SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года.

Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах.

Изображения: SK Hynix

Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут.

SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.

Компания Silicon Motion представила SM8366, свой первый 16-канальный SSD-контроллер для NVMe-накопителей с интерфейсом PCIe 5.0, а также референсную платформу MonTitan на его основе. Одновременно был анонсирован и более простой, 8-канальный контроллер SM8308. Новинки способны обеспечить скорость передачи данных более 14 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Производительность произвольных операций чтения и записи 4K-блоками составляет 3 и 2,8 млн IOPS соответственно.

Изображения: Silicon Motion

Контроллеры соответствует стандарту NVMe 2.0a, используют архитектуру Arm и выпускаются с использованием 12-нм техпроцесса. Поддерживаются чипы флеш-памяти (ONFI/Toggle) 3D NAND TLC/QLC, XL-Flash и др. со скоростью 2400 МТ/с и общим объёмом до 128 Тбайт. Возможно использование двухканальной 40-бит памяти DDR4-3200 и DDR5-4800 в качестве буфера. Интерфейс PCIe 5.0 доступен в конфигурациях x4, x2/x2 и x1/x1. Контроллеры имеют FCBGA-упаковку (21 × 21 мм) и могут использоваться в накопителях E1.S/L, E3, U.2 и U.3.

Новинки поддерживают спецификации OCP Datacenter NVMe SSD и ZNS, до 128 пространств имён и до 1024 пар запросов, шифрование AES-256, аппаратные RoT и изоляцию, аттестацию, Secure Boot и т.д. Также есть проприетарные функции PerformaShape и NANDCommand. Первая отвечает за приоритизацию, а вторая — за эффективность алгоритмов LDPC для коррекции ошибок и повышение надёжности чипов QLC и, в будущем, PLC.

Начало поставок эталонных платформ MonTitan и SDK ожидается в IV квартале 2022 года. Отличительная черта нового решения — возможность глубокой кастомизации, что актуально для гиперскейлеров, корпоративных заказчиков и производителей SSD. Например, можно настроить не только уровень производительности для отдельных операций, но и выбрать набор NVMe-функций или вынести FTL на уровень хоста. Интерес к новинке выразили Alibaba Cloud, Micron, KIOXIA, YMTC и др.

Компания Kioxia анонсировала твердотельные накопители CM7 корпоративного класса, оптимизированные для использования в высокопроизводительных и высокоэффективных серверах, а также системах хранения данных. Уже начаты отгрузки устройств некоторым заказчикам.

Изделия серии CM7 доступны в двух вариантах исполнения: EDSFF E3.S и SFF толщиной 15 мм. Задействован интерфейс PCIe 5.0 (спецификация NVMe 2.0): утверждается, что по сравнению с накопителями предыдущего поколения производительность увеличилась в два раза.

Заявленная скорость чтения информации достигает 14 Гбайт/с; скорость записи не уточняется. Заказчики смогут выбирать между устройствами с разным уровнем надёжности: 1 DWPD (полных перезаписей в сутки) и 3 DWPD. В первом случае вместимость достигает 30,72 Тбайт, во втором — 12,80 Тбайт.

Источник изображения: Kioxia

Накопители CM7 имеют двухпортовую конструкцию. Среди поддерживаемых функций названы SR-IOV, CMB, Multistream writes, SGL. Говорится о поддержке TCG-Opal в соответствии со стандартом FIPS 140-3. Наконец, упомянуты средства обеспечения безопасности Flash Die Failure Protection.

Компания Samsung Electronics сообщила о создании DDR5-модуля Compute Express Link (CXL) вместимостью 512 Гбайт — это первое в отрасли решение столь высокой ёмкости, имеющее интерфейс PCIe 5.0 и выполненное в форм-факторе E3.S. Модуль даёт возможность значительно повысить объём памяти серверных систем и увеличить её пропускную способность.

Это, в свою очередь, позволяет ускорить выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ) и высокопроизводительными вычислениями (HPC) в центрах обработки данных. На текущий момент Samsung уже подписала с Lenovo соглашение о развитии CXL-решений. Ожидается, что тестирование новых модулей памяти начнётся в III квартале этого года, а массовыми они станут после появления на рынке новых платформ AMD EPYC Genoa и Intel Xeon Sapphire Rapids.

Источник изображений: Samsung

«Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объёмов данных. Открытый, обладающий широкой отраслевой поддержкой протокол CXL, основанный на интерфейсе PCI Express (PCIe) 5.0, обеспечивает высокоскоростную передачу с малой задержкой между хост-процессором и такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные устройства ввода-вывода», — заявляет Samsung.

Свой первый CXL-модуль памяти Samsung представила год назад. Чуть позже появилась и платформа для разработки. В конце прошлого года компания показала первую гибридную СХД Poseidon V2 с поддержкой CXL, которая позволяет объединить в одной платформе (Smart)SSD, DRAM и ускорители, а буквально на днях было продемонстрировано совместное с Liqid и Tanzanite решение для работы с пулами CXL-памяти.

Western Digital объявила в ходе мероприятия What’s Next Western Digital о начале рассылки образцов новых твердотельных накопителей UltraStar отдельным клиентам-гиперскейлерам. NVMe SSD Ultrastar DC SN650 ёмкостью до 15,36 Тбайт на базе памяти BiCS5 3D TLC NAND оснащены интерфейсом PCIe 4.0 и представлены в форм-факторах E1.L и SFF. Новинки позволят снизить TCO и добиться стабильности QoS.

Растущий спрос на *aaS-решения подталкивает облачные инфраструктуры к всё большей дезагрегации для обеспечения эластичности, масштабируемости и предсказуемости. Для этого требуются ёмкие и высокопроизводительные серверные NVMe SDD, которые повышают эффективность хранилища и увеличивают плотность размещения данных, что важно для виртуализированных и многопользовательских сред.

Изображение: Western Digital

По словам компании, Ultrastar DC SN650 позволят улучшить использование ресурсов хранения благодаря увеличению количества виртуализированных хостов на один SSD и консолидации больших наборов данных, в том числе для задач ИИ, Big Data и аналитики. Вместе с тем новинки обеспечивают низкую задержку и высокую пропускную способность, что важно для работы с данными в реальном времени.

Также компания отмечает, что современный форм-фактор E1.L значительно увеличивает плотность хранения в стойке, снижая совокупную стоимость владения и улучшая управляемость, удобство обслуживания и эффективность хранения. Накопитель DC SN650 в E1.L-формате соответствует спецификации OCP Cloud 1.0a. Как ожидается, поставки новинок начнутся во второй половине 2022 года.

Компания Solidigm анонсировала серверные SSD серий D7-P5520 и D7-P5620 для корпоративных заказчиков: в основу устройств положены 96-слойные чипы памяти Intel TLC 3D NAND. Все решения используют интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.3c). При этом доступны варианты в разных форм-факторах с различным уровнем надёжности.

Так, серия D7-P5520 включает изделия в форм-факторах U.2 15 мм, E1.S и E1.L. Их вместимость достигает соответственно 15,36 Тбайт, 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт. Устройства могут выдерживать одну полную перезапись в сутки (DWPD). Показатель IOPS при чтении достигает 1,1 млн, при записи — 220 тыс.

Источник изображений: Solidigm

В семейство D7-P5620 вошли накопители U.2 толщиной 15 мм и вместимостью до 12,8 Тбайт. У этих устройств значение DWPD равно трём. Величина IOPS при чтении — до 1,1 млн, при записи — до 390 тыс. Все накопители могут считывать информацию со скоростью до 7100 Мбайт/с и записывать со скоростью до 4200 Мбайт/с. Гарантия производителя составляет пять лет.