Infineon планирует инвестировать около €1,1 млрд в создание производства силовых проводников на основе нитрида галлия на 300-мм платинах на своём заводе в австрийском Филлахе, сообщает Converge Digest.
Начало производства запланировано на конец 2027 года. Проект будет направлен на энергоэффективное преобразование энергии для ИИ ЦОД, энергетической инфраструктуры, электромобилей и робототехники. Еврокомиссия одобрила государственную помощь в размере €319 млн в рамках европейского «Закона о чипах»; официальное обязательство австрийских властей по финансированию проекта ещё не принято.
Источник изображения: infineon.com
Infineon продемонстрировала технологию обработки 300-мм GaN-пластин в 2024 году и намерена наладить крупномасштабное коммерческое производство. С 300-мм пластины можно произвести примерно в 2,3 раза больше чипов, чем с 200-мм, подсчитали в компании. Более крупный формат способен увеличить эффективность производства по мере повышения выхода годных изделий и эффективности использования. Оборудование с GaN-компонентами может поддерживать высокочастотное переключение и иметь компактные габариты, что актуально для ИИ-инфраструктуры, в которой растут требования к питанию стоек.
К 2031 году рынок силовых полпупроводников на основе GaN может достичь $3,5 млрд, что соответствует среднегодовому росту на 35 % с 2025 года. Требования к потреблению энергии в стойках с ИИ-ускорителями приближаются к мегаваттным масштабам, и операторы ЦОД оценивают архитектуры с более высоким напряжением, в том числе 800 В с постоянным током; GaN-компоненты подходят для работы с такими архитектурами. Ассортимент полупроводников на основе кремния, карбида кремния (SiC) и GaN в сочетании с приобретённой ранее C2i Semiconductors решает задачи преобразования энергии и регулирования напряжения на различных этапах электроснабжения ИИ ЦОД.
Фактическое снижение затрат с переходом на 300-мм пластины будет зависеть от выхода годной продукции, оборудования и объёмов производства. Расширение производства в Филлахе укрепит европейские мощности по производству широкозоных полупроводников, а также поддержки позиции Infineon на рынках ИИ ЦОД, автомобильной электроники и энергетической инфраструктуры. Производство стартует в конце 2027 и будет расширяться до 2034 года.
Ранее Infineon продала тайваньской Winbond свой бизнес по производству памяти NOR и FRAM. Совместно с NVIDIA компания Infineon разрабатывает технологию питания на основе GaN для стоек на 800 В.
Источник:
