Китайский производитель полупроводников ChangXin Memory Technologies (CXMT) готовится к началу выпуска передовой памяти с высокой пропускной способностью — HBM3E. При этом по данным источников, знакомых с ситуацией, к применению пригодны лишь немногим более 20 % сходящих с конвейера чипов, сообщает Reuters.
Решение компании всё-таки начать производство свидетельствует об острой нехватке в Китае чипов памяти, доступ к которым имеет важнейшее значение для поддерживаемых правительством инициатив по массовому выпуску альтернатив ИИ-ускорителям NVIDIA на фоне американских экспортных ограничений для КНР.
Источники сообщают, что CXMT, называемая крупнейшим производителем DRAM-памяти в Китае, направила образцы HBM3E разработчикам ИИ-ускорителей. По некоторым данным компания намерена начать производство в ближайшие два месяца.
Выход готовых к использованию чипов составляет порядка 20–30 %, тогда как, например, у лидера рынка — южнокорейской SK Hynix речь идёт приблизительно о 70 %.
HBM представляет собой один из ключевых компонентов специализированных ИИ-ускорителей, применяемых для обучения и использования ИИ-моделей.
В декабре 2024 года Вашингтон ужесточил экспортный контроль за поставками некоторых передовых решений HBM в Китай, поэтому китайские производители ускорителей всё чаще пытаются получить такие модули по неофициальным каналам. При этом конечная цена памяти при таких поставках вырастает в разы.
Источник изображения: CXMT
На этом фоне CXMT продолжает работу над проектом несмотря на высокий процент брака, поскольку получить память в нужных объёмах из-за рубежа в КНР довольно трудно. В результате повышается себестоимость производства, поскольку значительную часть чипов отправляют на доработку или просто выбраковывают.
В сентябре сообщалось, что Huawei, Cambricon, MetaX и Iluvatar CoreX подняли цены на текущее и следующее поколение ИИ-чипов на 20–50 % из-за роста затрат на память, мешающего наращивать производство.
Ожидается, что модули HBM3E компании CXMT будут стоить больше, чем сопоставимые продукты зарубежных конкурентов. Работу над собственными продуктами компания начала в 2024 году.
В тестах производительность памяти HBM3E компании CXMT оказалась близка к показателям памяти HBM3 южнокорейской SK Hynix.
CXMT отправила клиентам по два варианта HBM3E — стандартный и модернизированный, изменённый для увеличения процента выхода пригодных к использованию чипов.
Подобные сложности наглядно иллюстрируют технологический разрыв между CXMT и SK Hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, которые доминируют на глобальном рынке памяти.
На SK Hynix, по данным Counterpoint Research, во II квартале приходилось 50 % выручки от HBM в мире. Второе и третье места занимали Samsung и Micron с 33 % и 18 % соответственно. Большая часть выручки приходится на продажи HBM3E.
При этом доля CXMT в мировой выручке от продажи DRAM за тот же период составила 10 % — это делает компанию четвёртым по величине поставщиком обычных чипов памяти в мире. Тем не менее американские экспортные ограничения мешают компании получить доступ к передовым инструментам для выпуска микрочипов, препятствуя сокращению отставания от лидеров отрасли.
В июле Samsung заявила об увеличении продаж памяти HBM4 и отправке образцов HBM4E ряду заказчиков. Недавно SK Hynix заявила, что HBM4 станет мейнстримом в её линейке уже в IV квартале и предрекла сохранение дефицита памяти до 2030 года.
Источник:
