии примерно на 55 % при последовательном чтении и на 75 % при последовательной записи.

Новые накопители рассчитаны на использование в дата-центрах, поддерживающих ресурсоёмкие рабочие нагрузки машинного обучения, ИИ и НРС. Пробные поставки устройств уже начались.

Компания Innodisk анонсировала SSD с интерфейсом PCIe 5.0 х4 для дата-центров и систем корпоративного класса. Устройства, разработанные в соответствии со спецификацией OCP Data Center NVMe SSD v2.0, подходят для задач с интенсивной обработкой данных, таких как обучение ИИ-моделей и аналитика.

В семейство вошли накопители в различных форм-факторах: U.2 5TS-P, E1.S 5TS-P, E3.S 5TS-P и E3.L 5QS-P. Все устройства оснащены технологией PLP (iCell), которая гарантирует защиту критически важных данных и отсутствие потерь информации при сбоях питания. Реализована поддержка AES и TCG Opal 2.0.

Изделия U.2 5TS-P, E1.S 5TS-P и E3.S 5TS-P выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D eTLC. Вместимость варьируется от 1,92 до 7,68 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 10 Гбайт/с. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) составляет до 14 тыс. Тбайт. Максимальное энергопотребление — 25 Вт.

В свою очередь, SSD серии E3.L 5QS-P выполнены на флеш-чипах QLC. Скоростные показатели не раскрываются, а энергопотребление не превышает 40 Вт. Эти изделия обладают ёмкостью до 128 Тбайт. Все накопители могут эксплуатироваться при температурах от 0 до +70 °C. Показатель MTBF (средняя наработка на отказ) заявлен на уровне 2 млн часов. Производитель предоставляет на устройства пятилетнюю гарантию.

Источник изображения: Innodisk

Новинки поддерживают функцию Secure Boot, которая проверяет подлинность цифровых подписей при обновлении прошивки, предотвращая несанкционированные изменения и обеспечивая использование только проверенного встроенного ПО. Говорится о бесшовной интеграции с платформами VMware. Продажи накопителей начнутся в текущем квартале.

Компания Kingston анонсировала SSD семейства DC3000ME, ориентированные на корпоративный сектор. Накопители могут применяться в составе облачных платформ и систем, предназначенных для задачи ИИ, НРС, периферийных приложений и пр.

Устройства выполнены в форм-факторе SFF U.2 с толщиной 15 мм. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe). В основу положены чипы флеш-памяти 3D eTLC NAND. Реализована поддержка TCG Opal 2.0 и AES-256.

В серию DC3000ME вошли модели вместимостью 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации у всех достигает 14 000 Мбайт/с, а скорость последовательной записи — 5800, 10 000 и 9700 Мбайт/с соответственно. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольных чтении/записи блоками по 4 Кбайт у перечисленных устройств составляет до 2,7 млн / 300 тыс., 2,8 млн / 500 тыс. и 2,7 млн / 400 тыс.

Источник изображения: Kingston

Все накопители способны выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет. Гарантированный объём записанной информации (величина TBW) достигает 7008 Тбайт у версии на 3,84 Тбайт, 14 016 Тбайт у модификации вместимостью 7,68 Тбайт и 28 032 Тбайт у варианта на 15,36 Тбайт. Значение MTBF (средняя наработка на отказ) заявлено на уровне 2 млн часов.

SSD семейства DC3000ME имеют габариты 100,5 × 69,8 × 14,8 мм. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Максимальное энергопотребление при записи составляет 24 Вт, при чтении — 8,2 Вт, при простое — 8 Вт. Упомянуты средства Power Loss Protection (PLP), которые отвечают за сохранность данных при внезапном отключении питания.

Компания Advantech анонсировала SSD семейства SQFlash EU-2 PCIe/NVMe для дата-центров и платформ корпоративного уровня. Изделия выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными используется интерфейс PCIe 5.0 х4.

Дебютировали решения SQF-CU2 EU-2 в форм-факторе SFF U.2 (SFF-8639), SQF-CE3 EU-2 стандарта E3.S (EDSFF 1C), а также SQF-CE1 EU-2 типоразмера E1.S (EDSFF 1C). Во всех случаях реализована поддержка NVMe 2.0, AES-256 и TCG-OPAL. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (1 DWPD).

Серия SQF-CU2 EU-2 включает модификации вместимостью от 1,9 до 30,7 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает o 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 8500 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольном чтении — до 3 млн, при произвольной записи — до 400 тыс. Размеры устройств составляют 100,2 × 69,85 × 15,0 мм.

Источник изображений: Advantech

Изделия SQF-CE3 EU-2, в свою очередь, обладают ёмкостью от 1,9 до 15,3 Тбайт. Скорости последовательного чтения и записи — до 14 000 и 8500 Мбайт/с, величина IOPS при произвольных чтении и записи — до 3 млн и 480 тыс. Габариты — 112,75 × 76,0 × 7,5 мм.

В серию SQF-CE1 EU-2 вошли SSD вместимостью от 1,9 до 7,6 Тбайт. Заявленные скорости последовательного чтения и записи достигают 14 000 и 8300 Мбайт/с, величина IOPS — 3 млн и 220 тыс. при произвольных чтении и записи соответственно. Размеры устройств — 118,75 × 33,75 × 9,0/15,0 мм.

Кроме того, компания Advantech представила SSD семейства SQF-CE1 930L-D в формате E1.S с интерфейсом PCIe 4.0 х4. Они имеют вместимость от 480 Гбайт до 3,8 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации составляет дo 6800 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2000 Мбайт/с.