Компания Renesas Electronics анонсировала изделие TP65H020G4PLSGBD D-Mode для преобразователей питания в современных дата-центрах, ориентированных на ИИ. Это, как утверждается, первое в отрасли устройство на основе нитрида галлия (GaN) с поддержкой напряжения 650 В и двусторонним охлаждением.
Новинка спроектирована с прицелом на архитектуру 800В DC (LVDC) — это новый стандарт распределения питания постоянного тока внутри ЦОД. Чип выполнен в сверхкомпактном корпусе PQFN с размерами 8 × 8 мм, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 20 мОм — один из лучших показателей в данном классе.
Представленное решение базируется на силовых транзисторах GaN Gen IV Plus: эта технология создана для высокомощных систем энергоснабжения, требующих экстремальной энергоэффективности и компактности. Благодаря возможности отвода тепла как с верхней, так и с нижней стороны чипа тепловое сопротивление верхней стороны сокращается на 10 % по сравнению со стандартными изделиями.
Источник изображения: Renesas Electronics
Новое устройство разработано для нагрузок мегаваттного класса, характерных для ИИ ЦОД нового поколения с напряжением питания до 700 В. Чип ориентирован на каскад промежуточных преобразователей шины (IBC) 800 В постоянного тока в 48 В, 12 В или 6 В, а также на узлы резервного питания от батарей (BBU) и конденсаторных модулей (CBU).
Renesas уже подтвердила эффективность предложенного решения на аппаратном уровне. В частности, эталонный DC/DC-преобразователь (IBC) топологии LLC мощностью 6 кВт со схемой включения постоянного трансформатора (DCX) для преобразования напряжения 800 В в 48 В достигает удельной мощности 2,6 кВт/дюйм3. При этом эффективность при полной нагрузке на 0,21 % выше, чем у аналогичного устройства на транзисторах в корпусе TOLT.
Источник:
