Компания Micron начала массовые поставки твердотельных накопителей 5210 Ion корпоративного класса, построенных на микросхемах памяти типа QLC 3D NAND. В мае этого года производитель начал поставки этих накопителей ограниченному кругу клиентов, а теперь же они доступны всем желающим.

Для начала напомним, что твердотельная память типа QLC предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Это обеспечивает на 33 % более высокую плотность хранения информации по сравнению с флеш-памятью типа TLC 3D NAND, которая способна вместить три бита в одну ячейку. В накопителях 5210 Ion используется 64-слойная память QLC 3D NAND собственного производства Micron.

Производитель позиционирует новинки в качестве полноценной замены традиционным жёстким дискам. Твердотельные накопители обладают гораздо более высокой скоростью работы, а также занимают меньше места по сравнению с жёсткими дисками и потребляют втрое меньше энергии, что в масштабах крупных серверов может быть существенным плюсом. Отмечается, что накопители Micron 5210 Ion способны проявить себя с лучшей стороны в таких задачах, как анализ данных в реальном времени, а также в IT-проектах, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением, обработкой больших объёмов данных (Big Data), работой с базами данных и многими другими областями.

Накопители Micron 5210 Ion доступны в версиях объёмом 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Во всех случаях накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и имеют толщину 7 мм. Для подключения используется интерфейс SATA III (6 Гбит/с). Для новинок заявлена скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с, записи — от 260 до 360 Мбайт/с в зависимости от объёма. Производительность случайного чтения достигает 70–90 тыс IOPS, а записи — всего 4,5-13 тыс IOPS.

Производитель не уточняет стоимость твердотельных накопителей Micron 5210 Ion. Дистрибьютеры же на данный момент принимают предварительные заказы на новинки по цене около 21–24 цента за 1 Гбайт (получается около $1650 за модель объёмом 7,68 Тбайт). Для сравнения, розничная цена накопителей Micron 5200 ECO на базе TCL-памяти составляет 25–28 центов за гигабайт. Оптовые же цены на новые Micron 5210 Ion будут ощутимо ниже, да и розничные цены после начала продаж могут оказаться ниже 20 центов за гигабайт.

Компания GIGABYTE анонсировала изделия CMT4032 и CMT4034 — карты расширения PCIe, предназначенные для установки твердотельных (SSD) модулей формата М.2.

Модель CMT4032 выполнена в виде карты PCIe Gen3 x8. Она снабжена двумя коннекторами для SSD-накопителей.

Версия CMT4034, в свою очередь, соответствует стандарту PCIe Gen3 x16. Предусмотрено четыре посадочных места для модулей формата М.2.

В обоих случаях могут применяться быстрые накопители NVMe. Говорится о совместимости с решениями М.2 2280 и М.2 22110 — с габаритами соответственно 22 × 80 и 22 × 110 мм.

Карты расширения имеют размеры 150 × 68,9 мм. Комплект поставки включает монтажные планки стандартной и уменьшенной высоты, что позволяет использовать устройства в том числе в низкопрофильных корпусах.

Новинки рассчитаны на применение прежде всего в серверах и высокопроизводительных рабочих станциях. Цена карт CMT4032 и CMT4034, к сожалению, пока не раскрывается. 

Компания Memblaze Technology анонсировала новые твердотельные (SSD) устройства хранения данных серии PBlaze5, рассчитанные на использование в корпоративном сегменте.

Речь идёт о решениях PBlaze5 910/916. В зависимости от модификации они будут предлагаться в 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсным разъёмом U.2 и в виде карт расширения PCIe 3.0 х8.

Накопители поддерживают протокол NVMe 1.2. В их основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND корпоративного класса.

Серия PBlaze5 910 включает версии вместимостью 3,84 Тбайт, 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации варьируется от 3,5 до 6 Гбайт/с, скорость последовательной записи — от 3,5 до 3,8 Гбайт/с. Показатель IOPS на операциях чтения — до 1 млн, на операциях записи — до 140 тыс.

Семейство PBlaze5 916 представлено модификациями ёмкостью 3,2 Тбайт и 6,4 Тбайт. Максимальная скорость чтения составляет от 3,5 до 6 Гбайт/с, скорость записи — от 3,5 до 3,8 Гбайт/с. Величина IOPS при чтении достигает 1 млн, при записи — 300 тыс.

Накопители PBlaze5 910 обеспечивают один цикл записи всей ёмкости в день (drive writes per day, DWPD) на протяжении пяти лет, а устройства PBlaze5 916 — три цикла на протяжении того же срока. 

Компания Silicon Power анонсировала семейство быстрых твердотельных (SSD) накопителей AIC3C0P, которые рассчитаны на использование в коммерческом секторе.

Изделия выполнены в виде карт расширения с интерфейсом PCIe Gen 3 x4. Применены микрочипы флеш-памяти NAND MLC (Multi-Level Cell).

В серию AIC3C0P вошли накопители вместимостью 800, 1600 и 3200 Гбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1850 Мбайт/с.

Устройства способны выполнять до 750 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS) в режиме произвольного чтения данных блоками по 4 Кбайт и до 380 000 операций при произвольной записи.

Заявлена поддержка команд TRIM и средств мониторинга S.M.A.R.T. Кроме того, говорится о возможности осуществления шифрования данных по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Средняя заявленная наработка на отказ достигает 1 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до 55 градусов Цельсия. На накопители предоставляется трёхлетняя гарантия. О цене, к сожалению, ничего не сообщается. 

У накопителей, основанных на новой технологии памяти Intel Optane, много преимуществ, среди которых, однако, нельзя назвать два — высокую ёмкость и низкую стоимость. Впрочем, в ряде случаев цена не играет особого значения; даже напротив, использование новой технологии позволяет снизить стоимость систем, до этого применявших сценарий «всё в памяти», незначительно или совсем не потеряв в производительности.

Что касается объёма, то Intel в новом Product Change Notification подтвердила выпуск новой модели накопителя P4800Х объёмом 1,5 Тбайт — а это уже гораздо более удобный объём для кеширующих систем на базе Optane, которые Intel продвигает в рамках платформы Purley. В документе отражены также изменения в маркировке накопителей серии P4800, но главное — это именно наличие в списке моделей объёмом 1,5 Тбайт.

Как мы уже рассказывали читателям, предварительные тесты системы кеширования на базе Optane проводились с накопителями ёмкостью 320 Гбайт. Несложно представить, насколько большими объёмами данных можно оперировать, если заменить их на самые быстрые версии ёмкостью 1,5 Тбайт. Выпускаться новая модель будет как в форм-факторе 2,5″ NVMe, так и в виде менее экзотической платы расширения PCIe x4 половинной высоты. Версия ёмкостью 375 Гбайт будет также представлена в формате M.2 22110 — по всей видимости, для компактных рабочих станций и серверов.

Компания Supermicro, один из крупнейших производителей и поставщиков серверных комплектующих и готовых решений, представила новую серию флеш-хранилищ, использующих только интерфейс NVMe и базирующихся на многослойной NAND-памяти Intel. Если быть более точным, в них устанавливаются накопители серий SSD DC P4500 и P4600. Новые системы отличаются низким уровнем задержек и стабильно высокой производительностью под нагрузкой. Они также защищены от потери данных при пропадании сетевого питания.

Всего в серию входит восемь моделей в различных форм-факторах, как в классических 19-дюймовых корпусах, так и в виде лезвийных решений. Практически все они предусматривают установку двух процессоров Intel Xeon Scalable в исполнении LGA 3647, но имеется и четырёхпроцессорная лезвийная модель, позволяющая разместить до 200 процессоров в стойке высотой 42U. Более подробно характеристики новейших решений можно узнать на веб-сайте компании-производителя.

Четырёхпроцессорная плата с поддержкой Xeon Scalable

Комплектуются новинки различными SSD Intel серий P4500 и P4600. Эти флеш-накопители корпоративного класса построены с применением многослойной TLC-памяти. Младшая версия доступна в объёмах 1, 2 и 4 Тбайт с ресурсом 1 полная перезапись в день, старшая имеет более широкий ассортимент ёмкостей — от 1,6 до 4 Тбайт. У P4600 выше ресурс, который составляет 3 полные перезаписи в день. Используется вариант 2,5″ высотой 15 мм. Производительность одного накопителя на случайных операциях при чтении и записи составляет 695/226 тысяч IOPS для DC P4600 и 515/41 тысяча IOPS для DC P4500. Латентность доступа не превышает 80 микросекунд.

Системы хранения данных, базирующиеся на твердотельных технологиях, становятся всё популярнее — особенно такие, где доступ к данным требуется немедленно, в больших объёмах и случайными выборками. Последнее обычно способно поставить на колени любую СХД на базе механических жёстких дисков, у которых в силу самой технологии скорость на случайных операциях невысока. Компания AccelStor представила в этой сфере новое решение — полностью программно-управляемый флеш-массив высокой доступности (high availability) NeoSapphire H710.

Базовый блок высотой 2U

Новинка построена по модульному принципу. Ёмкость массива может составлять от 27 Тбайт в младшей версии до 221 Тбайт в старшей. Более того, H710 легко интегрируется в уже существующие серверные комплексы и системы хранения данных предприятия, повышая их производительность и надёжность. Система снабжена развитыми средствами защиты данных от повреждения, но что более важно, она обеспечивает отличную производительность на случайных операциях — более 600 тысяч IOPS при синхронной записи блоками по 4 Кбайт. Производительность при чтении, скорее всего, ещё выше.

FlexiRemap равномерно распределяет данные по всем элементам массива

Технически хранилище NeoSapphire H710 представляет собой 19-дюймовый стоечный корпус высотой 4U. С помощью технологии FlexiRemap все устройства хранения данных, установленные в корпус, воспринимаются системой, как единое пространство, которое можно использовать для создания томов, разделов и так далее. Поскольку массив поддерживает «горячую замену», для расширения ёмкости его не обязательно выключать — можно просто добавить новые модули. Если одного корпуса не хватает, компания предлагает дополнительные дисковые полки — NeoSapphire J212 высотой 2U с 24 дисковыми отсеками и NeoSapphire J214 высотой 4U с 72 дисковыми отсеками. Данная система демонстрируется на мероприятии VMworld 2017, которое проходит с 27 до 31 августа в Лас-Вегасе, США.

Компания ADATA Technology объявила о выпуске флеш-карт памяти ICFS314 повышенной надёжности, которые рассчитаны на использование в промышленном и корпоративном секторах.

Изделия соответствуют стандарту CFast 2.0. Применены микрочипы флеш-памяти 3D MLC NAND (два бита информации в одной ячейке). Габариты решений составляют 36,4 × 42,8 × 3,3 мм.

Карты памяти ADATA ICFS314 представлены в вариантах вместимостью 32, 64, 128, 256 и 512 Гбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость записи — 520 Мбайт/с.

Изделия для коммерческого применения рассчитаны на работу при температурах от минус 10 до плюс 80 градусов Цельсия. Решения промышленного класса могут эксплуатироваться при температурах от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

Карты функционируют при напряжении питания 3,3 В; энергопотребление незначительно превышает 2 Вт.

В качестве областей применения ADATA ICFS314 называются системы автоматизации, медицинское оборудование, различные терминалы и пр. О цене, к сожалению, не сообщается. 

Проблемы с объёмом твердотельных накопителей уже решены — представлены решения объёмом 50 и более терабайт, но всё-таки есть сферы, где важна не столько ёмкость, сколько производительность и малая латентность. Над такими решениями работает компания SMART Modular Technologies, продемонстрировавшая недавно прототип контроллера Gen-Z NVRAM. Новинка была выполнена в виде платы расширения PCIe формата HHHL (половинная высота, половинная длина), главной целью демонстрации был показ в действии нового стандарта соединений Gen-Z.

Эволюция подсистем памяти

Шина Gen-Z является масштабируемой, главное её достоинство — высокая пропускная способность и крайне низкие задержки. В демонстрируемом прототипе эти показатели составили 64 Гбайт/с и менее 100 наносекунд при работе с гибридным массивом из флеш-памяти и DRAM (768 и 16 Гбайт, соответственно). Согласно имеющимся данным, пропускная способность Gen-Z может достигать несколько сотен гигабайт в секунду. Это очень пригодится для ряда задач — как реального времени, так и приложений, полностью работающих в памяти и не обращающихся к внешним медленным средствам хранения данных.

Gen-Z является универсальной шиной

Сердце платы, контроллер под кодовым названием Cobra PM, разработан SMART в сотрудничестве c IntelliProp. В текущей версии он поддерживает работу с флеш-массивами объёмом до 6 Тбайт и массивами DRAM объёмом до 32 Гбайт. Поддерживается стандарт NVMe 1.3, поэтому ничто не мешает SMART Modular выпускать решения класса Gen-Z не только в виде плат расширения PCIe, но использовать также популярный форм-фактор SFF-8639, он же U.2. Надо сказать, что в разработке стандарта Gen-Z компания не одинока: в консорциум разработчиков входят такие известные имена, как AMD, ARM, Broadcom, Cray, Dell EMC, Hewlett Packard Enterprise, Huawei, IDT, Micron, Samsung, SK hynix и Xilinx.

Компания Liqid Element представила семейство твердотельных (SSD) накопителей Element PCIe AIC (Add-In-Card), рассчитанных на использование в центрах обработки данных и оборудовании корпоративного класса.

Высокопроизводительные устройства хранения информации выполнены в виде карт расширения PCIe Gen 3.0 x8. Накопители соответствуют спецификации NVM Express (NVMe). Заказчики смогут выбирать между модификациями на основе флеш-чипов, изготовленных по технологии MLC (два бита на ячейку) или TLC (три бита информации в одной ячейке).

Вместимость, согласно техническим характеристикам, начинается с отметки в 800 Гбайт. Решения топового уровня смогут хранить до 8 Тбайт информации.

Заявленная скорость чтения данных достигает 7 Гбайт/с, скорость записи — 6,3 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении информации блоками по 4 Кбайт составляет до 1 2500 000, при записи — до 900 000.

Среди прочего стоит выделить возможность шифрования хранящихся данных по алгоритму AES. О цене накопителей, к сожалению, ничего не сообщается.