Корпорации Intel и SoftBank объявили о сотрудничестве в рамках проекта по разработке высокопроизводительной памяти нового типа Z-Angle Memory (ZAM), ориентированной на ИИ-системы. Предполагается, что в перспективе такие решения составят конкуренцию HBM.
В инициативе принимает участие Saimemory — дочернее предприятие SoftBank, сформированное в декабре 2024 года. Речь идёт о разработке многослойной архитектуры DRAM с вертикальной компоновкой. Цель заключается в увеличении ёмкости чипов памяти и их пропускной способности по сравнению с HBM при одновременном снижении энергопотребления.
Проект ZAM основан на результатах исследований, полученных по программе передовых технологий памяти AMT (Advanced Memory Technology), которая управляется Министерством энергетики США (DOE) и Администрацией по национальной ядерной безопасности США (NNSA). В данной программе участвуют Сандийские национальные лаборатории (SNL), Ливерморская национальная лаборатория имени Лоуренса (LLNL) и Лос-Аламосская национальная лаборатория (LANL) в составе DOE. Планируется использование технологии сборки Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB), которая, как утверждается, значительно повышает производительность DRAM, снижает энергопотребление и оптимизирует затраты на память.
Источник изображения: TechPowerUp
В целом, в рамках нового проекта Intel и Saimemory планируют увеличить ёмкость модулей памяти в два–три раза по сравнению с современными HBM, снизить энергопотребление на 40–50 % и при этом сохранить конкурентоспособную стоимость. Предполагается, что появление ZAM позволит устранить ключевые узкие места при масштабировании высокопроизводительных систем ИИ. Работы над памятью нового типа начнутся в текущем квартале. Демонстрация прототипов запланирована на 2027 год, а коммерциализация технологии — на 2030-й.
Источники:
