Материалы по тегу: флеш-память
12.08.2022 [22:48], Алексей Степин
Macronix представила «вычислительную» флеш-память FortiXСокращение дистанции между вычислительными ресурсами и ресурсами памяти породило ряд технологий, включая различные варианты «умной» DRAM, однако компания Macronix, поставщик NOR- и NAND-устройств, видит проблему иначе и предлагает перенести ряд вычислений непосредственно в специальную разновидность флеш-памяти. С растущими объёмами данных в ряде современных сценариев, включая машинное обучение, системы не всегда могут «прокормить» вычислительные ядра, так что Macronix предлагает производить первичную обработку данных прямо во флеш-памяти. И такую память под названием FortiX Macronix представила на мероприятии Flash Memory Summit 2022. ![]() Источник: Blocks & Files В данном случае речь не о классическом «вычислительном накопителе», в котором используется достаточно мощный контроллер с процессорными ядрами общего назначения или сразу FPGA. Сама структура NAND-чипов Fortix включает в себя специализированные структуры nvTCAM (non-volatile ternary content-addressable memory). Она может выполнять достаточно узкоспециализированные вычисления, в частности, поиск по ключевым словам, и определение расстояния Хэмминга. Она работает не так быстро, как аналогичные запросы к классической DRAM, но это без учёта накладных расходов на транспортировку данных с флеш-накопителя в память и выполнение соответствующих функций с участием центрального процессора. ![]() Источник: Blocks & Files В случае с FortiX флеш-память выполняет эти задачи сама, чем экономит пропускную способность и электроэнергию. В сравнении с DRAM накопитель на базе памяти FortiX может выигрывать в некоторых аспектах, предлагая плотность упаковки от 64 Гбит на чип против 8–16 у DRAM, а также потребляя около 330 мВт против примерно 1 Вт. Правда, скорость поиска на порядок ниже, зато число запросов на порядок больше, утверждает Macronix. Компания называет областью применения FortiX различные задачи машинного интеллекта — распознавание паттернов и голоса, поиск в крупных (Big Data) массивах данных, поиск совпадения в ДНК. Подробностей о строении вычислительной части FortiX компания не приводит и некоторые зарубежные источники считают, что речь может идти о разных комбинациях NAND и специфических, настроенных под определенную задачу, обработчиках запросов.
11.08.2022 [21:05], Алексей Степин
NEO Semiconductor представила второе поколение уникальной памяти X-NANDТехнология X-NAND, впервые представленная компанией NEO Semiconductor летом прошлого года, вызвала немалый интерес, поскольку она обещает нивелировать основные недостатки, свойственные флеш-памяти с тремя и более битами на ячейку: пониженный ресурс и низкую скорость записи. Благодаря использованию унифицированного буфера, способного одновременно обслуживать 16 столбцов (Y-Plane) и ряда других хитростей, разработчикам удалось добиться превосходства QLC X-NAND даже над классической SLC. По крайней мере, в теории. На практике компания использовала четыре слоя по 16 Y-столбцов, что позволяло писать в трёх плоскостях в SLC-режиме, четвёртая же использовалась для параллельного перевода записываемых данных в TLC-режим. Это позволило добиться постоянной скорости записи 1600 Мбайт/с — в 10 раз выше, нежели у обычного чипа TLC. ![]() Структура кристалла X-NAND. Источник: NEO Semiconductor А совсем недавно было анонсировано новое, второе поколение X-NAND. Для него заявлен двукратный прирост производительности и устроены новые чипы NEO Semiconductor несколько иначе в плане параллелизма: теперь SLC-запись и TLC-уплотнение производятся в каждой паре плоскостей из четырёх имеющихся. Это и позволило поднять скорость записи вдвое, до 3200 Мбайт/с. Разработчики также сообщают о примерно трёхкратном приросте скоростей чтения/записи на случайных операциях и о некотором снижении латентности; при этом размер кристалла X-NAND второго поколения не изменился. ![]() Параллелизация SLC-записи и QLC-уплотнения решает проблему скорости. Источник: NEO Semiconductor Архитектура поддерживает реализацию вариантов флеш-памяти с практически любым разумным количеством бит на ячейку, от SLC до PLC, технология же позволяет развернуть производство X-NAND на базе техпроцессов любого крупного поставщика NAND-устройств. Если верить NEO Semiconductor, речь идёт о практически нулевых затратах на модернизацию производства под выпуск X-NAND. Увы, компания официально не сообщала, готов ли кто-то из крупных игроков развернуть массовый выпуск новой памяти.
09.08.2021 [16:56], Алексей Степин
Память X-NAND, сочетающая преимущества QLC и SLC, стала на шаг ближе к реальностиКлассическая архитектура NAND-памяти имеет свои пределы: по мере увеличения количества бит на ячейку падает и производительность, и надёжность. Компания NEO Semiconductor, о разработках которой мы рассказывали ранее, получила новые патенты на технологию X-NAND, позволяющую обойти ограничения традиционной флеш-памяти. Даже переход от MLC к TLC вызвал в своё время множество нареканий, часть из которых удалось обойти переходом от планарной NAND к NAND с 3D-структурами. Но дальнейший рост плотности под вопросом: QLC-накопители не блещут производительностью, особенно при записи; а в случае с PLC ситуация ещё более обострится. ![]() Цена многоячеечности в классической NAND-памяти NEO Semiconductor предлагает решение, призванное избавить технологию NAND от основных её недостатков. Технология X-NAND позволит сделать QLC-память не только более производительной, нежели классическая SLC, но и более компактной с точки зрения расхода транзисторов и площади кристалла. ![]() Архитектура страничного буфера классической флеш-памяти (слева) и X-NAND Обычно с падением производительности многоячеечной NAND пытаются бороться увеличением числа одновременно программируемых столбцов (Y-Plane), но это ведёт к резкому росту объёма буферов записи — каждый «слой» требует собственного буфера. В архитектуре X-NAND, однако, один буфер может использоваться для параллельной работы с большим количеством линий, 16 и более. То есть при неизменном объёме буфера количество Y-Plane можно повысить в 16 и более раз, во столько же раз увеличивая и производительность за счёт параллелизма операций чтения и записи. ![]() X-NAND позволит как уменьшить размер кристалла, так и увеличить производительность при прежней площади Компания опубликовала достаточно подробную документацию, в которой разъясняется ряд нюансов, на которых базируется технология X-NAND. Так, программирование одновременно 16 ячеек с помощью одного страничного буфера достигается за счёт использования импульсов длительностью не более 10 мкс, что позволяет обойтись ёмкостью бит-линий без операций обновления (refresh), а заодно и существенно снизить энергопотребление. Также доступно краткое двухстраничное описание новой технологии. ![]() Запись в SLC и перемещение в QLC в архитектуре X-NAND идут одновременно NEO Semiconductor считает, что 16 Y-слоёв не предел: при 64 выигрыш в производительности при операциях записи и чтения может достигнуть 22 и 30 раз соответственно; узким местом станет пропускная способность самого интерфейса, а не возможности структур X-NAND. При этом надёжности разработчики тоже уделяют немало внимания: использование укороченных бит-линий позволяет снизить их ёмкость и повысить точность управления, что сделает достаточно надёжным даже пятибитный вариант (PLC). ![]() Оценка преимуществ X-NAND при разном количестве бит на ячейку Обойти чудовищное падение скорости при записи в технологии X-NAND позволяет возможность параллельного программирования ячеек: свежие данные всегда пишутся в SLC-ячейки, но одновременно с этим идёт процесс их перемещения в TLC/QLC/PLC-области. Таким образом, исключается основная проблема многоячеечных NAND-устройств, а именно сильное падение производительности записи при выходе за пределы SLC-кеша. ![]() Переход на X-NAND позволит сделать QLC- и PLC-накопители быстрыми на всём объёме Компания NEO Semiconductor уже получила два новых патента США за номерами 11056190 B2 и 11049579 B2, а значит, она намеревается продвигать технологию X-NAND всерьез, лицензируя её ведущим производителям NAND-устройств, таким как SK Hynix с Intel, Micron, Kioxia, Samsung, Western Digital. Если всё сложится удачно, такая память сможет совершить революцию в All-Flash СХД и наверняка заинтересует гиперскейлеров.
01.12.2020 [17:21], Алексей Степин
Новая технология X-NAND сочетает плотность QLC и скорость SLCФлеш-память NAND используется сегодня везде, от портативных устройств до сверхпроизводительных корпоративных систем хранения данных. У технологии есть свои ограничения, к примеру, увеличение количества бит в ячейке NAND приводит к снижению производительности и надёжности. Компания NEO Semiconductor предлагает своё видение флеш-памяти нового поколения под названием X-NAND, сочетающее в себе высокую плотность хранения данных, свойственную QLC и производительность, характерную для SLC или MLC. ![]() В классической архитектуре буферы занимают существенную часть кристалла В своё время переход от MLC к TLC вызвал массу вопросов: да, повысить плотность хранения данных удалось на треть (три бита на ячейку вместо двух), однако это привело к необходимости использования восьми программирующих напряжений. Требования к точности работы контроллера возросли, а надёжность такой флеш-памяти, напротив, снизилась. Победить это удалось переходом от планарных технологий к 3D NAND. Но сейчас внедрение QLC и памяти с ещё более высоким числом бит на ячейку вызывает те же вопросы, ставшие ещё острее. Внедрение более тонких техпроцессов в производстве флеш-памяти исчерпывает потенциал надёжности, достигнутый за счёт внедрения 3D NAND, и в памяти типа QLC количество циклов перезаписи падает вновь. Кроме того, производительность таких устройств часто оказывается ниже всякой критики, особенно на операциях записи. В накопителях потребительского класса такой провал компенсируется активным использованием части флеш-массива в режиме SLC, но для серьёзного применения такой подход не годится, поскольку не обеспечивает устоявшейся производительности в сценариях с постоянной нагрузкой. ![]() X-NAND позволяет обойтись одним буфером, но в 16 раз увеличить степень параллелизма Увеличить производительность многоячеечной NAND можно путём наращивания количества одновременно программируемых столбцов (Y-plane) — за счёт параллелизма скорость записи серьёзно повышается. Но каждый столбец требует собственного буфера записи (обычно объёмом 16 Кбайт на блок) и уже при 16 «слоях» размер кристалла такой флеш-памяти вырастает на 270%. При этом сама архитектура такова, что количество одновременно проводимых операций чтения или записи не может превышать количества буферов. ![]() Компания NEO Semiconductor предлагает свой выход: в архитектуре X-NAND используется общий буфер. Его объём составляет те же 16 Кбайт на блок, однако на каждую страницу приходится лишь по 1 Кбайт, что позволяет избежать непрактичного «раздувания» кристалла. При этом за счёт параллелизма растёт и производительность: по заявлениям компании-разработчика, память QLC X-NAND в три раза быстрее обычной QLC на случайных операциях, а при линейной записи выигрыш составляет 14 раз. ![]() Память QLC X-NAND может быть быстрее классической SLC NAND В некоторых параметрах QLC X-NAND даже превосходит классическую SLC NAND, обычную служащую скоростным эталоном; особенно впечатляет скорость чтения: до 11 Гбайт/с на страницу проттив 1,6 Гбайт/с у SLC. При этом надёжность также выше: X-NAND за счёт параллелизма может не столь часто «тревожить» ячейки программирующими импульсами, меньше изнашивая их. Сама технология, конечно, требует изменений в логике работы контроллера, однако физически адаптировать производство обычной NAND под X-NAND, как сообщает NEO Semiconductor, весьма просто: в самой структуре ячеек X-NAND изменений нет, и общий техпроцесс остаётся прежним. Следовательно, любой потенциальный партнёр компании, располагающий производством NAND, может легко опробовать технологию в действии без существенных денежных затрат.
28.02.2020 [09:08], Алексей Степин
KIOXIA — новое имя легендарной Toshiba Memory, давшей миру флеш-памятьЕщё в июле прошлого года Toshiba Memory Europe заявила о смене названия на KIOXIA Europe. Новое имя получили все подразделения, ранее действовавшие под брендом Toshiba Memory. Осенью того же года, 1 октября, был объявлен запуск нового бренда и начало деятельности компании под новым именем. А совсем недавно название KIOXIA получило официальный статус. ![]() История у Toshiba Memory, нынешней KIOXIA, очень богатая. Достаточно сказать, что именно этой компании мы обязаны торжеством флеш-накопителей сегодня и именно она стоит у истоков столь популярного устройства, как NAND-память. Изобрёл флеш-память японский профессор Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), начавший свою карьеру в Toshiba ещё в 1971 году. Изначально он работал над созданием памяти DRAM и разработал чип ёмкостью 1 Мбит. Довольно быстро стало понятно, что обеспечить энергонезависимость полупроводниковых устройств памяти весьма непросто. Профессор Масуока с блеском решил эту задачу: вместо того, чтобы обеспечивать энергонезависимость каждой бит-ячейки, он предложил эти ячейки группировать. Изначально детищем Масуока стала память NOR, но настоящий прорыв случился в 1987 году, когда профессор впервые представил миру новое запоминающее устройство под названием NAND. Он надеялся, что флеш-память заменит жёсткие диски — и, как мы видим, сегодня предсказание профессора сбывается. ![]() Профессор Фудзио Масуока, изобретатель флеш-памяти Теперь компания KIOXIA Europe GmbH (ранее известная под названием Toshiba Memory Europe GmbH) является европейским подразделением KIOXIA Corporation, ведущего мирового поставщика флеш-памяти и твердотельных накопителей (SSDs). KIOXIA разрабатывает и производит решения по хранению данных для бизнеса и домашних пользователей:
Новое имя должно помочь компании в обновлении имиджа и становлении в качестве независимого производителя. Оно ведёт своё происхождение от двух слов, японского kioku (память) и греческого axia (ценность) — и действительно, в современном мире трудно переоценить значение флеш-памяти, которая используется буквально везде, от простейших устройств до огромных центров обработки данных. Так произносится новое имя Toshiba Memory Новый логотип KIOXIA имеет серебристый цвет, который должен символизировать надёжность и высочайшее качество продуктов, предлагаемых компанией. Основная палитра официальных цветов KIOXIA довольно яркая, помимо серебристого, она включает в себя голубой, пурпурный, светло-зелёный, оранжевый и жёлтый цвета. Это отражает разносторонность компании и её желание применять новые технологии на благо всего общества. ![]() Для того, чтобы отпраздновать начало деятельности под новым именем, KIOXIA запустила кампанию #FutureMemories. Первым мероприятием в рамках этой программы стал проект TEZUKA2020, посвящённый легендарному мангаке Осаму Тэдзука (Osamu Tezuka). Впервые за 30 лет его работы будут перерисованы в новом качестве с использованием технологий искусственного интеллекта, использующих флеш-массивы производства KIOXIA. Это лишь первый из примеров того, как компания меняет мир к лучшему при помощи своих технологий.
17.02.2020 [15:59], Сергей Карасёв
Winbond и Macronix расширяют выпуск промышленной SLC NANDКомпании Winbond Electronics и Macronix International намерены в текущем году предложить новые продукты на основе флеш-памяти SLC NAND. Об этом сообщает ресурс DigiTimes, ссылаясь на отраслевые источники. ![]() Технология SLC, или Single-Level Cell, предусматривает хранение только одного бита информации в одной ячейке. По сравнению с изделиями MLC (Multi-Level Cell) такие чипы обладают более высокими надёжностью и долговечностью. Сообщается, что Winbond и Macronix намерены расширить ассортимент продуктов на базе SLC NAND для промышленного применения, а также для ряда нишевых областей. ![]() Предполагается, что выпуск новых продуктов на базе технологии SLC NAND поможет компаниям повысить прибыль. К примеру, Winbond отмечает рост спроса на память NAND: в конце прошлого года на эти изделия пришлось около 9 % в общей выручке компании против 7 % в начале 2019 года. Winbond рассчитывает на увеличение до 25% доли продукции для промышленного и автомобильного секторов. Отмечается, что в нынешнем году ожидается хороший спрос на высокоплотные чипы SLC NAND ёмкостью 512 Мбит и 1 Гбит. Macronix, в свою очередь, наращивает выпуск SLC NAND, производимой по разработанному в компании техпроцесу 19 нм. Именно эти чипы должны помочь компании завоевать рынок промышленной памяти.
01.10.2019 [18:38], Сергей Карасёв
Xilinx берёт на вооружение память Micron Xccela FlashКомпания Xilinx будет использовать флеш-память Micron Xccela в составе Versal — адаптивной платформы для ускорения вычислений (Adaptive Compute Acceleration Platform, ACAP). ![]() Отмечается, что память Micron Xccela Flash использует интерфейс xSPI (Expanded Serial Peripheral Interface), что обеспечивает восьмикратное увеличение быстродействия на операциях загрузки и конфигурирования по сравнению с нынешними SPI-решениями NOR Flash. Кроме того, память Micron Xccela Flash потребляет на 30% меньше энергии в сравнении с ними. ![]() Флеш-память Xccela изготавливается с применением 45-нанометровой технологии. Заявленный диапазон рабочих температур весьма широк — он простирается от минус 40 до плюс 125 градусов Цельсия. Изделия доступны в модификациях вместимостью от 256 Мбит до 2 Гбит.
27.09.2019 [13:05], Сергей Карасёв
Toshiba представила новые чипы памяти SLC NAND для встраиваемых решенийКорпорация Toshiba Memory анонсировала флеш-чипы SLC NAND нового поколения, использующие последовательный интерфейс SPI (Serial Peripheral Interface). Изделия предназначены для встраиваемых решений. Они могут использоваться в промышленном оборудовании, робототехнических системах, принтерах, носимых устройствах и пр. ![]() В семейство вошли флеш-чипы ёмкостью 1 Гбит, 2 Гбит, 4 Гбит и 8 Гбит. Рабочая частота составляет 133 МГц, напряжение питания — 1,8 В или 3,3 В. ![]() Изделия могут функционировать в широком температурном диапазоне — от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Это позволяет применять их в самых разнообразных сферах. ![]() Toshiba отмечает, что благодаря высокой скорости считывания и записи, а также большому ресурсу записи модули флеш-памяти NAND типа SLC идеально подходят для применения в разнообразных потребительских и промышленных системах. Кроме того, флеш-память NAND типа SLC намного экономичнее флеш-памяти NOR. Поставки новых изделий начнутся уже в следующем месяце (чипы ёмкостью 8 Гбит станут доступны в декабре). О цене ничего не сообщается.
02.09.2019 [09:26], Сергей Карасёв
Pure Storage готовит флеш-хранилища на основе памяти QLCАналитик Wells Fargo Аарон Рэйкерс (Aaron Rakers) сообщает о том, что компания Pure Storage, поставщик систем хранения данных на основе флеш-памяти, готовит новые решения класса Nearline. ![]() Господин Рэйкерс побеседовал с главным архитектором Pure Storage Робом Ли (Rob Lee) и руководителем направления отношений с инвесторами Мэттом Дэнзигером (Matt Danziger). Отмечается, что новые флеш-решения Pure Storage будут использовать память QLC NAND: эта технология предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Готовящиеся устройства должны будут составить конкуренцию хранилищам на основе жёстких дисков корпоративного класса со скоростью вращения шпинделя 7200 оборотов в минуту. ![]() Применение флеш-памяти QLC позволит снизить стоимость конечных продуктов по сравнению с решениями на базе TLC (три бита данных в ячейке). Анонс новых систем Pure Storage ожидается в середине сентября. Ранее Аарон Рэйкерс высказал мнение, что компании будут предпочитать твердотельные накопители жёстким дискам, когда цена первых снизится в пять раз или когда они будут попросту дешевле HDD.
10.06.2019 [16:51], Сергей Карасёв
Новые чипы памяти Micron UFS 2.1 рассчитаны на автомобильные системыКомпания Micron Technology анонсировала модули флеш-памяти UFS 2.1, рассчитанные на использование в автомобильных системах. ![]() UFS, или Universal Flash Storage, — это спецификация флеш-накопителей для различных электронных устройств. По сравнению с памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии. Представленные чипы могут применяться в составе бортовых информационно-развлекательных систем, цифровых приборных панелей и других автомобильных комплексов. ![]() В основе изделий лежат 64-слойные чипы памяти 3D TLC NAND (технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке). Заявленная скорость чтения информации достигает 940 Мбайт/с, скорость записи — 650 Мбайт/с. Решения могут похвастаться широким диапазоном рабочих температур — от минус 40 до плюс 105 градусов Цельсия. Вместимость варьируется от 32 Гбайт до 256 Гбайт. Пробные поставки изделий уже начались, массовое производство намечено на следующий квартал. |
|