Компания Xilinx будет использовать флеш-память Micron Xccela в составе Versal — адаптивной платформы для ускорения вычислений (Adaptive Compute Acceleration Platform, ACAP).

Отмечается, что память Micron Xccela Flash использует интерфейс xSPI (Expanded Serial Peripheral Interface), что обеспечивает восьмикратное увеличение быстродействия на операциях загрузки и конфигурирования по сравнению с нынешними SPI-решениями NOR Flash. Кроме того, память Micron Xccela Flash потребляет на 30% меньше энергии в сравнении с ними.

Флеш-память Xccela изготавливается с применением 45-нанометровой технологии. Заявленный диапазон рабочих температур весьма широк — он простирается от минус 40 до плюс 125 градусов Цельсия.

Изделия доступны в модификациях вместимостью от 256 Мбит до 2 Гбит. 

Аналитик Wells Fargo Аарон Рэйкерс (Aaron Rakers) сообщает о том, что компания Pure Storage, поставщик систем хранения данных на основе флеш-памяти, готовит новые решения класса Nearline.

Господин Рэйкерс побеседовал с главным архитектором Pure Storage Робом Ли (Rob Lee) и руководителем направления отношений с инвесторами Мэттом Дэнзигером (Matt Danziger).

Отмечается, что новые флеш-решения Pure Storage будут использовать память QLC NAND: эта технология предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке.

Готовящиеся устройства должны будут составить конкуренцию хранилищам на основе жёстких дисков корпоративного класса со скоростью вращения шпинделя 7200 оборотов в минуту.

Применение флеш-памяти QLC позволит снизить стоимость конечных продуктов по сравнению с решениями на базе TLC (три бита данных в ячейке). Анонс новых систем Pure Storage ожидается в середине сентября.

Ранее Аарон Рэйкерс высказал мнение, что компании будут предпочитать твердотельные накопители жёстким дискам, когда цена первых снизится в пять раз или когда они будут попросту дешевле HDD. 

Компания Micron Technology анонсировала модули флеш-памяти UFS 2.1, рассчитанные на использование в автомобильных системах.

UFS, или Universal Flash Storage, — это спецификация флеш-накопителей для различных электронных устройств. По сравнению с памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии.

Представленные чипы могут применяться в составе бортовых информационно-развлекательных систем, цифровых приборных панелей и других автомобильных комплексов.

В основе изделий лежат 64-слойные чипы памяти 3D TLC NAND (технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке). Заявленная скорость чтения информации достигает 940 Мбайт/с, скорость записи — 650 Мбайт/с.

Решения могут похвастаться широким диапазоном рабочих температур — от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Вместимость варьируется от 32 Гбайт до 256 Гбайт. Пробные поставки изделий уже начались, массовое производство намечено на следующий квартал. 

Компания Western Digital анонсировала чипы памяти iNAND AT EM132 стандарта eMMC 5.1, рассчитанные на применение в автомобильной отрасли.

64-слойные изделия 3D NAND выполнены по технологии TLC, или Triple Level Cell, которая предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

В семейство вошли модели вместимостью 32 Гбайт, 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт. Габариты старшей версии составляют 11,5 × 13 × 1,2 мм, трёх других — 11,5 × 13 × 1,0 мм.

Новинки могут похвастаться широким диапазоном рабочих температур. При этом предусмотрены две серии — от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия и от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Чипы памяти Western Digital iNAND AT EM132 рассчитаны на использование в составе автомобильных информационно-развлекательных комплексов, навигационных систем, цифровых приборных панелей, платформ оказания помощи водителю, цифровых рекордеров и пр.

Пробные поставки изделий уже начались. Информации об ориентировочной цене пока нет. 

Компания Toshiba Memory объявила о начале пробных поставок встраиваемых модулей памяти UFS 2.1 (Universal Flash Storage), рассчитанных на использование в автомобильных системах.

Новые изделия объединяют флеш-чипы BiCS Flash 3D и контроллер в едином корпусе. Применяется упаковка 153Ball FBGA.

В семействе представлены четыре модификации — вместимостью 32 Гбайт, 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт. Габариты решений составляют 11,5 × 13,0 × 1,0–1,3 мм.

Флеш-модули Toshiba UFS 2.1 обладают повышенной надёжностью, что важно с учётом сферы их применения. Диапазон рабочих температур простирается от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия.

Изделия рассчитаны на использование в составе автомобильных информационно-развлекательных комплексов, передовых систем помощи водителю (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS), приборных панелей следующего поколения и пр.

В настоящее время доступны образцы модулей Toshiba UFS 2.1 ёмкостью 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт. Поставки 32-Гбайт изделий начнутся в следующем квартале. 

Компания Micron начала массовые поставки твердотельных накопителей 5210 Ion корпоративного класса, построенных на микросхемах памяти типа QLC 3D NAND. В мае этого года производитель начал поставки этих накопителей ограниченному кругу клиентов, а теперь же они доступны всем желающим.

Для начала напомним, что твердотельная память типа QLC предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Это обеспечивает на 33 % более высокую плотность хранения информации по сравнению с флеш-памятью типа TLC 3D NAND, которая способна вместить три бита в одну ячейку. В накопителях 5210 Ion используется 64-слойная память QLC 3D NAND собственного производства Micron.

Производитель позиционирует новинки в качестве полноценной замены традиционным жёстким дискам. Твердотельные накопители обладают гораздо более высокой скоростью работы, а также занимают меньше места по сравнению с жёсткими дисками и потребляют втрое меньше энергии, что в масштабах крупных серверов может быть существенным плюсом. Отмечается, что накопители Micron 5210 Ion способны проявить себя с лучшей стороны в таких задачах, как анализ данных в реальном времени, а также в IT-проектах, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением, обработкой больших объёмов данных (Big Data), работой с базами данных и многими другими областями.

Накопители Micron 5210 Ion доступны в версиях объёмом 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Во всех случаях накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и имеют толщину 7 мм. Для подключения используется интерфейс SATA III (6 Гбит/с). Для новинок заявлена скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с, записи — от 260 до 360 Мбайт/с в зависимости от объёма. Производительность случайного чтения достигает 70–90 тыс IOPS, а записи — всего 4,5-13 тыс IOPS.

Производитель не уточняет стоимость твердотельных накопителей Micron 5210 Ion. Дистрибьютеры же на данный момент принимают предварительные заказы на новинки по цене около 21–24 цента за 1 Гбайт (получается около $1650 за модель объёмом 7,68 Тбайт). Для сравнения, розничная цена накопителей Micron 5200 ECO на базе TCL-памяти составляет 25–28 центов за гигабайт. Оптовые же цены на новые Micron 5210 Ion будут ощутимо ниже, да и розничные цены после начала продаж могут оказаться ниже 20 центов за гигабайт.

Компания GIGABYTE анонсировала изделия CMT4032 и CMT4034 — карты расширения PCIe, предназначенные для установки твердотельных (SSD) модулей формата М.2.

Модель CMT4032 выполнена в виде карты PCIe Gen3 x8. Она снабжена двумя коннекторами для SSD-накопителей.

Версия CMT4034, в свою очередь, соответствует стандарту PCIe Gen3 x16. Предусмотрено четыре посадочных места для модулей формата М.2.

В обоих случаях могут применяться быстрые накопители NVMe. Говорится о совместимости с решениями М.2 2280 и М.2 22110 — с габаритами соответственно 22 × 80 и 22 × 110 мм.

Карты расширения имеют размеры 150 × 68,9 мм. Комплект поставки включает монтажные планки стандартной и уменьшенной высоты, что позволяет использовать устройства в том числе в низкопрофильных корпусах.

Новинки рассчитаны на применение прежде всего в серверах и высокопроизводительных рабочих станциях. Цена карт CMT4032 и CMT4034, к сожалению, пока не раскрывается. 

Компания Memblaze Technology анонсировала новые твердотельные (SSD) устройства хранения данных серии PBlaze5, рассчитанные на использование в корпоративном сегменте.

Речь идёт о решениях PBlaze5 910/916. В зависимости от модификации они будут предлагаться в 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсным разъёмом U.2 и в виде карт расширения PCIe 3.0 х8.

Накопители поддерживают протокол NVMe 1.2. В их основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND корпоративного класса.

Серия PBlaze5 910 включает версии вместимостью 3,84 Тбайт, 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации варьируется от 3,5 до 6 Гбайт/с, скорость последовательной записи — от 3,5 до 3,8 Гбайт/с. Показатель IOPS на операциях чтения — до 1 млн, на операциях записи — до 140 тыс.

Семейство PBlaze5 916 представлено модификациями ёмкостью 3,2 Тбайт и 6,4 Тбайт. Максимальная скорость чтения составляет от 3,5 до 6 Гбайт/с, скорость записи — от 3,5 до 3,8 Гбайт/с. Величина IOPS при чтении достигает 1 млн, при записи — 300 тыс.

Накопители PBlaze5 910 обеспечивают один цикл записи всей ёмкости в день (drive writes per day, DWPD) на протяжении пяти лет, а устройства PBlaze5 916 — три цикла на протяжении того же срока. 

Компания Silicon Power анонсировала семейство быстрых твердотельных (SSD) накопителей AIC3C0P, которые рассчитаны на использование в коммерческом секторе.

Изделия выполнены в виде карт расширения с интерфейсом PCIe Gen 3 x4. Применены микрочипы флеш-памяти NAND MLC (Multi-Level Cell).

В серию AIC3C0P вошли накопители вместимостью 800, 1600 и 3200 Гбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1850 Мбайт/с.

Устройства способны выполнять до 750 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS) в режиме произвольного чтения данных блоками по 4 Кбайт и до 380 000 операций при произвольной записи.

Заявлена поддержка команд TRIM и средств мониторинга S.M.A.R.T. Кроме того, говорится о возможности осуществления шифрования данных по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Средняя заявленная наработка на отказ достигает 1 млн часов. Диапазон рабочих температур — от 0 до 55 градусов Цельсия. На накопители предоставляется трёхлетняя гарантия. О цене, к сожалению, ничего не сообщается. 

У накопителей, основанных на новой технологии памяти Intel Optane, много преимуществ, среди которых, однако, нельзя назвать два — высокую ёмкость и низкую стоимость. Впрочем, в ряде случаев цена не играет особого значения; даже напротив, использование новой технологии позволяет снизить стоимость систем, до этого применявших сценарий «всё в памяти», незначительно или совсем не потеряв в производительности.

Что касается объёма, то Intel в новом Product Change Notification подтвердила выпуск новой модели накопителя P4800Х объёмом 1,5 Тбайт — а это уже гораздо более удобный объём для кеширующих систем на базе Optane, которые Intel продвигает в рамках платформы Purley. В документе отражены также изменения в маркировке накопителей серии P4800, но главное — это именно наличие в списке моделей объёмом 1,5 Тбайт.

Как мы уже рассказывали читателям, предварительные тесты системы кеширования на базе Optane проводились с накопителями ёмкостью 320 Гбайт. Несложно представить, насколько большими объёмами данных можно оперировать, если заменить их на самые быстрые версии ёмкостью 1,5 Тбайт. Выпускаться новая модель будет как в форм-факторе 2,5″ NVMe, так и в виде менее экзотической платы расширения PCIe x4 половинной высоты. Версия ёмкостью 375 Гбайт будет также представлена в формате M.2 22110 — по всей видимости, для компактных рабочих станций и серверов.